JPH0786691B2

JPH0786691B2 - 電子写真感光体及び製造方法

Info

Publication number: JPH0786691B2
Application number: JP1713189A
Authority: JP
Inventors: 昭雄滝本; 博文分元; 栄一郎田中; 正則渡辺
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-01-26
Filing date: 1989-01-26
Publication date: 1995-09-20
Anticipated expiration: 2010-09-20
Also published as: JPH02196243A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、電子写真方式の複写機、光プリンタ等に用い
られる電子写真感光体に関するものである。

従来の技術機能分離型電子写真感光体において、高感度の感光体を
得るには、より小さい誘電率を有する、或はより大きな
移動度を有する電荷輸送層の実現が必要である。

電荷輸送層の誘電率は、非晶質カーボンの場合３〜６で
あり、有機感光体（以下OPCと称する。）の場合およそ
３である。これ以下の誘電率を実現することは困難であ
るし、またメリットも少ない。

これに対して、電荷輸送層の移動度に課せられる条件
は、μτＶ＞d²（μは移動度、τはキャリア寿命、ｄは
電荷輸送層の膜厚、Ｖは電荷輸送層にかかる電圧を表
す。）移動度であり、μが大きい場合、キャリアが電荷
輸送層の膜厚ｄを走りきる時間は、T_r＝d²／μＶとな
り、移動度μの大きな電荷輸送層ほど、速いプロセスス
ピードを有する複写機、光プリンタが実現可能となる。

小さな誘電率を有する非晶質カーボンは、キャリアの走
行距離を表すμτ積として電荷輸送層の膜厚ｄ相当の距
離を走りきる条件を満足しており、低光量で表面電位を
減衰させることができる。しかし移動度μが小さく電荷
輸送層に注入したキャリアが層中を走りきるのに時間が
かかり、プロセススピードに大きな制限を加える。

そこで我々は移動度μの大きな電荷輸送材料として、フ
ェニレン基パラ位の置換基が共役結合を有する基か、ま
たはVIb族元素を含む基の少なくともいずれか一つを含
有し、且つ酸素或は電荷受容体を添加するものを提案し
た。またこの材料はポリマーであるより最大重合度に上
限のあるオリゴマー蒸着膜であることの方が移動度が高
いことも見いだした。

発明が解決しようとする課題重合度に制限を設け、重合度分布を制御したフェニレン
基パラ位の置換基が共役結合を有する基か、またはVIb
族元素を含む基の少なくともいずれか一つを含有するオ
リゴマー蒸着膜は結晶性の優れた膜質を持つ。重合度の
大きさ及び分布で、その微結晶域の大きさは異なる。そ
れらの配向性はバルクのキャリア伝達の性質を左右す
る。よってキャリア伝達を良好にするには膜質を制御す
る必要がある。

課題を解決するための手段光励起によってキャリアを発生する光導電層と、そのキ
ャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能分離型電子写
真感光体において、電荷輸送層がフェニレン基パラ位の
置換基がVIb族元素を含み、その重合度が５以上のオリ
ゴマーであり、且つその結晶系で繊維軸をＣ軸としたＸ
線回折の回折面（001）の回折強度の、回折面（200）の
回折強度に対する比が以下であるか、Ｘ線回折の回折
面（200）のピークの半値幅からシェラーの式（Ａ）よ
り算出される微結晶の大きさが200A以上とする。

この膜質を得るのに成膜後加熱処理を施す工程を設け
る。またキャリア移動度を増加させるのに電荷受容体を
附加させる。

作用高分子におけるバルク全体でのキャリアの移動は分子内
伝導と分子間伝導の結果であり、移動度の向上は両面よ
りなされる。第一の分子内伝導の向上には、分子軌道の
広がりとそれに伴う共役系の発達が指針となっており、
伝導メカニズムとしては荷電ソリトン、バイポーラロ
ン、ポーラロン等が考えられている。共役系の発達に
は、主鎖骨格中に多くのπ電子を持たせることが必要で
ある。また電子受容体との電荷のやりとりによって主鎖
上に正電荷を持ち込むことも有効な手段である。更に主
鎖に沿っての共役が発達していなくてもホッピングする
ことのできる電子軌道が隣接する構造であってもよい。

第二の分子間伝導の向上は結晶性、配向性の向上に区分
される。いずれにしてもキャリアが隣接する高分子に移
り易くするには、分子が空間的に密に配置され、しかも
キャリアの移動する電子軌道の重なりが大きいことが必
要である。

フェニレン基を有する直鎖状高分子における，分子内伝
導の向上は、そのフェニレン基のπ電子系を中心にして
発達させることが可能である。例えばフェニル基間に共
役結合を有する基を導入することで広くπ電子系が延び
る。またVIb族元素が間にはいる場合は、繊維軸上に隣
接するフェニル基はπ電子軌道が捻れた配置となり繊維
軸方向の軌道広がりは小さい。しかし繊維軸は堅く延び
きった形状を取り易く、結晶性は著しく上がる。そのた
めキャリアの移動は主に隣接する分子間となり、分子間
伝導が重要となる。

分子の長さが結晶性、配向性に与える効果は大きく、分
子が長くなることによっての結晶性の低下、ひいてはキ
ャリアのホッピング確率の低下と、キャリアの捕獲確率
の増大とをもたらすことになる。分子長にはバルクとし
て最も密に分子が並ぶに適した長さがある。この長さに
分子を揃えることで分子間伝導を向上させることが可能
となる。よって重合度に最適値が存在する。

ところで電子写真感光体に於けるキャリアの伝達方向は
基板面に垂直である。よって分子間伝導でキャリアを膜
中輸送させるには、分子の繊維軸を基板面に対して水平
に並べることが必要である。Ｘ線回折で繊維軸方向をＣ
軸にした時、（001）の回折は基板面に対して分子が立
ち並んだ状態を現し、（200）の回折は水平に並んだ状
態を現す。よって（001）の回折強度の（200）の回折強
度に対する比が低下するほど分子は基板面に水平に並ん
だ状態を示し、キャリア伝達は向上する。また結晶領域
が大きいほど当然キャリア伝達を阻害する領域あるいは
トラップサイトが少ない。よって各回折ピークの半値幅
が小さいほど、その回折に対応する方向に分子、微結晶
域が基板面に並ぶことになり、キャリア伝達は向上す
る。

実施例第１図は、本発明における基本的な電子写真感光体の一
実施例の断面を模式的に示したものである。第１図に示
す電子写真感光体は、電子写真感光体としての支持体１
上に、電荷輸送層２と光導電層３とを有し、前記光導電
層３は一方で自由表面４を有している。

本発明においてフェニレン基を有する直鎖状高分子とし
て第２図に示すような構造を持つものが上げられる。ま
たそこに上げられる構造を持つモノマーの任意の組合せ
からなる共重合体であってもよい。

第３図は第２図の一例であるパラフェニレンスルフィド
蒸着膜のＸ線回折である。Ｘ線源はCuKαの波長λ＝1.5
418Aである。パラフェニレンスルフィド膜は重合度を単
成分に揃えた原料粉末から抵抗加熱法によって成膜し
た。図中のオリゴマーの重合度は４、５、６、である。
それぞれ（001）の回折面は２θ＝３〜４°にあり、回
折ピークは繊維軸方向の長さに対応する分子長によって
シフトする。おおよそ、その（001）面間隔はＣ＝５×
ｎ（Ａ）と重合度ｎに比例する。また２θ＝21°近傍に
は（200）の回折に対応するピークがある。ａ軸方向は
分子間隔に相当し、重合度によって大きな変化はなくお
よそ8.5Aと一定である。

添加する電荷受容体としては、I₂、Br₂、Cl₂、ICI、IB
r、(NO₂)BF₄、(NO₂)PF₆、(NO₂)SbF₆、HClO₄、H₂SO₄、HN
O₃、HSO₄ ^-、AgClO₄、Fe(ClO₄)、BF₃、FeCl₃、FeBr₃、Al
Cl₃、InCl₃、InI₃、ZrCl₄、HfCl₄、TeCl₄、TeBr₄、Te
I₄、SnCl₄、SnI₄、SeCl₄、TiCl₄、TiI₄、FeCl₄ ^-、AlCl₄
^-、AsF₅、SbF₅、NbCl₅、NbF₅、TaCl₅、TaI₅、MoCl₅、Re
F₆、IrCl₆、InF₆、UF₆、OsF₆、XeF₆、TeF₆、SF₆、Se
F₆、WF₆、WCl₆、ReF₇等がある。

電荷輸送層２は真空蒸着法、イオンクラスタビーム法、
デイップ法、電着法等で直接基板面に形成しても良い
し、又粉末の押し出し形成によるフィルム化したのち、
基板面へ融着する方法であってもよい。

本発明において、光導電層３として硬度の高いシリコン
を含有する非晶質層を用いる場合光導電層３には、ａ−
Si（:H:X）、a-Si_1-yC_y（:H:X）（０＜ｙ＜１）、a-Si
_1-yO_y（:H:X）（０＜ｙ＜１）、a-Si_1-yN_y（:H:X）（０
＜ｙ＜１）、a-Si_1-zGe_z（:H:X）（０＜ｚ＜１）、a-(S
i_1-zGe_z)_1-yN_y（:H:X）（０＜y,z＜１）、a-(Si_1-zGe_z)
_1-yO_y（:H:X）（０＜y,z＜１）、またはa-(Si_1-zGe_z)
_1-yC_y（:H:X）（０＜y,z＜１）の単層、あるいはこれら
の積層からなる。またｙを連続的に変化させた場合も使
用できる。

シリコンを含有する光導電層３であるａ−Si（:H:X）の
作成には、SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、SiF₄、SiCl₄、SiHF₃、
SiH₂F₂、SiH₃F、SiHCl₃、SiH₂Cl₂、SiH₃Cl等のSi原子の
原料ガスを用いたプラズマCVD法、または多結晶シリコ
ンをターゲットとし、ArとH₂（さらにF₂又はCl₂を混合
しても良い）の混合ガス中での反応性スパッタ法が用い
られる。また、a-Si_1-yC_y（:H:X）（０＜ｙ＜１）、a-S
i_1-yO_y（:H:X）（０＜ｙ＜１）、a-Si_1-yN_y（:H:X）
（０＜ｙ＜１）の作成には、更に炭素源として、CH₄、C
₂H₆、C₃H₈、C₄H₁₀、C₂H₄、C₃H₆、C₄H₈、C₂H₂、C₃H₄、C₄
H₆、C₆H₆等の炭化水素、CH₃F、CH₃Cl、CH₃l、C₂H₅Cl、C
₂H₅Br、等のハロゲン化アリル、CClF₃、CF₄、CHF₃、C₂F
₆、C₃F₈等のフロンガス、C₆H_6-mF_m（ｍ＝１〜６）の弗
化ベンゼン等のＣ原子の原料ガスをプラズマCVD法に用
いるシリコン原料ガスと混合して、あるいは、反応性ス
パッタ法にはAr等のスパッタガスと混合して用いる。ま
た、酸素源としてはO₂、CO、CO₂、NO、NO₂等、また、窒
素源としてはN₂、NH₃、NO等を混合して用いる。

また、ａ−Si（:H:X）にGeを添加する場合もGeH₄、Ge₂H
₆、Ge₃H₈、GeF₄、GeCl₄、GeHF₃、GeH₂F₂、GeH₃F、GeHCl
₃、GeH₂Cl₂、GeH₃Cl等のガスを上記Si原子の原料ガスと
混合してプラズマCVD法によって形成することも出来
る。さらに、本発明において、上記のａ−Si（:H:X），
a-Si_1-yC_y（:H:X）（０＜ｙ＜１）、a-Si_1-yO_y（:H:X）
（０＜ｙ＜１）、a-Si_1-yN_y（:H:X）（０＜ｙ＜１）、
あるいはこれらにGe添加のこれらの膜中に、不純物を添
加することにより伝導性を制御し、所望の電子写真特性
を得ることができる。ｐ型伝導性を与えるｐ型不純物と
しては、周期律表第十ｂ族に属するＢ、Al、Ga、In等が
あり、好適にはＢ、Al、Gaが用いられ、ｎ型伝導性を与
えるｎ型不純物としては、周期律表第ｂ族に属するＮ、
Ｐ、As、Sb等が有り、好適にはＰ、Asが用いられる。

またこれらの不純物を添加する方法として、ｐ型不純物
の場合B₂H₆、B₄H₁₀、B₅H₉、B₅H₁₁、B₆H₁₂、B₆H₁₄、B
F₃、BCl₃、BBr₃、AlCl₃、(CH₃)₃Al、(C₂H₅)₃Al、(i-C₄H
₉)₃Al、(CH₃)₃Ga、(C₂H₅)₃Ga、InCl₃、(C₂H₅)₃Inを、ｎ
型不純物の場合、N₂、NH₃、NO、N₂O、NO₂、PH₃、P₂H₄、
PH₄I、PF₃、PF₅、PCl₃、PCl₅、PBr₃，PBr₅、Pl₃、As
H₃、AsF₃、AsCl₃、AsBr₃、SbH₃、SbF₃、SbF₅、SbCl₃、S
bCl₅等のガスを、あるいはこれらのガスをH₂、He、Arで
希釈したガスを、プラズマCVD法では、それぞれの膜形
成時において、使用する上記のＣ原子、Si原子等の原料
ガスと混合して用いれば良く、反応性スパッタ法では、
ArまたはH₂あるいはF₂、Cl₂に混合して用いれば良い。

光導電層３の有機半導体としては、（１）フタロシアニ
ン顔料（Pcと称す）、例えば無金属Pc、XPc（Ｘ＝Cu、N
i、Co、TiO、Mg、Si（OH₁₂、等）、AlClPcCl、TiOClPcC
l、InClPcCl、InClPc、InBrPcBr等である。更に（２）
モノアゾ色素、ジスアゾ色素等のアゾ系色素、（３）ペ
ニレン酸無水物およびペニレン酸イミド等のペニレン系
顔料、（４）インジゴイド染料、（５）キナクリドン顔
料、（６）アントラキノン類、ピレンキノン類等の多環
キノン類、（７）シアニン色素、（８）キサンテン染
料、（９）PVK/TNF等の電荷移動錯体、（10）ビリリウ
ム塩染料とポリカーボネイト樹脂から形成される共晶錯
体、（11）アズレニウム塩化化合物等がある。

これらの有機半導体の成膜には、真空蒸着法、デイップ
法、イオンクラスタビーム法、電着法等が用いられる。

また光導電層３がカルコゲン原子を含有する非単結晶層
である場合には、以下の組合せによる物が考えられる。
Ge−Ｓ、Ge−Se、Ge−Te、Ge−Ｐ−Ｓ、Ge−Ｐ−Se、Ge
−Ｐ−Te、Ge−As−Ｓ、Ge−As−Se、Ge−As−Te、Ge−
Sb−Ｓ、Ge−Sb−Se、Ge−Sb−Te、Ge−As−Te−Se、Ge
−As−Ｓ−Te、Ｋ−Ca−Ge−Ｓ、Ge−Te−Sb−Ｓ等、あ
るいはGeの代わりにSiを含有させたカルコゲナイドガラ
ス、また、Ge−Si−As−Se、Ge−Si−As−Teのカルコゲ
ナイドガラスが上げられる。

この時の膜厚は、電荷輸送層２は５〜50μｍ好適には10
〜25μｍ、また光導電層３の膜厚は0.5〜10μｍ好適に
は１〜５μｍとすれば良い。

本発明において、更に電子写真特性を向上させるため
に、第１図の支持体１と電荷輸送層２との間に支持体１
から電荷輸送層２に注入するキャリアを効果的に阻止す
るため障壁層を設けてもよい。

障壁層を形成する材料としては、Al₂O₃、BaO、BaO₂、Be
O、Bi₂O₃、CaO、CeO₂、Ce₂O₃、La₂O₃、Dy₂O₃、Lu₂O₃、C
r₂O₃、CuO、Cu₂O、FeO、PbO、MgO、SrO、Ta₂O₃、ThO₂、
ZrO₂、HfO₂、TiO₂、TiO、SiO₂、GeO₂、SiO、GeO等の金
属酸化物またはTiN、AIN、SnN、NbN、TaN、GaN等の金属
窒化物、またはWC、SnC、TiC等の金属炭化物またはSiC,
SiN、GeC、GeN、BC、BN等の絶縁物、ポリイミド、ポリ
アミドイミド、ポリアクリルニトリル等の耐熱性を有す
る有機化合物が使用される。

また、クリーニング性あるいは耐摩耗性あるいは耐コロ
ナ性を向上させるため、第１図において、自由表面４上
に表面被覆層を形成すると好適である。表面被覆層とし
て好適な材料としては、Si_xO_1-x、Si_xC_1-x、Si_xN_1-x、G
e_xO_1-x、Ge_xC_1-x、Ge_xN_1-x、B_xN_1-x、B_xC_1-x、Al_xN_1-x
（０＜ｘ＜１）、カーボンおよびこれらに水素あるいは
ハロゲンを含有する層等の無機物などが上げられる。

実施例１フェニレン基を有する直鎖状高分子として重合度を小さ
く制限したオリゴパラフェニレンスルフィド（以下OPS
と称する）を、鏡面研磨したアルミニウム基板上に真空
蒸着法で成膜した。

蒸着に用いた原料粉末は、重合長を変化させた。重合方
法は、ホーキンスの方法（Macromole.9（1976）189）に
よって行い、融点150℃〜285℃の範囲で重合度は４から
８まで５種類用意した。重合条件はオリゴマー化の原料
となる1,4−ビスチオフェニルベンゼンを空気中340〜36
0℃の条件で加熱処理した。このとき空気中酸素の作用
で重合度が４以上のオリゴマーが形成される。この時点
では多成分の原料粉末であるが、粉末の成分分離を数種
類の溶媒に対する溶解度の差を利用して行った。この分
離後更に再結晶を施し、重合度の異なるオリゴフェニレ
ンスルフィド粉末を各々単成分で得た。重合度が４から
８の５種類を使い真空蒸着法によって、膜厚10μｍ成膜
した。この時の成膜条件は同一で、真空度10^-5Torr以
下、基板温度は室温とし、坩堝温度300〜400℃とした。
成膜後の結晶性に影響を与える条件に基板温度と坩堝温
度がある。基板温度を上げると基板面、での分子のマイ
グレーション増加で結晶領域が広がる。また坩堝温度の
増加はその設定が分子の分解温度以下ならば成膜速度の
増加とその結果の非晶質領域の拡大につながる。本実施
例では5A/sec以下の低速とした。一方、基板面に対する
微結晶領域の配向性も上の２条件で変化する。

重合度４、５、６のオリゴフェニレンスルフィド蒸着膜
の蒸着直後のＸ線回折スペクトルを第２図に示す。また
キャリア伝達の効率を見るのに絶縁基板上に成膜した蒸
着膜にAu平行電極を構成し、その分光感度特性を評価し
た。評価条件は印加電界強度５×10³V/cm、照射光強度4
0μw/cm²である。第３図に結果を示す。この電極構成は
光キャリア伝達が基板面平行である。一方この蒸着膜の
電子写真特性をAl基板面の膜で測定した。オリゴマフェ
ニレンスルフィド単体では360nmに吸収ピークを持ち、
可視域に吸収帯がない。よって光照射は紫外光成分を含
むキセノンランプとした。その結果重合度４、５、６に
対して半減露光量（E1/2）は850lxsec、220lxsec、130l
xsecと成った。

感度に影響を与えるものに結晶領域の大きさとその配向
性がある。結晶領域の大きさはシェラーの式（Ａ）で評
価できる。いま特徴的な回折ピークとして（001）の回
折面（２θ＝３〜４°）と、（200）の回折面（２θ＝2
1°近傍）に注目する。これらより基板に垂直に並ぶ結
晶領域の大きさと、水平に並ぶ大きさを評価することが
できる。また直接これら２つのピーク強度比をもって各
配向比を見積ることができる。

結晶性、配向性を制御するのに各重合度の蒸着膜を真空
中で加熱処理した。重合度４の膜は70℃、重合度５は7
0、100℃、重合度６は70,100、150℃と順次行った。こ
こで各重合度の融点は110、150、180℃である。この間
の配向比変化を表１−１に、２ピークの結晶の大きさ変
化を表１−２に電子写真特性の半減露光量変化を表１−
３に示す。第４図にAu平行電極サンプルの360nm照射時
の光電流変化を示す。

表１−１、２、３、第４図より明らかなように基板面に
対して垂直配向が増加したとき基板面平向方向のキャリ
ア伝導が増し、逆に基板面平向配向の増加は基板面垂直
方向のキャリア伝達が向上する。よって電子写真感光体
の構成上、（200）回折の増加が感度向上と結び付く。

機能分離型電子写真を重合度６の150℃熱処理膜と水素
化フタロシアニン蒸着膜の組合せで構成した。負帯電型
の構成とし、水素化フタロシアニンをAl基板面に2000A
成膜後、10μｍのオリゴフェニレンスルフィド膜を蒸着
し熱処理を施す。この電子写真特性の評価の結果、コロ
ナ電圧6kVに対して初期帯電電位800V、白色光で半減露
光量0.8lxsec、残留電位30Vと良好な特性を得た。

実施例２本実施例では重合度４、５、６、７、８のオリゴフェニ
レンスルフィド原料粉末の蒸着条件を変えて配向性、結
晶性の制御を行った。蒸着速度は坩堝温度の高さでコン
トロールし、１、５、10、20A/secの４種類とした。ま
た基板温度は室温、100℃、150℃の３通りである。膜厚
は実施例１と同様10μｍとし、この上に電荷発生層とし
てカルコゲン原子を含むAs₂Se₃を膜厚２μｍ成膜した。
成膜は真空蒸着法によって行い基板温度100℃とした。
これにより正帯電の機能分離型電子写真感光体が構成で
きる。オリゴフェニレンスルフィド蒸着後の配向比変化
を表２−１、結晶の大きさ変化を表２−２に示す。電荷
発生層構成後の電子写真特性は重合度の増加で一意に向
上し、重合度８、蒸着速度1A/secの膜が最も良い。また
電荷発生層構成時、100℃の真空加熱処理を受けること
になる。半減露光量は白色光に対して0.6lxsecとなっ
た。またさらに150℃の加熱処理で0.55lxsecと向上し
た。

実施例３電荷発生層にSi原子を含む非晶質層とし、電荷輸送層に
酸素ドープしたポリパラフェニレンスルフィド（以下PP
Sと称する。）、オリゴパラフェニレンスルフィド（OP
S）の２種類から構成した。その膜質の差を（200）回折
ピークの微結晶領域の大きさから検討した。

ａ−Si:Hの製膜は、プラズマCVD法で行った。基板を、
６インチの放電電極を有する平行平板型の容量結合方式
プラズマCVD装置内に設置し、反応容器内を５×10^-6Tor
r以下に排気後、基板を150〜200℃の温度範囲の一定温
度に加熱制御した。反応容器内にSiH₄ガスを、50sccm、
H₂ガスを250sccm混合導入し、容器内圧力を0.2〜1.0Tor
r、13.56MHZの高周波を電力40〜80Wの条件で成膜し、ａ
ーSi:H層を光導電層として1.0μｍ形成した。

この電荷発生層上に膜厚10μｍのPPSフィルムを285℃の
空気中雰囲気で加熱し融着させた。その後290℃酸素100
％雰囲気下で６時間加熱処理し膜中に酸素をドーピング
した。一方OPS膜は重合度６の蒸着膜である。積層後の
Ｘ線回折から得られる結晶の大きさと半減露光量を評価
した。OPSは酸素ドープPPSに比べおよそ４倍の400Aの微
結晶の大きさを持つ。また電子写真感度もOPS膜は0.6lx
secとPPSの1.01xsecに比べ向上する。特に残留電位はキ
ャリア移動度と直接結び付き、PPSの150Vに対してOPSは
30V以下と大きく向上した。

実施例４電荷輸送層であるOPSに電子受容体として、TCNQ（7,7,
8,8,−テトラシアノキノジメタン）を添加した。本実施
例では、OPS原料粉末として重合度６を用い蒸着させた
後、５重量％の添加量TCNQを気相中で拡散させた。この
電荷輸送層上に成膜する光導電層にアズレニウム塩化合
物を採用した。1,4−ジメチル−７−イソプロピルアズ
レンとＰ−ジメチルアミノシンナムアルデヒドをテトラ
ヒドロフランに溶解し、酸（HX、Ｘ＝ClO₄、BF₄、Br、
Ｉ）を10℃以下に冷却しながら反応させて、この溶液を
60℃で乾燥させアズレニウム塩化合物１−（Ｐ−ジメチ
ルアミノシンナミリデン）−５−イソプロピル−3,8−
ジメチルアズレニウム塩を得た。これをブチラール樹脂
と混ぜ合わせ酢酸ブチル中で分散させたのち電荷輸送層
上に0.1〜5.0μｍ塗布したのち70℃で乾燥させた。

アズレニウム塩は、400〜900nmに至る波長領域で光導電
性に優れ、特に700nm以上の長波長に感度ピークを持ち
半導体レーザーを光源とするプリンタに適応し得る。上
記４種類のアズレニウム塩の中でも酸としてＩ（ヨウ
素）を含有したものは、白色光に対して0.65lxsec、800
nmの赤色光に対して0.36lxsecと良好な感度を示した。

発明の効果本発明によれば、光励起によってキャリアを発生する光
導電層と、そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる
機能分離型電子写真感光体において、電荷輸送層がフェ
ニレン基パラ位の置換基がVIb族元素を含み、その重合
度が５以上のオリゴマーであり、且つその結晶系で繊維
軸をＣ軸に取ったときのＸ線回折の回折面（001）の回
折強度の回折面（200）の回折強度に対する比を0.15以
下とすることにより、高感度、低残留電位の電子写真感
光体を得ることができる。またその結晶系で回折面（20
0）のピークの半値幅からシェラーの式より算出される
微結晶の大きさが200オングストローム以上とすること
により移動度の大きな電子写真感光体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における電子写真感光体の概
略断面図、第２図は本発明の実施例１に於ける重合度の
異なるオリゴマーのＸ線回折を表した図、第３図は同実
施例に於けるオリゴフェニレンスルフィド蒸着膜の分光
感度の重合度依存性を示した図、第４図は同実施例に於
けるオリゴフェニレンスルフィド蒸着膜の加熱処理を施
したときの感度特性変化を表した図である。１…支持体、２…電荷輸送層、３…光導電層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者渡辺正則大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開昭63−276058（ＪＰ，Ａ) 特開昭64−2062（ＪＰ，Ａ)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光励起によってキャリアを発生する光導電
層と、そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能
分離型電子写真感光体において、電荷輸送層がフェニレ
ン基パラ位の置換基がVIb族の元素を含み、その重合度
が５以上のオリゴマーであり、且つその結晶系で繊維軸
をＣ軸としたＸ線回折の回折面（001）の回折強度の回
折面（200）の回折強度に対する比が0.15以下であるこ
とを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】光励起によってキャリアを発生する光導電
層と、そのキャリアを輸送する電荷輸送層からなる機能
分離型電子写真感光体において、電荷輸送層がフェニレ
ン基パラ位の置換基がVIb族元素を含み、その重合度が
５以上のオリゴマーであり、且つその結晶系で繊維軸を
Ｃ軸としたＸ線回折の回折面（200）のピークの半値幅
から以下のシェラーの式より算出される微結晶の大きさＤ＝0.9λ／βCOSθ……（Ａ）（Ｄは微結晶の大きさ、λはＸ線の波長、βは回折線の
半値幅で単位はそれぞれオングストローム、θは回折面
（200）のブラッグ角を表す。）が、200A以上であるこ
とを特徴とする電子写真感光体。
【請求項３】電荷輸送層中のフェニレン基パラ位の置換
基が、イオウのオリゴフェニレンスルフィドであること
を特徴とする請求項１または２記載の記載の電子写真感
光体。
【請求項４】電荷輸送層に電子受容体が添加されている
ことを特徴とする請求項１または２記載の電子写真感光
体。
【請求項５】光導電層がカルコゲン原子を含有する非単
結晶層を含むことを特徴とする請求項１または２記載の
電子写真感光体。
【請求項６】光導電層が、SiあるいはGe原子を含む非晶
質層を含むことを特徴とする請求項１または２記載の電
子写真感光体。
【請求項７】光導電層が、有機半導体層を含むことを特
徴とする請求項１または２記載の電子写真感光体。
【請求項８】電荷輸送層を成膜した後加熱処理すること
により、Ｘ線回折の回折面（001）の回折強度の回折面
（200）の回折強度に対する比を低下させる工程を含む
ことを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体の製造
方法。
【請求項９】電荷輸送層を成膜した後加熱処理すること
により、Ｘ線回折の回折面（200）のピーク半値幅を小
さくする工程を含むことを特徴とする請求項２記載の電
子写真感光体の製造方法。