JPH0792903B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0792903B2 JPH0792903B2 JP59089367A JP8936784A JPH0792903B2 JP H0792903 B2 JPH0792903 B2 JP H0792903B2 JP 59089367 A JP59089367 A JP 59089367A JP 8936784 A JP8936784 A JP 8936784A JP H0792903 B2 JPH0792903 B2 JP H0792903B2
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- Japan
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- magnetic head
- thin film
- film magnetic
- connection
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
り、得に多層配線を施す際の絶縁層に対するエッチング
方法に関するものである。
り、得に多層配線を施す際の絶縁層に対するエッチング
方法に関するものである。
薄膜磁気ヘッドや半導体装置等においては、その構成
上、あるいは高密度化の要請等に伴って、薄膜技術を用
いて例えば配線パターンを２層あるいは３層以上形成す
る等、所謂多層配線構造とするのが一般的である。
上、あるいは高密度化の要請等に伴って、薄膜技術を用
いて例えば配線パターンを２層あるいは３層以上形成す
る等、所謂多層配線構造とするのが一般的である。
例えば上記薄膜磁気ヘッドでは、第１図に示すように、
あらかじめ第１の絶縁層を形成した基板101上に所定の
パターンの第１の導電金属層102を設け、二酸化ケイ素S
iO2等の透明材料により第２の絶縁層103を形成した後、
この第２の絶縁層103に対してエッチングを施してこの
絶縁層の所定の部分、すなわち上記第１の導電金属層10
2と後述の第２の導電金属層の電気的導通を図る必要が
ある部分に接続窓104及び105を形成し、さらに第２の導
電金属層106を被着してこれら第１の導電金属層102と第
２の導電金属層106とを上記接続窓104及び105の部分で
接続するというように、順次絶縁層を介して導電金属層
を積層し多層配線構造としている。そして、このような
多層配線を採用することにより高密度配線が可能とな
り、装置の小型化や性能の向上等が可能となっている。
あらかじめ第１の絶縁層を形成した基板101上に所定の
パターンの第１の導電金属層102を設け、二酸化ケイ素S
iO2等の透明材料により第２の絶縁層103を形成した後、
この第２の絶縁層103に対してエッチングを施してこの
絶縁層の所定の部分、すなわち上記第１の導電金属層10
2と後述の第２の導電金属層の電気的導通を図る必要が
ある部分に接続窓104及び105を形成し、さらに第２の導
電金属層106を被着してこれら第１の導電金属層102と第
２の導電金属層106とを上記接続窓104及び105の部分で
接続するというように、順次絶縁層を介して導電金属層
を積層し多層配線構造としている。そして、このような
多層配線を採用することにより高密度配線が可能とな
り、装置の小型化や性能の向上等が可能となっている。
ところで、上述のような多層配線構造のものを製造する
場合には、特に上記絶縁層103に対するエッチング方法
が問題となっている。すなわち、上記絶縁層103に設け
られる接続窓は、上記第１の導電金属層102と第２の導
電金属層106間の接続抵抗を極力小さくするためにでき
る限り大きくするのが一般的であり、したがってこの接
続窓を形成する位置によって接続窓の大きさが大きく異
なっている。例えば、微細なコイルパターン部での接続
を図るための接続窓104の大きさが15μ×50μ程度であ
るのに対して、幅広の電極部での接続を図るための接続
窓105の大きさは50μ×70μ程度であり、さらに例えば
共通電極により各導体コイルのアースを図るような場合
にはこの共通電極部分での接続窓の大きさが350μ×400
μ程度にも達する。このように、各接続窓の大きさが異
なると、例えばイオンエッチングにより上記接続窓を抜
こうとしたときに、各接続窓におけるエッチング速度の
差が問題となる。すなわち、例えば接続窓104と接続窓1
05とを同時にエッチングすると、大きい方の接続窓105
が小さい接続窓104に比べて速く抜けてしまい、この小
さい接続窓104が抜けるまでには、上記大きい方の接続
窓105において、この部分に露出する第１の導電金属層1
02までオーバーエッチングされてしまう。このため、上
記導電金属層102が薄くなってしまい、極端な場合には
上記導電金属層102に膜切れが生ずる虞れもある。
場合には、特に上記絶縁層103に対するエッチング方法
が問題となっている。すなわち、上記絶縁層103に設け
られる接続窓は、上記第１の導電金属層102と第２の導
電金属層106間の接続抵抗を極力小さくするためにでき
る限り大きくするのが一般的であり、したがってこの接
続窓を形成する位置によって接続窓の大きさが大きく異
なっている。例えば、微細なコイルパターン部での接続
を図るための接続窓104の大きさが15μ×50μ程度であ
るのに対して、幅広の電極部での接続を図るための接続
窓105の大きさは50μ×70μ程度であり、さらに例えば
共通電極により各導体コイルのアースを図るような場合
にはこの共通電極部分での接続窓の大きさが350μ×400
μ程度にも達する。このように、各接続窓の大きさが異
なると、例えばイオンエッチングにより上記接続窓を抜
こうとしたときに、各接続窓におけるエッチング速度の
差が問題となる。すなわち、例えば接続窓104と接続窓1
05とを同時にエッチングすると、大きい方の接続窓105
が小さい接続窓104に比べて速く抜けてしまい、この小
さい接続窓104が抜けるまでには、上記大きい方の接続
窓105において、この部分に露出する第１の導電金属層1
02までオーバーエッチングされてしまう。このため、上
記導電金属層102が薄くなってしまい、極端な場合には
上記導電金属層102に膜切れが生ずる虞れもある。
そこで、上記オーバーエッチングによる導電金属層102
の膜切れを防止するために、上記導電金属層102の厚さ
を厚くすることも考えられるが、この導電金属層102は
通常スパッタや蒸着等の手法により被着形成されるの
で、あまり厚くするとこの導電金属層102を形成するの
に長時間を要し、生産性を低下してしまうので好ましく
ない。
の膜切れを防止するために、上記導電金属層102の厚さ
を厚くすることも考えられるが、この導電金属層102は
通常スパッタや蒸着等の手法により被着形成されるの
で、あまり厚くするとこの導電金属層102を形成するの
に長時間を要し、生産性を低下してしまうので好ましく
ない。
そこで本発明は、前述の従来技術の有する欠点を解消す
るために提案されたものであって、窓部の大きさにかか
わらずエッチング速度をほぼ等しくし、下地層に対する
オーバーエッチングを防止することが可能な薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とする。
るために提案されたものであって、窓部の大きさにかか
わらずエッチング速度をほぼ等しくし、下地層に対する
オーバーエッチングを防止することが可能な薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上述の如き目的を達成するために、薄膜磁気
ヘッドのコイル部とリード部に対応して絶縁層に大きさ
の異なる２以上の窓部をエッチングにより形成するにあ
たり、リード部に対応する窓部をコイル部に対応する窓
部の幅と略一致するような幅を有し且つ長さの長い複数
のスリット状の分割窓部に分割して形成することを特徴
とするものである。
ヘッドのコイル部とリード部に対応して絶縁層に大きさ
の異なる２以上の窓部をエッチングにより形成するにあ
たり、リード部に対応する窓部をコイル部に対応する窓
部の幅と略一致するような幅を有し且つ長さの長い複数
のスリット状の分割窓部に分割して形成することを特徴
とするものである。
以下、本発明を薄膜磁気ヘッドの製造に適用した一実施
例について、図面を参照しながら説明する。
例について、図面を参照しながら説明する。
第２図ないし第６図は薄膜磁気ヘッドの製造工程をその
工程順序に従って示すものである。
工程順序に従って示すものである。
薄膜磁気ヘッドを製造するには、先ず第２図に示すよう
にあらかじめ二酸化ケイ素SiO2等の透明絶縁材料からな
る第１の絶縁層２をその表面に被着形成した磁性基板１
を用意し、上記第１の絶縁層２を覆うように第１の導電
金属層３を蒸着あるいはスパッタにより被着形成する。
にあらかじめ二酸化ケイ素SiO2等の透明絶縁材料からな
る第１の絶縁層２をその表面に被着形成した磁性基板１
を用意し、上記第１の絶縁層２を覆うように第１の導電
金属層３を蒸着あるいはスパッタにより被着形成する。
なお、上記磁性基板１の材料としては通常の磁気ヘッド
等に用いられる磁性材料であれば如何なるものであって
もよいが、この実施例においてはMn−Znフェライトを用
いる。また、上記第１の導電金属層３は、銅によって形
成される。
等に用いられる磁性材料であれば如何なるものであって
もよいが、この実施例においてはMn−Znフェライトを用
いる。また、上記第１の導電金属層３は、銅によって形
成される。
次に、第３図Ａ及び第３図Ｂに示すように、上記第１の
導電金属層３に対してエッチングを施し、渦巻状のコイ
ル部4aと外部への引き出し線となるリード部4bとからな
る第１の配線パターン４を形成する。
導電金属層３に対してエッチングを施し、渦巻状のコイ
ル部4aと外部への引き出し線となるリード部4bとからな
る第１の配線パターン４を形成する。
上記第１の導電金属層３に対するエッチング方法として
は、エッチング液を用いる所謂ウエットエッチングでも
よいし、イオンエッチングの如きドライエッチングでも
よい。
は、エッチング液を用いる所謂ウエットエッチングでも
よいし、イオンエッチングの如きドライエッチングでも
よい。
続いて、第４図Ａ及び第４図Ｂに示すように、上記第１
の配線パターン４を覆うように上記基板１上に第２の絶
縁層５をSiO2の如き透明絶縁材料により積層形成する。
の配線パターン４を覆うように上記基板１上に第２の絶
縁層５をSiO2の如き透明絶縁材料により積層形成する。
そして、第５図Ａ及び第５図Ｂに示すように、上記第２
の絶縁層５に対してマスキングを施してパターンエッチ
ングを行なう。このパターンエッチングはイオンエッチ
ングのようなドライエッチングにより行なう。
の絶縁層５に対してマスキングを施してパターンエッチ
ングを行なう。このパターンエッチングはイオンエッチ
ングのようなドライエッチングにより行なう。
上記第２の絶縁層５に対するパターンエッチングによ
り、上記第１の配線パターン４上の所定の場所、すなわ
ち上記第１の配線パターン４と後述の第２の配線パター
ンとの間で電気的導電を図る必要がある部分に配線パタ
ーン接続用窓部6,7を設ける。
り、上記第１の配線パターン４上の所定の場所、すなわ
ち上記第１の配線パターン４と後述の第２の配線パター
ンとの間で電気的導電を図る必要がある部分に配線パタ
ーン接続用窓部6,7を設ける。
ここで、上記接続用窓部６は上記第１の配線パターン４
のコイル部4aと後述の第２の配線パターンとを接続する
ために形成され、したがって上記コイル部4aの幅よりも
幅狭に、例えば幅ｄ＝15μ、長さｌ＝50μで形成され
て、上記第２の絶縁層５に設けられる接続用窓部のうち
最小の窓部となっている。
のコイル部4aと後述の第２の配線パターンとを接続する
ために形成され、したがって上記コイル部4aの幅よりも
幅狭に、例えば幅ｄ＝15μ、長さｌ＝50μで形成され
て、上記第２の絶縁層５に設けられる接続用窓部のうち
最小の窓部となっている。
一方、上記第１の配線パターン４のリード部4b上に設け
られる接続用窓部７は、通常この部分での接続抵抗を極
力小さくするためにできる限り大きく形成され、例えば
50μ×70μ程度に形成されるが、この実施例において
は、上記最小の窓部である接続用窓部６の幅ｄと略等し
い幅を有し70μ程度の長さＬを有する複数の、この例で
は２つの分割窓部7a,7bに分割して形成する。なお、こ
こでこの分割窓部7aの幅は上記接続用窓部６の幅ｄの1.
2倍程度までが限度であり、これ以上大きくすると後述
のエッチング速度に差が生じ、本発明の目的を達成し得
なくなる虞れがある。
られる接続用窓部７は、通常この部分での接続抵抗を極
力小さくするためにできる限り大きく形成され、例えば
50μ×70μ程度に形成されるが、この実施例において
は、上記最小の窓部である接続用窓部６の幅ｄと略等し
い幅を有し70μ程度の長さＬを有する複数の、この例で
は２つの分割窓部7a,7bに分割して形成する。なお、こ
こでこの分割窓部7aの幅は上記接続用窓部６の幅ｄの1.
2倍程度までが限度であり、これ以上大きくすると後述
のエッチング速度に差が生じ、本発明の目的を達成し得
なくなる虞れがある。
このように上記接続用窓部７を分割形成することによ
り、上記接続用窓部６に対するエッチング速度と、上記
接続用窓部７を構成する各分割窓部7aに対するエッチン
グ速度はほぼ等しくなり、上記接続用窓部７に臨むリー
ド部4bをオーバーエッチングすることはない。また、上
記接続用窓部７は分割された複数の分割窓部7aから構成
されるので、第１の配線パターン４と後述の第２の配線
パターンの接触面積が充分確保され、この接続用窓部７
における接続抵抗が大きくなることはない。
り、上記接続用窓部６に対するエッチング速度と、上記
接続用窓部７を構成する各分割窓部7aに対するエッチン
グ速度はほぼ等しくなり、上記接続用窓部７に臨むリー
ド部4bをオーバーエッチングすることはない。また、上
記接続用窓部７は分割された複数の分割窓部7aから構成
されるので、第１の配線パターン４と後述の第２の配線
パターンの接触面積が充分確保され、この接続用窓部７
における接続抵抗が大きくなることはない。
このように上記接続用窓部６及び７を形成した後、上記
第２の絶縁層５を覆うように導電金属である銅を蒸着あ
るいはスパッタして第２の導電金属層を被着形成し、第
６図Ａ及び第６図Ｂに示すように、上記第２の導電金属
層に対してパターンエッチングを施し、第２の配線パタ
ーン８を形成する。
第２の絶縁層５を覆うように導電金属である銅を蒸着あ
るいはスパッタして第２の導電金属層を被着形成し、第
６図Ａ及び第６図Ｂに示すように、上記第２の導電金属
層に対してパターンエッチングを施し、第２の配線パタ
ーン８を形成する。
この第２の配線パターン８は先の第１の配線パターン４
と同じ巻回方向を有する渦巻状に形成され、その両端部
がそれぞれ上記接続用窓部6,7を介して第１の配線パタ
ーン４のコイル部4a及びリード部4bと接続されている。
したがって、上記第１の配線パターン４と第２の配線パ
ターン８とは合わせて６ターンのコイルを構成してい
る。
と同じ巻回方向を有する渦巻状に形成され、その両端部
がそれぞれ上記接続用窓部6,7を介して第１の配線パタ
ーン４のコイル部4a及びリード部4bと接続されている。
したがって、上記第１の配線パターン４と第２の配線パ
ターン８とは合わせて６ターンのコイルを構成してい
る。
さらに、上記磁性基板１とともに磁気コアを構成する上
部磁性体や得られる磁気ヘッド部の損傷を防止するため
の保護板等を設けて薄膜磁気ヘッドを完成する。
部磁性体や得られる磁気ヘッド部の損傷を防止するため
の保護板等を設けて薄膜磁気ヘッドを完成する。
以上述べたように、上記実施例においては、大きい方の
接続用窓部７を最小の窓部である接続用窓部６の幅と略
等しい幅を有する複数の分割窓部7aとして分割形成して
いるので、これら各窓部6,7に対するエッチング速度が
ほぼ等しくなり、これら各窓部6,7に臨む下地層である
第１の配線パターン４をオーバーエッチングしてこの配
線パターン４に細りや膜切れが生ずることはなく、した
がって品質の高い薄膜磁気ヘッドを製造することが可能
である。
接続用窓部７を最小の窓部である接続用窓部６の幅と略
等しい幅を有する複数の分割窓部7aとして分割形成して
いるので、これら各窓部6,7に対するエッチング速度が
ほぼ等しくなり、これら各窓部6,7に臨む下地層である
第１の配線パターン４をオーバーエッチングしてこの配
線パターン４に細りや膜切れが生ずることはなく、した
がって品質の高い薄膜磁気ヘッドを製造することが可能
である。
また、上記第１の配線パターン４をオーバーエッチング
する虞れがないことから、この配線パターン４の厚さを
できる限り薄くすることができ、生産性の点からも有利
である。
する虞れがないことから、この配線パターン４の厚さを
できる限り薄くすることができ、生産性の点からも有利
である。
ところで、上記実施例では大きさの異なる２種類の接続
用窓部6,7をエッチング形成する場合について述べた
が、例えば大きさの異なる３種類以上の窓部を形成する
場合にも有効であることは言うまでもない。
用窓部6,7をエッチング形成する場合について述べた
が、例えば大きさの異なる３種類以上の窓部を形成する
場合にも有効であることは言うまでもない。
また、本発明は大きさの大幅に異なる窓部を形成する場
合にも適用することができる。
合にも適用することができる。
例えば、第７図に示すような共通電極型の薄膜磁気ヘッ
ドでは、コイル部11上に設けられる接続用窓部12の大き
さが30μ×40μ程度であるのに対して、共通電極部13上
には通常300μ×400μ程度の接続用窓部14が形成され
る。したがって、上記共通電極部13上の接続用窓部14を
上記コイル部11上の接続用窓部12の幅と等しい30μ幅で
長さ300μ程度のスリット状の分割窓部14aとして形成す
ればよい。
ドでは、コイル部11上に設けられる接続用窓部12の大き
さが30μ×40μ程度であるのに対して、共通電極部13上
には通常300μ×400μ程度の接続用窓部14が形成され
る。したがって、上記共通電極部13上の接続用窓部14を
上記コイル部11上の接続用窓部12の幅と等しい30μ幅で
長さ300μ程度のスリット状の分割窓部14aとして形成す
ればよい。
上述の実施例の説明からも明らかなように、本発明にお
いては、大きさの異なる２種類以上の窓部を形成する際
に、大きい方の窓部を小さい方の窓部の幅と略等しい窓
部に分割して形成しているので、これら各窓部間のエッ
チング速度の差がほとんどなくなり、下地層のオーバー
エッチングを防止することが可能となっている。
いては、大きさの異なる２種類以上の窓部を形成する際
に、大きい方の窓部を小さい方の窓部の幅と略等しい窓
部に分割して形成しているので、これら各窓部間のエッ
チング速度の差がほとんどなくなり、下地層のオーバー
エッチングを防止することが可能となっている。
また、リード部に対応する窓部をコイル部に対応する窓
部の幅と略一致するような幅を有し且つ長さの長い複数
のスリット状の分割窓部に分割しているので、接触面積
の低下を最小限に抑えることができ、リード部での接続
抵抗を十分に小さなものとすることができる。
部の幅と略一致するような幅を有し且つ長さの長い複数
のスリット状の分割窓部に分割しているので、接触面積
の低下を最小限に抑えることができ、リード部での接続
抵抗を十分に小さなものとすることができる。
第１図は従来の製法により製造される薄膜磁気ヘッドを
示す要部拡大平面図である。 第２図ないし第６図は本発明を薄膜磁気ヘッドの製造に
適用した実施例の工程順序を示すものであり、第２図は
第１の導電金属層被着形成工程を示す要部拡大断面図、
第３図Ａは第１の配線パターン形成工程を示す概略拡大
平面図、第３図Ｂは第３図ＡのＡ−Ａ線における断面
図、第４図Ａは第２の絶縁層被着形成工程を示す概略拡
大平面図、第４図Ｂは第４図ＡのＢ−Ｂ線における断面
図、第５図Ａは第２の絶縁層のパターンエッチング工程
を示す概略拡大平面図、第５図Ｂは第５図ＡのＣ−Ｃ線
における断面図、第６図Ａは第２の配線パターン形成工
程を示す概略拡大平面図、第６図Ｂは第６図ＡのＤ−Ｄ
線における断面図である。 第７図は本発明の他の実施例を示す要部拡大平面図であ
る。 6,12……接続用窓部（最小の窓部） 7,14……接続用窓部 7a,14a……分割窓部
示す要部拡大平面図である。 第２図ないし第６図は本発明を薄膜磁気ヘッドの製造に
適用した実施例の工程順序を示すものであり、第２図は
第１の導電金属層被着形成工程を示す要部拡大断面図、
第３図Ａは第１の配線パターン形成工程を示す概略拡大
平面図、第３図Ｂは第３図ＡのＡ−Ａ線における断面
図、第４図Ａは第２の絶縁層被着形成工程を示す概略拡
大平面図、第４図Ｂは第４図ＡのＢ−Ｂ線における断面
図、第５図Ａは第２の絶縁層のパターンエッチング工程
を示す概略拡大平面図、第５図Ｂは第５図ＡのＣ−Ｃ線
における断面図、第６図Ａは第２の配線パターン形成工
程を示す概略拡大平面図、第６図Ｂは第６図ＡのＤ−Ｄ
線における断面図である。 第７図は本発明の他の実施例を示す要部拡大平面図であ
る。 6,12……接続用窓部（最小の窓部） 7,14……接続用窓部 7a,14a……分割窓部
Claims (1)
- 【請求項１】薄膜磁気ヘッドのコイル部とリード部に対
応して絶縁層に大きさの異なる２以上の窓部をエッチン
グにより形成するにあたり、リード部に対応する窓部を
コイル部に対応する窓部の幅と略一致するような幅を有
し且つ長さの長い複数のスリット状の分割窓部に分割し
て形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089367A JPH0792903B2 (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59089367A JPH0792903B2 (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234212A JPS60234212A (ja) | 1985-11-20 |
| JPH0792903B2 true JPH0792903B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=13968726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59089367A Expired - Lifetime JPH0792903B2 (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0792903B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155551A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-01 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP59089367A patent/JPH0792903B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60234212A (ja) | 1985-11-20 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |