JPH0793250B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPH0793250B2 JPH0793250B2 JP59197931A JP19793184A JPH0793250B2 JP H0793250 B2 JPH0793250 B2 JP H0793250B2 JP 59197931 A JP59197931 A JP 59197931A JP 19793184 A JP19793184 A JP 19793184A JP H0793250 B2 JPH0793250 B2 JP H0793250B2
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- Japan
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- frame
- width
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、電子ビーム等による露光装置を用いたパター
ン形成方法に関する。
ン形成方法に関する。
従来、ラスター式電子ビーム露光装置の描画方法として
は、以下に示す例が知られている。即ち、第３図のモデ
ル図に示すように、試料の載置されたテーブルをＹ方向
に連続定速移動させながら、直径ａの電子ビームのスポ
ット１を定速で、Ｘ方向に偏向させる。このとき、描画
する図形データ２に従って、電子ビームのON/OFFを制御
する。これにより、Ｙステージが電子ビームのスポット
の大きさ（直径ａ）と同じ長さΔＹ移動するごとに、Ｘ
方向の偏向が繰り返され、SX1,SX2,SX3，…SXnの順にス
キャンされる。なお、一般に、一度のスキャンによって
実効的に描くことのできる描画幅Ｗは数十μｍから数百
μｍであり、これをフレームと定義する。そして、１フ
レーム分のスキャンF1が終了すると、Ｘ方向にステージ
が１フレーム分即ちＷ移動した後、次のフレームのＸ方
向のスキャンF2が行われ、この繰り返しによりF3,……F
nの順に試料の描画が行われる。
は、以下に示す例が知られている。即ち、第３図のモデ
ル図に示すように、試料の載置されたテーブルをＹ方向
に連続定速移動させながら、直径ａの電子ビームのスポ
ット１を定速で、Ｘ方向に偏向させる。このとき、描画
する図形データ２に従って、電子ビームのON/OFFを制御
する。これにより、Ｙステージが電子ビームのスポット
の大きさ（直径ａ）と同じ長さΔＹ移動するごとに、Ｘ
方向の偏向が繰り返され、SX1,SX2,SX3，…SXnの順にス
キャンされる。なお、一般に、一度のスキャンによって
実効的に描くことのできる描画幅Ｗは数十μｍから数百
μｍであり、これをフレームと定義する。そして、１フ
レーム分のスキャンF1が終了すると、Ｘ方向にステージ
が１フレーム分即ちＷ移動した後、次のフレームのＸ方
向のスキャンF2が行われ、この繰り返しによりF3,……F
nの順に試料の描画が行われる。
第４図に、描画の際、電子ビームのスポット１をＸ方向
に偏向させるＸ偏向波形WSと、図形データ２に従って電
子ビームをON/OFFさせる信号の関係を示す。同図におい
て、HSはテーブルがＹ方向にΔ移動する毎にＸ偏向を開
始させる同期信号を、WSはこれに同期して電子ビームを
Ｘ方向に偏向させる鋸歯状波形を、SXC1,SXC2,SXC3,SXC
4,SXC5は夫々第３図のSX1〜SX5のスキャンに対応するブ
ランキング信号である。例えば、SX3のスキャンにおい
て、描画されるパターンの位置及びパターンの幅は、
t1,t2,t3,t4の時間で制御される。また、Ｘ方向の偏向
を開始させる同期信号の発する時間と、図形データに基
づく実質描画を行なう時間の差tsは、delay lineにより
調節する。
に偏向させるＸ偏向波形WSと、図形データ２に従って電
子ビームをON/OFFさせる信号の関係を示す。同図におい
て、HSはテーブルがＹ方向にΔ移動する毎にＸ偏向を開
始させる同期信号を、WSはこれに同期して電子ビームを
Ｘ方向に偏向させる鋸歯状波形を、SXC1,SXC2,SXC3,SXC
4,SXC5は夫々第３図のSX1〜SX5のスキャンに対応するブ
ランキング信号である。例えば、SX3のスキャンにおい
て、描画されるパターンの位置及びパターンの幅は、
t1,t2,t3,t4の時間で制御される。また、Ｘ方向の偏向
を開始させる同期信号の発する時間と、図形データに基
づく実質描画を行なう時間の差tsは、delay lineにより
調節する。
しかしながら、従来技術によれば、電子ビームを偏向さ
せる鋸歯状波偏向波形が、偏向アンプなど偏向径の特性
により直線的にならず、特に偏向開始及び終了時歪む。
その結果、例えば第５図に示すように、電子ビームを偏
向させる鋸歯状波偏向波形が、VS1のように理想的に直
線的である場合パターン11が描画されるとすると、VS2
のように歪んだ波形ではパターン幅、パターン位置とも
にずれたパターン12が得られる。
せる鋸歯状波偏向波形が、偏向アンプなど偏向径の特性
により直線的にならず、特に偏向開始及び終了時歪む。
その結果、例えば第５図に示すように、電子ビームを偏
向させる鋸歯状波偏向波形が、VS1のように理想的に直
線的である場合パターン11が描画されるとすると、VS2
のように歪んだ波形ではパターン幅、パターン位置とも
にずれたパターン12が得られる。
このように、従来電子ビーム露光装置では上記した歪み
がかならず発生し、特に偏向開始あるいは偏向終了点の
近くに発生し易い。そのため、例えば偏向開始時の歪み
は第４図に示すtsを調節してその部分をカットする方法
が取られているが、歪み部分の長さに対しtsの時間の調
節には限界があり、実質描画部にその歪みがかかってし
まう。
がかならず発生し、特に偏向開始あるいは偏向終了点の
近くに発生し易い。そのため、例えば偏向開始時の歪み
は第４図に示すtsを調節してその部分をカットする方法
が取られているが、歪み部分の長さに対しtsの時間の調
節には限界があり、実質描画部にその歪みがかかってし
まう。
本発明は、上記実施例に鑑みてなされたもので、ビーム
ラスタ走査する偏向電圧に対応した偏向範囲のうち、１
回のラスタ走査における偏向開始時及び偏向終了時の歪
みをビームOFFの状態としてビームのブランキング制御
を行うことにより、描画パターン精度を向上し得るパタ
ーン形成方法を提供することを目的とするものである。
ラスタ走査する偏向電圧に対応した偏向範囲のうち、１
回のラスタ走査における偏向開始時及び偏向終了時の歪
みをビームOFFの状態としてビームのブランキング制御
を行うことにより、描画パターン精度を向上し得るパタ
ーン形成方法を提供することを目的とするものである。
本発明は、電子ビームもしくはイオンビームによる露光
装置で描画してパターンを形成する方法において、ビー
ムラスタ走査する偏向電圧に対応した偏向範囲のうち、
１回のラスタ走査における偏向開始時及び偏向終了時の
歪みをビームOFFの状態としてビームのブランキング制
御を行うことを特徴とするパターン形成方法である。
装置で描画してパターンを形成する方法において、ビー
ムラスタ走査する偏向電圧に対応した偏向範囲のうち、
１回のラスタ走査における偏向開始時及び偏向終了時の
歪みをビームOFFの状態としてビームのブランキング制
御を行うことを特徴とするパターン形成方法である。
以下、本発明の一実施例を図を参照して説明する。
実施例１ 第６図のようなパターンを描く場合、従来の方法では、
例えば１フレームＷの幅でパターンデータを分割し、１
フレーム描くごとにビーム偏向方向に１フレーム分Ｗを
送り、次のフレームをスキャンしていくが、本発明では
例えば偏向幅をΔＷ長くする。そして、このΔＷをビー
ムOFFの状態として第１図のようなパターンデータを作
る。同図において、21〜23は夫々ｎフレームのデータ、
（ｎ＋１）フレームのデータ、（ｎ＋２）のデータを示
す。24,25は夫々ビームONのデータ、ビームOFFのデータ
を示す。また、26,27は夫々偏向幅をΔＷ増やした場合
の実質フレーム送り幅（Ｗ）、偏向幅（Ｗ＋ΔＷ）を示
す。更に、28は偏向幅をΔＷ増やすことにより新たにビ
ームOFFのデータを追加した部分を示す。パターンデー
タを作った後、このデータに基づいてｎフレームのデー
タ21のスキャン終了後、点Ｐと点Ｐ′が一致するように
ビーム偏向方向にステージをＷ移動させ、（ｎ＋１）フ
レームのデータ22のスキャンを開始する。以後、これを
繰返す。この結果、第２図に示すようなパターンを形成
できる。なお、第１図、第２図の夫々において、領域A,
B,Cは夫々領域Ａ′,B′,C′の位置にパターン化され
た。
例えば１フレームＷの幅でパターンデータを分割し、１
フレーム描くごとにビーム偏向方向に１フレーム分Ｗを
送り、次のフレームをスキャンしていくが、本発明では
例えば偏向幅をΔＷ長くする。そして、このΔＷをビー
ムOFFの状態として第１図のようなパターンデータを作
る。同図において、21〜23は夫々ｎフレームのデータ、
（ｎ＋１）フレームのデータ、（ｎ＋２）のデータを示
す。24,25は夫々ビームONのデータ、ビームOFFのデータ
を示す。また、26,27は夫々偏向幅をΔＷ増やした場合
の実質フレーム送り幅（Ｗ）、偏向幅（Ｗ＋ΔＷ）を示
す。更に、28は偏向幅をΔＷ増やすことにより新たにビ
ームOFFのデータを追加した部分を示す。パターンデー
タを作った後、このデータに基づいてｎフレームのデー
タ21のスキャン終了後、点Ｐと点Ｐ′が一致するように
ビーム偏向方向にステージをＷ移動させ、（ｎ＋１）フ
レームのデータ22のスキャンを開始する。以後、これを
繰返す。この結果、第２図に示すようなパターンを形成
できる。なお、第１図、第２図の夫々において、領域A,
B,Cは夫々領域Ａ′,B′,C′の位置にパターン化され
た。
しかして、本発明によれば、偏向幅をΔＷ長くし、この
ΔＷをビームOFFの状態とすることにより、偏向開始、
終了時の歪みをビームOFFの状態としてカットできる。
従って、描画パターン精度を向上できる。
ΔＷをビームOFFの状態とすることにより、偏向開始、
終了時の歪みをビームOFFの状態としてカットできる。
従って、描画パターン精度を向上できる。
実施例２ 実施例１では、偏向幅を変えた場合について述べたが、
これに限らず、実質的にフレーム幅を短くし、そのフレ
ーム分を偏向方向に送り、描画することによっても同様
な効果を得ることができる。この際の実施例を、第７図
〜第９図を参照して説明する。第７図において、31〜33
は従来のフレームパターン分割によるｎ、（ｎ＋１）、
（ｎ＋２）フレームである。一方、34〜36は本発明の偏
向値を変えずに実質的フレーム幅を短くする場合のｎ、
（ｎ＋１）、（ｎ＋２）フレームである。第８図の37〜
39は、夫々前記フレーム34〜36に対応するｎ、（ｎ＋
１）、（ｎ＋２）フレームのデータである。このデータ
に基づき第９図の如き、偏向幅Ｗ、フレーム送りＷ−Δ
Ｗ′で描画を行なう。しかるに、実施例２の場合も実施
例１と同様な効果を有する。
これに限らず、実質的にフレーム幅を短くし、そのフレ
ーム分を偏向方向に送り、描画することによっても同様
な効果を得ることができる。この際の実施例を、第７図
〜第９図を参照して説明する。第７図において、31〜33
は従来のフレームパターン分割によるｎ、（ｎ＋１）、
（ｎ＋２）フレームである。一方、34〜36は本発明の偏
向値を変えずに実質的フレーム幅を短くする場合のｎ、
（ｎ＋１）、（ｎ＋２）フレームである。第８図の37〜
39は、夫々前記フレーム34〜36に対応するｎ、（ｎ＋
１）、（ｎ＋２）フレームのデータである。このデータ
に基づき第９図の如き、偏向幅Ｗ、フレーム送りＷ−Δ
Ｗ′で描画を行なう。しかるに、実施例２の場合も実施
例１と同様な効果を有する。
以下、上記効果について４μｍのラインアンドスペース
パターンを描画し、そのピッチ変動をグラフ化した結果
に基づいて第10図〜第14図を参照して説明する。
パターンを描画し、そのピッチ変動をグラフ化した結果
に基づいて第10図〜第14図を参照して説明する。
第10図は、従来の偏向幅256μｍに対し、32μｍ増やし
て288μｍとし、フレーム送りを288μｍ即ち偏向幅とフ
レーム送りが一致する従来の方法で描画した場合のずれ
量特性図である。ここで、横軸は偏向方向距離（２フレ
ーム分）を、縦軸は理想のピッチからのずれ量を示す。
また、図中の41,42は夫々偏向幅288μｍに対しピッチ変
動の大きい偏向開始、終了付近を除いたピッチ変動の小
さい第１の範囲、W1はフレーム幅（288μｍ）である。
て288μｍとし、フレーム送りを288μｍ即ち偏向幅とフ
レーム送りが一致する従来の方法で描画した場合のずれ
量特性図である。ここで、横軸は偏向方向距離（２フレ
ーム分）を、縦軸は理想のピッチからのずれ量を示す。
また、図中の41,42は夫々偏向幅288μｍに対しピッチ変
動の大きい偏向開始、終了付近を除いたピッチ変動の小
さい第１の範囲、W1はフレーム幅（288μｍ）である。
第11図は、実施例１の如く偏向幅288μｍに対しフレー
ム送りを256μｍとし、その重なり部分をビームOFFにし
て描画した場合のずれ量特性図である。なお、図中の4
1′,42′は夫々ずれ量の大きい部分をカットした前記第
１の範囲41,42に対応した第２の範囲、W2はフレーム幅
（256μｍ）である。
ム送りを256μｍとし、その重なり部分をビームOFFにし
て描画した場合のずれ量特性図である。なお、図中の4
1′,42′は夫々ずれ量の大きい部分をカットした前記第
１の範囲41,42に対応した第２の範囲、W2はフレーム幅
（256μｍ）である。
第12図は、偏向幅を変えずに従来の方法で描画した場合
のずれ量特性図である。なお、図中の43,44は夫々偏向
幅256μｍに対しずれ量の大きい偏向開始、終了付近を
除いたずれ量の小さい第３の範囲を、45は偏向開始時の
ずれ量が大きい部分を、46は偏向終了どきのずれ量の大
きい部分を示す。また、Ｌは４μｍである。
のずれ量特性図である。なお、図中の43,44は夫々偏向
幅256μｍに対しずれ量の大きい偏向開始、終了付近を
除いたずれ量の小さい第３の範囲を、45は偏向開始時の
ずれ量が大きい部分を、46は偏向終了どきのずれ量の大
きい部分を示す。また、Ｌは４μｍである。
第13図は、実施例２の如く実質的フレーム幅、フレーム
送りを偏向幅より短くして描画した場合のずれ量特性図
である。なお、図中の43′,44′は夫々ずれ量の大きい
部分をカットした前記第３の範囲に対応した第４の範囲
を、W3はフレーム幅（192μｍ）を示す。
送りを偏向幅より短くして描画した場合のずれ量特性図
である。なお、図中の43′,44′は夫々ずれ量の大きい
部分をカットした前記第３の範囲に対応した第４の範囲
を、W3はフレーム幅（192μｍ）を示す。
前記第10図〜第13図において、２フレーム間のずれ量の
様子が多少異なるのは、偏向方向と垂直のＹ方向の送り
と返し時の特性の違いによる。また、第１の範囲41,42
と第２の範囲41′,42′、及び第３の範囲43,44と第４の
範囲43′,44′のずれ量の様子が完全に一致しないの
は、各々別個に描画し測定を行なったことによるバラツ
キのためである。以上により、第11図の45,46で示すよ
うに、従来方法の描画で現われたスキャン開始及び終了
での著しいずれ量が、本願実施例による方法で描画した
第13図では極めて小さくなっていることが確認できる。
これにより、本発明によれば、描画パターン精度を向上
できることが明らかである。
様子が多少異なるのは、偏向方向と垂直のＹ方向の送り
と返し時の特性の違いによる。また、第１の範囲41,42
と第２の範囲41′,42′、及び第３の範囲43,44と第４の
範囲43′,44′のずれ量の様子が完全に一致しないの
は、各々別個に描画し測定を行なったことによるバラツ
キのためである。以上により、第11図の45,46で示すよ
うに、従来方法の描画で現われたスキャン開始及び終了
での著しいずれ量が、本願実施例による方法で描画した
第13図では極めて小さくなっていることが確認できる。
これにより、本発明によれば、描画パターン精度を向上
できることが明らかである。
以上詳述した如く本発明によれば、従来と比べ描画パタ
ーン精度を著しく向上できるパターン形成方法を提供で
きるものである。
ーン精度を著しく向上できるパターン形成方法を提供で
きるものである。
第１図及び第２図は実施例１に係るパターン形成方法を
説明するための平面図、第３図はラスター式電子ビーム
露光装置の描画方法を説明するための平面図、第４図は
第３図の描画方法に係る周期信号、Ｘ偏向波形、ブラン
キング信号の関係を示すタイミング図、第５図は偏向波
形が歪んだときの描画パターンの位置ずれ、寸法ずれの
説明図、第６図は従来のパターンデータを説明するため
の平面図、第７図は従来のフレームパターン分割と実施
例２の偏向幅を変えない方法での比較を説明するための
図、第８図及び第９図は実施例２のパターン形成方法を
説明するための平面図、第10図は従来の偏向幅を増やし
た描画方法によるずれ量特性図、第11図は実施例１に対
応したずれ量を増やした描画方法によるずれ量特性図、
第12図は従来の偏向幅を変えない描画方法のずれ量特性
図、第13図は実施例２に対応した偏向幅を変えない描画
方法のずれ量特性図である。 21,37……ｎフレームのデータ、22,38……（ｎ＋１）フ
レームのデータ、23,39……（ｎ＋２）フレームのデー
タ、24……ビームONのデータ、25……ビームOFFのデー
タ、26……送り幅、27……偏向幅、28……ビームOFFの
データを追加した部分、34……ｎフレーム、35……（ｎ
＋１）フレーム、36……（ｎ＋２）フレーム、45……偏
向開始時のずれ量が大きい部分、46……偏向終了時のず
れ量が大きい部分。
説明するための平面図、第３図はラスター式電子ビーム
露光装置の描画方法を説明するための平面図、第４図は
第３図の描画方法に係る周期信号、Ｘ偏向波形、ブラン
キング信号の関係を示すタイミング図、第５図は偏向波
形が歪んだときの描画パターンの位置ずれ、寸法ずれの
説明図、第６図は従来のパターンデータを説明するため
の平面図、第７図は従来のフレームパターン分割と実施
例２の偏向幅を変えない方法での比較を説明するための
図、第８図及び第９図は実施例２のパターン形成方法を
説明するための平面図、第10図は従来の偏向幅を増やし
た描画方法によるずれ量特性図、第11図は実施例１に対
応したずれ量を増やした描画方法によるずれ量特性図、
第12図は従来の偏向幅を変えない描画方法のずれ量特性
図、第13図は実施例２に対応した偏向幅を変えない描画
方法のずれ量特性図である。 21,37……ｎフレームのデータ、22,38……（ｎ＋１）フ
レームのデータ、23,39……（ｎ＋２）フレームのデー
タ、24……ビームONのデータ、25……ビームOFFのデー
タ、26……送り幅、27……偏向幅、28……ビームOFFの
データを追加した部分、34……ｎフレーム、35……（ｎ
＋１）フレーム、36……（ｎ＋２）フレーム、45……偏
向開始時のずれ量が大きい部分、46……偏向終了時のず
れ量が大きい部分。
Claims (1)
- 【請求項１】電子ビームもしくはイオンビームによる露
光装置で描画してパターンを形成する方法において、 ビームラスタ走査する偏向電圧に対応した偏向範囲のう
ち、１回のラスタ走査における偏向開始時及び偏向終了
時の歪みをビームOFFの状態としてビームのブランキン
グ制御を行うことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197931A JPH0793250B2 (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197931A JPH0793250B2 (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6175520A JPS6175520A (ja) | 1986-04-17 |
| JPH0793250B2 true JPH0793250B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=16382663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59197931A Expired - Fee Related JPH0793250B2 (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793250B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147937A (en) * | 1977-11-01 | 1979-04-03 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure system method and apparatus |
| JPS5534424A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-11 | Toshiba Corp | Electron beam exposing device |
| JPS6059732A (ja) * | 1983-09-13 | 1985-04-06 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム描画法 |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59197931A patent/JPH0793250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6175520A (ja) | 1986-04-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |