JPH0793397B2 - 電子計算機の冷却装置 - Google Patents
電子計算機の冷却装置Info
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- JPH0793397B2 JPH0793397B2 JP62086663A JP8666387A JPH0793397B2 JP H0793397 B2 JPH0793397 B2 JP H0793397B2 JP 62086663 A JP62086663 A JP 62086663A JP 8666387 A JP8666387 A JP 8666387A JP H0793397 B2 JPH0793397 B2 JP H0793397B2
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- JP
- Japan
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- cooling
- electronic computer
- corrosion
- cooling water
- cooling liquid
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子計算機の冷却装置に係り、特に冷却装置の
部材の腐食状態がモニタリングされ、耐食信頼性の大き
い冷却装置に関する。
部材の腐食状態がモニタリングされ、耐食信頼性の大き
い冷却装置に関する。
電子計算機は年々、高密度,大容量化されるに従い、半
導体LSIの発熱密度が大幅に上昇する傾向にある。従
来、電子計算機の冷却方式は、フアンにより風を内部に
送り込む所謂強制空冷方式が用いられて来た。しかし、
上述の如く電子計算機の大容量化に伴ない発熱量が増え
ているため、強制空冷から液体冷却が必要になつて来
た。
導体LSIの発熱密度が大幅に上昇する傾向にある。従
来、電子計算機の冷却方式は、フアンにより風を内部に
送り込む所謂強制空冷方式が用いられて来た。しかし、
上述の如く電子計算機の大容量化に伴ない発熱量が増え
ているため、強制空冷から液体冷却が必要になつて来
た。
従来の液体による冷却方式は、特開昭60−160149号,特
開昭60−160150号,特開昭52−16981号等に開示されて
いるように、LSI発熱素子を効率良く冷却することを主
体としたものである。液体による冷却方式として、第2
図に示すような可撓ベローズを有する冷却構造体が知ら
れている。即ち、可撓性を有するステンレス鋼或いはニ
ツケル製のベローズ1に冷却水ヘツダ2、及び冷却板3
(例えばSiC)からなる構成部材を接合し、冷却水を流
す。また基板5上に設置されたLSIチツプ4を冷却板3
に接触させ、LSIチツプ4の発熱を冷却板3に熱伝達
し、更に冷却板3を冷却液によつて冷却し、除熱がなさ
れる。ここで冷却液としては種々の観点から水が最も一
般的に用いられる。
開昭60−160150号,特開昭52−16981号等に開示されて
いるように、LSI発熱素子を効率良く冷却することを主
体としたものである。液体による冷却方式として、第2
図に示すような可撓ベローズを有する冷却構造体が知ら
れている。即ち、可撓性を有するステンレス鋼或いはニ
ツケル製のベローズ1に冷却水ヘツダ2、及び冷却板3
(例えばSiC)からなる構成部材を接合し、冷却水を流
す。また基板5上に設置されたLSIチツプ4を冷却板3
に接触させ、LSIチツプ4の発熱を冷却板3に熱伝達
し、更に冷却板3を冷却液によつて冷却し、除熱がなさ
れる。ここで冷却液としては種々の観点から水が最も一
般的に用いられる。
この冷却構造体は種々の材流で構成されている。このた
め、これらの各種の構成材料はハンダ若しくはロウ材料
により接合される。この接合は冷却構造体の組立及び補
修等のために融点の異なつた数種のハンダが使用され
る。例えば、第2図に示す冷却構造体において3種類の
接合部があり、ベローズ1と冷却板3との接合部Aには
Au−Ge(融点365℃)、冷却水路本体とベローズ1との
接合部BにはIn−Ag−Pb(融点149℃)、及び冷却ヘツ
ダフタと冷却水ヘツダ2との接合部CにはSn−Ag(融点
221℃)のハンダが使用される。構成部材はこれらのハ
ンダにより水密に接合され、冷却水が流される。
め、これらの各種の構成材料はハンダ若しくはロウ材料
により接合される。この接合は冷却構造体の組立及び補
修等のために融点の異なつた数種のハンダが使用され
る。例えば、第2図に示す冷却構造体において3種類の
接合部があり、ベローズ1と冷却板3との接合部Aには
Au−Ge(融点365℃)、冷却水路本体とベローズ1との
接合部BにはIn−Ag−Pb(融点149℃)、及び冷却ヘツ
ダフタと冷却水ヘツダ2との接合部CにはSn−Ag(融点
221℃)のハンダが使用される。構成部材はこれらのハ
ンダにより水密に接合され、冷却水が流される。
冷却構造体において、上記接合部は異種の金属材料が接
触された状態で冷却水にさらされることになり、これら
の金属の電位差に起因する異種金属接触腐食が発生す
る。本発明者らの検討によれば、純水中における冷却装
置の構成部材、例えばステンレス鋼,ニツケル等は腐食
速度が約0.1μm/Yと非常に小さいのに対し、上記接合部
材、例えばハンダ材,ロウ材等をステンレス鋼と接触し
た場合の接合部の腐食速度は約100μm/Yと非常に大き
い。このために冷却構造体の耐食信頼性は上記冷却構成
材料の接合部の耐食性によつて大きく左右される。
触された状態で冷却水にさらされることになり、これら
の金属の電位差に起因する異種金属接触腐食が発生す
る。本発明者らの検討によれば、純水中における冷却装
置の構成部材、例えばステンレス鋼,ニツケル等は腐食
速度が約0.1μm/Yと非常に小さいのに対し、上記接合部
材、例えばハンダ材,ロウ材等をステンレス鋼と接触し
た場合の接合部の腐食速度は約100μm/Yと非常に大き
い。このために冷却構造体の耐食信頼性は上記冷却構成
材料の接合部の耐食性によつて大きく左右される。
また、冷却水としては、不純物例えばCl-イオン等が含
まれていると冷却構成材料の腐食が促進されるので、不
純物の極度に除かれた純水が使用される。また、この純
水中の溶存酸素が可能な限り低濃度に抑えられることに
より一層防食効果が期待される。しかし、この様な純水
が用いられても上記接合部材料は他の構成部材の材料に
比し耐食性が劣ることは否定されない。
まれていると冷却構成材料の腐食が促進されるので、不
純物の極度に除かれた純水が使用される。また、この純
水中の溶存酸素が可能な限り低濃度に抑えられることに
より一層防食効果が期待される。しかし、この様な純水
が用いられても上記接合部材料は他の構成部材の材料に
比し耐食性が劣ることは否定されない。
また、最近開発されている大型電子計算機ではその性能
の優れている点もさることながら、信頼性が極めて重要
である。このために冷却装置の構成材料の腐食、特に接
合部の異常腐食(異種金属接触腐食)に伴なう冷却水の
漏洩は致命的な問題になつている。
の優れている点もさることながら、信頼性が極めて重要
である。このために冷却装置の構成材料の腐食、特に接
合部の異常腐食(異種金属接触腐食)に伴なう冷却水の
漏洩は致命的な問題になつている。
上記従来技術の水冷却装置は、電子計算機の発熱部を冷
却する装置であるが、冷却装置材料の腐食、特に接合部
の異常腐食の検知、及びその対策については全く配慮さ
れておらず、耐食信頼性に問題があつた。従つて、本発
明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、耐食信頼性
の高い電子計算機の冷却装置を提供することにある。
却する装置であるが、冷却装置材料の腐食、特に接合部
の異常腐食の検知、及びその対策については全く配慮さ
れておらず、耐食信頼性に問題があつた。従つて、本発
明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、耐食信頼性
の高い電子計算機の冷却装置を提供することにある。
本発明の電子計算機の冷却装置は、複数個の半導体を備
えたモジユールに冷却液を供給してなる電子計算機冷却
装置において、前記半導体素子に接して冷却構造体が設
けられ、前記冷却構造体の内部の構成部材、特に接合部
の部材が冷却液により腐食されて溶存される部材成分を
測定する測定装置、及び前記冷却構造体の部材成分の異
常腐食をモニタリングするモニタリング装置が設けられ
た装置である。
えたモジユールに冷却液を供給してなる電子計算機冷却
装置において、前記半導体素子に接して冷却構造体が設
けられ、前記冷却構造体の内部の構成部材、特に接合部
の部材が冷却液により腐食されて溶存される部材成分を
測定する測定装置、及び前記冷却構造体の部材成分の異
常腐食をモニタリングするモニタリング装置が設けられ
た装置である。
また、本冷却装置の前記測定装置は電気伝導度測定装置
又は/及びイオン分析装置が使用され、また前記冷却構
造体の部材がステンレス鋼,ニツケル等であり、その部
材の接合部の材質はAu−Ge,Sn−Ag,In−Ag−Pb等からな
るハンダ材、あるいはロウ材が用いられる。
又は/及びイオン分析装置が使用され、また前記冷却構
造体の部材がステンレス鋼,ニツケル等であり、その部
材の接合部の材質はAu−Ge,Sn−Ag,In−Ag−Pb等からな
るハンダ材、あるいはロウ材が用いられる。
また、前記モニタリング装置は、前記測定装置の測定値
に応じて冷却液を浄化装置に導入する制御装置、及び前
記冷却構造体の部材の異常腐食を表示する警報装置に接
続されており、更に冷却液の純度測定値に応じて自動的
に冷却液を通常の循環流路から浄化装置への導流路に切
り換える流路制御装置に接続されていることが好適であ
る。
に応じて冷却液を浄化装置に導入する制御装置、及び前
記冷却構造体の部材の異常腐食を表示する警報装置に接
続されており、更に冷却液の純度測定値に応じて自動的
に冷却液を通常の循環流路から浄化装置への導流路に切
り換える流路制御装置に接続されていることが好適であ
る。
尚、電子計算機の冷却液系統の特定場所に冷却液の電気
伝導側定装置やイオン分析装置が備えられる。その特定
場所は冷却液が電子計算機を出た後の流路で、冷却液の
浄化装置の前が望ましい。この浄化装置としてイオン交
換樹脂塔及び脱酸素樹脂塔が設けられる。冷却液として
防食の点から純水が使用されるが、腐食により生成した
イオン類及びリークにより混入される酸素は浄化装置で
除去され、冷却水の純度が一定に保たれるようにされ
る。
伝導側定装置やイオン分析装置が備えられる。その特定
場所は冷却液が電子計算機を出た後の流路で、冷却液の
浄化装置の前が望ましい。この浄化装置としてイオン交
換樹脂塔及び脱酸素樹脂塔が設けられる。冷却液として
防食の点から純水が使用されるが、腐食により生成した
イオン類及びリークにより混入される酸素は浄化装置で
除去され、冷却水の純度が一定に保たれるようにされ
る。
本発明は、冷却液系統に設けられたイオン分析装置によ
り、冷却液、特に冷却水中の個々のイオン量をイオン種
別に連続的に測定する。この測定により特定のイオン種
が増えつづけると構成金属材料との関連で、冷却液系統
のどの部位に使われている材料の腐食が激しいか推定で
きる。更に、材料の組成比と冷却液中に溶出されたイオ
ン種の量を対比することにより、金属材料のある種の成
分のみが溶出される選択腐食などの異常腐食が察知され
る。即ち、通常の状態では冷却装置の構成部材は腐食に
より溶出されるイオン成分量が極く微量であるが、接合
部材料は腐食され易いので、その接合部の部材成分の溶
出が著しく大きくなる。この冷極構造体の接合には、成
分の異なつた数種のハンダ材が使用されているので、腐
食により冷却液中に溶出された成分の種類及び量を測定
解析することにより、腐食部の位置及び腐食状況を推測
することができる。例えば接合部ハンダの異種金属接触
腐食により溶出されたハンダ成分が測定され、Pb、Sn,I
n,Ag,Ge等が連続的に測定,解析される。各ハンダ特有
の成分検出により、どの部位の接合個所に異種金属接触
腐食が発生しておるかが推測される。
り、冷却液、特に冷却水中の個々のイオン量をイオン種
別に連続的に測定する。この測定により特定のイオン種
が増えつづけると構成金属材料との関連で、冷却液系統
のどの部位に使われている材料の腐食が激しいか推定で
きる。更に、材料の組成比と冷却液中に溶出されたイオ
ン種の量を対比することにより、金属材料のある種の成
分のみが溶出される選択腐食などの異常腐食が察知され
る。即ち、通常の状態では冷却装置の構成部材は腐食に
より溶出されるイオン成分量が極く微量であるが、接合
部材料は腐食され易いので、その接合部の部材成分の溶
出が著しく大きくなる。この冷極構造体の接合には、成
分の異なつた数種のハンダ材が使用されているので、腐
食により冷却液中に溶出された成分の種類及び量を測定
解析することにより、腐食部の位置及び腐食状況を推測
することができる。例えば接合部ハンダの異種金属接触
腐食により溶出されたハンダ成分が測定され、Pb、Sn,I
n,Ag,Ge等が連続的に測定,解析される。各ハンダ特有
の成分検出により、どの部位の接合個所に異種金属接触
腐食が発生しておるかが推測される。
また、電気伝導度測定装置により冷却液の電気伝導度を
測定して、冷却装置材料全体の平均的な腐食量が同時に
検出される。水中における電気伝導度は水中におけるイ
オンにより電子が運ばれることにより行なわれる。従つ
て冷却水の電気伝導度が高くなることは、水中に存在す
るイオン量が増えることに対応する。冷却水中のイオン
は水の解離によるH+,OH-の他に冷却装置構成材料の腐食
に伴なつて溶出される金属イオンに依存する。すなわ
ち、冷却装置構成材料の腐食と冷却水の電気伝導度の相
関関係を予め把握しておいて、電気伝導度の変化を連続
測定することにより、冷却装置の部材の腐食の総量を知
り、腐食程度が検出される。
測定して、冷却装置材料全体の平均的な腐食量が同時に
検出される。水中における電気伝導度は水中におけるイ
オンにより電子が運ばれることにより行なわれる。従つ
て冷却水の電気伝導度が高くなることは、水中に存在す
るイオン量が増えることに対応する。冷却水中のイオン
は水の解離によるH+,OH-の他に冷却装置構成材料の腐食
に伴なつて溶出される金属イオンに依存する。すなわ
ち、冷却装置構成材料の腐食と冷却水の電気伝導度の相
関関係を予め把握しておいて、電気伝導度の変化を連続
測定することにより、冷却装置の部材の腐食の総量を知
り、腐食程度が検出される。
上記のようにイオン分析装置及び電気伝導度測定装置か
らの測定値をモニタリング装置で測定値と比較し、測定
値が設定値より大きくなれば、冷却液は自動的に通常の
流路から切り換えて浄化装置に送られ、冷却液中の金属
イオン,溶存酸素をイオン交換樹脂や脱酸素樹脂により
除去する。これに併せて冷却液中に溶存する金属イオン
量が多くなれば警報装置に表示し、冷却装置部材の点
検,補修を早急に耐策できる。従つて電子計算機の冷却
装置に電気伝導度測定系及びイオン分析系、これに加え
て浄化装置を作動させるモニタリング装置が設けられて
いるので、電子計算機の冷却装置は高い信頼性を有し得
る。
らの測定値をモニタリング装置で測定値と比較し、測定
値が設定値より大きくなれば、冷却液は自動的に通常の
流路から切り換えて浄化装置に送られ、冷却液中の金属
イオン,溶存酸素をイオン交換樹脂や脱酸素樹脂により
除去する。これに併せて冷却液中に溶存する金属イオン
量が多くなれば警報装置に表示し、冷却装置部材の点
検,補修を早急に耐策できる。従つて電子計算機の冷却
装置に電気伝導度測定系及びイオン分析系、これに加え
て浄化装置を作動させるモニタリング装置が設けられて
いるので、電子計算機の冷却装置は高い信頼性を有し得
る。
本発明の電子計算機の冷却装置を第1図に示す。冷却水
6は電気伝導度0.1μs/cmの高純度の純水が使用され
る。この冷却水6はポンプ7により電子計算機8の複数
個の半導体を備えたモジユールの冷却部に送られ、熱交
換されて発熱したLSI素子は冷却されると同時に、冷却
水6は昇温され、冷却水タンク9に流入される。冷却水
タンク9内には冷凍機10に連結された熱交換器11が設け
られており、電子計算機内の発熱体を冷却して昇温され
た冷却水6は冷却水タンク9の中で再び冷却される。次
いで冷却水タンク9から出た冷却水6は再び流量制御装
置17で制御され、電子計算機8の冷却部に送られる。こ
のとき、冷却水6はその一部が冷却水分岐バルブ12でサ
ンプリング流路の冷却水サンプリング管13を通つて電気
伝導度測定装置14に導入され、冷却水6の電気伝導度が
測定される。次いで冷却水6はイオン分析装置15に導入
され、冷却水6の中のイオンの種類と測定され、測定後
の水はドレン管16から排出される。その電気伝導度によ
り冷却水6中に溶存する金属量が分析されて腐食量が検
出される。また、イオン分析により、例えば冷却水6中
のInが多量に検出された場合は、冷却水ヘツダフタと冷
却水ヘツダ本体2との接合部C(第2図参照)、或いは
Snが多量に検出された場合は冷却水流路本体2とベロー
ズ1との接合部13(第2図参照)、或いはGeが多量に検
出された場合はベローズ1と冷却板3との接合部A(第
2図参照)の腐食が異常に進行されていることが検知さ
れる。尚、サンプリングされる冷却水6は極めて少量
で、ドレン管16から放出されても影響は余り無い。
6は電気伝導度0.1μs/cmの高純度の純水が使用され
る。この冷却水6はポンプ7により電子計算機8の複数
個の半導体を備えたモジユールの冷却部に送られ、熱交
換されて発熱したLSI素子は冷却されると同時に、冷却
水6は昇温され、冷却水タンク9に流入される。冷却水
タンク9内には冷凍機10に連結された熱交換器11が設け
られており、電子計算機内の発熱体を冷却して昇温され
た冷却水6は冷却水タンク9の中で再び冷却される。次
いで冷却水タンク9から出た冷却水6は再び流量制御装
置17で制御され、電子計算機8の冷却部に送られる。こ
のとき、冷却水6はその一部が冷却水分岐バルブ12でサ
ンプリング流路の冷却水サンプリング管13を通つて電気
伝導度測定装置14に導入され、冷却水6の電気伝導度が
測定される。次いで冷却水6はイオン分析装置15に導入
され、冷却水6の中のイオンの種類と測定され、測定後
の水はドレン管16から排出される。その電気伝導度によ
り冷却水6中に溶存する金属量が分析されて腐食量が検
出される。また、イオン分析により、例えば冷却水6中
のInが多量に検出された場合は、冷却水ヘツダフタと冷
却水ヘツダ本体2との接合部C(第2図参照)、或いは
Snが多量に検出された場合は冷却水流路本体2とベロー
ズ1との接合部13(第2図参照)、或いはGeが多量に検
出された場合はベローズ1と冷却板3との接合部A(第
2図参照)の腐食が異常に進行されていることが検知さ
れる。尚、サンプリングされる冷却水6は極めて少量
で、ドレン管16から放出されても影響は余り無い。
また、電気伝導度測定装置14及びイオン分析装置15には
制御装置18が接続され、電気伝導度及びイオン分析測定
値が入力される。また制御装置は冷却水6を浄化装置20
に導入する流量制御バルブ19、及び冷却水6の循環路の
流量制御バルブ17に接続される。制御装置18には予めイ
ンプツトされた基準とされる電気伝導度及びイオン種の
量と腐食との相関関係により、測定された電気伝導度及
びイオン種の量から腐食状態が解析される。若し解析に
より測定された冷却水6の電気伝導度及びイオン種の量
が設定値以上になつたとき、制御装置18の指示により流
量制御バルブ17を閉じ、流量制御バルブ19を開き、冷却
水6は浄化装置20に導入される。浄化装置20はイオン交
換樹脂、及び脱酸素樹脂が充填され、冷却水6中の金属
イオンや溶存酸素が除去される。冷却水6は浄化装置20
で浄化され、ポンプ7により電子計算機8の冷却部に送
られる。また、再び冷却水6の電気伝導度及びイオン量
が設定値以下に戻れば、制御装置18の制御により自動的
に流量制御バルブ17を開き、流量制御バルブ19を閉じ、
冷却水6は通常の冷却系路に流され、電子計算機8は冷
却される。
制御装置18が接続され、電気伝導度及びイオン分析測定
値が入力される。また制御装置は冷却水6を浄化装置20
に導入する流量制御バルブ19、及び冷却水6の循環路の
流量制御バルブ17に接続される。制御装置18には予めイ
ンプツトされた基準とされる電気伝導度及びイオン種の
量と腐食との相関関係により、測定された電気伝導度及
びイオン種の量から腐食状態が解析される。若し解析に
より測定された冷却水6の電気伝導度及びイオン種の量
が設定値以上になつたとき、制御装置18の指示により流
量制御バルブ17を閉じ、流量制御バルブ19を開き、冷却
水6は浄化装置20に導入される。浄化装置20はイオン交
換樹脂、及び脱酸素樹脂が充填され、冷却水6中の金属
イオンや溶存酸素が除去される。冷却水6は浄化装置20
で浄化され、ポンプ7により電子計算機8の冷却部に送
られる。また、再び冷却水6の電気伝導度及びイオン量
が設定値以下に戻れば、制御装置18の制御により自動的
に流量制御バルブ17を開き、流量制御バルブ19を閉じ、
冷却水6は通常の冷却系路に流され、電子計算機8は冷
却される。
更に、制御装置18には警報装置21が付帯される。制御装
置18により電気伝導度の積算値が計算され、これにより
冷却水6中の溶存する金属濃度から冷却装置材料の腐食
総量が警報装置21に表示される。同時に、制御装置18に
よりイオン種の解析結果及びイオン量の積算値の解析結
果から、冷却装置の腐食された接合部、及びその接合部
の材料の異常腐食について警報が表示される。
置18により電気伝導度の積算値が計算され、これにより
冷却水6中の溶存する金属濃度から冷却装置材料の腐食
総量が警報装置21に表示される。同時に、制御装置18に
よりイオン種の解析結果及びイオン量の積算値の解析結
果から、冷却装置の腐食された接合部、及びその接合部
の材料の異常腐食について警報が表示される。
本発明の電子計算機の冷却装置は、冷却液の電気伝導度
測定値及びイオン分析装置が設けられて冷却装置の構成
部材の腐食状況、特に異常腐食を検出し、モニタリング
装置により冷却液の浄化、及び警報を表示するように構
成されているので、冷却系統の腐食による冷却液の漏洩
等のトラブルを事前に予測して対策することが可能とな
り、極めて高い信頼性を有する冷却装置にすることがで
きる。
測定値及びイオン分析装置が設けられて冷却装置の構成
部材の腐食状況、特に異常腐食を検出し、モニタリング
装置により冷却液の浄化、及び警報を表示するように構
成されているので、冷却系統の腐食による冷却液の漏洩
等のトラブルを事前に予測して対策することが可能とな
り、極めて高い信頼性を有する冷却装置にすることがで
きる。
第1図は本発明の電子計算機の冷却装置の構成図を示
し、第2図は可撓ベローズ水冷却構造体の断面図を示
す。 1……ベローズ、2……冷却水ヘツダ、3……冷却板、
4……LSIチツプ、5……基板、6……冷却水、7……
ポンプ、8……電子計算機、9……冷却水タンク、10…
…冷凍機、14……電気伝導度測定装置、15……イオン分
析装置、18……制御装置(モニタリング装置)、20……
浄化装置、21……警報装置、A,B,C……接合部。
し、第2図は可撓ベローズ水冷却構造体の断面図を示
す。 1……ベローズ、2……冷却水ヘツダ、3……冷却板、
4……LSIチツプ、5……基板、6……冷却水、7……
ポンプ、8……電子計算機、9……冷却水タンク、10…
…冷凍機、14……電気伝導度測定装置、15……イオン分
析装置、18……制御装置(モニタリング装置)、20……
浄化装置、21……警報装置、A,B,C……接合部。
Claims (5)
- 【請求項1】複数個の半導体を備えたモジユールに冷却
液を供給してなる電子計算機の冷却装置において、前記
半導体素子に接して冷却構造体が設けられ、前記冷却構
造体の内部の構成部材が冷却液により腐食されて溶存さ
れる部材成分を測定する測定装置、及び前記冷却構造体
の部材成分の異常腐食をモニタリングするモニタリング
装置が設けられていることを特徴とする電子計算機の冷
却装置。 - 【請求項2】特許請求の範囲第1項において、前記測定
装置が電気伝導度測定装置又は/及びイオン分析装置で
あることを特徴とする電子計算機の冷却装置。 - 【請求項3】特許請求の範囲第1項又は第2項におい
て、前記冷却構造体の部材がステンレス鋼、ニツケルで
あり、その部材の接合部がAu−Ge,Sn−Ag,In−Ag−Pbか
らなるハンダ材又はロウ材であることを特徴とする電子
計算機の冷却装置。 - 【請求項4】特許請求の範囲第1項ないし第3項の何れ
かの項において、前記モニタリング装置が、前記測定装
置の測定値に応じて冷却液を浄化装置に導入する制御装
置、及び前記冷却構造体の部材の異常腐食を表示する警
報装置に接続されたことを特徴とする電子計算機の冷却
装置。 - 【請求項5】特許請求の範囲第4項において、前記モニ
タリング装置は、冷却液の純度測定値に応じて自動的に
冷却液を通常の循環流路から浄化装置への導流路へ切り
換える流路制御装置に接続されていることを特徴とする
電子計算機の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086663A JPH0793397B2 (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 電子計算機の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62086663A JPH0793397B2 (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 電子計算機の冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63251779A JPS63251779A (ja) | 1988-10-19 |
| JPH0793397B2 true JPH0793397B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=13893271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62086663A Expired - Lifetime JPH0793397B2 (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 電子計算機の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793397B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07117330B2 (ja) * | 1989-12-19 | 1995-12-18 | 株式会社日立製作所 | 電子計算機の冷却装置 |
| JP4317722B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2009-08-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体レーザ装置 |
| JP2006312154A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 冷却水装置 |
| JP4809377B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2011-11-09 | 富士通株式会社 | 電子装置用冷却システム |
| WO2019167232A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 冷却装置および冷却水の処理方法 |
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-
1987
- 1987-04-08 JP JP62086663A patent/JPH0793397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63251779A (ja) | 1988-10-19 |
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