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JPH0793472B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
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JPH0793472B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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Publication number
JPH0793472B2
JPH0793472B2 JP19942887A JP19942887A JPH0793472B2 JP H0793472 B2 JPH0793472 B2 JP H0793472B2 JP 19942887 A JP19942887 A JP 19942887A JP 19942887 A JP19942887 A JP 19942887A JP H0793472 B2 JPH0793472 B2 JP H0793472B2
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JP
Japan
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film
face
semiconductor laser
laser device
reflectance
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JP19942887A
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成二 南原
尊夫 片山
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、OTDR（光ファイバ破断点探索装置）などの
高出力が必要なシステムの光源として応用される半導体
レーザ装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第３図は従来の長波長帯LDの前端面コーティングを示す
側面図であり、図において１はLDチップであり、2,3,4,
5はLDチップ１の前端面に蒸着された保護膜であり、そ
れぞれSi3N4λ/2膜、アモルフアスSi（ａ−Si）λ/4膜,
Al2O3λ/4膜,SiO2λ/4膜、６はLDチップ１から放出され
る前端面の光出力である。
次に作用について説明する。半導体レーザをOTDR等の光
源として応用する際には、LDチップ１の前端面からの光
出力６を大きくするために前端面の反射率を減少させる
必要がある。第３図において、LDチップ１の前端面反射
率は、Si3N4λ/2膜2,a−Siλ/4膜3,Al2O3λ/4膜4,SiO2
λ/4膜５をコーティングすることにより計算上は、31％
から16％に減少される。しかし、実際の前端面反射率
は、第４図に示されるように、Si3N4λ/2膜の膜厚の変
動により、個々のLDに対して16％〜43％まで大きくばら
つく。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので、Si3N4λ/2膜の膜厚の変動により、前端面反射率
が大きくばらつくという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、前端面反射率のばらつきを小さく抑えること
ができるとともに、前端面反射率を31％から20％前後に
減少できる半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置は、LDチップの前端面
にSi3N4λ/2膜,Al2O3λ/4膜,SiO2λ/4膜の３層コーティ
ングを施したものである。
〔作用〕
この発明における半導体レーザ装置は、LDチップの前端
面にSi3N4λ/2膜,Al2O3λ/4膜,SiO2λ/4膜からなる３層
コーティングを施すことにより、前端面反射率のばらつ
きを小さく抑えることができ、また前端面反射率を31％
から20％前後に減少できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置の前
端面コーティングを示す側面図であり、図において１は
LDチップ、２はSi3N4λ/2膜、４はAl2O3λ/4膜,5はSiO2
λ/4膜、６は前端面光出力である。
次に作用について説明する。LDチップ１の前端面には、
第１図に示されるようにSi3N4λ/2膜,Al2O3λ/4膜,SiO2
λ/4膜の３層コーティングが施されており、前端面反射
率は計算上は31％から20％に減少され、前端面から光出
力が大きくなる。第２図は実際の前端面反射率のSi3N4
の膜厚依存性を示す図であるが、前端面反射率のばらつ
きは15％〜22％であり、従来の前端面反射率のばらつき
（16％〜43％）に比して非常に小さい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、LDの前端面にSi3N4
λ/2膜,Al2O3λ/4膜,SiO2λ/4膜の３層コーティングを
施したので、前端面反射率のSi3N4膜厚に対するばらつ
きを小さく抑えることができ、また前端面反射率を減少
させ前端面からの光出力を大きくできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の
前端面コーティングを示す側面図、第２図は本実施例に
おける前端面反射率のSi3N4膜厚依存性を示す図、第３
図は従来の半導体レーザ装置の前端面コーティングを示
す側面図、第４図は従来の前端面反射率のSi3N4膜厚依
存性を示す図である。 １はLDチップ、２はSi3N4λ/2膜,4はAl2O3λ/4膜,5はSi
O2λ/4膜。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】長波長帯の半導体レーザ装置において、 第１層目のSi3N4のλ/2膜、第２層目のAl2O3のλ/4膜、
    第３層目のSiO2のλ/4膜からなる３層構造の前端面コー
    ティングを施したことを特徴とする半導体レーザ装置。
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JPH10509283A (ja) * 1995-09-14 1998-09-08 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体ダイオードレーザ及びその製造方法
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