JPH0797451B2

JPH0797451B2 - セラミック、及びその製造方法、及びそれを用いた電子回路用基体、及び電子回路

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Publication number: JPH0797451B2
Application number: JP60275489A
Authority: JP
Inventors: 元男熊谷; 圭一加藤
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-12-07
Filing date: 1985-12-07
Publication date: 1995-10-18
Anticipated expiration: 2010-10-18
Also published as: JPS62136702A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はセラミック、特に磁器コンデンサー等の電子部
品基材乃至はコンデンサー内蔵磁器基板等の電子部品内
蔵電子回路用基体など電子材料として利用し得るセラミ
ック、該セラミックを製造する方法及び前記セラミック
を用いた電子回路用基体、及び電子回路に関する。

〔従来の技術〕

従来、電子回路用基体は、導体回路のみ、導体回路と抵
抗、もしくは導体回路と抵抗と限られた範囲のコンデン
サーを具備して構成され、その他の機能部分は、素子と
して分離して基体に装着されていた。

即ち、例えば、従来の磁器基板においては、導体と抵抗
体の内蔵基板が中心であり、コンデンサーはチップ部品
等としてはんだ付により装着していた。この為、電子回
路の小型化には限界があった。第12図にその１例を示
す。121は磁器基板、122は導体回路、123は抵抗体、124
はチップコンデンサーである。

近年、同一の磁器基板内で誘電率を変化させる事によ
り、基板内に複数個のコンデンサーを内蔵させようとす
る試みがなされている。つまり、第13図に示すように、
高誘電率ε_１の部分131,133と低誘電率ε_２の部分132を
分離する事により同一基板上に複数個のコンデンサーを
形成させようとする試みである。しかしながら、従来、
同一基板内に異なった誘電体部分を形成する方法が非常
に難しく、例えば積層セラミックコンデンサーを作製す
る場合の煩雑さを考えれば自明である様に、複数個のコ
ンデンサーを内蔵する基板は、未だ実現乃至実用化され
ていないのが現状である。また、高誘電率の部分131,13
3を限られた構造スベースのなかで動作上互いに影響を
及ぼし合わない程度に素子機能部分として十分に分離さ
れた状態にすることも、重要な技術的課題となってい
た。

更に、この様な電子部品乃至は電子回路用基体にまつわ
る機能部分の分離内蔵の問題点は、誘電体磁器に限ら
ず、セラミック内に２つ以上の同種又は異種の機能部分
を形成しようとする場合に、普く顕現されていた。

〔発明の目的及び概要〕

本発明の第１の目的は、複数の機能部分を十分に分離さ
れた状態で画成して内蔵し得るセラミックを提供するこ
とにある。

本発明の第２の目的は、この様に複数の機能部分の十分
に分離された状態で形成し得るセラミックの製造法を提
供することにある。

本発明の第３の目的は、前述した様に複数の機能部分を
十分に分離された状態で画成して内蔵し得るセラミック
によって構成されることにより、互いに素子機能部分と
して十分に分離された状態で複数の電子部品構成単位を
内蔵し得る電子回路用基体を提供することにある。

上記第１の目的は、表層部分乃至は内部を構成する粒子
の大きさを異ならせた誘導率の異なる領域を互いに分離
して有することを特徴とするセラミックによって達成さ
れる。

上記第２の目的は、成型体の表層部分乃至は内部に焼成
による粒成長を強制的に促進または抑制して誘電率の異
なる部分を形成するために、粒成長促進剤を添加しまた
は焼成時の加熱条件を部分的に変え、構成される粒子の
大きさの異なる領域を形成することを特徴とするセラミ
ックの製造方法によって達成される。

上記第３の目的は、表層部分乃至は内部を構成する粒子
の大きさを異ならせた誘電率の異なる領域を互いに分離
して有するセラミックを用いたことを特徴とする電子回
路用基体によって達成される。

また、表層部分乃至は内部を構成する粒子の大きさを異
ならせた誘電率の異なる領域を互いに分離して有するセ
ラミックと該セラミックに更に導体、抵抗体及び絶縁体
の内少なくともいずれか一つを有することを特徴とする
電子回路によっても、上記目的が達成される。

〔発明の具体的説明及び実施例〕

本発明のセラミックは誘電率を異ならせた領域を形成す
ることによって２つ以上の機能部分を形成することがで
きるが、この機能部分として、例えばコンデンサー、抵
抗、絶縁体、ダイオード、トランジスター等の電子部分
構成単位を例示することができる。この様な機能部分
は、前記誘電率の異なる物体自体を互いに分離してセラ
ミック内に配置することにより構成することができる
し、あるいは、前記誘電率の異なる物体を介在させるこ
とにより互いに分離してセラミック内に配置することに
より構成することもできる。

本発明のセラミックを構成する前記誘電率の異なる領域
は、構成粒子の大きさの相違により異なる誘電率を有す
るものであり、構成粒子の組成が同じであっても誘電率
の異なる領域を形成せしめることができる。あるいは、
構成粒子の組成や粒子構造乃至は微構造（例えば結晶構
造や非晶質ネットワーク等）を変えることにより更に積
極的に誘電率を異ならしめることもできる。

以下、本発明のセラミックの１つの具体例として、誘電
体磁器について詳しく説明する。

誘電体磁器は、通常例えばBaTiO₃,SrTiO₃,MgTiO₃（Ba,S
r）（Ti,Sn）O₃系複合酸化物（固溶体も含む）、（Ba,S
r）TiO₃系複合酸化物（固溶体も含む）、（Mg,Sr,Ca）T
iO₃系複合酸化物（固溶体も含む）、（Sr,Pb）TiO₃系複
合酸化物（固溶体も含む）、（SrCa）TiO₃系複合酸化物
（固溶体も含む）、Fe₂O₃、ZnOなどの誘電体成分の１種
又は２種以上を用い、成形、焼成して焼結体を得る方法
や、前記誘電体成分に半導体化に必要な成分としてLa,D
y,Nd,Y,Nb,Ta,Er,Gd,Ho,Ce等の酸化物などを添加し混合
した後、圧粉状の成形体を得、一次焼成して半導体化
し、次いで焼成体表面に金属又は金属参加物（例えばC
u,CuO,MnO₂,Tl₂O₃,PbO,P₂O₅,Bi₂O₃,Nb₂O,ZnO等）を塗布
し、二次焼成して粒界絶縁層を形成せしめることにより
得られる。

本発明のセラミックとしての誘電体磁器は、例えば前記
半導体化を経て得られる誘電体磁器で構成される。

例えば板状の誘電体磁器について、前記誘電率の異なる
領域及び機能部分の形状例を示すと、第１図乃至第４図
の様になる。なお、第２図乃至第４図の例において、１
は板状誘電体磁器、Ａは誘電率の異なる領域であり、Ｂ
は機能部分であり、Ａ（Ｂ）は誘電率の異なる物体で置
換した領域であると同時に機能部分である。

第１図においては、板状誘電体磁器１の両主面に到達す
る断面矩形の領域Ａが設けられ、この領域Ａを挾んで、
２つの互いに分離された機能部分B,Bが設けられてい
る。

第２図の例では、磁器１の両主面の夫々の表層部分に断
面矩形の領域A,Aが設けられ、これらの領域A,Aを挾ん
で、２つの互いに分離された機能部分B,Bが設けられて
いる。

第３図の例では、磁器１の１方の主面の表層部分に断面
矩形の領域Ａが設けられ、この領域Ａを挾んで、２つの
互いに分離された機能部分B,Bが設けられている。

第４図の例では、互いに隔離して磁器１の両主面に到達
する断面矩形の領域Ａ（Ｂ）が設けられ、２つの互いに
分離された機能部分を構成している。

なお、第１図乃至第４図の例では、誘電率の異なる物体
で置換した領域Ａを１つ又は２つ設けているが、これに
限定されず、所望する機能部分の数に応じて決めること
ができ、３つ以上の領域を設けてもよいことは、言うま
でもない。また、前述した様に、磁器１は主として前記
誘電体成分から半導体化を経ないで直接得られる焼結体
により構成されるが、例えばA,B及びＡ（Ｂ）の少なく
とも１つを前記半導体化を経て得られる誘電体磁器に置
き換えることもできる。

前記機能部分Ｂ又はＡ（Ｂ）は、例えば高誘電体で構成
することができ、この場合、第１図乃至第３図の例では
領域ＡをＢよりも低誘電率の物体で構成して機能部分B,
Bを分離を十分に行なうことができる。また、第４図の
例では機能部分Ａ（Ｂ）を周囲よりも高誘電率の物体で
構成して分離することができる。

前記誘電率の異なる物体で置換した領域を設ける方法と
しては、例えば本発明のセラミックの製造法を実施し
て、成形体を焼成するにあたり、成形体の表層部分乃至
は内部に焼成による粒成長が強制的に促進又は抑制され
て誘電率の異なる部分を形成せしめる。これにより、例
えば粒成長が促進されて高誘電率化された部分を互いに
離隔して設けたり、あるいは粒成長が抑制されて低誘電
率化された部分を挾んで互いに離隔した部分を確保する
ことにより、１つのセラミック内部に２つ以上の高誘電
体部分を形成せしめることができる。

なお、前記成形体とは、例えば圧粉体（原料となる例え
ば金属酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は焼結体
（磁器類等）などを包含し、誘電体乃至は誘電体を形成
するための前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や、粒界
絶縁型の高誘電体を合成するときに一次焼成により得ら
れる半導体磁器や半導体粒子群から成る固体等）を含む
ものを言う。

例えば、前述した半導体化を経て得られる誘電体磁器に
ついて、本発明方法の具体例を説明する。

（ｉ）圧粉体調製時高誘電率所望部分には、例えば粒成長促進の効果のある
SiO₂を十分添加した原料を充填し、他の部分、すなわち
低誘電率所望部分には粒成長に寄与するSiO₂の量を絞っ
た原料を充填し、プレス成形を行う。前記プレス成形体
を一次焼成し半導体化を行い、添加剤を塗布した後二次
焼成を行い粒界絶縁化した磁器においては、SiO₂を十分
添加した部分においては粒成長が十分行われ高誘電率と
なるが、SiO₂絞った部分については粒成長が不十分であ
り、低誘電率となる。

次いで焼成を含むその後の磁器基板を得るための工程を
経て、高誘電体部分を複数画成した磁器基板を得る。画
成される高誘電体部分の誘電率は互いに同じであっても
異なっていてもよい。

なお、粒成長乃至は再結晶を促進して高誘電率化される
部分を形成する場合は、粒径を促進されていない部分の
1.5倍以上、更には４倍以上とするのが好ましく、一
方、粒成長乃至は再結晶を抑制して低誘電率化される部
分を形成する場合は、粒径を抑制されていない部分の2/
3以下、更には1/4以下とするのが好ましい。

また、本発明方法においては、前述した様に、構成粒子
の大きさの相違により誘電率の異なる領域を形成すると
共に、この領域乃至は他の部分の構成物質の組成乃至は
構造を変えることにより、誘電率を異ならしめることが
できる。

構成物質の組成乃至は構造を変えて誘電率を異ならしめ
る具体的方法としては、次の様な方法が挙げられる。

（ｉ）誘電体乃至はその前駆体を含む成形体に空所を
設け、該空所内に誘電率の異なる物質を充填することに
より誘電率の異なる物体を構成する方法。

前記成形体とは、例えば圧粉体（原料となる例えば金属
酸化物類の圧粉状の固体）、焼成体又は焼結体（磁器類
等）などを言い、誘電体乃至は誘電体を形成するための
前駆体（例えば前述の圧粉状の固体や、粒界絶縁型の高
誘電体を合成するときに一次焼成により得られる半導体
磁器や半導体粒子群から成る固体等）を含むものを言
う。

この方法の特徴は、前記成形体に空所を設け、該空所内
に誘電率の異なる物質を充填し、必要に応じて焼成等の
工程を経て誘電率の異なる物体を形成せしめることにあ
る。従って、成形体に単一もしくは複数の空所を設け、
例えば低誘電率の物質を充填することにより、空所の周
囲で高誘電率化されるべき部分を２つ以上に分離して、
互いに離隔した２以上の高誘電体部分を画成せしめるこ
とができる。

空所を設ける方法としては、例えば中子を用いた成形、
打ち抜き、レーザー加工、サンドブラスト、超音波加
工、放電加工、研削加工（ダイヤモンドツール等）、エ
ッチング（鉛レジスト、フッ酸処理等）などが挙げられ
る。

空所に充填される、例えば低誘電率の物質としては、例
えば、融点が磁器本体よりも低いものがなお更よく、例
えばPbSiO₃,BSiO₃,LiSiO₃、各種結晶化ガラス等が好適
である。あるいは、前述した誘電体成分や、粒界絶縁型
の高誘電体を形成するときに用いる前記半導体化に必要
な成分の種類を適宜変更した粉体を選択して誘電率の異
なる物体を構成することもできる。

（ii）誘電率の異なる物体を形成し得る２種以上の誘
電体形成粒子群を互いに区画して充填して成形体を得る
方法。

前記誘電体形成粒子群とは、例えば誘電体を形成し得る
金属酸化物類等の粒子群、誘電体自体の粒子群、前記粒
界絶縁型の高誘電体を形成するための半導体粒子群、あ
るいはこれらの混合物などを意味する。２種以上の誘電
体形成粒子群を互いに区画して充填する方法としては、
例えば、常温圧縮成形において用いる金型内を有機樹脂
等焼成による加熱により分解や蒸発等で揮散し得る物質
から成る仕切材で区画し、各区画内に各々所望の異種の
誘電体形成粒子群を充填し、その後の焼成などの加熱に
より仕切材を揮散させる。あるいは、前記仕切材とし
て、金型内に異種物質を詰めた後に容易に取外すことの
できるものを用い、異種物質を詰め、仕切材を取外して
加圧成形する方法などがある。

（iii）成形体が半導体磁器であり、該半導体磁器の
内部に電子部品形成用拡散源からの拡散層を形成せしめ
て誘電率の異なる物体を構成する方法。

この方法においては、前述した一次焼成により得られる
半導体磁器の表面上に、電子部品形成用拡散源として、
例えば前述した金属又は金属酸化物を互いに離隔した部
位で塗布して拡散源の層を形成し、次いで通常酸化性雰
囲気中で二次焼成することにより、半導体磁器内部に前
記拡散源からの、互いに離隔した２つ以上の拡散層を形
成することにより、２つ以上の高誘電体部分を形成す
る。

あるいは、低誘電率化し得る拡散源として、例えばMgTi
O₃,SiO₂,Al₂O₃等の層を形成して二次焼成により半導体
磁器の内部に低誘電率の拡散層を形成せしめると共に、
この拡散層の周囲に互いに離隔した状態で前述した金属
又は金属酸化物による高誘電率の拡散層を形成せしめる
か、あるいは半導体化を経ない高誘電体部分を形成せし
めておき、２つ以上の高誘電体部分を低誘電率の拡散層
を介して分離せしめる。

なお、この方法において、使用する拡散源は適宜変えて
もよいし、また、形成されるコンデンサー構成単位の数
にも特に制限はない。

（iv）成形体が、誘電体乃至はその前駆体を含むもの
であり、該成形体を部分溶融することにより誘電率の異
なる物体を構成する方法。

前記成形体とは、前記（ｉ）項で説明した成形体と同じ
意味を有する。

この方法の特徴は、前記成形体を部分溶融して誘電率の
異なる部分を形成せしめることにある。従って、成形体
に単一もしくは複数の部分溶融部分を形成し、これらの
部分のそれぞれを例えば周囲より低誘電率化することに
より、これらの部分を挾んで、高誘電率化されるべき部
分を２つ以上に分離して、互いに離隔した２つ以上の高
誘電体部分を画成せしめることができる。

部分溶融の方法としては、例えばレーザー（CO₂レーザ
ー、YAGレーザー等）照射、電子線照射等の方法が優れ
ている。

かくして得られる磁器等の本発明のセラミックを用いて
例えば電子回路用基体を構成する場合、各々の高誘電体
部分の表面上に導体部分（電極、引出し部等）を設ける
ことにより、複数個のコンデンサーを内蔵させることが
できる。また更に、磁器基板の内部乃至は周囲に、導体
部分、抵抗体乃至は絶縁体部分（例えば通常の薄膜乃至
は厚膜形成法により形成される）を形成して、多くの機
能部分を備えた基体とすることができる。

以下、具体的実施例を示して、本発明を更に詳しく説明
するが、本発明の実施の態様はこれにより限定されな
い。

実施例１第５図に本実施例の工程フローチャートを示す本実施例
においてはプレス成形時に第６図に示すような原料充填
を行うすなわち高温で分解してしまう物質（例えばポリ
ビニルアルコール）で作られた薄い仕切板62で仕切られ
た部分63及び64には下記配合表１の原料粉末を充填し65
には下記配合表２の原料粉末を充填しプレス成形を行う
ここで高温で分解する仕切板には多数の小孔を有してい
るものが望ましい。小孔を有していれば仕切板によって
隣接している成形された物質が仕切板を高温で分解した
時、離れる可能性が小さくなる。

この成形体を第５図の工程に従って焼成する事により第
７図のような焼結体が得られる。なお、添加材にはMnO₂
を使用した。ここで71及び72部は粒成長に寄与するSiO₂
が十分存在するため焼結体においては粒成長が十分であ
るので高誘電率となり73部分は粒成長に寄与するSiO₂が
抑えてあるため焼結体においては粒成長が不十分である
ので低誘電率となる。

下記表１に高誘電体部分71,72及び低誘電体部分73の各
々の平均粒径及び誘電率εを示した。

（配合表１） BaTiO₃ 93.0 ％、BaSnO₂ 2.0％、 La₂O₃ 0.12％、SiO₂ 2.0％、 Al₂O₃ 1.88％、SrTiO₃ 1.0％。

（配合表２） BaTiO₃ 94.9 ％、BaSnO₂ 2.0％、 La₂O₃ 0.12％、SiO₂ 0.1％、 Al₂O₃ 1.88％、SrTiO₃ 1.0％。

前記焼結体に所定の導体部分、抵抗体部分及び絶縁体部
分を形成する事により、C,R内蔵基板が得られる。

実施例２第８図に本実施例の工程フローチャートを示す。本実施
例においては、プレス成形時に第９図に示すような原料
充填を行う。すなわち原料充填後取り去る事の可能な仕
切板92で仕切られた部分に93及び94には下記配合表３の
原料粉末を充填し、95には下記配合表４の原料粉末を充
填し、仕切板を取り去り、プレス成形を行う。この焼結
体を第８図の工程に従って焼成する事により、第10図に
示した様な焼結体が得られた。なお、添加剤にはMnO₂を
使用した。ここで、101及び102は、SiO₂が十分存在する
為焼結体において粒成長が十分であり、且つLa₂O₃が十
分存在するので半導体化が十分であるので高誘電率とな
り、103は、SiO₂が抑えてある為焼結体において粒成長
が不十分であり且つLa₂O₃が不十分であるので半導体化
が不十分であるので低誘電率となる。各々の誘電率εを
表２に示した。この焼結体は一枚の基板中に高誘電率部
と低誘電率部を有する前記焼結体に所定の導体部分、抵
抗体部分、及び絶縁体部分を形成する事により、CR内蔵
基板が得られる。

（配合表３） BaTiO₃ 93.0 ％、BaSnO₂ 2.0％、 La₂O₃ 0.12％、SiO₂ 2.0％、 Al₂O₃ 1.88％、SrTiO₃ 1.0％。

（配合表４） BaTiO₃ 93.0 ％、BaSnO₂ 2.0％、 La₂O₃ 0.02％、SiO₂ 0.1％、 Al₂O₃ 1.88％、SrTiO₃ 1.0％。

実施例３本実施例においては、第８図に示した工程フローチャー
トに従いプレス成形時に第９に示すような原料充填を行
う。すなわち原料充填後取り去る事の可能な仕切板92で
仕切られた部分に93及び94には下記配合表３の原料粉末
を充填し、95には下記配合表４の原料粉末を充填し、仕
切板を取り去り、プレス成形を行う。この焼結体を第８
図の工程に従って焼成する事により、第10図に示した様
な焼結体が得られた。なお、添加剤にはMnO₂を使用し
た。ここで、101及び102は、配合表３の原料の用い且つ
粒成長が十分であるので高誘電率となり、103は、配合
表４の原料を用い且つ粒成長が不十分であるので低誘電
率となる。各々の誘電率εを表２に示した。この焼結体
は一枚の基板中に高誘電率部と低誘電率部を有する前記
焼結体に所定の導体部分、抵抗体部分、及び絶縁体部分
を形成する事によりCR内蔵基板が得られる。

（配合表５） BaTiO₃ 93 ％、BaSnO₂ 2.0％、 La₂O₃ 0.12％、SiO₂ 2.0％、 Al₂O₃ 1.88％、SrTiO₃ 1.0％。

（配合表６） BaTiO₃ 85.9％、MgTiO₃ 10.2％、 TiO₂ 2.8％、SiO₂ 0.1％。

SrTiO₃ 1.0％、実施例４本実施例においては第５図に示した工程フロチャートに
従いプレス成形時に第６図に示すような原料充填を行
う。すなわち高温で分解してしまう物質（例えばポリビ
ニルアルコール）で作られた薄い仕切板62で仕切られた
部分63及び64には下記配合表７の原料粉末を充填し65に
は下記配合表８の原料粉末を充填しプレス成形を行う。
ここで高温で分解する仕切板には多数の小孔を有してい
るものが望ましい小孔を有していれば仕切板によって隣
接している成形された物質が、仕切板を高温で分解した
時、離れる可能性が小さくなる。

この成形体を第５図の工程に従って焼成する事により、
第７図の様な焼結体が得られる。ここで添加剤の塗布
は、成形体の63,64の部分にMnO₂、65の部分にCuOを用い
て行った。ここで71,72の部分は、粒成長に寄与するSiO
₂が十分存在するため焼結体においては粒成長が十分で
あり、また粒界絶縁物質としてMnO₂を用いているため高
誘電率となり、73の部分は粒成長に寄与するSiO₂が抑え
てあるため焼結体においては粒成長が不十分であり、ま
た粒界絶縁物質としてCuOを用いているので低誘電率と
なる。

下記表４に高誘電体部分71,72及び低誘電体部分73の各
々の誘電率εを示した。

（配合表７） BaTiO₃ 93.0 ％、BaSnO₂ 2.0％、 La₂O₃ 0.12％、SiO₂ 2.0％、 Al₂O₃ 1.88％、SrTiO₃ 1.0％。

（配合表８） BaTiO₃ 94.9 ％、BaSnO₂ 2.0％、 La₂O₃ 0.12％、SiO₂ 0.1％、 Al₂O₃ 1.88％、SrTiO₃ 1.0％。

実施例５本実施例では第８図に示した工程フローチャートに従
い、プレス成形時に第９図に示す様な原料充填を行う。
即ち、原料充填後取り去ることの可能な仕切板92で仕切
られた部分93及び94には下記配合表９の原料粉末を充填
し、95には下記配合表10の原料粉末を充填し、仕切板を
取り去り、プレス成形を行う。この焼結体を第８図の工
程に従って焼成する事により、第10図の様な焼結体が得
られる。なお、添加剤の塗布は、成形体の93,94の部分
にはMnO₂、95の部分にはCuOを塗布して行った。ここで1
01,102は、配合表９の組成であり、粒成長が十分であ
り、且つ粒界絶縁物質としてMnO₂を使用しているため高
誘電率となり、103は、配合表10の組成であり、粒成長
が不十分であり、且つ粒界絶縁物質としてCuOを使用し
ているため低誘電率となる。各々の誘電率とを表５に示
した。この焼結体は一枚の基板中に高誘電率部と低誘電
率部を有する前記焼結体に所定の導体部分、抵抗体部
分、及び絶縁体部分を形成する事によりCR内蔵基板が得
られる。

（配合表９） BaTiO₃ 93 ％、BaSnO₂ 2.0％、 La₂O₃ 0.12％、SiO₂ 2.0％、 Al₂O₃ 1.88％、SrTiO₃ 1.0％。

（配合表10） BaTiO₃ 85.9％、MgTiO₃ 10.2％ TiO₂ 2.8％、SiO₂ 0.1％、 SrTiO₃ 1.0％。

なお第11図に例えば前記実施例に示した様な方法により
得られる磁器基板の例を示す。第11図（ａ）及び（ｂ）
は、それぞれ磁器基板の平面図及び断面図であり、111
が高誘電体部分、112が低誘電体部分である。また第11
図（ｃ）は、更に導体部分113、抵抗体部分114、及び絶
縁体部分115を形成した磁器基板を示している。

〔発明の効果〕

本発明のセラミックは、電子部品構成単位等の機能部分
を複数画成し得る。従って、これを用いて構成される電
子部品や電子回路用基体等は、各種容量のコンデンサー
等の素子機能部分を複数内蔵することができ、また例え
ば前記基体に導体、抵抗体、絶縁体等の各種機能部分を
形成することにより、多くの機能部分を備え、しかも小
型化され安価な電子回路用基体等となる。また、この様
に基体内でのコンデンサー、抵抗等の設計の自由度を大
幅に向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は、それぞれ本発明に係るセラミック
の断面図である。第５図は、本発明の一実施例である磁器基板の製造工程
を説明するための工程説明図であり、第６図はこのとき
に使用する成形金型の斜視図、第７図はかくして得られ
る磁器基板の斜視図を示している。第８図は、本発明の１実施例である磁器基板の製造工程
を説明するための工程説明図であり、第９図はこのとき
に使用する成形金型の斜視図、第10図はかくして得られ
る磁器基板の斜視図を示している。第11図の（ａ）は、本発明の１実施例である磁器基板の
平面図、（ｂ）は（ａ）中Ａ−Ａ断面図であり、（ｃ）
は更にこの磁器基板に導体、抵抗体、絶縁体等の機能部
分を形成したR,C内蔵の磁器基板の断面図である。第12図は、従来の磁器基板の断面図である。第13図は、従来試みられている方法による複数の高誘電
体部分を有する磁器基板の断面図である。Ａ……誘電率の異なる領域、Ｂ……機能部分、Ａ（Ｂ）
……誘電率の異なる領域且つ機能部分。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０５Ｋ 1/03 7011−4Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表層部分乃至は内部を構成する粒子の大き
さを異ならせた誘電率の異なる領域を互いに分離して有
することを特徴とするセラミック。
【請求項２】前記セラミックは半導体磁器である特許請
求の範囲第（１）項に記載のセラミック。
【請求項３】成型体の表層部分乃至は内部に焼成による
粒成長を強制的に促進または抑制して誘電率の異なる部
分を形成するために、粒成長促進剤を添加しまたは焼成
時の加熱条件を部分的に変え、構成される粒子の大きさ
の異なる領域を形成することを特徴とするセラミックの
製造方法。
【請求項４】前記粒成長の促進により、粒径が粒成長の
促進がなされていない部分の1.5倍以上とされ高誘電率
化されている特許請求の範囲第（３）項に記載のセラミ
ックの製造方法。
【請求項５】前記粒成長の抑制により、粒径が粒成長の
抑制がなされていない部分の2/3以下とされ低誘電率化
されている特許請求の範囲第（３）項に記載のセラミッ
クの製造方法。
【請求項６】前記焼成時の加熱条件の部分的な変化はレ
ーザー照射または電子線照射によって行なわれる特許請
求の範囲第（３）項に記載のセラミックの製造方法。
【請求項７】前記セラミックは半導体磁器である特許請
求の範囲第（３）項乃至第（６）項12記載のセラミック
の製造方法。
【請求項８】前記粒成長促進剤はSiO₂である特許請求の
範囲第（３）項乃至第（７）項に記載のセラミックの製
造方法。
【請求項９】前記構成される粒子の大きさの異なる領域
を形成した後に、拡散源を付与して更に焼成する特許請
求の範囲第（３）項乃至第（８）項に記載のセラミック
の製造方法。
【請求項１０】前記拡散源は金属または金属酸化物であ
る特許請求の範囲第（９）項に記載のセラミックの製造
方法。
【請求項１１】表層部分乃至は内部を構成する粒子の大
きさを異ならせた誘電率の異なる領域を互いに分離して
有するセラミックを用いたことを特徴とする電子回路用
基体。
【請求項１２】前記セラミックに更に導体、抵抗体及び
絶縁体の内少なくともいずれか一つが設けられている特
許請求の範囲第（11）項に記載の電子回路用基体。
【請求項１３】前記セラミックは半導体磁器である特許
請求の範囲第（11）項または第（12）項に記載の電子回
路用基体。
【請求項１４】表層部分乃至は内部を構成する粒子の大
きさを異ならせた誘電率の異なる領域を互いに分離して
有するセラミックと該セラミックに更に導体、抵抗体及
び絶縁体の内少なくともいずれか一つを有することを特
徴とする電子回路。
【請求項１５】前記セラミックは半導体磁器である特許
請求の範囲第（14）項に記載の電子回路。