JPH0815225B2 - Dual wavelength oscillation laser device - Google Patents
Dual wavelength oscillation laser deviceInfo
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- JPH0815225B2 JPH0815225B2 JP13179386A JP13179386A JPH0815225B2 JP H0815225 B2 JPH0815225 B2 JP H0815225B2 JP 13179386 A JP13179386 A JP 13179386A JP 13179386 A JP13179386 A JP 13179386A JP H0815225 B2 JPH0815225 B2 JP H0815225B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は2つの波長成分を含むレーザ光を発生するこ
とができる2波長発振レーザ装置に関する。The present invention relates to a two-wavelength oscillation laser device capable of generating laser light containing two wavelength components.
(従来技術) 特定波長のレーザ光がある種の気体に吸収され易いこ
とを利用して気体の有無を検出できることが知られてお
り、この原理を応用したセンシング技術が工業計測、公
害監視などに広く用いられている。一例として、He−Ne
レーザにより発生されるレーザ光の3.39μm帯には真空
波長が3.3922μm(λ1)と3.3912μm(λ2)の2つ
の発振線があり、λ1はメタンに強く吸収され、λ2は
メタンにわずかしか吸収されない。そこでこの2つの波
長成分を含むレーザ光を使ってメタンの有無を感度よく
検出することが可能である。メタンは都市ガスの主成分
であるのでメタンガスの検出によって都市ガスの漏洩が
検知できる。(Prior Art) It is known that the presence or absence of gas can be detected by utilizing the fact that a laser beam of a specific wavelength is easily absorbed by a certain type of gas, and sensing technology applying this principle is used for industrial measurement, pollution monitoring, etc. Widely used. As an example, He-Ne
In the 3.39 μm band of the laser light generated by the laser, there are two oscillation lines with vacuum wavelengths of 3.3922 μm (λ 1 ) and 3.3912 μm (λ 2 ), λ 1 is strongly absorbed by methane, and λ 2 is methane. Is absorbed only slightly. Therefore, it is possible to detect the presence or absence of methane with high sensitivity by using laser light including these two wavelength components. Since methane is the main component of city gas, the leak of city gas can be detected by detecting methane gas.
この種のメタン漏洩センサが米国特許第4,489,239号
ですでに提案されており、この米国特許の第1図には、
真空波長3.3922μmと3.3912μmの2台のHe−Neレーザ
を用いたセンサシステムが開示されている。このセンサ
システムにおいては、2台のHe−Neレーザからの2波長
のレーザ光を2台のメカニカルチョッパーを用いて、そ
れぞれ異なった周波数で変調して出射し、大気通過後、
そのレーザ光を受光するセンサ出力のうち、それぞれの
周波数に同期した成分をロックインアンプにて検出し、
その出力の比からメタンの有無を検知する。A methane leak sensor of this type has already been proposed in US Pat. No. 4,489,239, which is shown in FIG.
A sensor system using two He-Ne lasers with vacuum wavelengths of 3.3922 μm and 3.3912 μm is disclosed. In this sensor system, two wavelengths of laser light from two He-Ne lasers are modulated with different frequencies by using two mechanical choppers and emitted. After passing through the atmosphere,
Of the sensor output that receives the laser light, the component synchronized with each frequency is detected by the lock-in amplifier,
The presence or absence of methane is detected from the ratio of the outputs.
もう1つの方法として、1台のメカニカルチョッパー
を用い、通過と反射とを繰返させるかまたは2波長のビ
ームをチョッパーの穴の径だけずらすことにより2波長
を等しい出力に調整しておけば、センサ出力のうちチョ
ッパーに同期した周波数成分をロックインアンプにて検
出することにより、2波長の出力の差によりメタンの有
無を検知することができる。As another method, if one mechanical chopper is used and the two wavelengths are adjusted to the same output by repeating passing and reflection or shifting the two wavelength beams by the diameter of the hole of the chopper, the sensor By detecting the frequency component of the output synchronized with the chopper with the lock-in amplifier, it is possible to detect the presence or absence of methane from the difference between the outputs of the two wavelengths.
このような構成のメタン検知システムは多数のミラー
やハーフミラーを用いるため光学系が複雑で大きな体積
を要するだけでなく光軸調整が厄介であり、レーザ光の
損失が大きい。また、振動や温度変化等による経時的な
光軸のズレも考えられる。また信号処理が複雑な上メカ
ニカルチョッパーの動作上の限界から高周波変調ができ
ずSN比の点で不利である。さらに前者の場合は2台のレ
ーザの他に、2台のチョッパーと2台のロックインアン
プが必要なため装置が大がかりとなる。また後者の場合
は2波長を等しい出力に調整することが難しく、温度変
化等のため経時的に2波長の出力のバランスがくずれる
おそれがある。Since the methane detection system having such a configuration uses a large number of mirrors and half mirrors, not only the optical system is complicated and requires a large volume, but also the optical axis adjustment is troublesome, and the loss of laser light is large. In addition, the optical axis may be deviated over time due to vibration, temperature change, or the like. In addition, since the signal processing is complicated, high-frequency modulation cannot be performed due to the operational limit of the mechanical chopper, which is disadvantageous in terms of SN ratio. Further, in the former case, in addition to the two lasers, two choppers and two lock-in amplifiers are required, so that the device becomes large-scale. In the latter case, it is difficult to adjust the two wavelengths to the same output, and there is a possibility that the output of the two wavelengths may be unbalanced over time due to temperature changes and the like.
上記2台のHe−Neレーザを用いたセンサシステムの欠
点のいくつかを解消したセンサシステムが米国特許の第
4図に提案されている。このセンサシステムは、3枚の
ミラーで構成される共振空洞内にHe−Neプラズマ管を配
置し、Fabry−Perotinterferometerを構成する2枚のミ
ラーの一方に圧電素子を取り付け、この圧電素子を約1
μmで振動させることにより2波長を交互に切り換えて
発生させるものである。A sensor system which eliminates some of the drawbacks of the sensor system using the two He-Ne lasers is proposed in FIG. In this sensor system, a He-Ne plasma tube is placed in a resonance cavity composed of three mirrors, and a piezoelectric element is attached to one of the two mirrors forming the Fabry-Perot interferometer.
Two wavelengths are alternately switched and generated by oscillating at .mu.m.
この2波長発振レーザを用いればチョッパーが不要に
なるので構成が簡潔になるが、2波長の出力を等しくす
るために共振器内にメタンセルを挿入することが考えら
れるが、フィードバック機構がないので2波長の出力を
完全に等しくできず、温度変化等により経時的にバラン
スがくずれるおそれがある。また共振器長に限界がある
ために出力を大きくできないという問題もある。If this two-wavelength oscillation laser is used, the chopper becomes unnecessary and the configuration is simple. However, it is conceivable to insert a methane cell in the resonator to make the outputs of the two wavelengths equal, but since there is no feedback mechanism, The wavelength outputs cannot be completely equalized, and the balance may be lost over time due to temperature changes and the like. There is also a problem that the output cannot be increased because the resonator length is limited.
一方、上記米国特許の第9欄、第56行〜第62行に触れ
ているように、J.E.Bjorkholmほかによる論文“Improve
d Use of Grantings in Tunable Lasers"には、Grating
sの直前にハーフミラーを設置することによりGratings
の反射率を改善し共振器の効率を上げ、出力を高めた3
ミラー共振器が言及されているが、ハーフミラーとGrat
ingsとでFarby−Perotを構成しているようなもので、ハ
ーフミラーの位置を波長オーダーで制御しないと反射率
は高まらない。逆に反射率が0になることも考えられ
る。On the other hand, as mentioned in column 9, lines 56 to 62 of the above US patent, JEBjorkholm et al., “Improve
d Use of Grantings in Tunable Lasers "
Gratings by installing a half mirror just before s
The reflectivity of the resonator is improved, the efficiency of the resonator is increased, and the output is increased.
Mirror resonators are mentioned, but half mirrors and Grat
It is like a Farby-Perot with ings, and the reflectance does not increase unless the position of the half mirror is controlled on the wavelength order. On the contrary, it is possible that the reflectance becomes zero.
ところでメタンに吸収され易い波長として上記3.39μ
m帯のほかに1.33μm帯と1.67μm帯とがある。一方、
通信用に用いられている半導体レーザには1.3μm帯の
レーザ光を発生するものが知られている。そこで、メタ
ンの漏洩検出にこの半導体レーザを用いることを考えて
みると、半導体レーザのレーザ光出力と発振波長は駆動
電流によって第4図および第5図に示すように変化する
ことが知られている。そこで半導体レーザの駆動電流を
I1とI2とで交互に変化させることにより2つの異なる波
長レーザ光を発振させることができる。By the way, the above wavelength of 3.39μ is easily absorbed by methane.
In addition to the m band, there are 1.33 μm band and 1.67 μm band. on the other hand,
It is known that a semiconductor laser used for communication emits a laser beam of 1.3 μm band. Therefore, considering the use of this semiconductor laser for methane leakage detection, it is known that the laser light output and oscillation wavelength of the semiconductor laser change as shown in FIGS. 4 and 5 depending on the drive current. There is. Therefore, the drive current of the semiconductor laser
By alternately changing I 1 and I 2 , two different wavelength laser lights can be oscillated.
(発明の目的および構成) 本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、小型
で高出力且つ高い変調周波数の2波長発振半導体レーザ
を提案することを目的とし、この目的を達成するため
に、駆動電流に応じた波長および出力のレーザ光を発振
するレーザを用い、所定の電流を中心として異なる2つ
の駆動電流でレーザを変調して異なる2波長のレーザ光
を発振せしめ、波長依存性のある吸収体または反射体を
利用してレーザ出力の変調周波数成分が0になるように
駆動電流にフィードバックをかけるように構成した。(Object and Structure of the Invention) The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to propose a small-sized, high-output, high-modulation-frequency, two-wavelength oscillation semiconductor laser, and to achieve this object. , A laser that oscillates a laser beam having a wavelength and an output according to a drive current is used, and the laser is modulated with two different drive currents around a predetermined current to oscillate a laser beam having two different wavelengths. A certain absorber or reflector is used to feed back the drive current so that the modulation frequency component of the laser output becomes zero.
(実施例) 以下本発明を図面に基づいて説明する。なお、以下に
例示する2波長発振レーザ装置はメタン検知用として説
明するが、本発明はこれに限定されるものでないことは
もちろんである。(Example) The present invention will be described below with reference to the drawings. The two-wavelength oscillation laser device exemplified below is described for methane detection, but it goes without saying that the present invention is not limited to this.
第1図はメタン検知を目的とした本発明による2波長
発振半導体レーザ装置の一実施例を示しており、1はた
とえばGaYsInP半導体レーザ、2は半導体レーザ1から
発生するレーザ光を集光するコリメートレンズ、3はメ
タンガスを含むメタンセル、4はレーザ光の光軸中に配
置されメタンセル3を通過したレーザ光を分割するビー
ムスプリッタ、5はPINホトダイオードなどの光セン
サ、6は発振器7の周波数に同期して変化する光センサ
5の出力成分を検出するロックインアンプ、8はロック
インアンプ6の出力を積分する積分器、9は積分器8の
出力と発振器7の出力とに基づいて半導体レーザ1の駆
動電流を制御する電流制御回路、10は電流制御回路9に
より制御される変調中心を中心にして2つの異なる電流
で半導体レーザ1を駆動するレーザ駆動回路、11はやは
り積分器8の出力に基づいて半導体レーザ1の温度を制
御する周知の温度制御回路である。FIG. 1 shows an embodiment of a two-wavelength oscillation semiconductor laser device according to the present invention for the purpose of detecting methane. 1 is a GaYsInP semiconductor laser, and 2 is a collimator for condensing laser light generated from the semiconductor laser 1. A lens 3 is a methane cell containing methane gas, 4 is a beam splitter which is arranged in the optical axis of the laser beam and splits the laser beam that has passed through the methane cell 5, 5 is an optical sensor such as a PIN photodiode, 6 is synchronized with the frequency of the oscillator 7. The lock-in amplifier for detecting the changing output component of the optical sensor 5, 8 is an integrator for integrating the output of the lock-in amplifier 6, and 9 is the semiconductor laser 1 based on the output of the integrator 8 and the output of the oscillator 7. A current control circuit for controlling the driving current of the semiconductor laser 1, 10 drives the semiconductor laser 1 with two different currents centering on the modulation center controlled by the current control circuit 9. Chromatography The drive circuit, 11 is a well-known temperature control circuit for controlling the temperature of the semiconductor laser 1 based also on the output of the integrator 8.
いま半導体レーザ1をレーザ駆動回路10により電流I0
を中心にしてI1とI2(I2>I1)で駆動すると、半導体レ
ーザ1から波長λ1およびλ2のレーザ光が発生する。
このレーザ光はコリメートレンズ2により集光された後
メタンセル3を通過するが、波長λ2成分はメタンセル
3内のメタンセルにより吸収されて総合出力が減少しメ
タン圧を適当に選ぶと波長λ1成分の出力とほぼ等しく
することができる。Now, the semiconductor laser 1 is supplied with a current I 0 by the laser drive circuit 10.
When driven by I 1 and I 2 (I 2 > I 1 ) centering on, the semiconductor laser 1 emits laser light of wavelengths λ 1 and λ 2 .
This laser light is condensed by the collimator lens 2 and then passes through the methane cell 3. However, the wavelength λ 2 component is absorbed by the methane cell in the methane cell 3 and the total output decreases, and if the methane pressure is properly selected, the wavelength λ 1 component Can be approximately equal to the output of.
さて、こうして出力がほぼ等しくなった波長λ1成分
と波長λ2成分のビーム光出力P(I)はビームスプリ
ッタ4でPA(I)とPB(I)とに分割され、分割された
レーザ光出力成分PA(I)は次の式で表わすことができ
る。Now, the beam light outputs P (I) of the wavelength λ 1 component and the wavelength λ 2 component whose outputs are almost equal in this way are split into P A (I) and P B (I) by the beam splitter 4 and split. The laser light output component P A (I) can be expressed by the following equation.
PA(I)=A・G(I)exp{−α(I)cl} ここでAは定数、G(I)はレーザの発振出力、α
(I)メタンの吸収係数、cはメタンセル3内のメタン
圧、lはメタンセル3の長さ(従ってclはメタンセル内
のメタン量に相当する)であり、吸収係数αは第2図に
示すように駆動電流Iの関数となる。P A (I) = A · G (I) exp {−α (I) cl} where A is a constant, G (I) is the laser oscillation output, α
(I) The absorption coefficient of methane, c is the methane pressure in the methane cell 3, l is the length of the methane cell 3 (hence cl is equivalent to the amount of methane in the methane cell), and the absorption coefficient α is as shown in FIG. Is a function of the drive current I.
いま電流Iを適当な値I0を中心にしてΔI、周波数f
で微小振動させると、分割された光出力成分PA(I)は
次の式で表わすことができる。Now, the current I is centered around an appropriate value I 0 , ΔI, and frequency f
When the light is vibrated slightly, the divided light output component P A (I) can be expressed by the following equation.
ここで光出力成分PA(I)のうち変調周波数成分(す
なわちf成分)のみをロックインアンプ6により検出
し、その出力を誤差信号としてそれが0となるように電
流の中心I0を変化させるようにフィードバックをかけ
る。すなわち、 を満足するように電流中心I0を制御する。 Here, only the modulation frequency component (that is, the f component) of the optical output component P A (I) is detected by the lock-in amplifier 6, and the output is used as an error signal to change the center I 0 of the current so that it becomes 0 . Give feedback to let them know. That is, The current center I 0 is controlled so that
第1図に示した光センサ5、ロックインアンプ6、積
分器8、電流制御回路9でフィードバック回路を構成し
ており、レーザ光出力の一部が光センサ5によって検出
され、そのうち変調周波数成分がロックインアンプ6に
より検波され、積分器8により積分されて電流制御回路
9によりレーザ駆動回路10のバイアス電流I0を中心にし
て発振器7の発振周波数で駆動電流をI1、I2の間で変調
する。フィードバック効果により変調周波数成分がなく
なったときは積分器8がそのとき保持している積分値に
より電流制御回路9によりレーザ駆動回路10のバイアス
電流I0が保持されて発振が継続される。The optical sensor 5, the lock-in amplifier 6, the integrator 8, and the current control circuit 9 shown in FIG. 1 constitute a feedback circuit. A part of the laser light output is detected by the optical sensor 5, and the modulation frequency component among them is detected. Is detected by the lock-in amplifier 6, integrated by the integrator 8, and the current control circuit 9 causes the drive current to flow between I 1 and I 2 at the oscillation frequency of the oscillator 7 centered on the bias current I 0 of the laser drive circuit 10. Modulate with. When the modulation frequency component disappears due to the feedback effect, the integrator 8 holds the bias current I 0 of the laser drive circuit 10 by the integrated value held by the integrator 8 at that time, and oscillation is continued.
動作中に温度変化などにより半導体レーザ1の発振波
長が変化したときは積分器8の積分値に基づいて電流制
御回路9により駆動電流を微小変動させて修正すること
もできるが、積分値に基づいて温度制御回路11により大
幅な修正を行うことができる。しかし、この温度制御に
よる光出力制御は通常行なわれており、本発明の要旨で
はないのでこれ以上の説明は省略する。When the oscillation wavelength of the semiconductor laser 1 changes due to temperature change or the like during operation, the drive current can be slightly changed and corrected by the current control circuit 9 based on the integrated value of the integrator 8, but based on the integrated value. The temperature control circuit 11 can make a large correction. However, since the light output control by the temperature control is usually performed and is not the gist of the present invention, further description will be omitted.
このようにフィードバック制御された半導体レーザ1
から発生する波長λ1、λ2のレーザ光PB(I)を第3
図に示すように被検領域Kに通過させ、光センサ5と同
じ光センサ12で受光し、ロックインアンプ13で変調周波
数成分(すなわちf成分)を検出する。その被検領域K
にもしメタンガスが存在しなければロックインアンプ13
の出力は0であるが、メタンガスMG(破線で囲んで示
す)が存在する場合には、その領域における漏洩メタン
のメタン圧をC、漏洩長さをLとすると領域Kを通過後
の光出力PB(I)は次の式で表わすことができる。Semiconductor laser 1 feedback-controlled in this way
Laser light P B (I) of wavelengths λ 1 and λ 2 generated from
As shown in the figure, the light is passed through the region K to be inspected, received by the same optical sensor 12 as the optical sensor 5, and the lock-in amplifier 13 detects the modulation frequency component (that is, the f component). The area to be inspected K
If there is no methane gas, lock-in amplifier 13
Output is 0, but when methane gas MG (enclosed by a broken line) exists, the methane pressure of the leaked methane in that region is C, and the leak length is L, the light output after passing through the region K. P B (I) can be expressed by the following equation.
そこで上記(1)式を考慮すると、PB(I)のうちの
変調周波数成分は、 となり、αCL《1の低メタン量領域ではCLに比例した光
出力となる。この変調周波数成分をレコーダ14で記録す
れば漏洩メタンの有無や漏洩量が得られる。 Therefore, considering the above equation (1), the modulation frequency component of P B (I) is Therefore, in the low methane amount region of αCL << 1, the light output is proportional to CL. If this modulation frequency component is recorded by the recorder 14, the presence or absence of leakage methane and the leakage amount can be obtained.
上記実施例では半導体レーザから出力する2波長のレ
ーザ光の出力を等しくするのにメタンセルを用いたが、
メタンセルの代りに半導体レーザの共振器を構成するレ
ーザ両端面に波長特性のある誘電体コーティングを施し
てもよい。In the above embodiment, the methane cell was used to equalize the outputs of the two wavelength laser beams output from the semiconductor laser.
Instead of the methane cell, a dielectric coating having a wavelength characteristic may be applied to both end faces of the laser constituting the resonator of the semiconductor laser.
本発明は半導体レーザについて例示したが、これに限
らず発振波長がアナログ的に変化する、たとえば色素レ
ーザのようなレーザにも適用することができる。Although the present invention has been illustrated with respect to the semiconductor laser, the present invention is not limited to this, and can be applied to a laser whose oscillation wavelength changes in an analog manner, such as a dye laser.
(発明の効果) 以上説明したように、本発明においては、駆動電流に
応じた波長および出力のレーザ光を発振するレーザを用
い、所定の電流を中心として異なる2つの駆動電流でレ
ーザを変調して異なる2波長のレーザ光を発振せしめ、
レーザ光の変調周波数成分が0になるように駆動電流に
フィードバックをかけるように構成したので、簡潔な構
成および制御で2波長発振レーザが実現できる。(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, a laser that oscillates a laser beam having a wavelength and an output according to a driving current is used, and the laser is modulated by two different driving currents around a predetermined current. And oscillate two different wavelengths of laser light,
Since the driving current is fed back so that the modulation frequency component of the laser light becomes zero, a dual wavelength oscillation laser can be realized with a simple configuration and control.
本発明による2波長発振レーザ装置を用いて気体検知
システムを構成すれば、1台のレーザですむので使用す
るミラーやハーフミラーが少なくなって光学系が簡潔に
なり光損失が減少するとともに光軸調整の煩わしさが減
少する。また、レーザの駆動中心電流の変調を電気的に
行なっているので、従来のメカニカルチョッパーより高
い周波数での変調が可能になりSN比を改善することがで
きる。また、2波長を分離して検出する必要がないため
に測定系(たとえばロックインアンプを含む信号処理
系)が極めて簡潔になる。If a gas detection system is constructed by using the dual wavelength oscillation laser device according to the present invention, since only one laser is required, the number of mirrors and half mirrors used is reduced, the optical system is simplified, the optical loss is reduced, and the optical axis is reduced. The trouble of adjustment is reduced. In addition, since the drive center current of the laser is electrically modulated, it is possible to perform modulation at a higher frequency than that of the conventional mechanical chopper and improve the SN ratio. Further, since it is not necessary to separate and detect two wavelengths, the measurement system (for example, a signal processing system including a lock-in amplifier) becomes extremely simple.
さらに、本発明によるレーザ装置を用い発振レーザ光
を光ファイバーで導けば遠隔、広域での気体検知が可能
になり、ガス漏れ検知をはじめとして工業計測や公害監
視などその応用分野は極めて広いと考えられる。Furthermore, if the laser device according to the present invention is used to guide an oscillated laser beam through an optical fiber, it is possible to detect gas remotely and in a wide area, and its application fields such as gas leak detection and industrial measurement and pollution monitoring are considered to be extremely wide. .
第1図は本発明による2波長発振レーザ装置の一実施例
の概略線図、第2図は半導体レーザの駆動電流とメタン
吸収係数αとの関係を示す特性図、第3図は本発明によ
る2波長発振レーザ装置により発生されるレーザ光を用
いて漏洩メタンの検出を行う系の概略線図、第4図は半
導体レーザの駆動電流とレーザ光出力との関係を示す特
性図、第5図は半導体レーザの駆動電流と発振レーザ光
の波長との関係を示す特性図である。 1……半導体レーザ、3……メタンセル、4……ビーム
スプリッタ、5……光センサ、6……ロックイナンプ、
7……発振器、8……積分器、9……電流制御回路FIG. 1 is a schematic diagram of an embodiment of a two-wavelength oscillation laser device according to the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between a driving current of a semiconductor laser and a methane absorption coefficient α, and FIG. 3 is according to the present invention. FIG. 5 is a schematic diagram of a system for detecting leaked methane using laser light generated by a two-wavelength oscillation laser device, FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between a driving current of a semiconductor laser and laser light output, and FIG. FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the drive current of a semiconductor laser and the wavelength of oscillated laser light. 1 ... Semiconductor laser, 3 ... Methane cell, 4 ... Beam splitter, 5 ... Optical sensor, 6 ... Lock enamp,
7 ... Oscillator, 8 ... Integrator, 9 ... Current control circuit
Claims (1)
光を発振するレーザと、該レーザを所定の電流値を中心
とする異なる2つの電流値で変調して駆動するレーザ駆
動回路と、前記レーザにより発振する2波長成分の出力
をほぼ等しく調整する出力調整手段と、レーザ出力の変
調周波数成分がほぼ0になるよるに前記レーザ駆動回路
の前記所定の電流値を制御する電流制御回路とを有する
ことを特徴とする2波長発振レーザ装置。1. A laser that oscillates a laser beam having a wavelength and an output according to a drive current, a laser drive circuit that modulates and drives the laser with two different current values centered around a predetermined current value, and Output adjusting means for adjusting the outputs of the two wavelength components oscillated by the laser to be substantially equal to each other, and a current control circuit for controlling the predetermined current value of the laser drive circuit so that the modulation frequency component of the laser output becomes almost zero. A two-wavelength oscillating laser device having.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13179386A JPH0815225B2 (en) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | Dual wavelength oscillation laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13179386A JPH0815225B2 (en) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | Dual wavelength oscillation laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290190A JPS62290190A (en) | 1987-12-17 |
| JPH0815225B2 true JPH0815225B2 (en) | 1996-02-14 |
Family
ID=15066261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13179386A Expired - Lifetime JPH0815225B2 (en) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | Dual wavelength oscillation laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0815225B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0315742A (en) * | 1989-03-23 | 1991-01-24 | Anritsu Corp | Gas detector |
| JPH0830680B2 (en) * | 1990-10-15 | 1996-03-27 | アンリツ株式会社 | Gas detector |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP13179386A patent/JPH0815225B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62290190A (en) | 1987-12-17 |
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