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JPH0816764B2 - カメラのバツテリチエツク回路 - Google Patents
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JPH0816764B2 - カメラのバツテリチエツク回路 - Google Patents

カメラのバツテリチエツク回路

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JPH0816764B2
JPH0816764B2 JP60179937A JP17993785A JPH0816764B2 JP H0816764 B2 JPH0816764 B2 JP H0816764B2 JP 60179937 A JP60179937 A JP 60179937A JP 17993785 A JP17993785 A JP 17993785A JP H0816764 B2 JPH0816764 B2 JP H0816764B2
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JP
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voltage
temperature coefficient
battery
temperature
circuit
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洋 長谷川
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Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明はカメラのバッテリチェック回路に関するもの
である。
(発明の背景) 被写体輝度を測定するには、一般に、シリコンフォト
ダイオードや硫化カドミウム等の受光素子が用いられ
る。これらの受光素子の出力は周囲温度に影響されるの
で、従来から種々の形態で受光素子出力の温度補償が行
われている。
その温度補償のひとつとして、絶対温度に比例した電
圧を発生する電圧発生回路を設けたものがある。露出制
御等でアナログ系およびデジタル系を用いるものにおい
ては、絶対温度に比例した電圧は、アナログ系の電圧源
として、また、アナログ−デジタルコンバータ(A/Dコ
ンバータ)やデジタル−アナログコンバータ(D/Aコン
バータ)の基準電圧として用いられている。
ところで、カメラのバッテリの電圧が所定値より低下
すると、適正な露出制御等ができなくなるので、自動露
出制御機能等を有するカメラには、従来からバッテリチ
ェック機構が備えられている。バッテリチェックは、バ
ッテリ電圧を基準値と比較して行うが、通常、バッテリ
電圧は周囲温度に影響を受けないので、上述した温度補
償を行うアナログ系とデジタル系とを有するカメラにお
いて、バッテリ電圧を温度に比例する基準電圧によりA/
D変換し、そのデジタル値を基準値と比較してバッテリ
チェックを行う場合には、同一レベルのバッテリ電圧で
も温度によってそのデジタル値が変わってしまい、基準
値そのものを温度に比例して変更させなくてはならず回
路が複雑になり高価なものになってしまう。
(発明の目的) 本発明の目的は、このような従来の問題点を解消する
ため、絶対温度に比例した電圧を基準電圧とするA/Dコ
ンバータでバッテリ電圧をデジタル変換し、そのデジタ
ル値を基準値と比較してバッテリチェックする際に基準
値を周囲温度に応じて変更する必要のないカメラのバッ
テリチェック回路を提供することにある。
(発明の概要) 本発明は、第1の温度係数に従って絶対温度に比例す
る電圧を発生する電圧発生手段を有し、その出力電圧は
アナログ−デジタル変換手段の基準電圧とされている。
本発明は更に、第1の温度係数より小さい第2の温度係
数をバッテリ電圧に付与する温度係数付与手段を有し、
第2の温度係数が付与されたバッテリチェック電圧を、
基準電圧に基づいてアナログ−デジタル変換手段でデジ
タル値に変換し、その値を比較判定手段に予め定められ
た基準値と比較し、その比較結果からバッテリ電圧の良
否を判定する。
(実施例) 第1図は本発明バッテリチェック回路の一実施例を含
むカメラの露出制御回路の一例を示し、1はバッテリE
と、そのバッテリ電圧を所定の値で取り出すための分圧
抵抗R1およびR2とを有する電源回路であり、バッテリE
は、後述する電圧発生回路3に接続されていて、抵抗R1
と抵抗R2の接続点は、トランジスタQ1のベースと接続さ
れている。トランジスタQ1のエミッタはダイオードD1の
アノードに接続され、そのカソードは抵抗R3を介して接
地されている。また、ダイオードD1のカソードはA/Dコ
ンバータ4のチャンネルCH2に接続されている。ここ
で、トランジスタQ1とダイオードD1とにより温度係数付
与回路2が構成され、その付与回路2により、抵抗R1と
R2の接続点の電圧Vxに所定の温度係数が付与される。
電圧発生回路3は絶対温度に比例した電圧を発生する
ように構成されている。すなわち、抵抗R4,ダイオードD
2およびD3はバッテリEに直列に接続され、定電流源C1
と抵抗R4との接続点は抵抗R5を介して演算増幅器A1の反
転入力端子に、抵抗R4とダイオードD2の接続点は演算増
幅器A1の非反転入力端子に接続されている。演算増幅器
A1の出力端子はA/Dコンバータ4の基準電圧入力端子VR
および後述の測光回路5に接続されるとともに抵抗R6お
よびR7を介して接地されている。その抵抗R6とR7との接
続点と演算増幅器A1の反転入力端子との間にはダイオー
ドD4およびD5が接続されている。
符号5は測光回路を示し、演算増幅器A2の二つの入力
端子間にはフォトダイオードPDが介装されるとともに、
演算増幅器A2の出力端子と反転入力端子との間には二つ
のダイオードD6およびD7が直列に接続されている。更
に、演算増幅器A2の出力端子は直列接続されたダイオー
ドD8,D9と接続され、ダイオードD9のカソードは定電流
源C2を介して接地されるとともに、A/Dコンバータ4の
入力チャンネルCH1に接続されている。
A/Dコンバータ4にはマイクロプロセッサ6が後続
し、このマイクロプロセッサ6は周知のように不図示の
CPU,ROM,RAM等から成り、メインルーチンや後述するバ
ッテリチェックサブルーチン等の各種プログラムがROM
に予め格納され、そのプログラムに従って演算された結
果に基づいてカメラの露出制御等の各種制御が実行され
る。
第2図のバッテリチェックサブルーチンを参照して本
例におけるバッテリ電圧のチェックについて説明する。
このサブルーチンは、カメラの電源スイッチ(不図
示)が投入されている間常時起動されているメインルー
チンからジャンプして起動されるものであり、所定のタ
イミングでメインルーチンからこのルーチンにジャンプ
すると、まず、ステップS1において、A/Dコンバータ4
の入力チャンネルCH2の入力電圧、すなわちバッテリチ
ェック電圧Vch2を量子化したデジタルデータVinを読込
む。次いで、ステップS2において、そのデジタルデータ
Vinを、予めROMに格納されているバッテリチェック用基
準値RNとその大小関係を比較する。デジタルデータVin
が大きければ何もせずにメインルーチンへ戻り、デジタ
ルデータVinが基準値RNより小さい場合には否定判定さ
れてステップS3に進み、レリーズを禁止するとともにバ
ッテリ交換を表示したりバッテリ電圧が低いことを表示
したりし、その後メインルーチンへ戻る。
ここで、バッテリチェック用基準値RNを定めるにあた
っては、A/Dコンバータ4の基準電圧として絶対温度に
比例した電圧を用いている点を考慮する必要がある。
すなわち、電圧発生回路3の出力電圧VA1は、 と表わすことができ、その電圧VA1が供給されている測
光回路5の測光出力VA2は、 但し、q:電子電荷 K:ボルツマン定数 T:絶対温度 と表わすことができる。
従って、抵抗R4〜R7および定電流源C2の電流I2および
光電流ILの各温度係数を同一とすれば、電圧発生回路3
および測光回路5の各出力電圧VA1およびVA2は絶対温度
Tに比例することがわかる。
ここで、フォトダイオードPDへの入射光量が2倍にな
ると光電流ILも2倍となり、その光量変化に伴なう測光
出力、すなわち演算増幅器A2の出力電圧の変化分ΔVA2
は、 と表わすことができる。すなわち、入射光量が2倍にな
ると演算増幅器A2の出力電圧が、 だけ増加することになる。光量が2倍になることは1EV
相当光量が増加したことに他ならないので、本実施例に
おいては、周囲温度25℃において、1EV相当の露出に関
係する因子の変動による電圧変化量を としている。また、1EVの1/6の分解能があればカメラの
露出制御等には十分であるので、A/D変換器4のLSBに対
応する電圧を、 に選んでいる。そして、A/Dコンバータ4を8ビットと
すれば、周囲温度25℃におけるA/Dコンバータ4の基準
電圧Vref(=VA1)を、 とすべく、電圧発生回路3の抵抗R4〜R7の抵抗値を定
め、これにより所望の分解能で各露出因子を制御してい
る。
今、A/Dコンバータ4の基準電圧入力端子VRに供給さ
れる基準電圧Vrefの温度係数を求めるため、第4式の両
辺を絶対温度Tで微分すると、 となり、従って、基準電圧Vrefの温度係数は約5.1〔mV/
deg〕であることがわかる。
一方、第1図において、抵抗R1とR2の接続点の電圧を
Vx,トランジスタQ1のベース・エミッタ接合電圧をVe,ダ
イオードD1の順方向電圧をVdとすると、A/Dコンバータ
4のチャンネルCH2に供給されるバッテリチェック電圧V
ch2は、 Vch2=Vx−Ve−Vd …(6) と表わすことができる。この第6式を絶対温度Tで微分
すると、 となる。電圧Vxは、 但し、E:バッテリ電圧 と表わすことができるから、抵抗R1およびR2の温度係数
を等しいものとすれば、 となる。また、トランジスタのベース・エミッタ接合電
圧やダイオードの順方向電圧は、−2〔mV/deg〕程度の
温度係数をもっているので、 とおけば、第7式は、 となる。すなわち本例では、バッテリチェックのために
A/Dコンバータ4の入力チャンネルCH2に供給されるバッ
テリチェック電圧Vch2の温度係数が4〔mV/deg〕である
ことがわかる。
上述したように、本実施例のカメラでは、周囲温度25
℃について考えれば、A/Dコンバータ4の基準電圧Vref
が1.52〔V〕以上なければならないから、そのときのバ
ッテリ電圧もそれに応じた値以上でなければならない。
そこで、バッテリチェック用基準値RNは、上述した基
準電圧Vrefおよびバッテリチェック電圧Vch2の温度係数
を考慮して次のようにして定める。すなわち、周囲温度
25℃のときに基準電圧Vrefが1.52〔V〕となる場合、両
者間の温度係数の相違からバッテリチェック電圧Vch2
は、 となっていればよいことになる。ここで、A/Dコンバー
タ4のフルスケール(256:10進数)は1.52〔V〕に相当
するので、チャンネルCH2に1.18〔V〕が入力される場
合には、A/D出力は、 となる。従って、本実施例の場合には、基準値RNを201
(10進数)と定めればよいことになる。勿論、電源1の
分圧抵抗R1およびR2の値は、ダイオードD1の順方向電圧
も考慮して、バッテリチェック電圧Vch2が1.18〔V〕
(周囲温度25℃)となるように定めておく必要がある。
このように本実施例では、トランジスタQ1およびダイ
オードD1を用いてバッテリ電圧に4〔mV/deg〕の正の温
度係数を付与するとともに、A/Dコンバータ4の基準電
圧の温度係数を5.1〔mV/deg〕に設定するとともに、A/D
コンバータ4の分解能を28とし、バッテリチェック用基
準値RNを と定めた。従って、基準電圧Vrefおよびバッテリチェッ
ク電圧Vch2ともに温度係数を有するので、温度が変わる
度毎に基準値RNを変えなくとも正確なバッテリ電圧のチ
ェックが可能となる。
第10式を一般的に表わすと次のようになる。
但し、NはA/Dコンバータ4のビット数である。
ところで、第11式のバッテリチェック電圧の温度係数
は、温度係数付与回路2におけるトランジスタやダイオ
ードの半導体の接合による温度係数であり、本実施例で
は、基準電圧Vrefの有する温度係数よりも小さく設定し
ている。ここで、温度係数付与回路2でバッテリ電圧Vc
h2に付与する温度係数を、A/Dコンバータ4の基準電圧V
refが有する温度係数より大きくすると、バッテリ電圧
の分圧比にもよるがある温度でバッテリチェック電圧Vc
h2が基準電圧Vrefを越えてしまい、A/Dコンバータ4か
らのA/D出力はバッテリチェック電圧Vch2に反映しなく
なり、正確なバッテリチェックができなくなってしま
う。従って、バッテリチェック電圧Vch2に付与する温度
係数が必ず基準電圧Vrefの温度係数より小さくしなくて
はならない。これを一般的に表わすと、 m×αj≦β …(12) 但し、mは温度係数付与回路2で用いる半導体の数、
αjは半導体の接合温度係数、βは基準電圧Vrefの温度
係数 と表わすことができる。使用半導体の温度係数がそれぞ
れ異なる場合は、 (α+α+……α)≦β …(13) となる。一方、通常、トランジスタやダイオードの接合
温度係数は約2〔mV/deg〕であり、温度係数付与回路2
で用いる半導体の数は整数なので、第11式や第12式で示
される温度係数付与回路2の温度係数は任意に選択する
ことのできない不連続な値である。
なお、第3図および第4図に、温度係数付与回路2の
他の2例を示す。第3図では2個のトランジスタQ1,Q
1′を用い、第4図では2個のダイオードD1,D1′を用い
た場合を示す。
(発明の効果) 本発明によれば、第1の温度係数を有する基準電圧に
従って、第1の温度係数より小さい第2の温度係数を有
するバッテリチェック電圧をA/D変換し、予め第1およ
び第2の温度係数に応じて定められたバッテリチェック
用基準値とそのA/D変換値とを比較することによりバッ
テリ電圧をチェックするようにしたので、バッテリチェ
ック用基準値を温度に応じて変える必要がなく構成が簡
素化される。
また、測光回路に供給する基準電圧を、バッテリチェ
ック電圧をA/D変換する際の基準電圧として用いるよう
にしたため、A/D変換する際の基準電圧を新たに生成す
る必要がなく、回路規模を小型化できる。
さらに、半導体の接合温度係数に応じて第2の温度係
数を定めるため、半導体の数を調整することで第2の温
度係数値を容易に変更・調整でき、第2の温度係数を最
適化しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図はバッ
テリチェックの処理手順例を示すフローチャート、第3
図および第4図は温度係数付与回路の2実施例を示す回
路図である。 1:電源 E:バッテリ、R1,R2:抵抗 2:温度係数付与回路 Q1:トランジスタ、D1:ダイオード R3:抵抗 3:基準電圧発生回路 D2〜D5:ダイオード R4〜R7:抵抗 C1:定電流源 4:A/Dコンバータ 5:測光回路 D6〜D9:ダイオード PD:フォトダイオード C2:定電流源 6:マイクロプロセッサ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電源と接続され、第1の温度係数に従って
    絶対温度に比例した電圧を発生し、測光回路に電圧を供
    給する電圧発生手段と、 前記電源の電圧に前記第1の温度係数より小さい第2の
    温度係数を付与する温度係数付与手段と、 前記電圧発生手段から前記測光回路に供給される電圧を
    基準電圧として、前記温度係数付与手段からの電圧をデ
    ジタル値に変換するアナログ−デジタル変換手段と、 前記アナログ−デジタル変換手段の前記デジタル値のビ
    ット数をNとしたときに、(a)式により求められるバ
    ッテリチェック用基準値と比較して前記電源の電圧を判
    定する比較判定手段と、を具備したことを特徴とするカ
    メラのバッテリチェック回路。 バッテリチェック用基準値=2N×(前記第2の温度係
    数) /(前記第1の温度係数)
    …(a)
JP60179937A 1985-08-15 1985-08-15 カメラのバツテリチエツク回路 Expired - Lifetime JPH0816764B2 (ja)

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