JPH0834347B2 - 金属薄膜を被履した酸化物基板の製造方法 - Google Patents
金属薄膜を被履した酸化物基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0834347B2 JPH0834347B2 JP25408487A JP25408487A JPH0834347B2 JP H0834347 B2 JPH0834347 B2 JP H0834347B2 JP 25408487 A JP25408487 A JP 25408487A JP 25408487 A JP25408487 A JP 25408487A JP H0834347 B2 JPH0834347 B2 JP H0834347B2
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- metal thin
- substrate
- intermediate layer
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、金属薄膜を被覆した酸化物基板（以下単に
基板という）の製造方法、特に中間層を有する電気回路
用基板の製造方法に関する。
基板という）の製造方法、特に中間層を有する電気回路
用基板の製造方法に関する。
（従来技術） 従来から各種回路、センサ等の基板として基板上に金
属薄膜を形成した基板が使用されてきている。この基板
を製造するには、スパッタ法、蒸着法等により金属薄膜
を形成しているが、金属薄膜の基板に対する付着性が不
十分であり、金属薄膜が剥離しやすいという欠点があ
る。
属薄膜を形成した基板が使用されてきている。この基板
を製造するには、スパッタ法、蒸着法等により金属薄膜
を形成しているが、金属薄膜の基板に対する付着性が不
十分であり、金属薄膜が剥離しやすいという欠点があ
る。
これは銅と基板の主成分である酸化物との間の親和力
が小さいためであると考えられるが、前記金属薄膜が形
成された基板は引き続き超音波洗浄等の剥離が生じやす
い処理を受けるため製造された製品中に不良品が生じる
恐れがあり、更に回路内に組み入れられた後に剥離が生
ずると当然に回路を含む電子機器の故障に繋がり、その
不利益は多大なものとなっている。
が小さいためであると考えられるが、前記金属薄膜が形
成された基板は引き続き超音波洗浄等の剥離が生じやす
い処理を受けるため製造された製品中に不良品が生じる
恐れがあり、更に回路内に組み入れられた後に剥離が生
ずると当然に回路を含む電子機器の故障に繋がり、その
不利益は多大なものとなっている。
（発明の目的） 本発明は、該従来技術の欠点を解消し、金属薄膜が強
固に付着形成された基板を製造するための方法を提供す
ることを目的とする。
固に付着形成された基板を製造するための方法を提供す
ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、基板表面にモリブデンと珪素を含む中間層
を形成し、次いで該中間層上に金属薄膜を形成すること
から成る金属薄膜を被覆した基板の製造方法である。
を形成し、次いで該中間層上に金属薄膜を形成すること
から成る金属薄膜を被覆した基板の製造方法である。
以下本発明を詳細に説明する。
本発明において、モリブデンと珪素を含む中間層を形
成することにより基板上に金属薄膜が強固に付着形成さ
れる理由は、珪素が基板の主成分である酸化物と該酸化
物の酸素を共有こと等により両者間に大きな密着力が生
ずるためであると推測される。
成することにより基板上に金属薄膜が強固に付着形成さ
れる理由は、珪素が基板の主成分である酸化物と該酸化
物の酸素を共有こと等により両者間に大きな密着力が生
ずるためであると推測される。
例えば中間層としてモリブデンのみを含む層を金属薄
膜と基板との間に形成しても中間層が存在しない場合よ
りは密着性は向上するが、依然として回路用基板等とし
て使用するには耐剥離性が十分とは言い難い。
膜と基板との間に形成しても中間層が存在しない場合よ
りは密着性は向上するが、依然として回路用基板等とし
て使用するには耐剥離性が十分とは言い難い。
本発明における基板は従来から回路用として使用され
てきている二酸化珪素を主成分とする基板を制限なく使
用することができる。
てきている二酸化珪素を主成分とする基板を制限なく使
用することができる。
中間層を形成するモリブデンと珪素は合金の形態をと
ることが最も好ましいが、この他にそれぞれの多数の微
粒子を焼結したもの等であってもよい。両者の割合は、
モリブデンに対する珪素の原子比が1.5〜2.5とすること
が最も好ましく、この範囲では金属薄膜と基板との密着
性は殆ど一定である。勿論この範囲外の比率である両者
の混合物を使用してもよく、この場合にも基板中の酸化
物との間に十分な密着性が生ずる量の珪素を使用するこ
とが必要である。
ることが最も好ましいが、この他にそれぞれの多数の微
粒子を焼結したもの等であってもよい。両者の割合は、
モリブデンに対する珪素の原子比が1.5〜2.5とすること
が最も好ましく、この範囲では金属薄膜と基板との密着
性は殆ど一定である。勿論この範囲外の比率である両者
の混合物を使用してもよく、この場合にも基板中の酸化
物との間に十分な密着性が生ずる量の珪素を使用するこ
とが必要である。
又該モリブデンと珪素とを含む前記中間層の厚さは10
Å〜１μの間とすることが望ましく、10Å未満では金属
薄膜及び基板との間に剥離を防止するために十分な密着
性を与えることができず、又１μを越えると経済的でな
くなるだけでなく高周波回路の伝送特性に対して無視で
きない影響を与えることになる。
Å〜１μの間とすることが望ましく、10Å未満では金属
薄膜及び基板との間に剥離を防止するために十分な密着
性を与えることができず、又１μを越えると経済的でな
くなるだけでなく高周波回路の伝送特性に対して無視で
きない影響を与えることになる。
この中間層を前記基板上に形成する方法も特に限定さ
れず、例えば従来のスパッタリング法や蒸着法等既知の
方法を採用することができる。
れず、例えば従来のスパッタリング法や蒸着法等既知の
方法を採用することができる。
次にこの中間層上に金属薄膜を形成するが、この金属
薄膜形成も中間層形成と同様に従来法により行うことが
できるが、作業能率を向上させるため前記中間層形成と
該金属薄膜形成とは同じスパッタ装置等の中にモリブデ
ン及び珪素のターゲットと金属のターゲットを装着して
連続的に行うようにすることが好ましい。
薄膜形成も中間層形成と同様に従来法により行うことが
できるが、作業能率を向上させるため前記中間層形成と
該金属薄膜形成とは同じスパッタ装置等の中にモリブデ
ン及び珪素のターゲットと金属のターゲットを装着して
連続的に行うようにすることが好ましい。
中間層及び金属薄膜の厚さは処理時間帯び印加電圧等
を変化させて用途に応じた任意厚とすることができる。
を変化させて用途に応じた任意厚とすることができる。
以下本発明の実施例を記載するが、該実施例は本発明
を限定するものではない。
を限定するものではない。
（実施例） 石英の基板を水及びメチルアルコールで洗浄し乾燥し
た後、第１ターゲットとしてモリブデン−珪素（MoS
i2）を、又第２ターゲットとして銅をセットしたスパッ
タ装置内の所定個所に装着した。次いで該スパッタ装置
内を真空ポンプを使用して排気し５×10-5torrの真空度
とした後、５×10-3torrのアルゴンガス中で前記石英の
基板を10分間プラズマエッチングした。続いて第１ター
ゲットのMoSi2を1kwで15秒間高周波スパッタリングをし
た後、第２ターゲットの銅を直流600V、5Aで10分間スパ
ッタリングを行った。装置内で20分間冷却した後、スパ
ッタ装置から該石英の基板を取り出した。該石英の基板
の銅層の厚さは１μ、MoSi2層の厚さは20Åであった。
た後、第１ターゲットとしてモリブデン−珪素（MoS
i2）を、又第２ターゲットとして銅をセットしたスパッ
タ装置内の所定個所に装着した。次いで該スパッタ装置
内を真空ポンプを使用して排気し５×10-5torrの真空度
とした後、５×10-3torrのアルゴンガス中で前記石英の
基板を10分間プラズマエッチングした。続いて第１ター
ゲットのMoSi2を1kwで15秒間高周波スパッタリングをし
た後、第２ターゲットの銅を直流600V、5Aで10分間スパ
ッタリングを行った。装置内で20分間冷却した後、スパ
ッタ装置から該石英の基板を取り出した。該石英の基板
の銅層の厚さは１μ、MoSi2層の厚さは20Åであった。
次いで該石英の基板を純水中、周波数28kHz、500Wの
条件で超音波洗浄して剥離を観察したところ、剥離は全
く生じていなかった。
条件で超音波洗浄して剥離を観察したところ、剥離は全
く生じていなかった。
同様に他の厚さのMoSi2を調製して前記超音波剥離テ
ストを行ったところ、５Åで該MoSi2層の効果が現れて
金属薄膜の剥離が生じなくなった。
ストを行ったところ、５Åで該MoSi2層の効果が現れて
金属薄膜の剥離が生じなくなった。
これに対し、MoSi2の中間層を形成しなかった石英の
基板の金属薄膜は超音波洗浄により容易に剥離した。
基板の金属薄膜は超音波洗浄により容易に剥離した。
更にMoSiXのＸの値を1.5から2.5の範囲で変革させ同
様の剥離テストを行ったところ、密着強度に変化は生じ
なかった。
様の剥離テストを行ったところ、密着強度に変化は生じ
なかった。
尚、上記実施例では金属薄膜に銅を用いたが、本発明
はこれに限るものではない。また上記実施例では基板に
石英を用いたが、本発明はこれに限るものではなく各種
ガラスやセラミックス等酸化物から成るものであれば良
いものである。
はこれに限るものではない。また上記実施例では基板に
石英を用いたが、本発明はこれに限るものではなく各種
ガラスやセラミックス等酸化物から成るものであれば良
いものである。
（発明の効果） 本発明は、基板とこれに接合すべき金属薄膜との間に
基板の主成分である二酸化珪素と高い親和性を有するモ
リブデンと珪素を含む中間層を形成し該中間層上に金属
薄膜を被覆するようにしてある。従って、従来技術では
相互に親和力の小さい基板と金属薄膜を中間層を介在さ
せることなく接合していたため剥離が生じていたのに対
し、本発明では中間層に存在する珪素の基板との強い密
着性のため金属薄膜を基板上に強固に付着形成すること
ができ、引き続く処理時あるいは回路中に組み入れられ
た後に剥離することが確実に防止でき、金属薄膜の剥離
に基づく不良品の製造を回避し該基板が組み入れられた
電子機器の長期間に亘る安定な使用を確保する。
基板の主成分である二酸化珪素と高い親和性を有するモ
リブデンと珪素を含む中間層を形成し該中間層上に金属
薄膜を被覆するようにしてある。従って、従来技術では
相互に親和力の小さい基板と金属薄膜を中間層を介在さ
せることなく接合していたため剥離が生じていたのに対
し、本発明では中間層に存在する珪素の基板との強い密
着性のため金属薄膜を基板上に強固に付着形成すること
ができ、引き続く処理時あるいは回路中に組み入れられ
た後に剥離することが確実に防止でき、金属薄膜の剥離
に基づく不良品の製造を回避し該基板が組み入れられた
電子機器の長期間に亘る安定な使用を確保する。
Claims (6)
- 【請求項１】酸化物から成る基板表面にモリブデンと珪
素を含む中間層を形成し、次いで該中間層上に金属薄膜
を形成することから成る金属薄膜を被覆した基板の製造
方法。 - 【請求項２】中間層の平均膜厚が10Å〜１μの範囲にあ
る特許請求の範囲第１項に記載の製造方法。 - 【請求項３】モリブデンに対する珪素の原子数比が1.5
〜2.5の範囲にある特許請求の範囲第１項又は第２項の
いずれかに記載の製造方法。 - 【請求項４】スパッタリング又は蒸着法の少なくともい
ずれかの方法で中間層を形成するようにした特許請求の
範囲第１項から第３項までのいずれかに記載の製造方
法。 - 【請求項５】スパッタリング又は蒸着法の少なくともい
ずれかの方法で金属薄膜を形成するようにした特許請求
の範囲第１項から第４項までのいずれかに記載の製造方
法。 - 【請求項６】中間層形成と金属薄膜形成を同一装置内で
行うようにした特許請求の範囲第１項から第５項までの
いずれかに記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25408487A JPH0834347B2 (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 金属薄膜を被履した酸化物基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25408487A JPH0834347B2 (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 金属薄膜を被履した酸化物基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195590A JPH0195590A (ja) | 1989-04-13 |
| JPH0834347B2 true JPH0834347B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17260002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25408487A Expired - Lifetime JPH0834347B2 (ja) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | 金属薄膜を被履した酸化物基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834347B2 (ja) |
-
1987
- 1987-10-08 JP JP25408487A patent/JPH0834347B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0195590A (ja) | 1989-04-13 |
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