JP3196265B2 - 表面弾性波素子の電極の形成方法 - Google Patents
表面弾性波素子の電極の形成方法Info
- Publication number
- JP3196265B2 JP3196265B2 JP31088891A JP31088891A JP3196265B2 JP 3196265 B2 JP3196265 B2 JP 3196265B2 JP 31088891 A JP31088891 A JP 31088891A JP 31088891 A JP31088891 A JP 31088891A JP 3196265 B2 JP3196265 B2 JP 3196265B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基材上に電極を形成
する方法に関するもので、特に、気相成膜法を用いる電
極の形成方法に関するものである。
する方法に関するもので、特に、気相成膜法を用いる電
極の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえば、表面弾性波素子の電極を形成
するため、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、等の種々の方法が
用いられている。
するため、蒸着、スパッタ、ＣＶＤ、等の種々の方法が
用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような表面弾性波
素子において、電極の膜厚が薄くなると、その比抵抗が
高くなり、特性の悪化を招くと言われているが、通常、
３００ＭＨｚまでの表面弾性波素子では、電極の膜厚が
比較的厚く、電極の比抵抗が大きくても、特性上、問題
となることはなかった。
素子において、電極の膜厚が薄くなると、その比抵抗が
高くなり、特性の悪化を招くと言われているが、通常、
３００ＭＨｚまでの表面弾性波素子では、電極の膜厚が
比較的厚く、電極の比抵抗が大きくても、特性上、問題
となることはなかった。
【０００４】しかし、１ＧＨｚを越える周波数帯で表面
弾性波素子を用いようとすると、電極の膜厚が１０００
Å程度となり、電極の比抵抗の大きさが、表面弾性波素
子の特性上、無視できなくなる。
弾性波素子を用いようとすると、電極の膜厚が１０００
Å程度となり、電極の比抵抗の大きさが、表面弾性波素
子の特性上、無視できなくなる。
【０００５】なお、上述のような問題は、表面弾性波素
子の電極に限らず、たとえば、半導体分野において、電
気的導通を得るための電極であっても、同様に遭遇し得
る。
子の電極に限らず、たとえば、半導体分野において、電
気的導通を得るための電極であっても、同様に遭遇し得
る。
【０００６】それゆえに、この発明の目的は、上述した
問題を解決し得る電極の形成方法を提供しようとするこ
とである。
問題を解決し得る電極の形成方法を提供しようとするこ
とである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、圧電性基板
上に表面弾性波素子の電極を気相成膜法によって形成す
る方法に向けられるものであって、上述した技術的課題
を解決するため、成膜の初期の段階においてのみ、不活
性ガスを圧電性基板に積極的に照射することを特徴とし
ている。
上に表面弾性波素子の電極を気相成膜法によって形成す
る方法に向けられるものであって、上述した技術的課題
を解決するため、成膜の初期の段階においてのみ、不活
性ガスを圧電性基板に積極的に照射することを特徴とし
ている。
【０００８】この発明において用いられる気相成膜法と
しては、たとえば、スパッタ、イオンビームスパッタ、
イオンアシスト蒸着のような方法があり、成膜の初期の
段階に導入される不活性ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ等の
希ガスを用いることができる。
しては、たとえば、スパッタ、イオンビームスパッタ、
イオンアシスト蒸着のような方法があり、成膜の初期の
段階に導入される不活性ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ等の
希ガスを用いることができる。
【０００９】また、上述した不活性ガスを導入しながら
の成膜と、その後の成膜とは、同じ成膜装置内で行なっ
ても、別の成膜装置内で行なってもよい。
の成膜と、その後の成膜とは、同じ成膜装置内で行なっ
ても、別の成膜装置内で行なってもよい。
【００１０】また、不活性ガスを導入しながらの初期の
成膜は、好ましくは、５００Å以下の膜厚を得るだけに
留められる。
成膜は、好ましくは、５００Å以下の膜厚を得るだけに
留められる。
【００１１】
【作用】一般に、金属膜の比抵抗は、膜質（結晶状態、
結晶粒径、等）に依存する。この膜質は、金属膜がその
上に形成される基材の温度や成膜速度等の成膜条件だけ
でなく、基材の表面状態にも大きく作用される。この発
明では、成膜の初期の段階において不活性ガスを基材に
照射することにより、成膜初期の核密度を上げ金属膜の
比抵抗を下げることができる。
結晶粒径、等）に依存する。この膜質は、金属膜がその
上に形成される基材の温度や成膜速度等の成膜条件だけ
でなく、基材の表面状態にも大きく作用される。この発
明では、成膜の初期の段階において不活性ガスを基材に
照射することにより、成膜初期の核密度を上げ金属膜の
比抵抗を下げることができる。
【００１２】
【発明の効果】したがって、この発明によれば、比抵抗
の低い電極を圧電性基板上に形成することができる。そ
のため、この発明によれば、表面弾性波素子の低ロス化
を期待できる。
の低い電極を圧電性基板上に形成することができる。そ
のため、この発明によれば、表面弾性波素子の低ロス化
を期待できる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明に従って実施した実験例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１４】実施例 ３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ3 基板に、Ａｒガスを用
いたイオンアシスト蒸着により、アルミニウムを成膜
し、アルミニウム膜厚モニタが１００Åを示したとき
に、Ａｒガスの供給を止め、そのまま、蒸着を継続し
て、所望の膜厚（３００、７００、１０００、２００
０、５０００Å）になった時点で、蒸着終了とした。
いたイオンアシスト蒸着により、アルミニウムを成膜
し、アルミニウム膜厚モニタが１００Åを示したとき
に、Ａｒガスの供給を止め、そのまま、蒸着を継続し
て、所望の膜厚（３００、７００、１０００、２００
０、５０００Å）になった時点で、蒸着終了とした。
【００１５】なお、蒸着条件は、以下のとおりである。 Ａｒ供給時の真空度：１０Ｐａ Ａｒ供給停止時の真空度：１０- 3 Ｐａ 蒸着速度：５Å／秒 Ａｒ流量：１００ＳＣＣＭ Ａｒ+ 加速電圧：１００Ｖ 比較例１ 実施例と同一の装置を用い、Ａｒ+ によるアシストを行
なわないことを除いて、実施例と同一条件で、アルミニ
ウムの成膜を行ない、所望の膜厚（３００、７００、１
０００、２０００、５０００Å）になった時点で蒸着終
了とした。
なわないことを除いて、実施例と同一条件で、アルミニ
ウムの成膜を行ない、所望の膜厚（３００、７００、１
０００、２０００、５０００Å）になった時点で蒸着終
了とした。
【００１６】比較例２ 実施例と同一の装置を用い、Ａｒ+ によるアシストを所
望の膜厚（３００、７００、１０００、２０００、５０
００Å）となるまで続ける以外は、実施例と同一条件で
アルミニウムの成膜を行なった。
望の膜厚（３００、７００、１０００、２０００、５０
００Å）となるまで続ける以外は、実施例と同一条件で
アルミニウムの成膜を行なった。
【００１７】以上、実施例ならびに比較例１および２で
作製した、アルミニウムを成膜した基板を用い、４探針
法で、アルミニウム膜の抵抗値を測定し、比抵抗に換算
した。その結果が、図１に示されている。
作製した、アルミニウムを成膜した基板を用い、４探針
法で、アルミニウム膜の抵抗値を測定し、比抵抗に換算
した。その結果が、図１に示されている。
【００１８】図１から、実施例によれば、比較例１およ
び２に比べて比抵抗の低い金属膜の作製が可能であるこ
とがわかる。
び２に比べて比抵抗の低い金属膜の作製が可能であるこ
とがわかる。
【００１９】また、実施例および比較例１の各々におい
て、金属膜が１０００Åの膜厚とされた基板を用い、表
面弾性波素子を作製し、周波数特性を測定した。その結
果が図２に示されている。図２において、（ａ）は実施
例を示し、（ｂ）は比較例１を示している。図２から、
両者間に１ｄＢ程度のピークロスの差が存在し、実施例
によれば、表面弾性波素子の低ロス化を期待できること
がわかる。
て、金属膜が１０００Åの膜厚とされた基板を用い、表
面弾性波素子を作製し、周波数特性を測定した。その結
果が図２に示されている。図２において、（ａ）は実施
例を示し、（ｂ）は比較例１を示している。図２から、
両者間に１ｄＢ程度のピークロスの差が存在し、実施例
によれば、表面弾性波素子の低ロス化を期待できること
がわかる。
【図１】この発明にかかる実施例ならびに比較例１およ
び２によって得られた比抵抗を示す図である。
び２によって得られた比抵抗を示す図である。
【図２】この発明にかかる実施例および比較例１に基づ
いて作製した表面弾性波素子の周波数特性を示し、
（ａ）は実施例、（ｂ）は比較例１を示す。
いて作製した表面弾性波素子の周波数特性を示し、
（ａ）は実施例、（ｂ）は比較例１を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−302385（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 3/08 H01L 21/28 H01L 21/285 301
Claims (1)
- 【請求項１】圧電性基板上に電極を気相成膜法によって
形成するにあたり、成膜の初期の段階においてのみ、不
活性ガスを前記圧電性基板に照射することを特徴とす
る、表面弾性波素子の電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31088891A JP3196265B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 表面弾性波素子の電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31088891A JP3196265B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 表面弾性波素子の電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152880A JPH05152880A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3196265B2 true JP3196265B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=18010592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31088891A Expired - Fee Related JP3196265B2 (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 表面弾性波素子の電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196265B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP31088891A patent/JP3196265B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05152880A (ja) | 1993-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0390572A (ja) | 半導体ウェーハ上へのタングステン層のｃｖｄ蒸着方法 | |
| US6686675B2 (en) | Electronic device and method for producing the same | |
| CN100384086C (zh) | 制备表面声波器件的方法 | |
| JP3223661B2 (ja) | プラズマ堆積方法 | |
| JP3196265B2 (ja) | 表面弾性波素子の電極の形成方法 | |
| JPH0570957A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| KR102146543B1 (ko) | 비정질 실리콘막의 형성 방법 | |
| JPH09172079A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0750688B2 (ja) | 薄膜形成法 | |
| JPH0745610A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0519296A (ja) | 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜形成装置 | |
| JPS63185052A (ja) | タンタル金属薄膜回路 | |
| JPH0961806A (ja) | 多層薄膜回路およびその形成方法 | |
| JP3716431B2 (ja) | Ｓａｗデバイスの製造方法 | |
| JPS62247064A (ja) | 金属被膜の成長方法 | |
| JP2581281B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPH05326507A (ja) | 電極または配線形成方法 | |
| JP3244501B2 (ja) | 水素プラズマ処理方法 | |
| JP3257558B2 (ja) | 水素プラズマ処理方法 | |
| JPH0313573A (ja) | 誘電体膜の反応性スパッタ成膜法 | |
| JPH07115135A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5935015A (ja) | シリコン膜の製作法 | |
| JPH0232590A (ja) | 銅・有機絶縁膜配線板の製造方法 | |
| JPH0834347B2 (ja) | 金属薄膜を被履した酸化物基板の製造方法 | |
| JPS61214430A (ja) | 半導体装置の製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001226 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010508 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080608 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090608 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090608 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |