JPH084145B2 - 非晶質シリコンアロイ膜 - Google Patents
非晶質シリコンアロイ膜Info
- Publication number
- JPH084145B2 JPH084145B2 JP62057482A JP5748287A JPH084145B2 JP H084145 B2 JPH084145 B2 JP H084145B2 JP 62057482 A JP62057482 A JP 62057482A JP 5748287 A JP5748287 A JP 5748287A JP H084145 B2 JPH084145 B2 JP H084145B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- film
- spin density
- alloy film
- silicon alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- LQJIDIOGYJAQMF-UHFFFAOYSA-N lambda2-silanylidenetin Chemical compound [Si].[Sn] LQJIDIOGYJAQMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は非晶質シリコンに、光学的バンドギヤップを
任意の値に調節する元素を添加し合金化した非晶質シリ
コンアロイ膜に関する。
任意の値に調節する元素を添加し合金化した非晶質シリ
コンアロイ膜に関する。
（ロ） 従来の技術 非晶質太陽電池の用途が電卓、腕時計のような小型民
生用電子機器の電源から光太陽発電へと進むに従つて、
半導体接合も単層型から特開昭58−116779号公報の如く
積層型（タンデム型）の構造へと開発目標が拡がつてい
る。
生用電子機器の電源から光太陽発電へと進むに従つて、
半導体接合も単層型から特開昭58−116779号公報の如く
積層型（タンデム型）の構造へと開発目標が拡がつてい
る。
従来、非晶質太陽電池において主として発電に寄与す
る光活性層は欠陥を形成するダングリングボンド（不対
結合手）を水素及び又はハロゲンによりターミネート
（終端）した非晶質シリコン（ａ−Si）が用いられ、就
中水素をダングリングボンドのターミネータ（終端子）
とした水素化非晶質シリコン（ａ−Si:H）により高い光
電変換特性が得られている。
る光活性層は欠陥を形成するダングリングボンド（不対
結合手）を水素及び又はハロゲンによりターミネート
（終端）した非晶質シリコン（ａ−Si）が用いられ、就
中水素をダングリングボンドのターミネータ（終端子）
とした水素化非晶質シリコン（ａ−Si:H）により高い光
電変換特性が得られている。
一方積層型非晶質太陽電池において上記公開公報に開
示された如き光活性層の光学的バンドギヤップEgoptを
異ならしめる所謂マルチバンドギヤップセルが注目され
ａ−SiのEgopt（1.75eV）を基準にバンドギヤップの広
い非晶質シリコンカーバイド、非晶質シリコンナイトラ
イド等のワイドバンドギヤップ材料や、バンドギヤップ
の狭い非晶質シリコンゲルマニウム、非晶質シリコンス
ズ等のナローバンドギヤップ材料として、良質な非晶質
シリコンアロイの開発が急がれている。現在非晶質シリ
コンアロイとして非晶質シリコンカーバイドが光活性層
ではないものの、光入射側に配されるｐ型不純物層とし
て実用化されている以外、未だ工業化されるに至つてい
ない。これはバンドギヤップ調節用元素を添加しない非
晶質シリコン膜に比べバンドギヤップ調節用元素を添加
した非晶質シリコンアロイ膜は、当該添加元素に関する
電子スピン共鳴（ESR）によるスピン密度が多いことに
よる。例えば、非晶質シリコンアロイ膜としての非晶質
シリコンゲルマニウム膜にあつてはESRスピン密度は10
17cm-3以上と非常に大きい値を示していた。
示された如き光活性層の光学的バンドギヤップEgoptを
異ならしめる所謂マルチバンドギヤップセルが注目され
ａ−SiのEgopt（1.75eV）を基準にバンドギヤップの広
い非晶質シリコンカーバイド、非晶質シリコンナイトラ
イド等のワイドバンドギヤップ材料や、バンドギヤップ
の狭い非晶質シリコンゲルマニウム、非晶質シリコンス
ズ等のナローバンドギヤップ材料として、良質な非晶質
シリコンアロイの開発が急がれている。現在非晶質シリ
コンアロイとして非晶質シリコンカーバイドが光活性層
ではないものの、光入射側に配されるｐ型不純物層とし
て実用化されている以外、未だ工業化されるに至つてい
ない。これはバンドギヤップ調節用元素を添加しない非
晶質シリコン膜に比べバンドギヤップ調節用元素を添加
した非晶質シリコンアロイ膜は、当該添加元素に関する
電子スピン共鳴（ESR）によるスピン密度が多いことに
よる。例えば、非晶質シリコンアロイ膜としての非晶質
シリコンゲルマニウム膜にあつてはESRスピン密度は10
17cm-3以上と非常に大きい値を示していた。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点 本発明は上述の如く非晶質シリコンアロイ膜における
ESRスピン密度が高く、結果としてその膜質を著しく阻
害する点を解決しようとするものである。
ESRスピン密度が高く、結果としてその膜質を著しく阻
害する点を解決しようとするものである。
（ニ） 問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決すべく少なくともシリコ
ン元素及び光学的バンドギヤップの調節に寄与する元素
を含む原料ガスを分解し、基板表面に堆積せしめられる
非晶質シリコンアロイ膜であつて、光学的バンドギヤッ
プ調節元素に関するスピン密度をシリコン元素に関する
スピン密度より少なくしたことを特徴とする。
ン元素及び光学的バンドギヤップの調節に寄与する元素
を含む原料ガスを分解し、基板表面に堆積せしめられる
非晶質シリコンアロイ膜であつて、光学的バンドギヤッ
プ調節元素に関するスピン密度をシリコン元素に関する
スピン密度より少なくしたことを特徴とする。
（ホ） 作用 上述の如く光学的バンドギヤップ調節元素に関するス
ピン密度をシリコン元素に関するスピン密度より少なく
することによつて、トータル的なスピン密度が減少す
る。
ピン密度をシリコン元素に関するスピン密度より少なく
することによつて、トータル的なスピン密度が減少す
る。
（ヘ） 実 施 例 第１図は本発明非晶質シリコンアロイ膜を成膜するた
めのプラズマCVD法による膜形成装置を示し、本装置は
到達真空度10-8Torr以下、脱ガス・リーク量10-6Torr.l
/秒以下の性能を持つ。即ち、（１）は排気系（２）を
介して到達真空度が10-8Torr以下に減圧せしめられる反
応容器、（３）（４）は該反応容器（１）内に反応空間
を隔てて対向配置された一対の上部、下部電極、（５）
は上記電極の内一方の下部電極（４）上に載置され形成
される膜を支持する基板、（６）は上記基板（５）を所
定の温度に加熱保持すべく下部電極（４）に内蔵された
ヒータ、（７）は上記一対の上部。下部電極（３）
（４）に高周波電力を付与する高周波電源、（8a）（8
b）（8c）は反応容器（１）内に導入すべき原料ガスを
貯蔵するガスボンベ、（9a）（9b）（9c）は各ガスボン
ベ（8a）（8b）（8c）から流出する原料ガスの流量を制
御するマスフローコントローラである。
めのプラズマCVD法による膜形成装置を示し、本装置は
到達真空度10-8Torr以下、脱ガス・リーク量10-6Torr.l
/秒以下の性能を持つ。即ち、（１）は排気系（２）を
介して到達真空度が10-8Torr以下に減圧せしめられる反
応容器、（３）（４）は該反応容器（１）内に反応空間
を隔てて対向配置された一対の上部、下部電極、（５）
は上記電極の内一方の下部電極（４）上に載置され形成
される膜を支持する基板、（６）は上記基板（５）を所
定の温度に加熱保持すべく下部電極（４）に内蔵された
ヒータ、（７）は上記一対の上部。下部電極（３）
（４）に高周波電力を付与する高周波電源、（8a）（8
b）（8c）は反応容器（１）内に導入すべき原料ガスを
貯蔵するガスボンベ、（9a）（9b）（9c）は各ガスボン
ベ（8a）（8b）（8c）から流出する原料ガスの流量を制
御するマスフローコントローラである。
第２図は第１図に示した膜形成装置を用いて石英ガラ
ス基板上に、上述の非晶質シリコンアロイの一例として
水素化非晶質シリコンゲルマニウム（ａ−SiGe:H）膜を
１μｍ堆積し、当該膜中のスピン密度（Ns）量を電子ス
ピン共鳴法（ESR）により測定したもので、シリコン元
素に関するスピン密度（Nss）と光学的バンドギヤップ
調節用元素であるゲルマニウム元素に関するスピン密度
（Nsg）との和は約6.4×1016cm-3であり、ゲルマニウム
元素のスピン密度（Nsg）とシリコン元素のスピン密度
（Nss）の比（Nsg/Nss）は14/3（4.7）とNsgが大幅に
高い。斯る測定に供せられたａ−SiGe:H膜の成膜条件
は、SiH4ガス流量10cc/分、GeH4ガス流量1cc/分、H2ガ
ス流量50cc/分、反応ガス圧力0.3Torr、高周波（13.56M
Hz）電力30W、基板温度（Ts）200℃であつた。そして、
斯るａ−SiGe:H膜は、1.5eVの光学的バンドギヤップ（E
gopt）を備えることによつて高光吸収特性をもつにも拘
らず、光導電率（σph）は約3.2×10-7Ω-1cm-1しかな
く、また上記光導電率（σph）と暗導電率（σｄ）との
比（σph/σｄ）で与えられるフォトコン比も103と明ら
かに上記スピン密度を反映した膜特性を示した。
ス基板上に、上述の非晶質シリコンアロイの一例として
水素化非晶質シリコンゲルマニウム（ａ−SiGe:H）膜を
１μｍ堆積し、当該膜中のスピン密度（Ns）量を電子ス
ピン共鳴法（ESR）により測定したもので、シリコン元
素に関するスピン密度（Nss）と光学的バンドギヤップ
調節用元素であるゲルマニウム元素に関するスピン密度
（Nsg）との和は約6.4×1016cm-3であり、ゲルマニウム
元素のスピン密度（Nsg）とシリコン元素のスピン密度
（Nss）の比（Nsg/Nss）は14/3（4.7）とNsgが大幅に
高い。斯る測定に供せられたａ−SiGe:H膜の成膜条件
は、SiH4ガス流量10cc/分、GeH4ガス流量1cc/分、H2ガ
ス流量50cc/分、反応ガス圧力0.3Torr、高周波（13.56M
Hz）電力30W、基板温度（Ts）200℃であつた。そして、
斯るａ−SiGe:H膜は、1.5eVの光学的バンドギヤップ（E
gopt）を備えることによつて高光吸収特性をもつにも拘
らず、光導電率（σph）は約3.2×10-7Ω-1cm-1しかな
く、また上記光導電率（σph）と暗導電率（σｄ）との
比（σph/σｄ）で与えられるフォトコン比も103と明ら
かに上記スピン密度を反映した膜特性を示した。
次に、成膜条件の内、基板温度（Ts）のみを240℃、2
75℃、及び300℃と可変して形成したａ−SiGe:H膜のス
ピン密度の測定結果を第３図に列挙する。斯る測定の結
果、基板温度（Ts）を、200℃から240℃とすることによ
り、スピン密度（Ns）は3.1×1016cm-3にまで減少で
き、さらに275℃とすることにより、ついには1.1×1016
cm-3まで減らせることができた。またここで特に注目さ
れることは基板温度（Ts）が275℃においてはSiの元素
のスピン密度（Nss）の方が、Ge元素のスピン密度（Ns
g）よりも大きくなるというその比の逆転現象が観測さ
れたことである。これはこの基板温度領域における温度
上昇効果として膜形成時に存在するGeラジカルのマイグ
レーシヨン（移動度）が増大し、斯るGeラジカルが基板
表面での安定なサイトにおちついたためであると考えら
れる。また、275℃から300℃とさらに基板温度（Ts）を
上げた場合、逆にNsが増加した。この要因としては、基
板表面の弱いGe−Ｈ結合から水素が離脱したことによる
ダングリングボンドの増加のためであると考えられる。
また、各々の膜特性においても下記第１表に示す様に基
板温度（Ts）が275℃の場合が一番優れており、これか
らａ−SiGe:H膜において基板表面反応の制御を行なうこ
とにより、該膜中の光学的バンドギヤップを調節するた
めの元素、即ちGe元素に関するスピン密度（Nsg）をSi
元素に関するスピン密度（Nss）より少なくすることに
より、光導電率（σph）、フオトコン比（σph/σｄ）
等の膜特性が著しく改善されることがわかる。
75℃、及び300℃と可変して形成したａ−SiGe:H膜のス
ピン密度の測定結果を第３図に列挙する。斯る測定の結
果、基板温度（Ts）を、200℃から240℃とすることによ
り、スピン密度（Ns）は3.1×1016cm-3にまで減少で
き、さらに275℃とすることにより、ついには1.1×1016
cm-3まで減らせることができた。またここで特に注目さ
れることは基板温度（Ts）が275℃においてはSiの元素
のスピン密度（Nss）の方が、Ge元素のスピン密度（Ns
g）よりも大きくなるというその比の逆転現象が観測さ
れたことである。これはこの基板温度領域における温度
上昇効果として膜形成時に存在するGeラジカルのマイグ
レーシヨン（移動度）が増大し、斯るGeラジカルが基板
表面での安定なサイトにおちついたためであると考えら
れる。また、275℃から300℃とさらに基板温度（Ts）を
上げた場合、逆にNsが増加した。この要因としては、基
板表面の弱いGe−Ｈ結合から水素が離脱したことによる
ダングリングボンドの増加のためであると考えられる。
また、各々の膜特性においても下記第１表に示す様に基
板温度（Ts）が275℃の場合が一番優れており、これか
らａ−SiGe:H膜において基板表面反応の制御を行なうこ
とにより、該膜中の光学的バンドギヤップを調節するた
めの元素、即ちGe元素に関するスピン密度（Nsg）をSi
元素に関するスピン密度（Nss）より少なくすることに
より、光導電率（σph）、フオトコン比（σph/σｄ）
等の膜特性が著しく改善されることがわかる。
尚、以上の説明にあつてはEgoptが1.5eVのａ−SiGe:H
膜に関して、基板温度（Ts）として275℃を用いること
により、Ge元素のスピン密度（Nsg）がSi元素のスピン
密度（Nss）より少なくなることを実証したが、他のEgo
ptのアロイ膜に対しては、バンドギヤップ調節用元素が
添加されていないａ−Si:H膜（光学的バンドギヤップ
（Egopt）は1.75eV）は約200℃を中心に±10℃の許容幅
をもつて優れた膜特性が得られていることから、基板温
度（Ts）を、 Ts〔℃〕＝300〔℃〕×（1.75〔eV〕−Egopt〔eV〕） ＋200〔℃〕±10〔℃〕 により与えられる数値に設定することが好適である。
膜に関して、基板温度（Ts）として275℃を用いること
により、Ge元素のスピン密度（Nsg）がSi元素のスピン
密度（Nss）より少なくなることを実証したが、他のEgo
ptのアロイ膜に対しては、バンドギヤップ調節用元素が
添加されていないａ−Si:H膜（光学的バンドギヤップ
（Egopt）は1.75eV）は約200℃を中心に±10℃の許容幅
をもつて優れた膜特性が得られていることから、基板温
度（Ts）を、 Ts〔℃〕＝300〔℃〕×（1.75〔eV〕−Egopt〔eV〕） ＋200〔℃〕±10〔℃〕 により与えられる数値に設定することが好適である。
（ト） 発明の効果 本発明非晶質シリコンアロイ膜は以上の説明から明ら
かな如く、光学的バンドギヤップ調節用元素に関するス
ピン密度をシリコン元素に関するスピン密度より少なく
することによつて、トータル的なスピン密度が減少する
ので、光導電率やフオトコン比等の膜特性の向上が図れ
る。
かな如く、光学的バンドギヤップ調節用元素に関するス
ピン密度をシリコン元素に関するスピン密度より少なく
することによつて、トータル的なスピン密度が減少する
ので、光導電率やフオトコン比等の膜特性の向上が図れ
る。
第１図は本発明アロイ膜の形成に用いられる膜形成装置
の概念図、第２図は基板温度200℃で形成されたａ−SiG
e:H膜のESRスピン密度特性図、第３図は基板温度240
℃、275℃及び300℃で形成されたａ−SiGe:H膜のESRス
ピン密度特性図、を夫々示している。 （１）……反応容器、（３）（４）……上部・下部電
極、（５）……基板。
の概念図、第２図は基板温度200℃で形成されたａ−SiG
e:H膜のESRスピン密度特性図、第３図は基板温度240
℃、275℃及び300℃で形成されたａ−SiGe:H膜のESRス
ピン密度特性図、を夫々示している。 （１）……反応容器、（３）（４）……上部・下部電
極、（５）……基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樽井 久樹 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 菱川 善博 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 中嶋 行雄 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 中村 昇 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 中野 昭一 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 大西 三千年 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 桑野 幸徳 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】少なくともシリコン元素及び光学的バンド
ギヤップの調節に寄与する元素を含む原料ガスを分解
し、基板表面に堆積せしめられる非晶質シリコンアロイ
膜であつて、光学的バンドギヤップ調節元素に関するス
ピン密度をシリコン元素に関するスピン密度より少なく
したことを特徴とする非晶質シリコンアロイ膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62057482A JPH084145B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 非晶質シリコンアロイ膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62057482A JPH084145B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 非晶質シリコンアロイ膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224223A JPS63224223A (ja) | 1988-09-19 |
| JPH084145B2 true JPH084145B2 (ja) | 1996-01-17 |
Family
ID=13056930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62057482A Expired - Lifetime JPH084145B2 (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 非晶質シリコンアロイ膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084145B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013149953A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
-
1987
- 1987-03-12 JP JP62057482A patent/JPH084145B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63224223A (ja) | 1988-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9812599B2 (en) | Method of stabilizing hydrogenated amorphous silicon and amorphous hydrogenated silicon alloys | |
| US4598164A (en) | Solar cell made from amorphous superlattice material | |
| Kim et al. | Use of a carbon‐alloyed graded‐band‐gap layer at the p/i interface to improve the photocharacteristics of amorphous silicon alloyed p‐i‐n solar cells prepared by photochemical vapor deposition | |
| JPS5933532B2 (ja) | 非晶質シリコンの形成方法 | |
| JP2000138384A (ja) | 非晶質半導体素子及びその製造方法 | |
| Konagai | Status of amorphous silicon and related alloys prepared by photochemical vapor deposition | |
| JPH0595126A (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
| Lill et al. | Preparation of amorphous hydrogenated silicon-germanium material and solar cells using the thermocatalytic chemical vapor deposition | |
| JPH084145B2 (ja) | 非晶質シリコンアロイ膜 | |
| JPH0364973A (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2854083B2 (ja) | 半導体薄膜およびその製造方法 | |
| JPH0821548B2 (ja) | 非晶質シリコンアロイ膜の製造方法 | |
| JPS5935016A (ja) | 含水素シリコン層の製造方法 | |
| JPS59101879A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH02177371A (ja) | アモルファス太陽電池の製造方法 | |
| JPH07183550A (ja) | 非晶質光電変換素子 | |
| JPH0276266A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2688221B2 (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| JPH06275538A (ja) | 非晶質シリコン合金膜の形成方法 | |
| JP2002033499A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS6095977A (ja) | 光起電力装置 | |
| Park et al. | Improved Amorphous Silicon Solar Cells Using RPCVD | |
| JP2543498B2 (ja) | 半導体薄膜 | |
| JPH05275726A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS63220581A (ja) | 光電変換素子の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |