JPH089770B2 - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
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- JPH089770B2 JPH089770B2 JP62110858A JP11085887A JPH089770B2 JP H089770 B2 JPH089770 B2 JP H089770B2 JP 62110858 A JP62110858 A JP 62110858A JP 11085887 A JP11085887 A JP 11085887A JP H089770 B2 JPH089770 B2 JP H089770B2
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- crucible
- vapor
- deposition material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は真空蒸着等に使用する蒸着装置、特に薄膜を
形成する基体と蒸着物質を収容したルツボとの間に蒸気
流制御壁面として蒸気案内ダクトを用いた真空蒸着装置
に関するものである。
形成する基体と蒸着物質を収容したルツボとの間に蒸気
流制御壁面として蒸気案内ダクトを用いた真空蒸着装置
に関するものである。
近年、記録密度が一段と優れたものとして、強磁性材
料を薄膜として基体上に被着してなる、所謂金属薄膜型
磁気記録媒体が注目を集めている。この様な金属薄膜型
磁気記録媒体は、通常真空状態下において、蒸着・スパ
ッタ等によって基体上に薄膜を形成して製造されるもの
である。
料を薄膜として基体上に被着してなる、所謂金属薄膜型
磁気記録媒体が注目を集めている。この様な金属薄膜型
磁気記録媒体は、通常真空状態下において、蒸着・スパ
ッタ等によって基体上に薄膜を形成して製造されるもの
である。
従来の蒸着装置としては、電子銃より発せられうる電
子ビームによりルツボに収容された強磁性材料を加熱し
て蒸発させて、ルツボ上部を走行する高分子形成物基体
の上に強磁性材料を蒸着させる方法が行なわれている。
子ビームによりルツボに収容された強磁性材料を加熱し
て蒸発させて、ルツボ上部を走行する高分子形成物基体
の上に強磁性材料を蒸着させる方法が行なわれている。
しかしこの方法は、電子銃からルツボに発射される電
子ビームの通路を確保するためにルツボの上方側に比較
的大きなスペースが必要である。このために、ルツボか
らの蒸発の拡散を抑制するべくルツボ上部に例えば適宜
壁面にて構成される蒸気流制御手段を設けた場合でも、
この蒸気流制御手段とルツボとの間に間隙を形成しなけ
ればならないために、強磁性材料の蒸気が散乱して蒸着
効率がよくなく、この蒸気流制御手段の改良が等がなさ
れている。（例えば特開昭57−194252号公報参照） さらに又、蒸着効率を向上させる方法として、本出願
人は先に第２図に示すように、真空容器（図示を省略）
内に配置された所謂真空下で基体１と蒸着物質２として
強磁性材料のルツボ３との間に蒸気流制御手段４を備え
てなり、蒸気流制御手段４がルツボ３の直上に延びるよ
うに配置されており、この蒸気流制御手段４が蒸気流の
周囲を完全に包囲し、さらに加熱手段５として高周波誘
導加熱を用い又入射角規制用マスク６を備えた真空蒸着
装置を提案した。
子ビームの通路を確保するためにルツボの上方側に比較
的大きなスペースが必要である。このために、ルツボか
らの蒸発の拡散を抑制するべくルツボ上部に例えば適宜
壁面にて構成される蒸気流制御手段を設けた場合でも、
この蒸気流制御手段とルツボとの間に間隙を形成しなけ
ればならないために、強磁性材料の蒸気が散乱して蒸着
効率がよくなく、この蒸気流制御手段の改良が等がなさ
れている。（例えば特開昭57−194252号公報参照） さらに又、蒸着効率を向上させる方法として、本出願
人は先に第２図に示すように、真空容器（図示を省略）
内に配置された所謂真空下で基体１と蒸着物質２として
強磁性材料のルツボ３との間に蒸気流制御手段４を備え
てなり、蒸気流制御手段４がルツボ３の直上に延びるよ
うに配置されており、この蒸気流制御手段４が蒸気流の
周囲を完全に包囲し、さらに加熱手段５として高周波誘
導加熱を用い又入射角規制用マスク６を備えた真空蒸着
装置を提案した。
しかしながら、このような蒸発装置においては、蒸発
効率は著しく上昇したものの、生産性を上げるべく蒸発
速度を上げようとしてルツボの蒸発面（So）の面積を大
きくすると、蒸着流の入射角度等を考慮して蒸気流制御
手段の壁面を長くしなければならず、ルツボ及び蒸気流
制御手段が大型化してしまう。
効率は著しく上昇したものの、生産性を上げるべく蒸発
速度を上げようとしてルツボの蒸発面（So）の面積を大
きくすると、蒸着流の入射角度等を考慮して蒸気流制御
手段の壁面を長くしなければならず、ルツボ及び蒸気流
制御手段が大型化してしまう。
また、大型化したルツボ、蒸気流制御手段の加熱を増
加させるための消費電力は非常に大きくなり、この消費
エネルギの増大の割には、蒸気圧が高くなったことによ
るルツボ，蒸気流制御手段内での粒子同士の衝突散乱が
増えて蒸気の指向性が下がる等の理由により、その蒸着
効率は向上しない欠点があった。
加させるための消費電力は非常に大きくなり、この消費
エネルギの増大の割には、蒸気圧が高くなったことによ
るルツボ，蒸気流制御手段内での粒子同士の衝突散乱が
増えて蒸気の指向性が下がる等の理由により、その蒸着
効率は向上しない欠点があった。
さらに又、従来の構成においては蒸発の方向としては
真上に限られてしまう制約もあった。
真上に限られてしまう制約もあった。
本発明は上記のような従来装置の欠点を除去し、蒸着
物質を任意の方向に高い指向性の蒸気分子流を効果的に
基体に導き、蒸着効率のよい真空蒸着装置を提供するこ
とを目的としている。
物質を任意の方向に高い指向性の蒸気分子流を効果的に
基体に導き、蒸着効率のよい真空蒸着装置を提供するこ
とを目的としている。
本発明者は鋭意検討の結果、従来のルツボは上部を基
体に向けて解放状態にして、基体とルツボとの間を蒸発
流制御手段で包囲していたものを、本発明はルツボの周
囲を包囲したルツボにして、該ルツボ壁の一部から蒸着
物質を誘導する蒸気案内ダクトを導くことにより、又更
にルツボ及び蒸気案内ダクトの内壁面温度制御により、
蒸着物質を任意の方向に高い指向性の蒸気分子流として
実現出来ることを見出した。
体に向けて解放状態にして、基体とルツボとの間を蒸発
流制御手段で包囲していたものを、本発明はルツボの周
囲を包囲したルツボにして、該ルツボ壁の一部から蒸着
物質を誘導する蒸気案内ダクトを導くことにより、又更
にルツボ及び蒸気案内ダクトの内壁面温度制御により、
蒸着物質を任意の方向に高い指向性の蒸気分子流として
実現出来ることを見出した。
即ち、本発明の目的は、真空容器内に、蒸着物質を収
納すると共にその上側もほとんど覆うように構成されて
該蒸着物質の蒸発用の開口を残して完全に密封されたル
ツボと、該ルツボの壁面で前記蒸着物質の液面よりも上
側に設けられた前記開口から蒸着膜を形成する基体に向
けて延び前記蒸着物質の蒸気を案内する蒸気案内ダクト
とを有しており、前記ルツボにはその内壁温度を蒸着物
質の蒸発を可能にする温度以上に保つ加熱手段がルツボ
外周の略全域にわたって設けられ、さらに前記蒸気案内
ダクトにはその内面温度を蒸着物質の融点以上であって
且つ該案内ダクトの内面に付着した蒸着物質を溶かした
状態でルツボ内に流化せしめる温度に保つ加熱手段が設
けられたことを特徴とする真空蒸着装置によって達成さ
れる。
納すると共にその上側もほとんど覆うように構成されて
該蒸着物質の蒸発用の開口を残して完全に密封されたル
ツボと、該ルツボの壁面で前記蒸着物質の液面よりも上
側に設けられた前記開口から蒸着膜を形成する基体に向
けて延び前記蒸着物質の蒸気を案内する蒸気案内ダクト
とを有しており、前記ルツボにはその内壁温度を蒸着物
質の蒸発を可能にする温度以上に保つ加熱手段がルツボ
外周の略全域にわたって設けられ、さらに前記蒸気案内
ダクトにはその内面温度を蒸着物質の融点以上であって
且つ該案内ダクトの内面に付着した蒸着物質を溶かした
状態でルツボ内に流化せしめる温度に保つ加熱手段が設
けられたことを特徴とする真空蒸着装置によって達成さ
れる。
又、前記ルツボ内の前記蒸着物質の蒸発面積に対し
て、前記蒸気案内ダクトに連続する前記開口の面積が30
％以下であることが好ましい。
て、前記蒸気案内ダクトに連続する前記開口の面積が30
％以下であることが好ましい。
以下、本発明の実施態様について図を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明の真空蒸着装置におけるルツボ，蒸気
案内ダクトの要部の垂直断面図である。
案内ダクトの要部の垂直断面図である。
第１図において、蒸着物質２はルツボ８の中でルツボ
用の加熱手段９によって加熱されて蒸発させられ、蒸気
はこのルツボの壁面の一部の開口10から蒸気案内ダクト
11を通って基体１に向って流れる。この場合、ルツボ８
の外周（上下並びに側面の略六面全体）にはルツボ内壁
温度を蒸着物質２が内壁にほとんど凝縮しない例えば沸
点温度以上に保つことができる加熱手段９が設けられて
いる。又、蒸気案内ダクト11の外周にはそのダクト内面
温度を蒸着物質２の融点以上でその近辺に保つ加熱手段
12が設けられている。
用の加熱手段９によって加熱されて蒸発させられ、蒸気
はこのルツボの壁面の一部の開口10から蒸気案内ダクト
11を通って基体１に向って流れる。この場合、ルツボ８
の外周（上下並びに側面の略六面全体）にはルツボ内壁
温度を蒸着物質２が内壁にほとんど凝縮しない例えば沸
点温度以上に保つことができる加熱手段９が設けられて
いる。又、蒸気案内ダクト11の外周にはそのダクト内面
温度を蒸着物質２の融点以上でその近辺に保つ加熱手段
12が設けられている。
又、前記蒸気案内ダクト11は通常は希望の方向に固定
されていてもよいが、必要に応じてルツボの開口部10か
ら任意の方向に取付け蒸発させることが出来るように調
整自在になっている。
されていてもよいが、必要に応じてルツボの開口部10か
ら任意の方向に取付け蒸発させることが出来るように調
整自在になっている。
尚、前記ルツボ8,蒸気案内ダクト11,基体１そして加
熱手段9,12等は図示しない真空容器内に収容されてい
る。
熱手段9,12等は図示しない真空容器内に収容されてい
る。
本実施態様の装置は一般の真空蒸着装置として広く用
いることが出来るが、特に磁気記録媒体の製造方法に用
いた場合について説明すると、蒸着物質としてはFe,Co,
Niおよびこれらの合金又は目的に応じてV,Mo,Mn,Pd等の
元素を添加したものが用いられる。また必要に応じ、N,
O等を上記金属膜中に含有させてもよい。
いることが出来るが、特に磁気記録媒体の製造方法に用
いた場合について説明すると、蒸着物質としてはFe,Co,
Niおよびこれらの合金又は目的に応じてV,Mo,Mn,Pd等の
元素を添加したものが用いられる。また必要に応じ、N,
O等を上記金属膜中に含有させてもよい。
本実施態様のルツボ８の材質としては、特に限定する
ものではないが、例えば、MgO、ZrO2、Al2O3、CaO、Y2O
3、ThO2、BN、BeO、CaO安定化ZrO2（ZrO2が90％〜98％
＋CaOが10％〜２％）、Y2O3安定化ZrO2（ZrO2が90％〜9
8％＋Y2O3が10％〜２％）等のセラミックや他の耐熱性
のある材料を用いることができる。
ものではないが、例えば、MgO、ZrO2、Al2O3、CaO、Y2O
3、ThO2、BN、BeO、CaO安定化ZrO2（ZrO2が90％〜98％
＋CaOが10％〜２％）、Y2O3安定化ZrO2（ZrO2が90％〜9
8％＋Y2O3が10％〜２％）等のセラミックや他の耐熱性
のある材料を用いることができる。
本発明における蒸気案内ダクト11は、蒸着物質の融点
以上に加熱され、表面に付着した蒸着物質を融かした状
態でルツボ内に流化せしめるため、ルツボ８より低い温
度で良く、またルツボ８と同じ材料を用いることが出来
る。
以上に加熱され、表面に付着した蒸着物質を融かした状
態でルツボ内に流化せしめるため、ルツボ８より低い温
度で良く、またルツボ８と同じ材料を用いることが出来
る。
本発明におけるルツボ８の加熱手段９及び蒸気案内ダ
クト11の前記加熱手段12としては高周波誘導加熱手段を
使用することが好ましい。そして、高周波誘導加熱の条
件としては周波数50〜200KHZ,出力容量20KW〜100KWが用
いられる。
クト11の前記加熱手段12としては高周波誘導加熱手段を
使用することが好ましい。そして、高周波誘導加熱の条
件としては周波数50〜200KHZ,出力容量20KW〜100KWが用
いられる。
本発明で使用する基体としては非磁性材料として特に
制限はなく、通常用いられているものを用いることがで
きる。
制限はなく、通常用いられているものを用いることがで
きる。
具体的例としてポリエチレンテレフタレート（PE
T），ポリプロピレン，ポリカーボネート，ポリエチレ
ンフタレート，ポリアミド，ポリアミドイミド，ポリイ
ミド等の高分子成形物基体であり、目的に応じてアルミ
箔，ステンレス箔などの非磁性金属材料でもよい。基体
の厚さは一般には３〜50μm,好ましくは５〜30μｍであ
る。尚、磁気材料の製造方法として本発明を用いる場合
は上記基体は真空容器内で走行して蒸着される。
T），ポリプロピレン，ポリカーボネート，ポリエチレ
ンフタレート，ポリアミド，ポリアミドイミド，ポリイ
ミド等の高分子成形物基体であり、目的に応じてアルミ
箔，ステンレス箔などの非磁性金属材料でもよい。基体
の厚さは一般には３〜50μm,好ましくは５〜30μｍであ
る。尚、磁気材料の製造方法として本発明を用いる場合
は上記基体は真空容器内で走行して蒸着される。
以下、本実施態様における作用について述べる。
このように、真空容器内に蒸着物質を溶融蒸発せしめ
るべく蒸着物質液面S0の蒸発面積の大きさに比べてかな
り小さい開口10を有したルツボ８と、この開口10から基
体１に蒸気を案内する蒸気案内ダクト11とを有してい
る。そして、このルツボ８がその内壁温度を蒸着物質が
内壁にほとんど凝縮しない以上に保つ加熱手段９を、又
蒸気案内ダクト11がその内面温度を蒸発物質の融点以上
に保つ加熱手段12を備えていることから、まず、蒸発物
質２を蒸発せしめるルツボ内部（蒸着物質液面と左右前
後並びに上方の壁面に囲まれた空間）では、所謂自由分
子運動を実現させることができる一方、蒸気案内ダクト
11ではルツボ内よりも低い温度（ダクト内壁に付着した
材料が溶融する温度）にて加熱されることで、該ダクト
内におけるダクト内壁に付着した蒸着物質は溶融してル
ツボ内に落下し、また、ダクト内の分子気流はルツボ内
のように外部からエネルギが加えられずに分子運動が更
に活発化することなく基体１に向かって安定して案内さ
れる。
るべく蒸着物質液面S0の蒸発面積の大きさに比べてかな
り小さい開口10を有したルツボ８と、この開口10から基
体１に蒸気を案内する蒸気案内ダクト11とを有してい
る。そして、このルツボ８がその内壁温度を蒸着物質が
内壁にほとんど凝縮しない以上に保つ加熱手段９を、又
蒸気案内ダクト11がその内面温度を蒸発物質の融点以上
に保つ加熱手段12を備えていることから、まず、蒸発物
質２を蒸発せしめるルツボ内部（蒸着物質液面と左右前
後並びに上方の壁面に囲まれた空間）では、所謂自由分
子運動を実現させることができる一方、蒸気案内ダクト
11ではルツボ内よりも低い温度（ダクト内壁に付着した
材料が溶融する温度）にて加熱されることで、該ダクト
内におけるダクト内壁に付着した蒸着物質は溶融してル
ツボ内に落下し、また、ダクト内の分子気流はルツボ内
のように外部からエネルギが加えられずに分子運動が更
に活発化することなく基体１に向かって安定して案内さ
れる。
また、液面S0の蒸発面積に対してが飛び出して行く案
内ダクト11の断面積Ｓの比はS/S0＜0.3に保つことが望
ましい。
内ダクト11の断面積Ｓの比はS/S0＜0.3に保つことが望
ましい。
更にルツボの内壁温度は蒸着分子がほとんど凝縮しな
い温度（蒸発温度以上）に保つことによってルツボ内の
蒸着分子は全くランダムな方向に飛び交うようになる。
い温度（蒸発温度以上）に保つことによってルツボ内の
蒸着分子は全くランダムな方向に飛び交うようになる。
この時のルツボの内壁温度Toは蒸着物質によって異な
ることは言うまでもないが、蒸着物質のルツボ内壁材料
への吸着エネルギーEdに対して、 τ0exp（Ed/kTo）＜τ１ の関係がＴを与える。
ることは言うまでもないが、蒸着物質のルツボ内壁材料
への吸着エネルギーEdに対して、 τ0exp（Ed/kTo）＜τ１ の関係がＴを与える。
但し、τ1;粒子がルツボ内を飛翔する平均時間 Te;蒸着粒子の温度 L;平均自由工程 m;蒸着粒子の質量 k;ボルツマン定数とすると、 である。
蒸気案内ダクトは、これに対し、蒸着粒子の方向性を
つけるためには付着率が高いことが望ましいが、壁内面
に固着することは蒸気案内ダクトが蒸着粒子の堆積によ
って塞がれてしまうので、望ましくなく、従って融点Tm
そこそこに保たれることが必要である。
つけるためには付着率が高いことが望ましいが、壁内面
に固着することは蒸気案内ダクトが蒸着粒子の堆積によ
って塞がれてしまうので、望ましくなく、従って融点Tm
そこそこに保たれることが必要である。
この時の付着率は必ずしも１ではないが一般には0.5
以上は基体出来る。
以上は基体出来る。
上述のようにルツボ内部の空間においては加熱温度が
高いことから、開口10が実質的な液面を形成することに
なる。このことは、上記空間に面する位置であれば何処
でも開口10を設けることができることを意味するもので
あり、開口10の形成位置の自由度が高まる。
高いことから、開口10が実質的な液面を形成することに
なる。このことは、上記空間に面する位置であれば何処
でも開口10を設けることができることを意味するもので
あり、開口10の形成位置の自由度が高まる。
このような特徴を有する蒸発方法により、蒸気案内ダ
クト11はルツボ８の空間部分（蒸着物質液面と左右前後
並びに上方の壁面に囲まれた空間）に対応した位置であ
ればどこに取付けてもよく、また任意の方向で高い指向
性を有する分子流を取出すことが出来る。
クト11はルツボ８の空間部分（蒸着物質液面と左右前後
並びに上方の壁面に囲まれた空間）に対応した位置であ
ればどこに取付けてもよく、また任意の方向で高い指向
性を有する分子流を取出すことが出来る。
ルツボとしては蒸発面50mmφのルツボを使用し，高周
波誘導加熱電源として周波数200KHZ,出力容量25KW,高分
子成形物基体としてポリエチレンテレフタレートフイル
ム100mm幅,13μｍ厚，蒸着ドラムを直径300mm（表面温
度約０℃），蒸気案内ダクトの幅径20mmφとして取出
し、蒸着案内ダクトの蒸着分子の出口を120mm×10mmと
して蒸着を行った。
波誘導加熱電源として周波数200KHZ,出力容量25KW,高分
子成形物基体としてポリエチレンテレフタレートフイル
ム100mm幅,13μｍ厚，蒸着ドラムを直径300mm（表面温
度約０℃），蒸気案内ダクトの幅径20mmφとして取出
し、蒸着案内ダクトの蒸着分子の出口を120mm×10mmと
して蒸着を行った。
高分子成形物基体の搬送速度15m/minで約1500Åの膜
圧でCoを蒸発させた結果、蒸着効率25％を得た。この
際，ルツボの内壁面は2000℃，蒸着案内ダクトの内面は
1600℃に維持した。
圧でCoを蒸発させた結果、蒸着効率25％を得た。この
際，ルツボの内壁面は2000℃，蒸着案内ダクトの内面は
1600℃に維持した。
以上述べたように本発明は、蒸着物質を溶融蒸発せし
めるべく蒸着物質液面の蒸発面積の大きさに比べてかな
り小さい開口を有したルツボと、この開口から基体に蒸
気を案内する蒸気案内ダクトとを有し、かつルツボがそ
の内壁温度を蒸着物質が内壁にほとんど凝縮しない以上
に保つ加熱手段を、又蒸気案内ダクトの温度を蒸発物質
の融点以上に保つ加熱手段を備えている。
めるべく蒸着物質液面の蒸発面積の大きさに比べてかな
り小さい開口を有したルツボと、この開口から基体に蒸
気を案内する蒸気案内ダクトとを有し、かつルツボがそ
の内壁温度を蒸着物質が内壁にほとんど凝縮しない以上
に保つ加熱手段を、又蒸気案内ダクトの温度を蒸発物質
の融点以上に保つ加熱手段を備えている。
したがって、蒸発物質を蒸発せしめるルツボ内部空間
では、蒸発粒子の自由分子運動を実現させることができ
る一方、上記案内ダクトではダクト内壁に付着した材料
が溶融する温度程度にて加熱されることで、該ダクト内
におけるダクト内壁に付着した蒸着物質は溶融してルツ
ボ内に落下し、また、ダクト内の分子気流はルツボ内の
ように外部からエネルギが加えられずに分子運動が更に
活発化することなく基体に向かって安定して案内される
ので、蒸着物質を任意の方向に高い指向性の蒸気分子流
で実現出来るようになり、それによって蒸着効率が著し
く向上し又蒸着装置における前記案内ダクトは従来に比
べて小さく構成され、またその加熱温度も必要以上に高
くしないので、コンパクト化の促進かつ消費電力の最小
限に抑えることができた。
では、蒸発粒子の自由分子運動を実現させることができ
る一方、上記案内ダクトではダクト内壁に付着した材料
が溶融する温度程度にて加熱されることで、該ダクト内
におけるダクト内壁に付着した蒸着物質は溶融してルツ
ボ内に落下し、また、ダクト内の分子気流はルツボ内の
ように外部からエネルギが加えられずに分子運動が更に
活発化することなく基体に向かって安定して案内される
ので、蒸着物質を任意の方向に高い指向性の蒸気分子流
で実現出来るようになり、それによって蒸着効率が著し
く向上し又蒸着装置における前記案内ダクトは従来に比
べて小さく構成され、またその加熱温度も必要以上に高
くしないので、コンパクト化の促進かつ消費電力の最小
限に抑えることができた。
第１図は本発明の蒸着装置のルツボ，蒸気案内ダクト部
分を説明するための部分側面断面図、第２図は従来の蒸
着装置のルツボ，蒸気流制御手段の説明のための部分側
面断面図である。 １……基体、２……蒸着物質 ３……ルツボ、４……蒸気流制御壁面 ５……加熱手段、So……蒸発面 ６……入射角規制マスク ８……ルツボ ９……加熱手段（電気炉用） 10……開口 11……蒸気案内ダクト 12……加熱手段（蒸気案内ダクト用）
分を説明するための部分側面断面図、第２図は従来の蒸
着装置のルツボ，蒸気流制御手段の説明のための部分側
面断面図である。 １……基体、２……蒸着物質 ３……ルツボ、４……蒸気流制御壁面 ５……加熱手段、So……蒸発面 ６……入射角規制マスク ８……ルツボ ９……加熱手段（電気炉用） 10……開口 11……蒸気案内ダクト 12……加熱手段（蒸気案内ダクト用）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−145168（ＪＰ，Ａ) 特公 昭49−29463（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭57−50874（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】真空容器内に、蒸着物質を収納すると共に
その上側もほとんど覆うように構成されて該蒸着物質の
蒸発用の開口を残して完全に密封されたルツボと、該ル
ツボの壁面で前記蒸着物質の液面よりも上側に設けられ
た前記開口から蒸着膜を形成する基体に向けて延び前記
蒸着物質の蒸気を案内する蒸気案内ダクトとを有してお
り、前記ルツボにはその内壁温度を蒸着物質の蒸発を可
能にする温度以上に保つ加熱手段がルツボ外周の略全域
にわたって設けられ、さらに前記蒸気案内ダクトにはそ
の内面温度を蒸着物質の融点以上であって且つ該案内ダ
クトの内面に付着した蒸着物質を溶かした状態でルツボ
内に流下せしめる温度に保つ加熱手段が設けられたこと
を特徴とする真空蒸着装置。 - 【請求項２】前記ルツボ内の前記蒸着物質の蒸発面積に
対して、前記蒸気案内ダクトに連続する前記開口の面積
が30％以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62110858A JPH089770B2 (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP62110858A JPH089770B2 (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 真空蒸着装置 |
Publications (2)
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| JPH089770B2 true JPH089770B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=14546456
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP62110858A Expired - Fee Related JPH089770B2 (ja) | 1987-05-08 | 1987-05-08 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH089770B2 (ja) |
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-
1987
- 1987-05-08 JP JP62110858A patent/JPH089770B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPS63277752A (ja) | 1988-11-15 |
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