「"depletion region"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A gate is doped with N-type impurities, such that when a gate voltage is 0, a depletion region is formed in the drift region.例文帳に追加

ゲートは、ゲート電圧がゼロのときにドリフト領域に空乏領域が形成されるようにＮ型ドープされる。 - 特許庁

After contacting and coupling, the structure is annealed to separate the SiGe layer along the depletion region.例文帳に追加

接触結合した後、この構造は、欠乏領域に沿ってＳｉＧｅ層を分割するためにアニーリングされる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having high current drive performance by increasing a depletion region of a channel forming region.例文帳に追加

チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an InGaAsN solar cell structure with a wide depletion region width and high Jsc performance.例文帳に追加

広い空乏領域幅および高いＪｓｃ性能を有するＩｎＧａＡｓＮ太陽電池構造を提供する。 - 特許庁

The lightly doped collector well creates a depletion region between the collector and the base to perform an operation with a high voltage.例文帳に追加

軽くドープされたコレクタ井戸が、コレクタ及びベースの間の空乏領域を作り、高い電圧での動作ができる。 - 特許庁

In a semiconductor element 1, a region between the drain electrode 11 and the source electrode 12 is non-conductive, because the depletion region 17 in the two-dimensional electron gas region 16 is depleted under the condition that the depletion region 17 is not irradiated with light.例文帳に追加

半導体素子１は、空乏領域１７に光を照射しない状態で、２次元電子ガス領域１６の空乏領域１７が空乏化しているため、ドレイン電極１１・ソース電極１２間が非導通となる。 - 特許庁

The junction A is structured to generate a depletion region B for limiting a flow of carriers to the active layer 3.例文帳に追加

接合部Ａは、活性層３へのキャリアの流れを制限する空乏領域Ｂを生成する構成となっている。 - 特許庁

In this invention, an ex-situ rapid thermal annealing is applied at a temperature of 900°C to 1000°C under a nitrogen atmosphere to increase a depletion region width up to the thickness of the i-th region, thereby forming an InGaAsN layer of a wide depletion region.例文帳に追加

窒素雰囲気下で９００℃から１０００℃の間の温度でｅｘ−ｓｉｔｕの急速熱アニールを行うことで、空乏領域幅をそのｉ領域の厚さまで増やし広い空乏領域のＩｎＧａＡｓＮ層を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a memory device having an isolation collar 400 and a capacitor is provided, and when a field effect switch is at an off-state, a depletion region is superposed on the isolation collar 400, and the depletion region will not be superposed on the isolation collar, when the field effect switch is at an on-state.例文帳に追加

さらに、分離カラー４００およびキャパシタを有する記憶デバイスを備え、電界効果スイッチがオフ状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重なり、電界効果スイッチがオン状態であるとき、空乏領域は分離カラーに重ならない。 - 特許庁

The depletion region is contacted with the conductive region on the circuit forming layer while these circuit forming layers are joined and laminated.例文帳に追加

該空乏領域は回路形成層上の導電性領域と接触し、これら回路形成層は合わせて積層される。 - 特許庁

To control driving current in a semiconductor light emitting element by a depletion region occurring in the element.例文帳に追加

本発明は、半導体発光素子に発生する空乏領域により、この素子における駆動電流を制御するものである。 - 特許庁

While in the semiconductor element 1, the region between the drain electrode 11 and the source electrode 12 is conductive by generating electrons 20 and holes in the depletion region 17 under the condition that the depletion region 17 is irradiated with light having larger energy than a bandgap in the electronic transit layer 14.例文帳に追加

一方、半導体素子１は、電子走行層１４のバンドギャップよりも大きなエネルギを持つ光を空乏領域１７に受けた状態で、空乏領域１７に電子２０と正孔とが生成されることでドレイン電極１１・ソース電極１２間が導通する。 - 特許庁

When the semiconductor device 10 is turned off, the width of the layer thickness direction of a depletion region formed on the semiconductor intermediate layer 27 of the termination region 14 and the reserve layer 39 is larger than the width in a layer thickness direction of the depletion region formed in the cell region 12.例文帳に追加

半導体装置１０がオフしたときに、終端領域１４の半導体中間層２７とリサーフ層３９に形成される空乏化領域の層厚方向の幅が、セル領域１２に形成される空乏化領域の層厚方向の幅よりも大きいことを特徴としている。 - 特許庁

The depletion region 403 is varied in dopant concentration and gets maximum at a point 404 substantially located just under its junction with the well region 102.例文帳に追加

空乏領域４０３はドーパント濃度が変化し、ウェル領域１０２との接合の実質的に真下にある点４０４で最大となる。 - 特許庁

A layer of SiGe is deposited on a substrate and implanted with ions to form a depletion region within a SiGe material below its surface.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層は、基板上に堆積され、イオンが注入されて、その表面の下のＳｉＧｅ材料内に欠乏領域を形成する。 - 特許庁

A memory cell structure is equipped with a field effect switch provided with a gate terminal 1000 possessed of a trench upper part and a depletion region in a substrate.例文帳に追加

メモリセル構造は、基板内の空乏領域およびトレンチ上部を有するゲート端子１０００を有する電界効果スイッチを備えている。 - 特許庁

Thus, the depletion region of the invalid imaging region 100B is reduced, and a white spot at dark signal is suppressed to accurately decide a black level.例文帳に追加

これにより、無効撮像領域１００Ｂの空乏領域を縮小し、暗信号時の白点を抑制し、黒レベルの正確な決定を行う。 - 特許庁

In the active region between the buried N + region 56 and a drain region 82, a cell depletion region 78 is formed and mutually electrically connected.例文帳に追加

埋没Ｎ＋領域５６とドレイン領域８２との間の活性領域内にセル空乏領域７８が形成され、互いに電気的に連結される。 - 特許庁

A pin structure comprised of the InGaAsN layer has a bandgap of 1.0 eV to 1.05 eV, and the depletion region width is at least 500 nm.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓＮの層からなるｐｉｎ構造は１．０ｅＶと１．０５ｅＶとの間のバンドギャップを有し、空乏領域幅が少なくとも５００ｎｍである。 - 特許庁

Furthermore, an etching structure 11 is provided to surround the depletion region 9 of a single electron tunnel element thus constituting a resonance structure 12.例文帳に追加

さらに、該単一電子トンネル素子の空乏化領域９を囲むようにエッチング構造１１ａ、１１ｂを施すことにより共振器構造１２を構成する。 - 特許庁

To reduce the depth of a depletion region in a solid-state imaging apparatus exhibiting high sensitivity to light in infrared region.例文帳に追加

赤外域の光に対して高い感度を有する固体撮像装置において、その空乏化領域の深さの低減化を図ることができるようするものである。 - 特許庁

The depletion region 403 is more reduced in dopant concentration at parts 405 and 406 which extend under the well region 102 starting from the point 404.例文帳に追加

空乏領域４０３のドーパント濃度は、その最大点４０４からウェル領域１０２の下に延在する両部分４０５及び４０６でより減少する。 - 特許庁

The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.例文帳に追加

上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁

The conductive body comprises a main region (a conductive post, for example) and a depletion region (the thin layer of a metal or a transient liquid metal bonding material, for example).例文帳に追加

該導電性本体は主領域（例えば導電性ポスト）および空乏領域（例えば、金属または過渡的液体金属ボンディング材料の薄層）を含んでなる。 - 特許庁

Further, a capacitance caused in an overlapping region between a gate electrode and the drift region is calculated by considering a potential from a depletion region to an accumulation region.例文帳に追加

更に、ゲート電極とドリフト領域とのオーバーラップ領域に生じるキャパシタンスは、ポテンシャルをディプリーション領域からアキュミュレーション領域まで考慮することによって計算する。 - 特許庁

Accordingly, electric field is generated in the circumference of a current pouring region 16 and a depletion region is generated in the current pouring region 16, while being induced by the electric field.例文帳に追加

これにより電流注入領域１６の周辺に電界が発生し、この電界に誘発されて電流注入領域１６内に空乏領域が生じる。 - 特許庁

An n-type converted region the conduction type of which is converted to an n-type is formed in a region in the vicinity of the groove of the p type depletion region enlargement layer, thus forming a carrier path.例文帳に追加

前記ｐ型空乏領域拡大層の溝近傍領域には、導電型をｎ型に転換したｎ型転換領域が形成され、キャリアの経路を構成している。 - 特許庁

The dummy contact portion 9a is located on the collector region 6 side rather than on the depletion region 21 side in the base region 3b between the emitter region 5 and the collector region 6.例文帳に追加

このダミーコンタクト部９ａは、エミッタ領域５とコレクタ領域６との間のベース領域３ｂのうち、空乏層領域２１よりもコレクタ領域６側の領域に配置する。 - 特許庁

A depletion region 17 depleted by a depletion part 18 is formed in a part between a drain electrode 11 and a source electrode 12 in the two-dimensional electron gas region 16.例文帳に追加

２次元電子ガス領域１６におけるドレイン電極１１とソース電極１２との間の一部には、空乏化部１８により空乏化された空乏領域１７が形成されている。 - 特許庁

Consequently, since the width of depletion region extending from first and second gate region 3, 7 can be shortened sufficiently enough to obtain a wider channel width, significant reduction in channel resistance can be realized.例文帳に追加

従って、第１、第２ゲート領域３、７から伸びる空乏層幅を十分に縮めることができ、チャネル幅を十分にとることができるため、チャネル抵抗低減を十分に図ることができる。 - 特許庁

To provide an image sensor which can improve quantum efficiency and electric crosstalk characteristics by increasing a depletion region of a photodiode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

フォトダイオードの空乏領域を増大させることにより、量子効率を改善させると同時に、電気的クロストーク特性を改善させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress a white spot from occurring when a dark signal is acquired with a photoelectric conversion element in an invalid imaging region by reducing the depletion region of the photoelectric conversion element in the invalid imaging region.例文帳に追加

無効撮像領域の光電変換素子における空乏領域を縮小し、無効撮像領域の光電変換素子によって暗信号を得る場合の白点の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide an image sensor capable of maximizing the photodiode depletion by making it possible to create a depletion region using an already existing method to facilitate resetting, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

既存方法より空乏領域をより容易に作ることができるようにして、リセットを容易にしてフォトダイオード空乏を最大化させることができるイメージセンサー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An electric field is applied to the resonance cavity (5) in order to vary the Q value of the resonator cavity (5), that is, to vary the transmission characteristics by an MOS effect or by the changes in the width of the depletion region in a p-n junction.例文帳に追加

共振キャビティ(５)のＱ値、したがって伝送特性、をＭＯＳ効果によるかまたはｐ−ｎ接合の空乏領域の幅の変化によって変えるため、共振キャビティ(５)に電場が印加される。 - 特許庁

A region which is comparatively highly doped (with dopant of the same type as a channel) is formed above a channel region, and change in a depletion region in a channel which is caused by change of the drain voltage (Vd) is reduced.例文帳に追加

チャネル領域の上側に比較的高くドーピングされた（チャネルと同じタイプのドーパントによる）領域を形成させて、ドレイン電圧（Ｖｄ）における変化に伴うチャネル内の空乏領域における変化を低減させた。 - 特許庁

In the bipolar transistor, an emitter electrode lead layer 9 is formed into such a shape as to completely cover the emitter region 5 and a depletion region 21 near the junction between the emitter region 5 and the base region 3.例文帳に追加

バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ電極引き出し配線層９をエミッタ領域５と、エミッタ領域５とベース領域３との接合近傍での空乏層領域２１を完全に覆うような形状とする。 - 特許庁

To induce a photodiode to normally receive light at a short wavelength as well as light at a long wavelength in its own depletion region in an image sensor and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明はイメージセンサー及びその製造方法に関し、フォトダイオードがその波長の長い光は勿論、その波長の短い光までも自分の空乏領域で正常に受光できるように誘導することを可能とする。 - 特許庁

At least one of these has electric field applying devices 122B and 121 for applying electric fields to change a depletion region formed at the boundary between the gain medium 103.例文帳に追加

第一の負誘電率媒質102と第二の負誘電率媒質101の少なくとも一方には、利得媒質103との間の境界部に形成される空乏領域を変化させるための電界を印加する電界印加手段122B、121が設けられている。 - 特許庁

A P^+ type channel stop layer under the source and drain region of a transfer transistor 103 is arranged such that it contacts a depletion region 208, which is formed around the floating diffusion region 106, i.e. an N^+ diffusion layer, only at E point.例文帳に追加

転送トランジスタ１０３のソースドレイン領域の下のＰ＋チャネルストップ層がＮ＋拡散層であるフローティングディフュージョン領域１０６の周りに形成される空乏層２０８と概ね点Ｅのみで接触するようにする。 - 特許庁

In order to prevent the irradiation of ultraviolet rays on the depletion region 21 obliquely from above, the emitter electrode lead layer 9 has such a shape as to have a dummy contact portion 9a which surrounds the whole periphery of the emitter region 5.例文帳に追加

さらに、空乏層領域２１に斜め上方から紫外線が照射されないように、エミッタ電極引き出し配線層９をエミッタ領域５の周囲全てを取り囲むダミーコンタクト部９ａを有する形状とする。 - 特許庁

To provide an image sensor formed in a rear-surface irradiation structure without necessity of metal reflecting layer separately, having improved photosensitivity and crosstalk on short wavelengths by controlling the depletion region of a photodiode.例文帳に追加

裏面照射構造を有しながらも、別途にメタル反射層を備えなくてもよく、フォトダイオードの空乏領域をコントロールして、短波長に対する光感度及びクロストルクを改善することができるイメージセンサを提供すること。 - 特許庁

Since a barrier, which is formed by the depletion region, enhances more the current stopping power of the P-N junction part between a body and the drain, a P-type body region can be shallow formed by a low-concentration doping, without generating the problem of punch through.例文帳に追加

空乏領域によって生成されるバリヤがボディ−ドレイン間ＰＮ接合部の電流阻止能力を一層高めるので、Ｐ型ボディ領域を、パンチスルーの問題を生じさせずに低濃度ドープで浅く作ることができる。 - 特許庁

Since three faces of the thin oxide semiconductor are covered by the gates in this structure, electrons injected from a source and a drain can be effectively eliminated and the space between the source and the drain can be made substantially a depletion region, thereby reducing the off current.例文帳に追加

この構成では、薄片状の酸化物半導体の三方の面をゲートが覆うこととなるため、ソース、ドレインから注入される電子を効率的に排除し、ソースとドレインの間をほぼ空乏化領域とでき、オフ電流を低減できる。 - 特許庁

In the power semiconductor device comprising a gate electrode 11 buried in a groove via a gate insulating film, a p-type depletion region enlargement layer 4 is provided between two n-type drift layers 3 and 5, and the groove is formed to reach the n-type drift layer 3.例文帳に追加

溝の中にゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極１１を備えた電力用半導体装置において、二つのｎ型ドリフト層３、５の間にｐ型空乏領域拡大層４を挟み、前記溝は、前記ｎ型ドリフト層３に達するように形成される。 - 特許庁

The method of evaluating the silicon substrate includes forming a PN junction on a silicon substrate surface, irradiating a depletion region of the silicon substrate having the PN junction formed with an electron beam, and evaluating the silicon substrate from the wavelength and intensity of light emitted by the silicone substrate irradiated with the electron beam.例文帳に追加

シリコン基板表面にＰＮ接合を作製し、ＰＮ接合が作製されたシリコン基板の空乏領域に電子線を照射して、電子線が照射されたシリコン基板から得られる発光の波長及び強度からシリコン基板の評価を行うシリコン基板の評価方法。 - 特許庁