「"emission region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a cathode panel for cold cathode field electron emission display device having an electron emission region where the delay of drive signals resulting from capacity compositions produced by a cathode electrode, an insulation layer, and a gate electrode is hard to occur.例文帳に追加

カソード電極と絶縁層とゲート電極とによって生じる容量成分に起因した駆動信号の遅延が引き起こされることの少ない電子放出領域を有する冷陰極電界電子放出表示装置用カソードパネルを提供する。 - 特許庁

An emission region of each organic EL element 20 is shaped into a hexagon to include shift regions 71 formed so that a quantity of light of an exposure spot 70 of the organic EL element 20 gradually decreases towards an end point P in the horizontal scanning direction.例文帳に追加

各有機ＥＬ素子２０の露光スポット７０が各々の主走査方向の端点Ｐへ向けて光量が除々に減少するような形状の変移領域７１を含むように有機ＥＬ素子２０の発光領域を六角形に整形する。 - 特許庁

Each of the first and second laser array light source units 102 and 104 emits laser beams W14 and W24 from within a laser beam emission region structured such that the length of a first direction z is longer than that of a second direction y that is orthogonal to the first direction z.例文帳に追加

第１と第２のレーザアレイ光源ユニット１０２，１０４のそれぞれは、第１の方向ｚの長さが前記第１の方向ｚと直交する第２の方向ｙの長さよりも長いレーザ光出射領域内からレーザ光Ｗ１４，Ｗ２４を出射する。 - 特許庁

Since the phosphor efficiently absorbs ultraviolet light at near a wavelength of 380 nm, which is in the light emission region of an ultraviolet light-emitting diode, the phosphor can be used for a light-emitting diode which has a structure emitting light by a phosphor using the ultraviolet light-emitting diode as the excitation source.例文帳に追加

紫外線発光ダイオードの発光領域である波長３８０ｎｍ付近の紫外線をも効率よく吸収するので、上記紫外線発光ダイオードを励起源とする蛍光体により発光する構造の発光ダイオードにも用いることができる。 - 特許庁

There are two or more points facing a center point of the light emission region E where the OLED 70 in a periphery of the contact region 81, and the periphery of the contact region 81 may be bent or refracted in the section formed by connecting those two or more points.例文帳に追加

コンタクト領域８１の周には、ＯＬＥＤ７０が配列される発光領域Ｅの中心点に面する点が２つ以上あり、コンタクト領域８１の周は、これら２以上の点を結ぶ区間において屈曲または屈折しているようにしてもよい。 - 特許庁

In an image display device constituted of a panel in which a thin film type electron source is arranged in a matrix shape, a curvature is installed at the corner of the electron emission region EMT formed on the inside of the electron source opening EMA of the electron source ELS formed on image signal wirings d1, d2, d3, intersecting scanning signal wirings s1, s2.例文帳に追加

走査信号配線ｓ１，ｓ２に交差する画像信号配線ｄ１，ｄ２，ｄ３・・・の上に形成された電子源ＥＬＳの電子源開口ＥＭＡの内側に形成される電子放出領域ＥＭＴの角部に曲率を設ける。 - 特許庁

A Y-directional distance d1 between a measurement reference plane 17 and a laser light emission region 24 of a sensor 3 is measured by using a micrometer 19 during off-line setup, and a Y-directional distance d2 between the plane 17 and a blade edge 28 of the bite is measured by using a micrometer 21.例文帳に追加

外段取りで、マイクロメータ１９を用いて測定基準面１７とセンサ３のレーザ光発光部位２４とのＹ方向距離ｄ１を測定し、一方マイクロメータ２１を用いて測定基準面１７とバイトの刃先２８とのＹ方向距離ｄ２を測定する。 - 特許庁

The imaging field angle of the camera 3b has an angle the same as an angle indicated by the region to which the super-directivity speaker 2 emits the audible sound, and the region is an audible sound emission region from the center axis of the region up to a region in which the sound pressure level is decreased to -6dB.例文帳に追加

カメラ３ｂの撮像画角は、超指向性スピーカー２が可聴音を放射する領域が示す角度と同じ角度であり、上記領域は、この領域の中心軸から音圧レベルが−６ｄＢに低下するまでの可聴音の放射領域である。 - 特許庁

In the electron emission region, a gate insulating layer 10 and a gate electrode 14 are formed on the silicon substrate 1 so as to enclose the periphery of the head part of a cathode 19, and an inter-layer insulating layer 21 and a focusing electrode 43 are formed on the upper layer of the gate electrode 14.例文帳に追加

電子放出領域においては、カソード１９の先端部周囲を取り囲むように、シリコン基板１にゲート絶縁層１０、ゲート電極１４が形成され、ゲート電極１４の上層には層間絶縁層２１、集束電極４３が形成されている。 - 特許庁

These laser array light source units 102 and 104 are disposed such that they are adjacent to each other in the second direction y, and the laser beam emission region is offset from the center of the respective laser array light source units 102 and 104 in the second direction y to an adjacent direction of the laser array light source units.例文帳に追加

これらのレーザアレイ光源ユニット１０２，１０４は、第２の方向ｙにおいて互いに隣接して配置されており、レーザ光出射領域は、個々のレーザアレイ光源ユニット１０２，１０４の第２の方向ｙの中心からレーザアレイ光源ユニットの隣接方向にオフセットしている。 - 特許庁

Etching treatment is carried out so that a first electrode 18b is exposed in a region to become a light emission region.例文帳に追加

本発明は、半導体基板にＦＥＴを形成し、絶縁物１９の上端部に曲率半径を有する曲面を形成し、該曲面に合わせて第１の電極１８ｃ、１８ｄの一部が露呈して斜面が形成され、発光領域となる領域に第１の電極１８ｂが露呈するようにエッチング処理する。 - 特許庁

An embedded oxide layer 112 serving as a lower clad is provided on a substrate part 111, and a silicon thin line core 105 and an upper clad layer 106 formed so as to embed the silicon thin line core 105 are formed on an emission region on the embedded oxide layer 112, and thereby the light waveguide is constituted.例文帳に追加

基板部１１１の上には下部クラッドとなる埋め込み酸化層１１２が設けられ、埋め込み酸化膜１１２の上の発光領域には、シリコン細線コア１０５と、シリコン細線コア１０５を埋めるように形成された上部クラッド層１０６が形成され、光導波路が構成されている。 - 特許庁

In an electron beam exposure method, the irradiation effective region 2 is an electron emission region which effectively contributes to exposure, and the irradiation limited region 1 is a region which does not contribute directly to exposure and which emits electron beams to be shielded by an aperture electrode in an electron gun or a column, if not limited.例文帳に追加

照明有効領域２は電子ビーム露光法において、露光に寄与する有効な電子放射領域であり、照射制限領域１は露光には直接寄与せず、制限されていなければ電子銃またはカラム内のアパーチャ電極で遮蔽される電子ビームを放射する領域である。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device which can be prevented from decreasing in light emission intensity and increasing in leak current not by giving damage to a light emission region of a semiconductor light emission layer caused by mechanical stress or a shock during wire bonding.例文帳に追加

ワイヤボンディング時の機械的ストレスや衝撃により半導体発光層の発光領域にダメージを与えないようにして、発光強度の低下やリーク電流の増大を防止することができる半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve luminance while cumulative thickness of a diffuser and a prism sheet is not thicker than thickness of a light source device, a light shield does not stick to the surface part of the light guide plate other than an effective emission region of the light guide plate even if the light shield is pasted on a top part and either luminance deviation nor a luminance spot occurs.例文帳に追加

拡散体とプリズムシートとの累積した厚さが光源装置の厚さよりも厚くならず、最上部に遮光体を貼っても遮光体が導光板の有効出射領域外の導光板の表面部に貼りつかず、輝度偏差や輝度斑が発生せず、より輝度を向上させる。 - 特許庁

A light absorbing layer 24 and an adhesion layer 25 are provided on the surface opposed to the rear surface of the liquid crystal display element 11 of the reflection base sheet 22 and an adhesion layer 28 is provided at an outer peripheral part which surrounds an effective light emission region inside on the other surface opposed to the backlight 31.例文帳に追加

反射ベースシート２２の液晶表示素子１１の背面に対向させた面には光吸収層２４および粘着層２５が設けられ、他方のバックライト３１に対向させた面の有効発光領域を内側に囲む外周部には粘着層２８が設けられている。 - 特許庁

To provide a reliable vertical cavity surface emitting laser which isolates a region where a current of an upper DBR layer having a laser beam emission region exists from a semiconductor surface, and suppresses growth of the dislocation starting at the semiconductor surface is accelerated by the current.例文帳に追加

レーザ光出射領域を備えた上部ＤＢＲ層の電流が存在する領域と半導体表面を分離し、半導体表面を始点とする転移の成長が、電流により加速されることを抑制し、信頼性の高い垂直共振器型面発光レーザを提供する。 - 特許庁

To provide an electroluminescent element in which the constituting layer in the emission region that is almost impossible of patterning is formed uniformly and in high quality membrane and the patterning is performed in wide a viscosity range and in wide selections of use of solvent, and which can be manufactured in a short time.例文帳に追加

パターニングが不可能とされる発光領域の構成層が均一かつ高膜質にパターン化して形成されている上に、そのパターン化が幅広い粘度範囲及び広範囲の溶剤の選択使用下で行える短時間に製造可能な電界発光素子を提供すること。 - 特許庁

The laser diode includes a laminate structure 20 including a lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 15A, an active layer 16 having a light emission region 16A, an upper spacer layer 15B, a current narrowing layer 17, an upper DBR mirror layer 18 and a contact layer 19 in the order from the side of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。 - 特許庁

To provide an organic EL device capable of performing luminance control according to the ratio of an emission region occupied in the entire display region without changing voltage to be applied according to the ratio, and provide a drive method thereof and an electronic device having the organic EL device.例文帳に追加

全表示領域に占める発光領域の割合に応じて印加する電圧を変化させることなく、その割合に応じた輝度制御を行うことができる有機ＥＬ装置及びその駆動方法、並びに当該有機ＥＬ装置を備える電子機器を提供する。 - 特許庁

A pulse laser beam stimulated from a pulse laser oscillator 21 is emitted to an electrode region including IDT electrodes 3 and reflectors 4, at least part of the emission region is eliminated by means of multiphoton absorption caused by the emission of the pulse laser beam to adjust the frequency of the surface acoustic wave element.例文帳に追加

パルスレーザ発振器２１から発振されたパルスレーザビームをＩＤＴ電極３と反射器４とを含む電極領域に照射し、パルスレーザビームの照射により生じる多光子吸収を介して照射領域の少なくとも一部を除去して弾性表面波素子の周波数調整を行う。 - 特許庁

In short, GaN doped with n-type impurity such as Si, and GaN doped with p-type impurity such as InGaN and Mg, are sequentially epitaxial-grown on the recess 1a to form an n-type clad layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 for a high efficient and high output light emission region 2a.例文帳に追加

すなわち、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされたＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｍｇ等のｐ型不純物がドープされたＧａＮを凹陥部１ａ上に順次エピタキシャル成長させ、ｎ型クラッド層３、活性層４、ｐ型クラッド層５を形成し、高効率かつ高出力な発光領域２ａを得る。 - 特許庁

The inspection method of resin coating at the terminal section of liquid crystal displays coats the terminal section of the liquid crystal displays with resin containing a material that emits with specific wavelength light, applies light including specific wavelength light to the obtained resin coating in inspection, and judges whether the emission region of the resin coating is appropriate or not.例文帳に追加

液晶表示装置の端子部における樹脂コーティングの検査方法であって、液晶表示装置の端子部分を特定波長光で発光する材料を含有する樹脂でコーティングし、得られた樹脂コーティングに検査時に特定波長光を含む光を照射し、樹脂コーティングの発光領域の良否を判定する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and device of an electroluminescent element in which the constituting layer in the emission region that is almost impossible of patterning is formed uniformly and in high quality membrane and the patterning is performed in a wide viscosity range and in wide selections of use of solvent, and which can be implemented in a short time.例文帳に追加

パターニングが不可能とされる発光領域の構成層を均一かつ高膜質にパターン化して形成する上に、そのパターン化を幅広い粘度範囲及び広範囲の溶剤の選択使用下で行える短時間に実施可能な電界発光素子の製造方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

Next, when the electron beam is applied on a region on both sides of the center part on the screen, the electron beam is emitted from electron emission parts 15 in an electron emission region 110 having a matrix-shape of nine rows by five columns narrower than the region 100 (Fig. 6 (b)).例文帳に追加

次に、スクリーン上における上記中央部の両サイドの領域に電子ビームを照射する場合には、上記領域１００よりも幅狭である９行×５列のマトリクス状の形状を有する電子出射領域１１０内における電子出射部１５から電子ビームを出射させる（図６（ｂ））。 - 特許庁

Since the system comprising the second wavefront controller 36 and the photodetector 33 is linear, a feedback control using a prescribed transfer function is applied, and the wavefront is controlled so that propagation directions of the light exiting from the distortion-generating element 27 are aligned over the whole emission region on the basis of the information obtained by the photodetector 33.例文帳に追加

第２波面制御器３６と光検出器３３により形成される系は線形であるため、所定の伝達関数を用いたフィードバック制御を適用し、光検出器３３で得られた情報に基づき、歪み生成素子２７から出力される光の進行方向を全射出領域に亘って揃えるように波面を制御する。 - 特許庁

Further, the nonvolatile optical memory has a distribution Bragg reflection layer 4 formed on the semiconductor active layer 3 of a light emission region 10a by alternately laminating semiconductor films differing in refractive index, and a ferromagnetic electrode 5, having a magnetization direction perpendicular to a surface of the semiconductor active layer 3, at a part on the semiconductor active layer 3 of a light reception region 10b.例文帳に追加

発光領域１０ａの半導体活性層３上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層４と、受光領域１０ｂの半導体活性層３上の一部に、半導体活性層３の表面に対して垂直の磁化方向を有する強磁性電極５とを備えている。 - 特許庁

A stripe-shaped light emission region is stacked and formed on a semiconductor substrate 1, a semiconductor layer is stacked for laser stimulation, a semiconductor lamination part 9 is formed, a first dielectric film 17 is formed to one end of the semiconductor lamination part 9, in such a way that the reflectance is decreased and reaches a prescribed reflectance, and a second dielectric film 18 is formed to the other end.例文帳に追加

半導体基板１上に積層され、ストライプ状発光領域を形成し、レーザ発振するように半導体層が積層され、半導体積層部９が形成され、その一端部に、反射率を下げて所定の反射率になるように第１の誘電体膜１７が形成され、他端部に第２の誘電体膜１８が形成されている。 - 特許庁

An organic EL layer 20b is formed in a substantially uniform solvent atmosphere by turning solvent partial pressures in the atmosphere in the light emission region E maintained in uniform by a vapor of a solvent volatilized from a storing tank 64 after the solvent dissolving a raw material of a hole transport layer 20d and a light emission layer 20e is injected in the storing tank 64.例文帳に追加

正孔輸送層２０ｄ及び発光層２０ｅの原料が溶解される溶媒を貯留溜６４に注入した後、この貯留溜６４から揮発した溶媒の蒸気によって、発光領域Ｅにおける雰囲気中の溶媒分圧を均等に維持した状態にすることにより、略均一な溶媒雰囲気下において有機ＥＬ層２０ｂを形成する。 - 特許庁

In two small regions (first small region and second small region) formed outside the central part of the emitting region within an emission region, there are formed a mode filter 115A and a mode filter 115B of dielectric films at an optical thickness of λ/4 to reduce the reflectance of each small region to be lower than that of the central part of the emitting region.例文帳に追加

射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域と第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする誘電体膜であるモードフィルタ１１５Ａ及びモードフィルタ１１５Ｂがλ／４の光学的厚さで形成されている。 - 特許庁

The organic electroluminescence element includes a base board 1 on which at least an anode 2 to inject holes, a light emitting layer 4 having a light emission region, and a cathode to inject electrons are provided, wherein the area of the light emission part including the light emitting layer is formed greater than the area of an opening to take out the light from the light emitting layer.例文帳に追加

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１上に、少なくとも正孔を注入する陽極２と、発光領域を有する発光層４と、電子を注入する陰極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層を含む発光部の面積は、前記発光層からの光を取り出す開口部の面積よりも大きく形成されている構成よりなる。 - 特許庁

This field emission electron source includes an electron emission region, a gate electrode to extract electrons and a gate insulating layer, and a hole 3 or small hole provided in a support board 1 is filled with particulates consisting of electron emitting material, and a different cathode wiring 2 free of restriction on the material and composition to form the element is made practicable to intersect a gate electrode wiring 6 perpendicularly.例文帳に追加

電子放出領域と、電子を引き出すゲート電極と、ゲート絶縁層を有する電界放出電子源において、電子放出材料の微粒子を支持基板１に配設されたホール３、又は細孔内に充填させ、素子を形成する材料、構成に制限のない相違するカソード配線２とゲート電極配線６を直交させることを可能にする。 - 特許庁