「"insulation protection"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

THERMAL INSULATION PROTECTION MEMBER FOR PIPE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

パイプ用断熱保護部材およびその製造方法 - 特許庁

To enable highly reliable insulation protection at low cost.例文帳に追加

低コストで信頼性の高い絶縁保護を可能とする。 - 特許庁

FIRE-RESISTANT SOLDER RESIST COMPOSITION, INSULATION PROTECTION MEMBRANE, AND PRINTED WIRING BOARD例文帳に追加

難燃性ソルダーレジスト組成物、絶縁保護皮膜及びプリント配線板 - 特許庁

The printed wiring board has the insulation protection membrane.例文帳に追加

この絶縁保護皮膜を有することを特徴とするプリント配線板。 - 特許庁

The insulation protection membrane is obtained by curing the fire-resistant solder resist composition.例文帳に追加

この難燃性ソルダーレジスト組成物を硬化させて得られた絶縁保護皮膜。 - 特許庁

An insulation protection film 13 is formed around the region of the land 14 for soldering.例文帳に追加

ハンダ用ランド１４の領域周辺には絶縁性の保護膜１３が形成されている。 - 特許庁

The insulation protection film 17 is formed of a principal material such as silicon oxide.例文帳に追加

この絶縁保護膜１７は、例えば酸化シリコンを主材料として構成することができる。 - 特許庁

Thus, a problem that a hole is made in the insulation protection film of a wiring arrangement except the bonding pad is solved in the etching process for opening the bonding pad is solved, and a defect of the insulation protection film is prevented.例文帳に追加

これにより、ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程においてボンディングパッド上以外の配線配置部絶縁保護膜に穴が開く問題を解決し、絶縁保護膜の欠損を防止する。 - 特許庁

Insulation protection films 17 are formed at upper sides of the IDTs 13, 14 with patterns nearly equal to the IDTs.例文帳に追加

前記ＩＤＴ１３、１４の上面には、これらとほぼ等しいパターンで絶縁保護膜１７が設けられている。 - 特許庁

Then it is characterized in that the cut angle θ is 126 to 150°and the normalized film thickness Hz/λ of the insulation protection film (wherein Hz is an average thickness of the insulation protection film, and λ is a wavelength of the surface acoustic traversal wave) is 0.02 to 0.4.例文帳に追加

そして、カット角θが、１２６〜１５０°であり、絶縁保護膜の規格化膜厚Ｈｚ／λ（Ｈｚは絶縁保護膜の平均厚さを示し、λは横波型弾性表面波の波長を示す。）が、０．０２〜０．４であることを特徴とする。 - 特許庁

The pole insulation protector 2 is used for insulation protection of a pole 10 when construction is performed using an indirect hot-line tool 13.例文帳に追加

電柱絶縁防具２は、間接活線工具１３を用いた工事を行う際に、電柱１０を絶縁保護するものである。 - 特許庁

An insulation protection bracket 18 for insulation from a coil core 4 is provided on the stop terminal 15 close to the coil core 4.例文帳に追加

コイルコア４に近接するストップ端子１５に、コイルコア４との絶縁分離のための絶縁保護ブラケット１８を装着する。 - 特許庁

To provide a fire-resistant solder resist composition having excellent heat resistance, moisture-proofness and high reliability by providing high level fire resistance, and to provide an insulation protection membrane obtained by curing the fire resistant solder resist composition, and a printed wiring board having the insulation protection membrane.例文帳に追加

高水準の難燃性を備え、且つはんだ耐熱性、耐湿性、高信頼性にも優れた難燃性ソルダーレジスト組成物、該難燃性ソルダーレジスト組成物を硬化させて得られた絶縁保護皮膜及び該絶縁保護皮膜を有するプリント配線板の提供。 - 特許庁

In the surface acoustic wave element wherein interdigital electrodes 12 each stimulating a surface acoustic wave on a piezoelectric substrate 11 and an insulation protection film for protecting the interdigital electrodes 12 are arranged, the insulation protection film is configured of a plurality of layers of insulation films 13, 14 with different densities.例文帳に追加

圧電基板１１上に弾性表面波を励振するための櫛歯型電極１２と該櫛歯型電極１２を保護するための絶縁保護膜とを配置する弾性表面波素子において、前記絶縁保護膜を密度の異なる複数層の絶縁膜１３、１４で構成する。 - 特許庁

Furthermore, a manufacturing method for the high polymer EL element enabling high productivity and winding production is provided by forming the insulation protection layer by an application method.例文帳に追加

さらにはこの絶縁保護層を塗布法によって形成することで、生産性の高い巻き取り生産の可能な高分子ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cable core 1 has a structure in which a former 11, a superconducting conductor layer 12, an insulating layer 13, a return circuit conductor layer 14, and an insulation protection layer 15 are arranged coaxially, in the order starting from the center.例文帳に追加

ケーブルコア1は、中心から順にフォーマ11、超電導導体層12、絶縁層13、帰路導体層14、絶縁保護層15を同軸状に配置した構造である。 - 特許庁

Then, a surface where a dielectric multilayer film mirror 111 of an electrooptical crystal 110 is formed is arranged closet to the insulation protection film 104 on the metal terminal 106.例文帳に追加

そして、その金属端子１０６上で、電気光学結晶１１０の誘電体多層膜ミラー１１１が形成された面を、絶縁保護膜１０４に近づけて配置する。 - 特許庁

The substrate 11 comprises: on one of surfaces thereof, a first electrode 12a as well as a first terminal 12d; first wiring 12b and 12c connecting the first electrode 12a and the first terminal 12d; a first insulation protection membrane 13 covering the first electrode 12a; and a first corrosion layer 14 arranged on the first insulation protection membrane 13.例文帳に追加

この基板１１の一方の面上には、第１の電極１２ａ及び第１の端子１２ｄと、第１の電極１２ａと第１の端子１２ｄとの間を接続する第１の配線１２ｂ，１２ｃと、第１の電極１２ａを覆う第１の絶縁保護膜１３と、第１の絶縁保護膜１３上に配置された第１の腐食層１４とを有する。 - 特許庁

The substrate 11 also comprises: on the other surface, a second electrode 15a as well as a second terminal 15d; second wiring 15b and 15c connecting the second electrode 15a and the second terminal 15d; a second insulation protection membrane 16 covering the second electrode 15a; and a second corrosion layer 17 arranged on the second insulation protection membrane 16.例文帳に追加

また、基板１１の他方の面上には、第２の電極１５ａ及び第２の端子１５ｄと、第２の電極１５ａと第２の端子１５ｄとの間を接続する第２の配線１５ｂ，１５ｃと、第２の電極１５ａを覆う第２の絶縁保護膜１６と、第２の絶縁保護膜１６上に配置された第２の腐食層１７とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a surface acoustic wave filter having an etching method for an insulation protection film where the process is completed in a short time without eroding a terminal electrode.例文帳に追加

端子電極が侵食される危険性がなく、短時間での工程完了が可能な絶縁保護膜のエッチング方法を有する弾性表面波フィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

An integrated circuit, where a wiring electrode 103 is formed on a circuit substrate 101 via an insulation film 102 and an insulation protection film 104 and the like are formed on it, is to be a testing object.例文帳に追加

回路基板１０１上に絶縁膜１０２を介して配線電極１０３が形成され、その上に絶縁保護膜１０４などが形成された集積回路が試験対象となる。 - 特許庁

Further, the surface acoustic wave element 11 is provided with reflectors 15, 16 and the insulation protection films 17 are also formed at upper sides of the reflectors 15, 16 with pattern nearly equal to the reflectors.例文帳に追加

また、この弾性表面波素子１１には、反射器１５、１６が設けられ、これらの反射器１５、１６の上面にも、これらとほぼ等しいパターンで絶縁保護膜１７が設けられている。 - 特許庁

Since a wiring interval becomes narrow in the bend, ends (105 and 105') grown from ends of adjacent wirings in the insulation protection film formed of a plasma CVD method and the like are brought into contact with one another in the bend and are closed.例文帳に追加

屈曲部において配線間隔が狭くなるから、プラズマＣＶＤ法などで形成した絶縁保護膜の、隣接する配線の端部から成長した端部（１０５，１０５’）が屈曲部においても接触して閉じる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be manufactured without adding a process where a defect part does not occur in an insulation protection film and the manufacturing cost is raised after an etching process for opening a bonding pad, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程後、絶縁保護膜に欠損部が発生せず、製造コスト上昇となる工程の追加無しに製造できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flat cable capable of protecting plural parallel conductors and performing insulation, protection and fixing at the same time in simple constitution, a manufacturing method for easily manufacturing the cable, and an insulating sheet for use in it.例文帳に追加

簡単な構成で並行する複数の導体の保護と絶縁又は保護と固定を併せて行うことができるフラットケーブルと、これを容易に製造することができる製造方法、並びにそれらに用いる絶縁シートを提供する。 - 特許庁

To provide a seal for insulation protection which exhibits excellent workability while shortening the lead time when a stripped portion of a high voltage component mounted on a printed board is covered with a silicon rubber for insulation.例文帳に追加

本発明は絶縁保護用シールに関し、プリント配線板に実装した高電圧部品のピンの剥き出し部分をシリコンゴムで覆って絶縁するに当たり、作業性に優れ、リードタイムの短縮化を図った絶縁保護用シールを提供することを目的とする。 - 特許庁

In this manufacturing method of a chip varistor, after an external electrode 13 and an insulation protection layer 14 are formed in a surface of a varistor unit 11 with an inner electrode 12 and the varistor unit 11 is subjected to heat treatment, a plating layer 15 is formed on the external electrode 13.例文帳に追加

内部電極１２を備えたバリスタユニット１１の表面に外部電極１３及び絶縁保護層１４を形成し、このバリスタユニット１１を熱処理した後、外部電極１３上にめっき層１５を形成するチップバリスタの製造方法。 - 特許庁

A band-like magnetic shield plate 24 is adhered to a U-shaped insulation protection plate 23 having a sidewall 25 along the direction of leakage magnetic flux leaking to the space from the coil, and it is fixed onto a base 21 by means of claws 26 which are provided attachably/detachably on its both ends.例文帳に追加

コイルから空間に漏れる漏洩磁束の方向に沿って、側壁２５を有するコの字型の絶縁保護板２３に帯状の磁気シールド板２４を密着し、両端に設けた着脱可能な嵌合する爪部２６でベース２１に固定する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 includes: a crystal substrate 2 wherein the Euler's angle is expressed as (0, θ, ψ); an IDT 3, reflectors 4, 5 provided on the substrate 2; and an insulation protection film selectively provided to upper faces of the reflectors 4, 5.例文帳に追加

弾性表面波素子１は、基板２としてオイラー角が（０、θ、ψ）で表される水晶基板を有し、この基板２上に設けられたＩＤＴ３および反射器４、５と、ＩＤＴ３および反射器４、５の上面に選択的に設けられた絶縁保護膜とを有している。 - 特許庁

In this high polymer electroluminescent element constituted by laminating at least an electrode, a high polymer light emitting layer, and an opposing electrode on a substrate, an insulation protection layer is provided between the high polymer light emitting layer and the opposing electrode to prevent leak and short circuit of the element caused by defective patterning.例文帳に追加

基板上に少なくとも電極と高分子発光層と対向電極を積層してなる高分子エレクトロルミネッセンス素子において、高分子発光層と対向電極との間に絶縁保護層を設けることでパターニング不良などに起因する素子のリークや短絡を防止する。 - 特許庁

For semiconductor elements mounted on at least one side of the film substrate that has electrodes, insulation protection portions are formed on the desired surface to counter the electrodes, and the gap between the semiconductor element and the film substrate is set to be at least 10 μm or over.例文帳に追加

電極を有するフィルム基板の少なくとも一方の面に実装される半導体素子において、電極と対向する面の所望の位置に絶縁保護部が形成されており、半導体素子とフィルム基板とのギャップが少なくとも１０μｍ以上に設定されている。 - 特許庁

The SAW element 1 is formed by laminating a diamond layer 3, a ZnO piezoelectric layer 4, the IDTs 6, 8 comprising interdigital electrodes, and an SiO_2 insulation protection film 11 on a principal side of an Si substrate 2, Au particles 12 are uniformly coated to the surface of the SiO_2 substrate by sputtering to adjust the frequency of the SAW element.例文帳に追加

Ｓｉ基板２の主面にダイヤモンド層３とＺｎＯの圧電体層４と交差指電極からなるＩＤＴ６，８とＳｉＯ_２ の絶縁保護膜１１とを積層してＳＡＷ素子１を形成し、その表面にＡｕ粒子１２をスパッタリングで均一に被着させて、ＳＡＷ素子の周波数を調整する。 - 特許庁

In the resin sealing semiconductor device 1 in a form in the operation, a semiconductor bare chip 6 coated with an epoxy resin 9, and a surface mounting part 8 such as a chip capacitor; a chip resistor or the like are mounted on a specified wiring pattern on a glass epoxy board 10, and the packaging resin 12 for an insulation protection is formed on a lead terminal 13 and the board containing these parts.例文帳に追加

本実施の形態における樹脂封止型半導体装置１は、エポキシ樹脂９で覆われた半導体ベアチップ６、チップコンデンサやチップ抵抗などの表面実装部品８がガラスエポキシ基板１０上の所定の配線パターン上に実装されていて、リード端子１３およびこれらの部品を含む基板上に絶縁保護用の外装樹脂１２が設けられている。 - 特許庁