「"ion irradiation"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an ion irradiation device of long life, which can uniformly and efficiently apply ion irradiation treatment as a whole on an ion irradiation object part of an ion irradiation object workpiece.例文帳に追加

イオン照射対象物品のイオン照射対象部分に全体的に均一に、効率よくイオン照射処理を施すことができる寿命の長いイオン照射装置を提供する。 - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD FOR HAIR CLIPPER BLADE BY ION IRRADIATION例文帳に追加

イオン照射によるバリカン刃の表面処理方法 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR ION IRRADIATION PROCESSING例文帳に追加

イオン照射処理装置及びイオン照射処理方法 - 特許庁

FLUORESCENCE ANALYZING METHOD DUE TO SINGLE-ION IRRADIATION AND FLUORESCENCE ANALYZER例文帳に追加

シングルイオン照射による蛍光分析方法及び装置 - 特許庁

Higher platen power increases ion irradiation to a wafer.例文帳に追加

より高いプラテン電力は、ウェーハのイオン照射を増加させる。 - 特許庁

ION IRRADIATION OF TARGET WITH SUPER-HIGH AND SUPER-LOW KINETIC ION ENERGY例文帳に追加

超高および超低運動イオン・エネルギーによるターゲットのイオン照射 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR FILM DEPOSITION BY NEGATIVE ION IRRADIATION AND MULTI-SOURCE EVAPORATION例文帳に追加

負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法とその装置 - 特許庁

To provide an information display medium suitable for printing by ion irradiation.例文帳に追加

イオン照射による印字に適した情報表示媒体を提供する。 - 特許庁

To provide an ion irradiation apparatus capable of achieving both of clean ion irradiation for an object to be irradiated and close monitoring of ion beams.例文帳に追加

被照射物に対するクリーンなイオン照射と、イオンビームの厳重なモニタとを両立させることができるイオン照射装置を提供する。 - 特許庁

IRRADIATION DIRECTION-VARIABLE ION IRRADIATION DEVICE, AND SECONDARY ION MASS SPECTROMETER例文帳に追加

照射方向可変イオン照射装置および二次イオン質量分析装置 - 特許庁

ION BEAM PARALLELIZING DEVICE, ION IRRADIATION DEVICE AND ION SCATTERING SPECTRAL INSTRUMENT例文帳に追加

イオンビームの平行化装置、イオン照射装置及びイオン散乱分光装置 - 特許庁

MULTIVALENT ION IRRADIATION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF FINE STRUCTURE USING IT例文帳に追加

多価イオン照射装置及びそれを用いた微細構造の製造方法 - 特許庁

The recorder further comprises a surface potential sensor and ion irradiation is controlled by feeding surface potential of the recording head back to the ion irradiation unit.例文帳に追加

さらに、表面電位センサを備え、記録ヘッドの表面電位をイオン照射ユニットへフィードバックして、イオン照射量を制御するインクジェット記録装置。 - 特許庁

OPTICAL HYDROGEN SENSING MATERIAL USING ION IRRADIATION AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

イオン照射を用いた光学式水素検出材料及びその製造方法 - 特許庁

Alternately, an ion irradiation process is executed after the last divided implantation process.例文帳に追加

または、最後の分割注入過程の後にイオン照射工程が実行される。 - 特許庁

Air blowing to the processing object at the time of the ion irradiation is preferable.例文帳に追加

イオンの照射と共に、処理対象物にエアーを吹き付けるのが好ましい。 - 特許庁

ION GENERATING DEVICE, ION IRRADIATION DEVICE, ION GENERATING METHOD AND ION IMPLANTATION METHOD例文帳に追加

イオン発生装置、イオン照射装置、イオン発生方法およびイオン注入方法 - 特許庁

METHOD FOR GENERATING LIGHT ELEMENT CHARACTERISTIC X RAY FROM INSULATOR BY LOW ENERGY ION IRRADIATION例文帳に追加

低エネルギーイオン照射による絶縁体からの軽元素特性Ｘ線発生方法 - 特許庁

The ion beam device has a gas field ionization ion source, an ion irradiation light system, and a vacuum container.例文帳に追加

イオンビーム装置は、ガス電界電離イオン源とイオン照射光系と真空容器とを有する。 - 特許庁

METHOD FOR REFORMING AND REMOVING LSI PROTECTIVE FILM OR THE LIKE BY CATALYST EXCITATION WITH ION IRRADIATION例文帳に追加

イオン照射での触媒励起によるＬＳＩ保護膜等の改質除去方法及び装置 - 特許庁

An ion irradiation process is executed at least after the first divided implantation process.例文帳に追加

そして、少なくとも最初の分割注入過程の後にイオン照射工程が実行される。 - 特許庁

METHOD FOR GENERATING CHARACTERISTIC X-RAY FROM CONDUCTOR MATERIAL BY LOW ENERGY ION IRRADIATION AND ITS APPARATUS例文帳に追加

低エネルギーイオン照射による導電体物質からの特性Ｘ線発生方法とその装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING/EVALUATING ELEMENT IN CONDUCTIVE MATERIAL SAMPLE BY LOW ENERGY ION IRRADIATION例文帳に追加

低エネルギーイオン照射による導電体試料中の元素分析・評価方法とその装置 - 特許庁

Further, a far infrared irradiation or minus ion irradiation can be combined in a structurally compact form.例文帳に追加

さらに、構造的にコンパクトな形で、遠赤外線照射やマイナスイオン照射を併用することを可能とする。 - 特許庁

Pulsing primary ion is irradiated from the primary ion irradiation device 12 toward the surface of the metal sample 17.例文帳に追加

一次イオン照射装置１２から金属試料１７の表面に向けてパルス状の一次イオンが照射される。 - 特許庁

It is possible to obtain excellent processing characteristics and uniformity in both processes of ion irradiation and radical irradiation.例文帳に追加

イオン照射及びラジカル照射の両方の工程で良好な処理特性及び均一性を得ることができる。 - 特許庁

To reduce the frequency of replacement of a peripheral member which is consumed by ion irradiation of a plasma, and to stabilize the process characteristics.例文帳に追加

プラズマのイオン照射により消耗した周辺部材の交換頻度を減らし、プロセス特性の安定化を図る。 - 特許庁

Before the gas ion irradiation, the perpendicular magnetic recording layer contains platinum and at least one of iron and cobalt.例文帳に追加

ガスイオン照射を行なう前の垂直磁気記録層は、鉄及びコバルトのうち少なくとも１つ、及びプラチナを含有する。 - 特許庁

To provide an ion irradiation device capable of irradiating a sheet-shaped ion beam having large current and good uniformity on a target.例文帳に追加

大電流でしかも均一性の良いシート状のイオンビームをターゲットに照射することができるイオン照射装置を提供する。 - 特許庁

This secondary ion mass spectrometer includes this irradiation direction-variable ion irradiation device, a sample base, and a mass spectrograph.例文帳に追加

本二次イオン質量分析装置は、照射方向可変イオン照射装置と試料台と質量分析器とを含んでなる。 - 特許庁

Thereby, the density of ion irradiation in the depth direction on the surface of the object 20 is controlled and the distribution of Young's modulus is controlled.例文帳に追加

これによって、被処理物２０の表面における深さ方向のイオン照射密度を制御し、ヤング率分布を制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which solves a problem attributed to ion irradiation and which can obtain a favorable property.例文帳に追加

イオンの照射に起因する問題を解決した、良好な特性が得られる半導体基板を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a focused ion beam device capable of performing ion irradiation by removing neutral particles.例文帳に追加

本発明は集束イオンビーム装置に関し、中性粒子を除去してイオン照射が可能なようにした集束イオンビーム装置に関する。 - 特許庁

To optimize an ion irradiation angle when an inorganic alignment film is formed of SiO_2 by oblique vapor deposition using an ion assist in combination.例文帳に追加

イオンアシストを併用した斜方蒸着によりＳｉＯ_2からなる無機配向膜を形成する際のイオン照射角度を最適化する。 - 特許庁

More specifically, the ground plane film 1 is subjected to FIB processing (Ga ion irradiation) to remove a part of the film to make a structure having a recess.例文帳に追加

具体的には、グランドプレーン膜１に、ＦＩＢ加工（Ｇａイオン照射）により、膜の一部を除去して凹部を有する構造とする。 - 特許庁

The transmittance for light of an optical material is suppressed by laser irradiation at a time of ion irradiation without melting or softening the optical material for a crystal or amorphous transparent optical material in a damaging environment by an ion injection process or ion irradiation.例文帳に追加

イオン注入プロセスもしくはイオン照射損傷環境下における結晶質あるいは非晶質の透明性光学材料に対し、これら光学材料の溶融あるいは軟化を行うことなく、イオン照射と同時にレーザーを照射して光学材料の光透過率の低下を抑える。 - 特許庁

The ion irradiation part 300 irradiates an ion generated from an ion source 320 different from the plasma 700 to an outer peripheral part of the target 200.例文帳に追加

また、イオン照射部３００は、プラズマ７００と異なるイオン源３２０から発生したイオンをターゲット２００の外周部に対して照射する。 - 特許庁

By setting to the low frequency, an ion irradiation rate onto a semiconductor substrate of an H radical is raised, and the H_2 passivation effect of the semiconductor substrate is enhanced.例文帳に追加

低周波とすることで、Ｈラジカルの半導体基板へのイオン照射率を高め、半導体基板のＨ_２パッシベーション効果を高める。 - 特許庁

The board support part 13 supports the treatment board and changes the relative location of the treatment board to the location of ions irradiated by the ion irradiation part.例文帳に追加

基板保持部１３は、処理基板を保持し、イオン照射部が照射するイオンの位置との相対的な処理基板の位置を変化させる。 - 特許庁

The sputtering device 100 includes: a substrate holder 400; a target holding member 220; a power supply (not shown) for generating the plasma 700; and an ion irradiation part 300.例文帳に追加

このスパッタ装置１００は、基板ホルダ４００、ターゲット保持部材２２０、プラズマ７００を発生させる電源（不図示）、イオン照射部３００と、を備える。 - 特許庁

To reduce the necessary amount of ion irradiation and provide a large margin to the necessary energy of the irradiated ions when a cantilever is bent by IIB (Ion Induced Bending) technique.例文帳に追加

IIB技術で片持ち梁を曲げ加工するに際し、必要なイオン照射量を低減し、かつ、必要な照射イオンのエネルギに大きなマージンを与える。 - 特許庁

Next, an electrode including an Al electrode and a bonding electrode is formed on the ion irradiation layer to obtain the n-side electrode (an electrode formation step, a step S60).例文帳に追加

次に、イオン照射層上に、Ａｌ電極とボンディング電極とを含む電極を形成してｎ側電極とする（電極形成工程、ステップＳ６０）。 - 特許庁

Apart from this, a surface of a substrate 10 depositing the inorganic film 120 is irradiated 309 with the gas cluster ions by a gas cluster ion irradiation device 303.例文帳に追加

これとは別にガスクラスターイオン照射装置３０３で、無機膜１２０を蒸着させる基材１０表面に向けてガスクラスターイオンを照射３０９する。 - 特許庁

The single-crystal semiconductor is separated from the single-crystal semiconductor substrate by irradiation with accelerated ions, formation of a fragile layer by the ion irradiation, and heat treatment.例文帳に追加

単結晶半導体基板は、加速されたイオンの照射とそれに伴う脆化層の形成、及び熱処理により、単結晶半導体を分離する。 - 特許庁

The ion injection device 1 comprises an ion irradiation part 11 which can irradiate ions under different conditions for each of a plurality of regions on a treatment board.例文帳に追加

イオン注入装置１は、処理基板上の複数の領域のそれぞれに対して異なる条件でイオンを照射可能なイオン照射部１１を含む。 - 特許庁