「"ion implantation"」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a means for detecting alignment accuracy with high accuracy, in an ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入工程におけるアライメント精度を、高精度に検出する手段を提供すること。 - 特許庁

OXYGEN ION IMPLANTATION DEVICE AND SILICON WAFER WITH IMPLANTED OXIDE FILM MANUFACTURED BY USING THE DEVICE例文帳に追加

酸素用イオン打込み装置及びこれを用いて作製された埋込み酸化膜付シリコンウエハ - 特許庁

Consequently, a via hole surrounded by a deep ion implantation region 9 can be formed.例文帳に追加

その結果、深いイオン注入領域９で取り囲まれたバイアホールを形成することができる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR THROUGH ION IMPLANTATION AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

イオンの注入による窒化物半導体の形成方法及びこれを利用して製造した電子素子 - 特許庁

The ferromagnetic storage domains may be formed in the multiferroic thin film by an ion implantation process.例文帳に追加

強磁性記憶ドメインは、イオン注入プロセスによってマルチフェロイック薄膜中に形成される。 - 特許庁

The order, in which the ion-implantation step is performed, may be changed as required.例文帳に追加

本発明においては、必要に応じてイオン注入ステップを実施する順番を変更しても良い。 - 特許庁

After the ion implantation, a substrate having the above structure is subjected to high temperature activation annealing.例文帳に追加

さらに、前記イオン注入後、この構造を持つ基板に対し、高温活性化アニールを施す。 - 特許庁

The three-layer insulating film in the portion of ion implantation is removed thereafter, and the resist mask is removed.例文帳に追加

その後、イオン注入された部分の３層絶縁膜を除去し、また、レジストマスクを除去する。 - 特許庁

A mask material 18 for ion implantation is formed on a principal surface of a SiC semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体基板１０の主面上にイオン注入用マスク材１８を形成する。 - 特許庁

Thereby, use of epitaxial growth, ion implantation or the like in ultra-high vacuum is unnecessary.例文帳に追加

したがって、超高真空中でのエピタキシャル成長やイオンインプランテーションなどを用いる必要がない。 - 特許庁

A damage layer 10 is formed by injecting an impurity into an Si wafer 6 by performing ion implantation.例文帳に追加

Ｓｉウェハ６にイオン注入法で不純物を注入し、ダメージ層１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method of generating an ion implantation distribution and a simulation thereof which can accurately reproduce actual ion implantation distribution, over a range extending from an energy level of as low as 1 keV, to an energy level of as high as several MeVs.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、１ｋｅＶ程度の低エネルギー領域から数ＭｅＶの高エネルギー領域に渡って、実際のイオン注入分布を精度良く再現する。 - 特許庁

A standard specimen is prepared by ion implantation of an element C into a basal plate composed of the same base material as a specimen containing an element C to be measured under the ion implantation conditions set.例文帳に追加

測定対象の元素Ｃが含まれている試料と同一の母材より構成された基板に、元素Ｃを設定されたイオン注入条件でイオン注入して標準試料を作製する。 - 特許庁

Then, a high-concentration p-type diffusion layer 108 is formed by ion implantation, and a high-concentration n-type diffusion layer 109 is formed at the upper portion of the high-concentration p-type diffusion layer 108 by ion implantation.例文帳に追加

その後、高濃度Ｐ型拡散層１０８をイオン注入により形成した後、高濃度Ｐ型拡散層１０８の上方に高濃度Ｎ型拡散層１０９をイオン注入により形成する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition for an ion implantation process which ensures a good profile, a small change in line width at the time of variation in film thickness, and large exposure latitude, and an ion implantation method using the same.例文帳に追加

プロファイル良好で、膜厚変動時の線幅変化が小さく、露光ラチチュードが広い、イオン注入工程用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたイオン注入方法を提供する。 - 特許庁

This surface treatment method is characterized in that ion implantation is applied to the surface of the implant member for the organism by a plasma ion implantation method to thereby form a surface modified layer with excellent wear resistance and corrosion resistance.例文帳に追加

プラズマイオン注入法を用いて、生体用インプラント部材表面にイオン注入を施し、耐摩耗性及び耐食性に優れる表面改質層を形成する、表面処理方法である。 - 特許庁

When the ion implantation process is started, the ion beam current measuring part 4 is disconnected from the direct current generator 6 by the operation of the exchange unit 7, and connected to the platen 2 to start ion implantation process.例文帳に追加

イオン注入処理開始時に、切り替えユニット７が動作し、イオンビーム電流計測部４は直流電流発生器６と接続を遮断し、プラテン２と接続され、イオン注入処理が開始される。 - 特許庁

The ion implantation at a high acceleration and a high dose may not be done, and if under conditions that two kinds or more of dopants are subjected to the ion implantation at an equal ratio and with the dose quantity adjusted, the given temperature characteristics can be obtained.例文帳に追加

高加速、高ドーズのイオン注入をしなくても、２種類以上のドーパントが同等の比でかつドーズ量が調整されてイオン注入されていれば、所定の温度特性が得られる。 - 特許庁

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method capable of suppressing the reduction of the well isolation breakdown voltage when the well is formed using a batch type ion implantation apparatus, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion implantation distribution generating method and a simulation device which give a physical significance to a proportionality coefficient ξ_L of a parameter L representing the extent of the tail of an ion implantation distribution on a tail function.例文帳に追加

イオン注入分布発生方法及びシミュレーション装置に関し、テール関数におけるイオン注入分布のテールの拡がりを表すパラメータＬの比例係数ξ_Ｌに物理的意味を持たせる。 - 特許庁

Subsequently, the resist 2 is dissolved and eliminated, a new resist 2 is applied, an opening part is formed on another place and the ion implantation is performed with another acceleration voltage different from the acceleration voltage in the ion implantation performed previously.例文帳に追加

続いて、レジスト２を溶解除去し、新しいレジスト２を塗布して、別の場所に開口部を設け、先に行ったイオン注入における加速電圧とは別の加速電圧でイオン注入を行う。 - 特許庁

By conduction ion implantation, layers 20 having disturbed state oxide film structures are formed on the tops of the sidewalls 15 due to the ion implantation, but the layers 20 are removed through anisotropic etching, which is performed on the oxide film.例文帳に追加

このとき、酸化膜サイドウォール１５の上部にはこのイオン注入により酸化膜構造の乱れた状態の層２０が形成されるが、その層２０を酸化膜の異方性エッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide an ion implantation method in which a carbon ion implantation current higher than 10 mA is achieved stably with high efficiency, and to provide a method of manufacturing silicon carbide utilizing the same method.例文帳に追加

安定的に高効率で、１０ｍＡ以上の炭素イオン注入電流を実現することができるイオン注入方法、及びそれを利用した炭化シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

Arsenic ion implantation 13 is conducted to a source-drain contact aperture of an N-channel MOS transistor, and ion implantation layers 14 are formed in an N^+ source layer 9 and an N^+ drain layer 10.例文帳に追加

本発明では、ＮｃｈＭＯＳトランジスタのソース・ドレインコンタクト開口部に砒素イオン注入１３を行い、Ｎ^＋ソース層９及びＮ^＋ドレイン層１０内にイオン注入層１４を形成する。 - 特許庁

To provide a simulation method of ion implantation distribution capable of performing calculations with high accuracy and at high speed even when ion implantation for large cluster-type molecule, such as octadecaborane B_18H_22 or the like, is carried out.例文帳に追加

オクタデカボランＢ_１８Ｈ_２２のような大きなサイズのクラスター型分子イオン注入であっても、高精度かつ高速に計算ができるイオン注入分布のシミュレーション方法を提供することにある。 - 特許庁

The ion-implantation is carried out at 0.05-50 μA/cm^2 ion current and the thickness of the ion implanted layer is changed by continuously changing the acceleration voltage in the ion-implantation.例文帳に追加

また、注入電流が０．０５μＡ／ｃｍ^２〜５０μＡ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入を行い、イオン注入時の加速電圧を連続的に変化させて、イオン注入層の厚みを変える。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which enables ion implantation of dopant to a deep region to result in activation without increasing a heat load and without using a high-energy ion implantation device.例文帳に追加

半導体の製造に際し、熱負荷を増大させることなく、また、高エネルギーのイオン注入機を必要とすることなく深い領域までドーパントを注入して活性化することを可能にする。 - 特許庁

The method for manufacturing the SIMOX wafer having a process of oxygen ion implantation has a process in which hydrogen ions are implanted by doses of 10^15-10^17/cm^2 either before or after the oxygen ion implantation process.例文帳に追加

酸素イオンを注入する工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、前記酸素イオン注入工程の前後いずれかで、水素イオンを、10^15〜10^17／cm^２のドーズ量で注入する工程を有する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

An imperfect embedded oxide film 12 is formed in the surface layer by decreasing an ion implantation amount of oxygen in the surface layer of a silicon wafer 11 and heat-treating an ion implantation layer 15 during low temperature epitaxial growth.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１の表層への酸素のイオン注入量を低減し、イオン注入層１５を低温のエピタキシャル成長時に熱処理し、表層に不完全埋め込み酸化膜１２を形成する。 - 特許庁

To make ion implantation possible even when a raw material of ions intended to be implanted into a substrate is a solid such as chromium, iron or carbon, and to achieve a sufficient effect by ion implantation.例文帳に追加

基体に注入したいイオンの原料がクロム、鉄、炭素のような固体状のものであってもイオン注入を可能にし、且つ十分なイオン注入効果が得られるようにすることにある。 - 特許庁

An ion implantation process 110 of impurity ions, an ion implantation process 120 of Si+ ions and a heat treatment process 130 are performed in this order in a wafer treatment process 100 for an Si substrate.例文帳に追加

ウェハ処理工程１００では，Ｓｉ基板に対して，不純物イオンのイオン注入工程１１０とＳｉ＋イオンのイオン注入工程１２０と熱処理工程１３０とが順次行われる。 - 特許庁

A first impurity ion implantation for doping impurities to a silicon film 8 and a second impurity ion implantation for bringing the upper part of the film 8 into an amorphous state are performed separately from each other at room temperature.例文帳に追加

シリコン膜８へ不純物ドーピングするための第１不純物のイオン打ち込みと、シリコン膜８の上部をアモルファス化するための第２不純物のイオン打ち込みとを室温で別々に行う。 - 特許庁

To provide an ion implantation apparatus which may reduce shift of ion implantation quantity without calculating the beam neutralization (beam ionization) even when ion species, beam current, implantation energy, and resist material, etc., are different by ion implanting under a pressure within a chamber of more than 1×10-4 Torr so as to prevent shift of ion implantation amount in ion implantation process during manufacture of semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるイオン注入において、注入量のシフトを防ぐためにチャンバ内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上の状態にしてイオン注入することにより、イオン種、ビーム電流、注入エネルギー、レジスト材料などが異なる場合でも、ビーム中性化（又はイオン化）の計算を行うことなく、イオン注入量のシフトを少なく抑えたイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

In this case, the opening for exposing a part of the substrate is provided at the insulating layer, before being subjected to ion-implantation.例文帳に追加

この場合、基板の一部を露出する開口を絶縁層に設けた後イオン注入を実施する。 - 特許庁

A formation depth d1+tx from a first main surface J of an ion implantation layer 4 for peeling in a process for forming the ion implantation layer for peeling is adjusted by the energy of ion implantation, to adjust the thickness of a coupling silicon single crystal thin film 15 according to the thickness of the SOI layer 5 to be obtained.例文帳に追加

得るべきＳＯＩ層５の厚さに応じて結合シリコン単結晶薄膜１５の厚さを調整するために、剥離用イオン注入層形成工程における剥離用イオン注入層４の第一主表面Ｊからの形成深さｄ１＋ｔｘを、イオン注入のエネルギーにより調整する。 - 特許庁

To provide a method for confirming an ion implantation status in which ununiformity of ion implantation caused by malfunctions of equipment during the ion implantation, or the like is detected in a early stage and without any difficulty to permit the quality stabilization of a product and the reduction of the failure period thereof; and a method for manufacturing a semiconductor wafer utilizing the same.例文帳に追加

イオン注入時の装置上の不具合などによるイオン注入の不均一性を早期に、かつ、容易に発見し、製品の品質安定化、故障期間の短縮化を図ることができるイオン注入状況の確認方法とそれを利用した半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

As for the high-voltage transistor, because the ion implantation is performed through the gate insulating film 11a, the high concentration impurity diffusion region is formed shallower.例文帳に追加

高電圧トランジスタについてはゲート絶縁膜１１ａを介して行うので、浅く形成される。 - 特許庁

The pattern inspecting method includes: a film forming process of forming a film on a substrate; an ion implantation pattern forming process S12 of forming an ion implantation pattern on the film through an opening pattern formed on a stencil mask; and an optical inspecting process S13 of optically inspecting the ion implantation pattern based upon the opening pattern.例文帳に追加

基板上に膜を形成する膜形成工程と、ステンシルマスクに形成された開口パターンを通じて前記膜にイオン注入パターンを形成するイオン注入パターン形成工程Ｓ１２と、イオン注入パターンを開口パターンに基づいて光学的に検査する光学的検査工程Ｓ１３とを備える。 - 特許庁

The part having a high content of nonmagnetic atoms is formed by performing ion implantation of nonmagnetic atoms 22.例文帳に追加

非磁性原子の含有率の高い部分は、非磁性原子２２をイオン注入することによって形成する。 - 特許庁

To improve film thickness uniformity of an SOI layer by paying attention to temperature unevenness of a wafer during oxygen ion implantation.例文帳に追加

酸素イオン注入時のウェーハ温度むらに着目し、ＳＯＩ層の膜厚均一性を向上させる。 - 特許庁

When the ion implantation is performed, the interlayer dielectric 11 is withdrawn and the source electrode 10 is formed.例文帳に追加

また、このイオン注入の後、層間絶縁膜１１を後退させ、ソース電極１０を形成する。 - 特許庁

A support is then bonded to the insulating film, and the piezoelectric substrate with the ion implantation layer formed thereon is heated.例文帳に追加

そして、この絶縁膜に支持体を接合し、イオン注入層が形成された圧電基板を加熱する。 - 特許庁

Then an n-type source region 9 is formed in the substrate 1 by injecting arsenic (As^-) into the substrate 1 through ion implantation and thermal diffusion.例文帳に追加

次に、ヒ素（Ａｓ^−）をイオン注入、熱拡散して、ｎ＋型のソース領域９を形成する。 - 特許庁