「"isolation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device uses a single-crystal semiconductor substrate 101, and includes a recessed portion 130 on the reverse surface of the semiconductor substrate where a driving electrode 120 and an element isolation region 102 overlap with each other in a plane.例文帳に追加

半導体装置は、単結晶半導体基板１０１を用い、この半導体基板の裏面の、駆動電極１２０と素子分離領域１０２とが平面的に重なる部分に凹部１３０を有する。 - 特許庁

On the main surface of a semiconductor substrate 1, a thick silicon oxide film 2 which functions as an element isolation region is formed and a first electrode 6 is formed on the silicon oxide film 6 in a peripheral circuit region.例文帳に追加

半導体基板１の主面に素子分離領域として機能する厚いシリコン酸化膜２を形成し、周辺回路領域のシリコン酸化膜２上に第１電極６を形成する。 - 特許庁

The carrier capturing region is made deeper than the trench isolation region, and the minority carrier capturing region, the majority carrier capturing region, and the MOS transistor are arranged sequentially from the well end.例文帳に追加

キャリア捕獲領域の深さはトレンチ分離領域の深さよりも深くして、ウエル端に近い順に、少数キャリア捕獲領域、多数キャリア捕獲領域、ＭＯＳ型トランジスタとなるように配置した。 - 特許庁

In this configuration, the both driving currents in the n-channel transistor Qn and the p-channel transistor Qp can be increased without changing the sizes of the active regions A and the device isolation region IS.例文帳に追加

この構成により、活性領域Ａ、素子分離領域ＩＳの寸法を変更することなく、ｎチャネルトランジスタＱｎとｐチャネルトランジスタＱｐの駆動電流をともに増加させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has a constitution capable of securing high quality and high reliability even when an aspect ratio in an element isolation region of an STI structure becomes high, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＴＩ構造素子分離領域のアスペクト比が高くなっても品質及び信頼性の高さを確保することが可能な構成を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

As described above, since activation annealing is performed by use of the radiant heat, it is possible to reduce a difference in temperatures between an end of an activation region and an element isolation region, similarly to the case of using a diffusion furnace.例文帳に追加

このように、輻射熱を用いて活性化アニールが行われるため、活性領域端と素子分離領域との温度差は、拡散炉を用いた場合と同様に小さくすることができる。 - 特許庁

In this way, a side surface portion 12a of a field oxide film 12 constituting an element isolation region 12 is exposed and the recess portion 13a gets surrounded by the side surface portion 12a of the field oxide film.例文帳に追加

これにより、素子分離領域１２を構成するフィールド酸化膜１２の側面部分１２ａが露出し、凹部１３ａの周囲がフィールド酸化膜の側面部分１２ａで囲まれた状態となる。 - 特許庁

As the result, even if a recessed part 16 is produced at a boundary between the element forming region Ac and the element isolation region Is because the thermal oxide film 15 is corroded when the oxide film is removed, the recessed part 16 can be filled up with the deposit film 17.例文帳に追加

その結果、酸化膜の除去の際、熱酸化膜が侵食され素子形成領域と素子分離領域との境界に凹部１６が生じても、堆積膜１７で埋め込むことができる。 - 特許庁

A drain of the transistor 110 is separated from the transistor 110 by a second element isolation region 140 as an electrostatic protective circuit of this transistor 110, and first and second N-type diffused regions 114 and 150 are formed in the substrate 100.例文帳に追加

このＭＯＳトランジスタ１１０の静電気保護回路として、そのドレインが第２の素子分離領域１４０により分離され、第１，第２のＮ型拡散領域１１４，１５０が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a transistor which is formed in an SOI layer of an SOI substrate and has excellent transistor characteristics even when the SOI layer is isolated by an element isolation region.例文帳に追加

ＳＯＩ基板におけるＳＯＩ層を素子分離領域によって分離しても、ＳＯＩ層に形成され、良好なトランジスタ特性を有するトランジスタを含む半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has an SOD (Spin On Dielectric) single-layer film of good quality free of an influence of fixed charge etc., and having excellent electric characteristics and also has a device isolation region for a micro-LSI process.例文帳に追加

固定電荷等の影響がなく電気的特性の優れた良質なＳＯＤ単層膜を備えた、微細ＬＳＩプロセス用の素子分離領域を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a method for fabricating a semiconductor device including a capacitance element in which the capacitance thin film can be made thin without increasing the number of steps and an isolation region can be prevented from becoming thin.例文帳に追加

容量素子を含む半導体装置の製造方法において、工程を増加を招くことなく容量絶縁膜を薄膜化できるようにし、また、素子分離領域の膜減りを防止できるようにする。 - 特許庁

When the PIN-PD is made to function by reverse biasing a cathode region 66 formed in each region and the P-sub layer 80, the isolation region 64 is brought to ground potential together with the P-sub layer 80 and becomes the anode.例文帳に追加

各区画毎に形成したカソード領域６６と、Ｐ-sub層８０とを逆バイアスしてＰＩＮ−ＰＤを機能させる際、分離領域６４はＰ-sub層８０と共に接地電位とされアノードとなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure, which can a void the problem of exposure of a semiconductor substrate due to etching of edges of a device isolation region at the time of formation of gate sidewalls.例文帳に追加

ゲートサイドウオールの形成時、素子分離領域のエッジ部分がエッチングされ、半導体基板が剥き出しになるといった問題の発生を回避することができる構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vibrationproof member having an excellent vibrationproof performance as compared with conventional members because the vibratory isolation region becomes large due to a high heat insulating capacity and a low rigidity of the vibrationproof rubber, by forming hollow parts in the vibrationproof rubber.例文帳に追加

防振部材１において、対向する金属板２、２の間に弾性を有する高分子材料からなる構造体である防振ゴム３を配置し、防振ゴム３内に中空部４を設けたもの。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation region wherein a trench can be formed deep to improve electrical isolation without deteriorating the insulator embedding performance.例文帳に追加

本発明の目的は、絶縁物による埋込み性を悪化させることなく、電気的な分離性を向上させるために溝を深く形成できる素子分離領域の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor apparatus integrates semiconductor devices having multiple SOI-Si layer thicknesses, wherein their height in the device isolation region 13 from the surface of the semiconductor substrate is in effect equal.例文帳に追加

複数のＳＯＩ−Ｓｉ層厚さを有する半導体素子を集積する半導体装置において、その素子分離領域１３の半導体基板表面からの高さが実質的に揃っている。 - 特許庁

After a trench type element isolation region 2 surrounding an active region is formed in a semiconductor substrate 1, a gate insulating film 3 and a polycrystalline silicon film 4 are formed sequentially on the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１に活性領域を取り囲む溝型素子分離領域２を形成した後、半導体基板１上にゲート絶縁膜３及び多結晶シリコン膜４を順次形成する。 - 特許庁

A SOI substrate 2 where a semiconductor layer 5 is formed through a silicon oxide film 4 on a silicon substrate 3, is divided into a semiconductor layer 5 and an element formation region 5a by an element isolation region 6.例文帳に追加

シリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介して半導体層５を形成したＳＯＩ基板２を、素子分離領域６により半導体層５を分離して素子形成領域５ａとする。 - 特許庁

After a mold resin 6 is formed on the semiconductor substrate major surface, the backside of the semiconductor substrate 1 is polished or etched to make the semiconductor substrate 1 thin until the device isolation region 13 is exposed.例文帳に追加

半導体基板主面にモールド樹脂６を形成してから半導体基板１の裏面を研磨もしくはエッチングを行って半導体基板１を素子分離領域１３が露出するまで薄くする。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device capable of selectively producing a stress and storing in a channel region of a desired MIS transistor without affecting the element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域に影響を及ぼすことなく、所望のＭＩＳトランジスタのチャネル領域に対して選択的に応力を生じさせ且つ記憶させることができる半導体装置を製造できるようにする。 - 特許庁

There is herein further provided a second conductive fifth semiconductor region having lower impurity concentration than that of the fourth semiconductor region between the fourth semiconductor region and the element isolation region.例文帳に追加

ここで、第４の半導体領域と素子分離領域との間に、第４の半導体領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第２導電型の第５の半導体領域を有する。 - 特許庁

A second polysilicon layer 109 which serves as a floating gate electrode with first polysilicon layer 103 is formed on the element isolation region 108 of the first polysilicon layer 103 and the STI structure.例文帳に追加

第１ポリシリコン層１０３及びＳＴＩ構造の素子分離領域１０８上には、第１ポリシリコン層１０３と共に浮遊ゲート電極となる第２ポリシリコン層１０９が形成されている。 - 特許庁

In the non-volatile semiconductor storage device, a first insulating film 3 is formed on an element isolation region between the floating gate electrodes 2 adjacent to a second direction on a semiconductor substrate plane.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板平面上で第２の方向に隣接する浮遊ゲート電極２間の素子分離領域上には、第１の絶縁膜３が形成されている。 - 特許庁

To enable minimization of the increase of the number of steps by an easy method and protection of a rear side of a semiconductor substrate from contaminated metals such as Cu, upon formation of an element isolation region by an STI(shallow trench isolation) method.例文帳に追加

ＳＴＩ法による素子分離領域を形成する際、容易な方法でかつ工程数の増加を最小限に抑え、半導体基板の裏面をＣｕ等の汚染金属から保護する。 - 特許庁

Since the positive hole cannot move to the interface of an adjacent p-base layer 56 across the p+ isolation region 68, the current concentrating on a specific point is limited to prevent the element from breakdown.例文帳に追加

正孔はこのｐ^+分離領域６８を越えて隣のｐベース層５６の境界面へ移動することができなくなるため、特定箇所へ集中する電流が制限され、素子の破壊が防止される。 - 特許庁

An n-type impurity region 28 is formed on a portion located at least at lower part of the gate insulator film 13a, of a portion that comes into contact with the element isolation region 32 in the active region 1a.例文帳に追加

活性領域１ａにおける素子分離領域３２に接する部分のうち少なくともゲート絶縁膜１３ａの下側に位置する部分に、ｎ型不純物領域２８が形成されている。 - 特許庁

The MOS field effect transistor comprises a semiconductor substrate having an element isolation region and an element forming region formed in a protruding state on the isolation region, the gate electrode formed on the element forming region via a gate insulation film, and a source-drain made of a conductive layer formed on the substrate so as to cover a side face of the protruding substrate.例文帳に追加

素子分離領域を有し、該素子分離領域に対して素子形成領域が凸状に形成されてなる半導体基板と、素子形成領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、凸状半導体基板の側壁を覆うように半導体基板上に形成された導電層からなるソース／ドレインとを備えることを特徴とするＭＯＳ電界効果型トランジスタにより、上記の課題を解決する。 - 特許庁

This photoelectric conversion device has a first pattern 4 provided above a element isolation region 2 provided between two photoelectric conversion elements 1 adjacent to each other, a second pattern 6 provided above the element isolation region 2 and above the first pattern 4, and micro-lenses 12 provided above the photoelectric conversion element 1 with the first pattern 4 and the second pattern 6 being interposed between them.例文帳に追加

光電変換装置は、互いに隣接する２つの光電変換素子１の間に設けられた素子分離領域２の上方に設けられた第１のパターン４と、素子分離領域２の上方かつ第１のパターン４の上方に設けられた第２のパターン６と、第１のパターン４および第２のパターン６を間において光電変換素子１の上方に設けられたマイクロレンズ１２とを有している。 - 特許庁

A through hole penetrating the silicon substrate 3 from an upper side of the silicon substrate to its backside, is formed in periphery of the element isolation region 6 surrounding the element formation region 5a, and a conductor is embedded to obtain an embedded conductor 9.例文帳に追加

素子形成領域５ａを包囲する素子分離領域６の辺部に上面からシリコン基板３の裏面まで貫通する貫通孔を形成し、内部に導体を埋め込み形成し埋め込み導体９を設ける。 - 特許庁

A capacitor 41 composed of a trench 13, an insulating film 14, and a conductor 16 is formed in a substrate 10, and a stepped part is provided at the upper part of an opening 50 bored in the substrate 10, and then the opening 50 is filled with insulator for the formation of an isolation region 50.例文帳に追加

基板１０内にトレンチ１３絶縁膜１４導電体１６からなるキャパシタ４１を作り、その上部を段差に開口５０して絶縁体を充填して分離領域５０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can improve embedding properties of an insulating film by preventing each of corner portions from being angulated at a lower portion of an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域の下部において、各コーナー部が角張った形状に形成されないようにすることで、絶縁膜の埋め込み性を良好にすることができる半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A light-receiving element has a first conductive semiconductor substrate (52) or a first conductivity-type semiconductor layer, and a first conductivity-type isolation region (55) formed in the first conductivity-type semiconductor substrate (52) or the type semiconductor layer.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板（５２）または第１導電型の半導体層と、この第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成された第１導電型の分離領域（５５）とを有する。 - 特許庁

Consequently, when reverse static electricity surge is applied, a uniform p-type inversion layer IP is formed in an isolation region between the impurity diffusion regions 12, 13 and local avalanche breakdown phenomenon is not generated.例文帳に追加

これにより、逆方向の静電気サージが印加された時、不純物拡散領域１２，１３間の分離領域に均一なＰ型反転層ＩＰが形成され、局所的な雪崩降伏現象が生じない。 - 特許庁

Then, the silicon nitride film 3 is removed, the USG film 7 and LTO film 8 are removed by etching by the use of the same etchant, by which a less rugged element isolation region of shallow trench structure can be formed.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜３を除去した後、同一のエッチング剤を用いて、ＵＳＧ膜７及びＬＴＯ膜８をエッチング除去することにより、段差の少ないシャロウトレンチ構造の素子分離領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has an element forming region in which a gate electrode 108 is formed, and an outer circumferential region formed on the outer circumference of the element forming region and in which an isolation region 118 is formed.例文帳に追加

半導体装置１００は、ゲート電極１０８が形成された素子形成領域と、素子形成領域の外周に形成されるとともに素子分離領域１１８域が形成された外周領域と、を有する。 - 特許庁

To provide the method for manufacturing a semiconductor device, in which the level difference produced between an element forming region and an element isolation region can be reduced and which is provided with an inexpensive element isolation insulating film having high element isolation cability.例文帳に追加

素子形成領域と素子分離領域との間に生ずる段差を少なくすることができ、かつ、安価で素子分離能力の高い素子分離用絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes the trench gate 118 formed in a trench formed between a drain region 106 and a source region 108 and penetrating an element isolation region 104 to reach a substrate 102.例文帳に追加

半導体装置１００は、ドレイン領域１０６およびソース領域１０８の間に形成され、素子分離領域１０４を貫通して基板１０２にまで達するトレンチ内に形成されたトレンチゲート１１８を含む。 - 特許庁

Thus, this pull-up transistor array can output a signal of high voltage and high current, an element isolation region is not required between the double diffusion transistors, and therefore an element can be integrated highly.例文帳に追加

これによって、このプルアップトランジスタアレイは高電圧及び高電流の信号を出力することができ、二重拡散トランジスタの間に素子分離領域が要求されないので、素子を高集積化することができる。 - 特許庁

Then, the photoresist layer is removed, and a field oxidizing process is advanced, so that a field oxide film can be formed at the lower side of the field oxide mask layer on the surface of the exposed semiconductor substrate and the isolation region.例文帳に追加

そして、フォトレジスト層を除去し、フィールド酸化工程を進行することにより、露出された半導体基板の表面と分離領域上において、フィールド酸化マスク層の下側にフィールド酸化膜が形成される。 - 特許庁

To improve read out characteristic of pixels and inhibit dark current by optimization of a pattern of an element isolation region and an angle of impurity injection, and by controlling an ion implantation amount depending on an implantation position.例文帳に追加

素子分離領域のパターンと不純物注入の角度を最適化し、イオン注入量を注入場所に応じて制御することにより、画素の読み出し特性を改善しかつ暗電流を抑制する。 - 特許庁

This is obtained in a manner where a conductive film of the same component with a gate electrode is formed on a grooved element isolation region, and a primary diffracted light which does not interfere with reflected light from the conductive film 4 is extracted.例文帳に追加

これは、溝型素子分離領域上に、ゲート電極と同一構成の導電膜を形成することで得られ、導電膜４からの反射光に対して干渉のない１次回折光を取り出すようにする。 - 特許庁

A p+ type impurity region 15a for suppressing the occurrence of a dark current is formed on the top surface of the photodiode portion 15 and the side surface of the photodiode portion 15 which is in contact with the element isolation region 17.例文帳に追加

フォトダイオード部１５の表面上と、フォトダイオード部１５の素子分離領域１７と接する側の側面には、暗電流が発生するのを抑制するためのｐ＋型不純物領域１５ａが形成されている。 - 特許庁

After forming a MOS transistor 12 on a p-type silicon substrate 3 on which an element isolation region 4 is formed, 1st to 3rd interlayer insulating films 13-15 and an etching stopper film 16 are laminated on the substrate 3.例文帳に追加

素子分離領域４を形成したｐ型シリコン基板３上にＭＯＳトランジスタ１２を形成した後、基板３上に第１〜第３の層間絶縁膜１３〜１５およびエッチングストッパー膜１６を積層する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can prevent the occurrence of a leakage failure between base-collector caused, by etching to a sub-collector region penetrating an external base layer, a trench isolation region (STI) in the etching of via hole on the external base layer.例文帳に追加

外部ベース層上のヴィアホールのエッチングにおいて外部ベース層、トレンチ分離領域（ＳＴＩ）を突き抜けてサブコレクタ領域までエッチングしてしまい、ベース・コレクタ間リーク不良が発生することを防止する。 - 特許庁