「"isolation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF FORMING GROOVED ELEMENT ISOLATION REGION例文帳に追加

溝型素子分離領域の形成方法 - 特許庁

The isolation region comprises a deep isolation region 22, whose width is substantially fixed and a shallow isolation region 23 consisting of an STI.例文帳に追加

素子分離領域は、幅が略一定の深い素子分離領域２２と、ＳＴＩからなる浅い素子分離領域２３とからなる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING ISOLATION REGION OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子の隔離領域形成方法 - 特許庁

The first element isolation region 46 and the second element isolation region 47 are different in impurity concentration.例文帳に追加

第１素子分離領域４６と第２素子分離領域４７との不純物濃度が異なる。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR ISOLATION REGION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子の隔離領域の形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE ELEMENT ISOLATION REGION FORMING METHOD例文帳に追加

半導体装置の素子分離領域形成方法 - 特許庁

To suppress current leak in the isolation region.例文帳に追加

素子分離領域での電流リークを低減する。 - 特許庁

The width Y_1 of the first element isolation region 19 and the width Y_2 of the second element isolation region 29 are made different from each other.例文帳に追加

第１素子分離領域１９の幅Ｙ_１と、第２素子分離領域の幅Ｙ_２とが異なる。 - 特許庁

To suppress current leak in an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域での電流リークを低減する。 - 特許庁

In the element isolation region 142, the height of the embedded oxide film 13 is lower than the one in the element isolation region 141.例文帳に追加

素子分離領域１４２は、素子分離領域１４１よりも埋め込まれる酸化膜１３の高さが低い。 - 特許庁

An nMOS (n-channel metal oxide semiconductor) transistor 103 is provided inside the trench isolation region, and a control circuit is provided within the RESURF isolation region but outside of the trench isolation region.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタ１０３はトレンチ分離領域内に、制御回路はＲＥＳＵＲＦ分離領域内であってトレンチ分離領域外にそれぞれ設けられている。 - 特許庁

METHOD OF FORMING TRENCH ISOLATION REGION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子のトレンチ素子分離領域製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING FILLED ISOLATION REGION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE FILLED ISOLATION REGION例文帳に追加

半導体基板の埋設分離領域を形成する方法及び埋設分離領域をもつ半導体デバイス - 特許庁

FORMING METHOD OF SHALLOW TRENCH ISOLATION REGION OF MOS TRANSISTOR例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのシャロートレンチ分離領域の形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATION REGION IN SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置における素子分離領域の形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR APPARATUS WITH DEVICE ISOLATION REGION AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

素子分離領域を有する半導体装置とその製造方法 - 特許庁

An element isolation region 16 isolates the plurality of transistors 12.例文帳に追加

素子分離領域１６は、複数のトランジスタ１２を分離する。 - 特許庁

Since the width of the deep isolation region 22 is substantially fixed, the deep isolation region 22 can be formed easily.例文帳に追加

また、上記深い素子分離領域２２は幅が略一定であるので、深い素子分離領域２２の形成が簡単である。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

Furthermore, since a boundary part isolation region is a composite isolation region, an insulation film can be embedded readily in an insulation region.例文帳に追加

また、境界部素子分離領域は、複合素子分離領域であるから、素子分離領域への絶縁膜の埋め込みが容易になる。 - 特許庁

A heat isolation region 11 is formed on the surface of a substrate 1, and a membrane 10 is formed so as to cover the heat isolation region 11.例文帳に追加

基板１の上面に熱分離領域１１が形成され、この熱分離領域１１を覆うようにメンブレン１０が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH ELEMENT ISOLATION REGION例文帳に追加

トレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法 - 特許庁

A semiconductor apparatus has the device isolation region 1, and the selective epitaxial layers 2 formed on both sides of the device isolation region 1.例文帳に追加

半導体装置は、素子分離領域１と、この素子分離領域１の両側に形成された選択エピタキシャル層２とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 has an element isolation region 6, and on the element isolation region 6, a first trench 3 and a second trench 5 having different diameters are laminated.例文帳に追加

半導体基板１に、素子分離領域６を有し、素子分離領域６は、径の異なる第１のトレンチ３、第２のトレンチ５が積層される。 - 特許庁

The trench isolation region is formed on a main face of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主表面にトレンチ分離領域を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first element isolation region 19 and a second element isolation region 29 which are both provided in a semiconductor layer 10.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体層１０に形成された第１素子分離領域１９および第２素子分離領域２９を含む。 - 特許庁

The element isolation region 50 is provided around the FET 40.例文帳に追加

ＦＥＴ４０の周囲には、素子分離領域５０が設けられている。 - 特許庁

After that, a p^+ isolation region 24 is formed on the sidewall of the trench 23.例文帳に追加

そして、トレンチ２３の側壁にｐ^+分離領域２４を形成する。 - 特許庁

In an element isolation region B, the trench 2 of a prescribed depth is formed.例文帳に追加

素子分離領域Ｂでは、所定の深さのトレンチ２が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a uniform, flat element isolation region, without depending on the formation pattern of the element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域の形成パターンに依存せず、均一で平坦な素子分離領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To secure the functionality of atmosphere separation between processing regions by an isolation region, while also restricting the consumption of a separation gas supplied to the isolation region.例文帳に追加

分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。 - 特許庁

To reduce an oxidizing quantity of a trench isolation region in a semiconductor device having a trench isolation region and a gate oxide film that has more than one film thickness.例文帳に追加

トレンチ分離領域と、２種類以上の膜厚のゲート酸化膜とを有する半導体装置において、トレンチ分離領域が受ける酸化量を低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a trench element isolation region, which favorably conducts an embedding of an insulating layer in the isolation region.例文帳に追加

トレンチ素子分離領域の絶縁層の埋め込みが良好に行われる、トレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ratio of depth X_1 to width Y_1 of the first element isolation region 19 is made nearly equal to the ratio of depth X_2 to width Y_2 of the second element isolation region 29.例文帳に追加

第１素子分離領域１９の深さＸ_１と幅Ｙ_１との比と、第２素子分離領域２９の深さＸ_２と幅Ｙ_２との比とがほぼ等しい。 - 特許庁

The deep-trench isolation region is formed below a shallow-trench isolation region 28 and the shallow-trench isolation region electrically separates a device included in the memory storage region 12 from a device included in the logical operation circuit region 14.例文帳に追加

深いトレンチ分離領域は、浅いトレンチ分離領域２８の下に形成され、浅いトレンチ分離領域は、メモリ記憶領域１２に含まれるデバイスを、論理回路領域１４に含まれるデバイスから電気的に分離する。 - 特許庁

The spiral inductor 16 is formed above the element isolation region 12.例文帳に追加

素子分離領域１２の上方にスパイラル状のインダクタ１６が形成されている。 - 特許庁

Next, an isolation region is formed in the trench at either side of the DRAM cells.例文帳に追加

次に、ＤＲＡＭセルのいずれかの側のトレンチ内に分離領域が形成される。 - 特許庁

An isolation region 58 is formed within the space made etching.例文帳に追加

エッチングによって作成された空間内にアイソレーション領域５８を形成する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING GROOVED ELEMENT ISOLATION REGION AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

溝型素子分離領域の形成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁

To propose an S/A equalizer having no increase in an isolation region nor drop in driving force.例文帳に追加

分離領域増大や駆動力低下がないＳ／Ａイコライザを提案する。 - 特許庁

To prevent generation of leakage current between a contact and a substrate in an element isolation region.例文帳に追加

素子分離領域におけるコンタクトと基板間リークの発生を防止する。 - 特許庁

The n-type circular isolation region is formed circularly underneath from the element isolation region, surrounds the periphery of a p-type collector region and the periphery of an upper part of the n-type lower part isolation region, and isolates the p-type collector region electrically from the substrate.例文帳に追加

ｎ型環状分離領域は、素子分離領域から下方に環状に形成され、ｐ型コレクタ領域の周囲及びｎ型下部分離領域の上部の周囲を取り巻き、ｐ型コレクタ領域を基板から電気的に分離している。 - 特許庁

To provide a method of reliably forming an element isolation region on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に素子分離領域を確実に形成する方法を提供する。 - 特許庁

So, a p+ isolation region 68 is so provided as to adjoin the sidewall of the trench.例文帳に追加

そこでトレンチ６２の側壁に隣接するようにｐ^+分離領域６８を設ける。 - 特許庁

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING TRENCH ISOLATION REGION AND METHOD OF FABRICATING THE SAME例文帳に追加

トレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁