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OSF-3の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2件
(1) A method for producing an epitaxial wafer comprises using a silicion single crystal wafer which is doped with nitrogen and contains oxygen in a concentration of ≤9×1017 atom/cm3 in an OSF ring area.例文帳に追加
(1) 窒素がドープされ、OSFリング領域の酸素濃度が9×10^17atoms/cm^3以下であるシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁
Since the interstitial oxygen concentration of a silicon wafer 20 is set at 1.4×10^18 atoms/cm^3 or below or the OSF density of the silicon wafer 20 is set at 20,000/cm^2 or below after devices are provided, the silicon wafer 20 can be protected against warpage caused by the interstitial oxygen concentration or OSF density.例文帳に追加
シリコンウェーハ20の格子間酸素濃度を1.4×10^18atoms/cm^3以下、または、デバイス形成後のシリコンウェーハ20のOSF密度を20000個/cm^2以下としたので、格子間酸素濃度、OSF密度に起因するシリコンウェーハ20の反りの発生を防止できる。 - 特許庁
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