例文 (861件) |
P-40の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 861件
1924, No 40--The Patents, Designs, and Trade Marks Amendment Act 1924. (1931 Reprint, Vol VI, p 736.)例文帳に追加
1924年No.40--1924年特許・意匠・商標改正法(1931年重版第VI巻P.736) - 特許庁
Polylactic acid (p-la) and an olefinic elastomer (Oep) are mixed with the ratio of p-la/Oep=90/10-60/40 in the polylactic acid composition.例文帳に追加
ポリ乳酸(p-la)とオレフィン系エラストマー(Oep)とを比p-la/Oep=90/10〜60/40の範囲で混練されている。 - 特許庁
Therefore, the resistivity of the p-type layer is reduced to 40-90%, as compared with the case where the p-type layer does not substantially contain Si.例文帳に追加
これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90%に低減する。 - 特許庁
The p-type semiconductor regions 40 are exposed on bottom surfaces 6c of the grooves 2.例文帳に追加
p型半導体領域40は、溝2の底面6cにおいて露出している。 - 特許庁
The silicon substrate 40 has a first conductive type (p-type).例文帳に追加
シリコン基板40は、第1導電型(p型)を有する。 - 特許庁
The fuel cell switching part 50 selects the fuel cell 40 a-p as a thermal load 56 a-p which is the most insufficient of the quantity of heat to need for the quantity of heat and a power generation is made to start, and connects the fuel cell 40 a-p to the series circuit 61 a-d.例文帳に追加
燃料電池切替部50は、必要とする熱量が最も不足している熱負荷56a-pに熱量を供給する燃料電池40a-pを選択して発電を開始させ、当該燃料電池40a-pを直列回路61a-dに接続する。 - 特許庁
In addition, p, q, and r are percentages by mass satisfying 40≤p≤80, 20≤q≤60, and p+q+r=100.例文帳に追加
p、q、rは質量%であり、40≦p≦80、20≦q≦60、p+q+r=100である、によって達成された。 - 特許庁
The electrophoresis panel 10 comprises a plurality of pixels P and a driving section 40 for driving each pixel P.例文帳に追加
電気泳動パネル10は、複数の画素Pと、各画素Pを駆動する駆動部40とを備える。 - 特許庁
The p-type/n-type source/drain layers 37, 40 are patterned to form p-type/n-type source/drains 37a, 37b, 40a, 40b.例文帳に追加
p型/n型ソース・ドレイン層37,40をパターニングして、p型/n型ソース・ドレイン37a,37b,40a,40bを形成する。 - 特許庁
In the formula 1, R represents (CH_2)x (x=2-20), and p and q each represents a natural number of 1-40.例文帳に追加
(式1において、Rは(CH_2)x(x=2〜20)を表す。また、pおよびqは自然数1から40を表す。) - 特許庁
The pellet, having a thickness between 0.05 and 1 mm, forms a colorless transparent protective film comprising Sn-30 to 50 at% O-5 to 15 at% P or Sn-10 to 30 at% In-40 to 60 at% O-5 to 15 at% P, on the surface of a lead-free solder alloy including Sn as a principal component when heated for soldering.例文帳に追加
Sn主成分の鉛フリーはんだ合金の表面に無色透明のSn-30〜50at%O−5〜15at%PやSn-10〜30at%In-40〜60at%O−5〜15at%Pからなる保護膜をはんだ付け加熱時に形成するペレットであり、厚さが0.05〜1mmである。 - 特許庁
UV-ray irradiators 40 and 40' irradiate ink ejected onto a recording medium P with UV-rays.例文帳に追加
紫外線照射装置40,40′は、被記録媒体P上に吐出されたインクに紫外線を照射する。 - 特許庁
This chemical mechanical polishing machine comprises a rotating polishing turn table (1), and a relatively movable polishing head (4) including a non-rotating section (42) and rotating sections (40, 41) for holding a wafer (P) to be polished.例文帳に追加
回転研磨ターンテーブル(1)と相対移動可能な研磨ヘッド(4)が非回転部分(42)と研磨対象ウエハ(P)を保持する回転部分(40, 41)とを有する。 - 特許庁
The supply paper cassette 30 is provided with a pair of cursors 40 and 40 to regulate the width direction position of the paper sheet P.例文帳に追加
給紙カセット30には用紙Pの幅方向位置を規制する1対のカーソル40、40が設けられる。 - 特許庁
A p-type region 40 is provided on a part of the n-type InP layer 36.例文帳に追加
n型InP層36の一部にp型領域40が設けられている。 - 特許庁
The feedback voltage divider 40 has a diode-connected P-type transistor 41.例文帳に追加
帰還分圧器40は、ダイオード接続されたP型トランジスタ41を有している。 - 特許庁
The test pattern recorded on the recording medium P is read by an image sensor 40.例文帳に追加
記録媒体Pに記録されたテストパターンをイメージセンサ40により読み取る。 - 特許庁
The pair of gate rollers 22 comprise a halogen heater 41 in a lower roller 40 for heating the paper sheet P by contacting the paper sheet P.例文帳に追加
ゲートローラ対22は、用紙Pに接触することで用紙Pを加熱するハロゲンヒータ41を下ローラ40に備える。 - 特許庁
At the same time, a fixing positioning pin 40 is fitted to the positioning hole 41 of the pallet P.例文帳に追加
同時に、パレットの位置決め孔41に固定位置決めピン40を嵌合させる。 - 特許庁
One end 10 of the P-type diffusion resistance 40 is connected to an external terminal 400.例文帳に追加
P型拡散抵抗40の一端10は、外部端子400に接続される。 - 特許庁
The male connector 20 is mounted on the panel P with the clip 40 for the connector.例文帳に追加
雄コネクタ20は、コネクタ用クリップ40によりパネルPに対して取り付けられる。 - 特許庁
The semiconductor upper layer 40 is a p-type and contains magnesium.例文帳に追加
半導体上層40は、マグネシウムを含むp型であることを特徴としている。 - 特許庁
A horizontal piece 50a is provided at a side of a fork 40 for fixing the pallet P.例文帳に追加
フォーク40の横に、パレットPを固定する水平片50aが設けられている。 - 特許庁
The first field magnets 40 are magnetized in a diameter direction centered at the rotating shaft P.例文帳に追加
第1界磁磁石40は回転軸Pを中心とした径方向に着磁される。 - 特許庁
The coextrudable composition with PVDF has a composition (total 100 pts.wt.) comprising P: 20-40 pts.wt. of PVDF, 40-60 pts.wt. of PMMA, 5-18 pts.wt. of an acrylic elastomer and 1-4 pts.wt. of an ultraviolet absorber.例文帳に追加
下記組成(合計100重量部)を有するPVDFと共押出し可能な組成物:20〜40部のPVDF、40〜60部のPMMA、5〜18部のアクリルエラストマーおよび1〜4部の紫外線吸収剤。 - 特許庁
Consequently, the paper sheet P passing through the guide member 40 never vibrates to disorder an unfixed toner image on the paper sheet P.例文帳に追加
これにより、ガイド部材40を通過する際に用紙Pが振動して、用紙P上の未定着トナー像が乱れる心配がない。 - 特許庁
Further, the play area P can be enlarged because of a constricted part 40 in the rail holder 31.例文帳に追加
レールホルダ(31)のくびれ部(40)により遊技領域(P)を広くすることができる。 - 特許庁
The angle of the first region 51 crossing the center axis P of the stem 40 is denoted as θstart.例文帳に追加
ステム40の中心軸線Pと交差する第1領域51の角度をθstartとする。 - 特許庁
The ballistic electrons pass through a carrier recombination process in the p-type semiconductor layer 40 to emit light.例文帳に追加
そしてp型半導体層40中でキャリア再結合過程を経ることで発光する。 - 特許庁
The substrate P has connectors 40 and 50 connected to the piezoelectric element by connector connections.例文帳に追加
基板Pは、コネクタ接続により圧電素子と接続されるコネクタ部40、50を有する。 - 特許庁
A detecting part 38 is provided on the pathway of the sheets P and includes a piezoelectric element 40.例文帳に追加
検知部38は、用紙Pの進路上に設けられ、圧電素子40を含んでいる。 - 特許庁
The N source layers 7 and the P+ body layers 8 are split by the trench gates 40, and not formed immediately under the trench gates 40.例文帳に追加
Nソース層7及びP^+ボディ層8は、トレンチゲート40により分断され、トレンチゲート40直下には設けられていない。 - 特許庁
When a pipe P is inserted in a joint body 10 to screw a fastening member 30, a plurality of clamping rings 40, 50 are contracted in diameter to bite into the pipe P to lock the pipe P in the connected state, and the clamping rings 40, 50 are brought into watertight contact with the pipe P to seal the pipe P.例文帳に追加
パイプPを継手本体10に挿入して締付部材30を螺合すると、複数の締付リング40,50が縮径してパイプPに食い込むことによりパイプPが接続状態にロックされるとともに、締付リング40,50がパイプPに対して水密状態に密着されることによりシールされる。 - 特許庁
The conveyor 40 conveys the article P so that the article P passes an irradiation space 2 of the X-rays from the X-ray radiator 31.例文帳に追加
コンベア40は、商品PがX線照射器31からのX線の照射空間2を通過するように商品Pを搬送する。 - 特許庁
A divider 68 of the DC-DC converter controller 40 uses a load power value P and V_L as the input voltage of the DC-DC converter body 20 as inputs and computes P/V_L=I_B.例文帳に追加
DCDCコンバータ制御部40の除算器68は負荷電力値PとV_Lとを入力としP/V_L=I_Bを算出する。 - 特許庁
The thickness of the first clad layer 40 is set to be the same as the thickness of the connection pad P, thereby resolving the level difference of the connection pad P.例文帳に追加
第1クラッド層40の厚みは接続パッドPの厚みと同一に設定されて、接続パッドPの段差が解消される。 - 特許庁
When pushed by the photoprints P, the tray 28 falls down to make a sound and receives a bundle of photoprints P by a storage part 40.例文帳に追加
受け皿38は写真プリントPに押されると転倒して音を立てると共に写真プリントPの束を収納部40で受け取る。 - 特許庁
When the sheet P is inserted in this sheet conveying device 40, a shutter 110 contacts with a front edge of the sheet P to move the shutter 110.例文帳に追加
シート搬送装置40は、シートPが差し込まれるとシートPの前縁にシャッター110が接触して、シャッター110が移動する。 - 特許庁
Ohmic electrodes 51 are formed within ranges of the bottom surfaces 6c of the grooves 2 to form ohmic junctions J1 with the p-type semiconductor regions 40.例文帳に追加
オーミック電極51は、溝2の底面6cの範囲内に形成されてp型半導体領域40にオーミック接合J1している。 - 特許庁
In pMOSs 18 and 20, a source region 30 consists of a p+ source region 34 and an LDD region 36 consisting of p-, and a drain region 32 comprises a p+ drain region and an LDD region 40 consisting of p-.例文帳に追加
pMOS18、20は、ソース領域30がp^+ ソース領域34とp^- からなるLDD領域36とからなり、ドレイン領域32がp^+ ドレイン領域とp^- からなるLDD領域40とからなっている。 - 特許庁
The source node of the p-type channel FET (42) is jointed to the drain node of the n-type channel FET (40), and the drain node of the p-type channel FET (42) is jointed to the source node of the n-type channel FET (40).例文帳に追加
pチャネルFET(42)のソースノードはnチャネルFET(40)のドレインノードに結合され、pチャネルFET(42)のドレインノードはnチャネルFET(40)のソースノードに結合される。 - 特許庁
An n-type semiconductor layer 20, an active layer 30 and a p-type semiconductor layer 40 are laminated successively, and a current constriction region 50 is formed to the p-type semiconductor layer 40.例文帳に追加
n型半導体層20,活性層30およびp型半導体層40が順に積層され、p型半導体層40に電流狭窄領域50が設けられている。 - 特許庁
An image forming device is configured such that after a toner image on an intermediate transfer belt 10, image carrier, has been transferred to a transfer material P such as a paper sheet by a secondary transferring device 60, unfixed toner T on the transfer material P is subsequently fixed to the transfer material P by a fixing device 40 by causing the transfer material P to pass through the fixing device 40.例文帳に追加
中間転写ベルト10(像担持体)上のトナー像が二次転写装置60により用紙等の転写材Pに転写された後、その転写材を定着装置40に通して該定着装置により転写材上の未定着トナーTが転写材に定着される。 - 特許庁
The truck for cremation includes a table 40 for mounting a dead body P, a block 43 protruding from the table 40 toward the shoulder blade of the dead body P or retracting therefrom, and a protrusion-retraction drive mechanism 44 for protruding and retracting the block 43 from the table 40.例文帳に追加
遺体Pを載置するテーブル40と、このテーブル40から遺体Pの肩甲骨に向けて突出又は没入するブロック43と、このブロック43をテーブル40から出没させる出没駆動機構44とを備える。 - 特許庁
At a position above the suction port 40, a dust box 50 for receiving the coarse dust P separated from the rising air flow is arranged at a position above the suction port 40.例文帳に追加
吸込口40よりも上の位置には、上昇する気流から離脱した粗塵Pを受けるダストボックス50が配置されている。 - 特許庁
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