「PEB」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In a PEB unit 20, a PEB(post exposure baking) processing is applied to the resist formed on a substrate and exposed with a prescribed pattern.例文帳に追加

ＰＥＢユニット２０は、基板上に形成され、所定のパターンで露光されたレジストにＰＥＢ（露光後ベーク）処理を施す。 - 特許庁

The drive IC is also previously packaged to the connecting segment of which the electrode forming surface of the panel element PEb to be concealed by the panel element PEb.例文帳に追加

パネル素子ＰＥｂのパネル素子ＰＥｂによって電極形成面が隠されてしまう接続部分にも予め駆動ＩＣを実装しておく。 - 特許庁

After the local dispersion of generation of acid is restrained by performing PEB at a high temperature, PEB is performed again at a low-temperature region.例文帳に追加

このようにして、高温でＰＥＢを行って酸の発生の局所的なバラツキを抑制した後、低温領域で再度ＰＥＢを行う。 - 特許庁

In the processing space B, a plurality of units SD, CP, HP and PEB are disposed side by side in a horizontal direction.例文帳に追加

処理空間Ｂには、複数のユニットＳＤ，ＣＰ，ＨＰ，ＰＥＢが水平方向に並設される。 - 特許庁

The display panel DP 1 laminated with the three panel elements PEb, PEg and PEr.例文帳に追加

三つのパネル素子ＰＥｂ、ＰＥｇ、ＰＥｒが積層された表示パネルＤＰ１。 - 特許庁

Based on the calculated corrected value, the heating temperature of the PEB device is corrected (a step S4).例文帳に追加

算出された補正値に基づいてＰＥＢ装置の加熱温度を補正する（ステップＳ４）。 - 特許庁

A heating temperature of PEB processing is corrected using expression (2) ΔT=1/α×F-1(ΔXt-ΔX1) (steps S7, S8).例文帳に追加

下記式（２）を用いてＰＥＢ処理の加熱温度を補正する（ステップＳ７、Ｓ８）。 - 特許庁

After that, PEB treatment (S107) and development processing (S108) are performed to obtain a resist pattern.例文帳に追加

その後、ＰＥＢ処理（Ｓ１０７）および現像処理（Ｓ１０８）を施してレジストパターンを得る。 - 特許庁

To provide a positive resist composition excellent in resolution and having a large PEB margin.例文帳に追加

解像性に優れ、広いＰＥＢマージンを有するポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The drive IC is previously packaged to the connecting segment the panel element PEg of which the electrode forming surface of is concealed by the panel element PEb before bonding of the panel element PEb.例文帳に追加

パネル素子ＰＥｂを貼り合わせる前に、パネル素子ＰＥｇのパネル素子ＰＥｂによって電極形成面が隠されてしまう接続部分に予め駆動ＩＣを実装しておく。 - 特許庁

On the basis of the measurement results about the line width, the heating temperature in a PEB apparatus is corrected (Step S3).例文帳に追加

線幅測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置における加熱温度を補正する（ステップＳ３）。 - 特許庁

Then, heat treatment (PEB treatment) is performed after exposure to light (S105), and development processing is performed (S106).例文帳に追加

次に、露光後加熱処理（ＰＥＢ処理）を施した後（Ｓ１０５）、現像処理を行なう（Ｓ１０６）。 - 特許庁

The PEB-processed resist is cleaned by a cleaning unit 30 so that the chemical reaction of the resist may be suppressed.例文帳に追加

クーリングユニット３０は、ＰＥＢ処理を施されたレジストをクーリングしてレジストの化学反応を抑制する。 - 特許庁

A coating and development processing system 1 has two kinds of temperature setting functions for a hot plate of a PEB apparatus.例文帳に追加

塗布現像処理システム１は，ＰＥＢ装置の熱板に対する２種類の温度設定機能を有する。 - 特許庁

In the placement/heating unit P-PEB, the substrate W is exposed to light and then baking treatment is made.例文帳に追加

載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢにおいては、基板Ｗに対して露光後ベーク処理が行われる。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive composition, having small PEB temperature dependence and exhibiting proper profile.例文帳に追加

ＰＥＢ温度依存性が小さく、良好なプロファイルを示すポジ型感光性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having wide exposure latitude, small PEB temperature dependency and wide defocus latitude.例文帳に追加

露光ラチチュードが広く、ＰＥＢ温度依存性が小さく、デフォーカスラチチュードが広いポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The display panel is manufactured by bonding panel elements PEr and PEg, then bonding a panel element PEb thereto.例文帳に追加

パネル素子ＰＥｒとＰＥｇを貼り合わせ、次いでパネル素子ＰＥｂを貼り合わせて表示パネルを作製する。 - 特許庁

The heat treatment apparatus 16 is provided with a post-exposure bake plate PEB, a cooling plate CP3, and a local transfer robot LHU.例文帳に追加

熱処理部１６には、露光後ベークプレートＰＥＢと、クールプレートＣＰ３と、ローカル搬送ロボットＬＨＵとが設けられている。 - 特許庁

The heating plate of a PEB device is divided into a plurality of heating plate regions, and the temperature can be set to each heating plate region.例文帳に追加

ＰＥＢ装置の熱板は，複数の熱板領域に分割されており，各熱板領域毎に温度設定できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method that can suppress the formation of abnormal shapes of an object to be etched by gases and can ensure the line width controllability in a PEB process by degassing a photo resist before conducting the PEB process.例文帳に追加

ＰＥＢ工程を行う前にフォトレジスト内のガスを抜くことにより、ガスによる被エッチング物の形状異常の発生を抑制し、かつ、ＰＥＢ工程による線幅制御性を確保することができる半導体装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

Based on an estimation result of the pattern, a corrected value of heating temperature in a PEB device is calculated from second correlation (a step S3).例文帳に追加

パターンの推定結果に基づいて、第２の相関からＰＥＢ装置における加熱温度の補正値を算出する（ステップＳ３）。 - 特許庁

Photolithographic processing including PEB processing of the corrected heating temperature is performed to form a resist pattern on the wafer (a step S5).例文帳に追加

補正された加熱温度のＰＥＢ処理を含むフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上にレジストパターンを形成する（ステップＳ５）。 - 特許庁

To manufacture a highly precise device with a high yield by shortening pre-PEB stand-by time and stably holding the pattern profile of a resist process.例文帳に追加

ＰＥＢ前の待機時間を短縮し、レジストプロセスのパターンプロファイルを安定に保ち、高精細なデバイスを高歩留まりで製造する。 - 特許庁

A heating temperature of a PEB processing is corrected for every hot plate region based on the measurement of the first linewidth (steps S3 and S4).例文帳に追加

第１の線幅の測定結果に基づいて、ＰＥＢ処理の加熱温度が各熱板領域毎に補正される（ステップＳ３、Ｓ４）。 - 特許庁

In the photolithographic processing unit 1a, a resist application processing apparatus 2 and a development processing apparatus 5 are provided separately from each other, a first exposure processing apparatus 3a is arranged adjacently to a first PEB processing apparatus 4a, and a second exposure apparatus 3b is arranged adjacently to a second PEB processing apparatus 4b.例文帳に追加

フォトリソグラフィー処理部１ａでは、レジスト塗布処理装置２と現像処理装置５とが分離して配置され、第１の露光処理装置３ａと第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２の露光処理装置３ｂと第２のＰＥＢ処理装置４ｂは隣接配置されている。 - 特許庁

To provide a resist material which can make the gradient of dissolution of a positive or negative resist smaller than that of a resist for a repetitive pattern so as to ensure wide margins for focusing and exposure for an isolated left pattern with the positive or negative resist and does not cause the lowering of a margin for PEB temperature as a conventional defect.例文帳に追加

孤立残しパターンをポジあるいはネガレジストを用いて、広いフォーカスや露光のマージンを確保するために、レジストの溶解の傾きを繰り返しパターン用レジストより小さくすることができるとともに、従来の欠点であるPEB温度マージンの低下を生じないジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a method that reduces significantly the difference in film shrinkage due to PEB between an exposed part and unexposed part which affects considerably the pattern destruction.例文帳に追加

露光部と未露光部において、ＰＥＢによる膜収縮が両者でかなり異なり、これがパターン倒壊に大きく影響を及ぼす。 - 特許庁

The heat plate of a PEB equipment is divided into a plurality of heat plate areas, and the temperature is set about each of heat plate areas R_1-R_5.例文帳に追加

ＰＥＢ装置の熱板は，複数の熱板領域Ｒ_１〜Ｒ_５に分割されており，各熱板領域Ｒ_１〜Ｒ_５毎に温度設定できる。 - 特許庁

The heating plate of PEB apparatus is divided into a plurality of heating plate regions R_1-R_5, and these heating plate regions R_1-R_5 can be set for temperature individually.例文帳に追加

ＰＥＢ装置の熱板は，複数の熱板領域Ｒ_１〜Ｒ_５に分割されており，各熱板領域Ｒ_１〜Ｒ_５毎に温度設定できる。 - 特許庁

The substrate is conveyed in a post-exposure bake plate part PEB by way of an edge exposing part EE1, and heating is performed after being exposed.例文帳に追加

そして、その基板はエッジ露光処理部ＥＥ１を経由して露光後ベークプレート部ＰＥＢに搬入され、露光後加熱処理が施される。 - 特許庁

These results of the calculation are output by the PEB device and the developing device to change processing conditions of respective devices (Step S4).例文帳に追加

これら算出結果を、ＰＥＢ装置及び現像処理装置に出力し、それぞれの処理装置での処理条件を変更する（ステップＳ４）。 - 特許庁

By controlling the time from exposure to PEB or the time required for exposure development, variation in line thickness of a semiconductor to be manufactured is reduced.例文帳に追加

露光からＰＥＢまでの時間又は露光から現像までの時間を制御することにより、製造される半導体の線幅のばらつきを低減する。 - 特許庁

Warping condition of wafer is detected in a PEB apparatus, by detecting fall of temperature of each heat treatment plate region when the wafer is placed on the heat treatment plate.例文帳に追加

ＰＥＢ装置において、ウェハが熱板に載置された際の各熱板領域の温度降下量を検出して、ウェハの反り状態を検出する。 - 特許庁

The controlling section calculates correction value of a heating temperature in a post exposure baking (PEB) device on the basis of the results of the measurement of the size of dense resist patterns (Step S2).例文帳に追加

制御部では、密のレジストパターンの寸法測定結果に基づいて、ＰＥＢ装置における加熱温度の補正値を算出する（ステップＳ２）。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having sufficiently excellent performance from the viewpoint of dependence on the PEB (Post Exposure Bake) time.例文帳に追加

ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）時間依存性の点で十分に優れた性能を有するポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having sufficiently excellent performance with respect to the temperature dependency of PEB (post exposure bake).例文帳に追加

ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）温度依存性の点で十分に優れた性能を有するポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The pit shape is tailored to a prescribed shape in the PEB (post-exposure bake) conditions for improving the pit edge geometry by carrying out exposure registration with a multi-pulse signal.例文帳に追加

マルチパルス信号で露光記録することによって、ピットエッジ形状を改善するＰＥＢ条件で、かつピット形状を所定の形状に調整する。 - 特許庁

To stabilize characteristics of PAB and PEB in resist coating-exposure-development consistent processing of a process of manufacturing a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造プロセスにおけるレジスト塗布−露光−現像一貫処理において、ＰＡＢとＰＥＢの特性を安定化する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a lithography apparatus which can evaluate effective exposure dose variation separately for exposure dose variation and Post Exposure Bake (PEB) temperature variation.例文帳に追加

実効露光量ばらつきを露光量変動とＰＥＢ温度変動とに分離して評価できるリソグラフィ装置の評価方法を提供すること - 特許庁

A PEB unit (PEB) comprises a stage 31 for mounting a wafer on which a resist film is formed; a heater 35 for heating the stage 31 to a predetermined temperature; a lift pin 32 arranged through the stage 31; and a elevating device 33 for holding a tip position of the lift pin 32 for supporting the wafer W at an arbitrary height.例文帳に追加

ＰＥＢユニット（ＰＥＢ）は、レジスト膜が形成されたウエハＷを載置するステージ３１と、ステージ３１を所定温度に加熱するヒータ３５と、ステージ３１を貫通して配置されたリフトピン３２と、ウエハＷを支持するリフトピン３２の先端位置を任意の高さ位置で保持する昇降装置３３と、を具備する。 - 特許庁

Also, the holding plate 51 is configured so that it can reciprocate between the bake plate PEB and the cooling plate CP3 and can also move in the upward and downward directions.例文帳に追加

また、保持プレート５１は、露光後ベークプレートＰＥＢとクールプレートＣＰ３との間で往復移動が可能であるとともに、昇降移動も可能に構成されている。 - 特許庁

In this method for manufacturing the inkjet recording head, a wafer is bent to the reverse direction to be fixed in a PEB process in which the contraction by hardening may occur.例文帳に追加

硬化収縮が発生するＰＥＢ工程時にウエハを逆方向へ反らせて固定することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法およびインクジェット記録ヘッド。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having small PEB temperature dependency and good balance of sensitivity, exposure latitude, resolution and profile, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

ＰＥＢ温度依存性が小さく、感度、露光ラチチュード、解像力、プロファイルのバランスが良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The resist pattern is formed on the wafer for inspection by carrying out the PEB processing at the corrected heating temperature (step S5), and a second linewidth of the resist pattern is measured (step S6).例文帳に追加

補正された加熱温度でＰＥＢ処理を行い検査用ウェハ上にレジストパターンを形成し（ステップＳ５）、当該レジストパターンの第２の線幅を測定する（ステップＳ６）。 - 特許庁