「Photodetection」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

When a CCD-type solid-state imaging device is driven by an interlace scan system, during an odd-numbered field term and an even-numbered field term, signal charges are inhibited from being read from half photodetection elements 31 among all the photodetection elements 31 subjected to reading.例文帳に追加

ＣＣＤ型固体撮像素子をインターレーススキャン方式で駆動する場合、奇数フィールド期間と偶数フィールド期間とのそれぞれにおいて、読み出し対象となる受光素子３１のうちの半数の受光素子３１から信号電荷の読み出しを禁止する。 - 特許庁

A slit plate 7 having 1st and 2nd slits 6a and 6c formed is arranged in front of the photodetection surface of the 1st photodetecting element.例文帳に追加

第１の受光素子４の受光面の前面には第１及び第２のスリット６ａ，６ｃが形成されたスリット板７が配置される。 - 特許庁

To provide a photodetection unit etc., configured to replace optical elements while preventing external light from entering detection elements.例文帳に追加

外光が検出素子へ入射することを防止しながら光学素子の交換を行うことが可能な光検出ユニット等を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive surface mount type photodetection unit capable of performing positioning on a predetermined position of a motherboard without generating dispersion.例文帳に追加

マザーボードの決められた位置に、バラツキのない位置決めを可能にする、安価な表面実装型フォト検出ユニットが求められている。 - 特許庁

Then a phototransistor 202 photodetects reflected light 204 from the key 101 and generates a sensor output voltage V_E corresponding to the photodetection quantity.例文帳に追加

そして、鍵１０１からの反射光２０４をフォトトランジスタ２０２で受光し、受光量に応じたセンサ出力電圧Ｖ_Eを生成する。 - 特許庁

The signal prediction part 16 predicts the strength of a signal outputted during the next period, based on the strength of a signal from a photodetection unit 10.例文帳に追加

信号予測部１６は光検出部１０からの信号強度に基づいて次周期に出力される信号強度を予測する。 - 特許庁

On the one surface side of the layer structure LS1, a film 10 is formed covering the photodetection region 9 and contact electrode 71.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１の一方面側には、受光領域９及びコンタクト電極７１を覆うように膜１０が形成されている。 - 特許庁

This electronic camera accumulates electric charge in a CCD 4 as a photodetection signal having at least color information for photodetected light.例文帳に追加

この電子カメラは、受光した光に対して少なくとも色情報を有する受光信号として電荷がＣＣＤ４に蓄積される。 - 特許庁

To provide an image reader where variation of TFT characteristic (resistance value) for photodetection seen in a short period is suppressed.例文帳に追加

短時間に見られる光検出用ＴＦＴ特性（抵抗値）の変動を抑制することができる画像読み取り装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photodetection device which easily deals with variation in size and shape of a detection target and is excellent in assemblability.例文帳に追加

被検出物の大きさや形状の変化に対応が容易で且つ組み立て性の良い光検出装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an inspection device using a microchip, wherein the constitution of a photodetection part is simple, and the device has a small size and low cost, and installation thereof is easy.例文帳に追加

光検出部の構成が簡単で、装置が小型で安価で設置が容易な、マイクロチップを用いる検査装置を提供すること。 - 特許庁

To improve the quality of an ultrasonic image by suppressing the multiple reflection of an ultrasonic wave in a photodetection type ultrasonic receiver.例文帳に追加

光検出方式の超音波受信装置において、超音波の多重反射を抑制し、超音波画像の画質を向上させる。 - 特許庁

To actualize complete transfer of electric charges at all pixels without lowering photodetection sensitivity and irrespective of manufacture variations and conditions.例文帳に追加

受光感度を低下させることなく、また製造のばらつきや条件に関わらず、全ての画素において電荷の完全転送を実現する。 - 特許庁

To provide a method to selectively form a SiGe perpendicular optical path and SiGe perpendicular optical path structure for IR photodetection.例文帳に追加

ＳｉＧｅ垂直光路と、ＩＲ光検出用のＳｉＧｅ光路垂直構造を選択的に形成する方法とを提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor substrate 1, a plurality of photodetection parts 3 are arranged which photoelectrically convert image light from a subject to generate signal charges, thermal oxide films 6 are provided on the plurality of the photodetection parts 3, and nitride film 7 is formed by further nitriding surfaces of the thermal oxide films 6 with heat.例文帳に追加

半導体基板１に、被写体からの画像光を光電変換して信号電荷を発生する複数の受光部３が配設され、複数の受光部３上に熱酸化膜６が設けられ、熱酸化膜６の表面を更に熱により窒化させた窒化膜７が形成されている。 - 特許庁

Each of the first to third photodetectors 4R, 4G and 4B has a two-dimensional array of photodetection cells such that centers of the photodetection cells are positioned at a piece of triangles sharing respective sides with one another, where none of three corner angles of each triangle is equal to 90°.例文帳に追加

第１から第３の光検出器４Ｒ、４Ｇ、４Ｂの各々は、二次元的に配列された光検出セルのアレイを有し、各光検出セルの中心は、辺を共有する三角形群の各頂点に位置し、前記三角形の３つの頂角は、いずれも９０°に等しくない。 - 特許庁

malfunctionS of the photodetection element are prevented by the light-shielding layer 112, and the electric potential of the light-shielding layer 112 is kept fixed by a capacitor constituted of the light-shielding layer 112, the insulating layers 114, 118 and the electrode pattern 120b so that the output current characteristics of the photodetection element D are stabilized and maintained.例文帳に追加

遮光層１１２により光検知素子の誤動作が防止され、遮光層１１２、絶縁層１１４，１１８、及び電極パターン１２０ｂからなるキャパシタにより、遮光層１１２の電位が一定に維持されることにより、光検知素子Ｄの出力電流特性が安定して維持される。 - 特許庁

To provide a near-field light probe capable of demonstrating an avalanche effect, improving photodetection sensitivity, improving the efficiency of detecting scattered light or the like generated by near-field light and lowering the noise of photodetection, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、アバランシェ効果を発揮し、光検出感度を高めることができ、近接場光により発生した散乱光等の検出効率を高めることができると共に光検出の低雑音化を図れる近接場光プローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The radiation detector module 9 is provided with a scintillation layer 10 made of a scintillation material for converting the X-ray 8 into a light, and a photodetection unit 13 coupled with the scintillation layer 10 to detect the light, and the photodetection unit 13 includes a plurality of silicon photomultipliers 15.例文帳に追加

放射線検出器モジュール（９）は、Ｘ線（８）を光に変換するためにシンチレーション材料から作られたシンチレーション層（１０）と、光を検出するためにシンチレーション層（１０）に結合された光検出ユニット（１３）とを備え、光検出ユニット（１３）が複数のシリコンフォトマルチプライヤ（１５）を含む。 - 特許庁

A fluorescence measuring apparatus 1 for measuring light from the sample held in a well of a microplate 20 comprises an image acquiring section 40 for acquiring a two-dimensional photodetection image, and a data analysis device 50 for analyzing measuring data, including the photodetection image.例文帳に追加

マイクロプレート２０のウェル内に保持された試料からの光を測定する光測定装置１を、２次元の光検出画像を取得する画像取得部４０と、光検出画像を含む測定データに対して解析処理を行うデータ解析装置５０とを備えて構成する。 - 特許庁

Since the photodetection surfaces a, b, c and d are provided on the side faces of the plurality of columnar projections A, B, C and D in the semiconductor photodetector 1, the photodetection surfaces a, b, c and d are easily irradiated with emitted light from the semiconductor light emitting elements A1, B1, C1 and D1.例文帳に追加

半導体光検出装置１は、複数の柱状突起Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの側面が光検出面ａ，ｂ，ｃ，ｄを備えているので、半導体発光素子Ａ１，Ｂ１，Ｃ１，Ｄ１からの出射光を光検出面ａ，ｂ，ｃ，ｄ上に容易に照射することができる。 - 特許庁

A distance calculating part calculates the distance, by adopting a light-receiving output having a proper range from among the light-receiving outputs of each of the photodetection element 1a, 1b, 1c.例文帳に追加

距離演算部は、各光検出素子１ａ，１ｂ，１ｃの受光出力のうち適正範囲のものを採用して距離を演算する。 - 特許庁

An edge position detection unit 50 includes a projection unit 54 and a photodetection unit 52 disposed opposite each other across the edge of the semiconductor wafer 12.例文帳に追加

エッジ位置検出部５０は、半導体ウェハ１２のエッジを挟んで対向するように配置された投光部５４および受光部５２を備える。 - 特許庁

The received signal L1 is almost totally reflected here and guided to a photodetection part 13 provided below a sealing layer 14 through the sealing layer 14.例文帳に追加

受信光信号Ｌ１は、ここでほぼ全反射して、封止層１４を介してその下方に設けられた受光部１３へと導かれる。 - 特許庁

When the CPU 36 decides that it is bright on the basis of a photodetection signal supplied from a photosensor 32, it turns off a light emitter 25.例文帳に追加

ＣＰＵ３６は、光センサ３２から供給された光検知信号に基づいて明るいと判定した場合、発光器２５を消灯する。 - 特許庁

In image pickup data D0 captured by an image pickup element 13, image height deviation on a photodetection plane of the image pickup element 13 is avoided.例文帳に追加

撮像素子１３により得られる撮像データＤ０において、撮像素子１３の受光面における像高ずれの発生が回避される。 - 特許庁

To provide a photosensor-integrated liquid crystal display device that maximizes the external light reaching the photodetection section and has a large proportion occupied by the image display section.例文帳に追加

光検出部に到達する外光を最大とし、かつ画像表示部の割合が大きい光センサー一体型液晶表示装置を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical waveguide for optical coupling adaptive to a decrease in diameter of an optical fiber core and area reduction in photodetection diameter.例文帳に追加

光ファイバコアの細径化・受光径の小面積化に対応することが可能な光結合用光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor photodetecting element capable of improving photodetection sensitivity, and to provide a method for manufacturing the semiconductor photodetecting element.例文帳に追加

光検出感度を向上することが可能な半導体光検出素子及び半導体光検出素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation image detector having superior photodetection sensitivity, capable of suppressing the image quality deterioration of a radiation image, and to provide a method for manufacturing the detector.例文帳に追加

光検出感度に優れ、放射線画像の画質低下が抑制された放射線画像検出器及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photometric adjusting method which can easily be incorporated only by providing a photodetection sensor with a marking and optically adjusting the marking.例文帳に追加

受光センサにマーキングを設けてこのマークを光学的に調整するだけで簡単に組み込みが行える測光調整方法を提供する - 特許庁

To provide a circuit for photodetection, and a photodetector capable of measuring a quantity of light in a wide dynamic range by using a photomultiplier.例文帳に追加

光電子増倍管を用いて広いダイナミックレンジで光量を測定することができる光検出用回路及び光検出器を提供する。 - 特許庁

A plurality of end surfaces 23 and 24 of the semiconductor light emitting element 21 are regarded as output end surfaces and optical paths are concentrated on a photodetection surface 51.例文帳に追加

半導体発光素子２１の複数の端面２３及び２４を出力端面とし、受光面５１に集中させる構成とする。 - 特許庁

An imaging means 13 photographs an image with electric charges accumulated by photoelectrically converting a subject image formed on a photodetection surface 13a.例文帳に追加

撮像手段１３が受光面１３ａ上に結像された被写体像を光電変換して蓄積した電荷によって画像を撮影する。 - 特許庁

To remove influences by charge/discharge currents caused by a stray capacity in a photodetection amplifier using a photodiode with an epi-sub structure.例文帳に追加

エピ−サブ構造のフォトダイオードを用いた受光増幅器において、寄生容量に起因する充放電電流による影響を除去する。 - 特許庁

To enable data transmission by infrared rays without providing the enclosure of equipment with a dedicated projection window/photodetection window and an infrared-ray emitting/receiving element.例文帳に追加

機器の外装体に専用の投光窓／受光窓や赤外線発光／受光素子を設けずに、赤外線によるデータ伝送を可能とする。 - 特許庁

Light is projected into an object space from a light emission source, and light from the object space is received by three photodetection elements 1a, 1b, 1c.例文帳に追加

発光源から対象空間に光を投光し、３個の光検出素子１ａ，１ｂ，１ｃにより対象空間からの光を受光する。 - 特許庁

A photodiode D2 receives light 2 emitted from the laser diode D1, and outputs a photodetection current Iop proportional to the light power thereof.例文帳に追加

フォトダイオードＤ２は、レーザダイオードＤ１から照射された光２を受光し、その光パワーに比例した受光電流Ｉｏｐを出力する。 - 特許庁

To provide a light quantity detection circuit and a display device capable of improving followability of photodetection in a low illuminance domain.例文帳に追加

低照度領域における光検出の追従性を向上させることができる光量検出回路及び表示装置を提供する。 - 特許庁

On the basis of the value of the weighted sum of the photodetection results of the irregular area, a light emission calculating section determines the target amount of light to be emitted.例文帳に追加

本発光演算部は、不定形領域における光検出結果の加重加算値に基づいて、本発光の目標発光量を決定する。 - 特許庁

To provide a light emission type solar battery module where light emitting elements are arranged, the solar battery module giving such an impression that the entire photodetection surface illuminates.例文帳に追加

発光素子を配した発光型太陽電池モジュールにおいて、受光面全体があたかも発光しているかのような印象が得られるようにする。 - 特許庁

The centers of the 2nd position adjusting stop 52 and photodetection part 47 can, therefore, be aligned only by making the external shapes of both the stops 51 and 52 conform to each other.例文帳に追加

従って両絞り５１，５２の外形を揃えるだけで第２の位置調整絞り５２と受光部４７の中心とを芯出しすることができる。 - 特許庁

To decrease a dark current by reducing an InGaAs photodetection layer in As concentration and improving an InP window layer in crystallinity at the same time.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ受光層でのＡｓ抜け低減と、ＩｎＰ窓層での結晶性の向上との両立により、暗電流を低減することができるようにする。 - 特許庁

The photodetection part 10 included in the solid-state imaging apparatus 1 is obtained by two-dimensionally arraying the M×N pixel parts P_1,1-P_M,N in M-rows and N-columns.例文帳に追加

固体撮像装置１に含まれる受光部１０は、Ｍ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列されたものである。 - 特許庁

To accurately detect horizontal scanning synchronism by correcting the distortion of a light beam spot shape on the photodetection surface of a photodetector to prevent image quality deterioration.例文帳に追加

受光素子の受光面の光ビームスポット形状の歪を補正して、主走査同期の正確な検出を可能にし、画像品質の劣化を防止する。 - 特許庁