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PiQを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
Then, a second organic film 23 constituted of PIQ is formed on the second insulating film 22.例文帳に追加
次いで、第２の絶縁膜２２上に、ＰＩＱよりなる第２の有機膜２３を形成する。 - 特許庁
Thereby, it is possible to prevent water and humidity out of circumference from permeating into the PIQ film 9b.例文帳に追加
これにより、周囲からの水分や湿気がＰＩＱ膜９ｂへ浸透するのを防ぐ。 - 特許庁
At least a surface of Au film 13 and the proximity of an opening in a protective film 11 are covered with a protective film 14 made of organic material such as polyimideamide (PEAI) or polyimide (PIQ).例文帳に追加
ポリイミドアミド（ＰＥＡＩ）もしくはポリイミド（ＰＩＱ）などの有機系材料で構成される保護膜１４によって、少なくともＡｕ膜１３の表面および保護膜１１における開口部近傍を覆う。 - 特許庁
The base metal BLM of a CCB bump 5 is formed on a surface protection film 10 where an inorganic insulating film 10a and a PIQ film 10b are stacked, and the fuse 8 which constitutes part of the redundancy circuit is formed only on the inorganic insulating film 10a.例文帳に追加
ＣＣＢバンプ５の下地金属ＢＬＭは、無機絶縁膜１０ａおよびＰＩＱ膜１０ｂが積層された表面保護膜１０の上層に形成し、冗長回路の一部を構成するヒューズ８は、無機絶縁膜１０ａ上のみに形成する。 - 特許庁
A first organic film 21 constituted of PIQ is formed on a semiconductor substrate 12 having a hole element area 14, whose surface is covered with a first insulating film 20 constituted of a silicon oxide film, and a second insulating film 22 constituted of silicon nitride film is formed.例文帳に追加
ホール素子領域１４を備え、表面がシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜２０で覆われた半導体基体１２上に、ＰＩＱよりなる第１の有機膜２１を形成し、次いで、シリコン窒化膜よりなる第２の絶縁膜２２を形成する。 - 特許庁
PIQ 30 and a resist 31 are applied from the surface, and prescribed domains of the first semiconductor layer 21 and the insulating layer 22 are removed from the back surface, to thereby expose the second semiconductor layer 23 in a domain where the moving part 1 and the fixed electrodes 6, 7 are formed.例文帳に追加
表面からＰＩＱ３０及びレジスト３１を塗布し、裏面より第１の半導体層２１および絶縁層２２の所定領域を除去して可動部１と固定電極６、７を形成する領域において第２の半導体層２３が露出させる。 - 特許庁
After a metallic layer 8a, which constitutes a part of a foundation metal BLM for a CCB bump, is processed by using a resist pattern 13 as a mask, a hydrophobic fluoride layer 12 is formed by plasma processing using fluorine gas in a surface of a PIQ film 9b while leaving the resist pattern 13.例文帳に追加
ＣＣＢバンプ用の下地金属ＢＬＭの一部を構成する金属層８ａをレジストパターン１３をマスクとして加工した後、レジストパターン１３を残したままＰＩＱ膜９ｂの表面にフッ素系ガスを用いたプラズマ処理によって、疎水性のフッ化物層１２を形成する。 - 特許庁
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