QSSを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
The quantity of organic matters adhering to the surface of the semiconductor substrate 14 can be determined from the difference between the Qss and Qss'.例文帳に追加
QssとQss'の差を求めることにより、半導体基板14表面に付着した有機物量を求めることができる。 - 特許庁
Since the Qss can be measured at a pitch of 15 mm, for example, the quantity of organic matters adhering to the surface of the semiconductor substrate can be measured locally.例文帳に追加
しかも、Qssは、例えば15mmピッチで測定できるため、半導体基板表面に付着した有機物量を、局所的に測定することができる。 - 特許庁
In the method for measuring the quantity of organic matters on the surface of a semiconductor substrate, surface static charges Qss generated by irradiating the surface of the semiconductor substrate with light are measured and after removing the organic matters on the surface of the semiconductor substrate 14, surface static charges Qss' on the surface of the semiconductor substrate 14 are measured similarly to the previous time.例文帳に追加
本発明の半導体基板表面の有機物測定方法は、半導体基板14表面に光を照射することにより発生する表面チャージQssを測定した後、半導体基板14表面の有機物を除去してから、前回と同様に半導体基板14の表面チャージQss'を測定する。 - 特許庁
Therefore, a silicon interface level (Qss) near the channel separation area 29 on a front surface of the n-type silicon substrate increases, and holes that are a minority carriers inside the n-type silicon substrate are extinguished in the area.例文帳に追加
したがって、上記N型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域29近傍のシリコン界面準位(Qss)が増大し、N型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁
Accordingly, a silicon interface state (Qss) in the vicinity of the channel isolation region 29 on the surface of the n-type silicon substrate increases, and holes or minority carriers in the n-type silicon substrate disappear in the region.例文帳に追加
したがって、上記N型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域29近傍のシリコン界面準位(Qss)が増大し、N型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁
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