「Quantum concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The quantum well structure has the well layer consisting of InGaAs or GaInNAs, wherein an oxygen concentration of the well layer is no more than 5×10^16 atoms/cm^3.例文帳に追加

量子井戸構造は、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓからなる井戸層を有し、井戸層の酸素濃度が５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 - 特許庁

The light emitting device package according to an embodiment of the present invention uses the quantum dot as a wavelength conversion member to thereby achieve superior color reproducibility and light emission efficiency, and facilitates the control of color coordinates by adjusting the particle size and concentration of the quantum dot.例文帳に追加

本発明の一実施例による発光素子パッケージは、波長変換部材として量子点を利用することで色再現性及び発光効率が向上し、量子点の粒度と濃度を調節することで色座標を容易に調節することができる。 - 特許庁

If the concentration of the impurity diffusion layer 8 is high, the life time of optical carriers is lowered and it is recombined, before they reach the depletion layer, and disappear, thus lowering the quantum efficiency of the light-receiving element.例文帳に追加

不純物拡散層８が高濃度の場合、光キャリアのライフタイムが低下し、空乏層に到達するまでに再結合して消滅し、受光素子の量子効率が低下する。 - 特許庁

There is provided a fluorescent coloring matter exhibiting high stability (against oxidation reaction, radical reaction, photoreaction or the like) and highly efficient light emission (high absorbance and high quantum efficiency), and capable of being dispersed in a polymer or a liquid crystal solvent in high concentration.例文帳に追加

高安定性（対・酸化反応、ラジカル反応、光反応等）、高効率発光（高吸光度、高量子効率）でポリマーや液晶溶媒に高濃度で分散させることのできる蛍光色素。 - 特許庁

To provide a photo diode which has a shallow pinning layer of high integration and a high concentration, reduces a defect on a surface, and is superior in a quantum efficiency effect per unit area, and a method for manufacturing it.例文帳に追加

高集積、高濃度で浅いピン止め層を有し、表面における欠陥を低減し、単位面積当りの量子効率効果にも優れたフォトダイオード及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of 1×10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.例文帳に追加

ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 - 特許庁

The active region 19 has a region of carrier concentration not higher than 1×10^16 cm^-3 in the light confinement layers 43a, 47a and the quantum well structure section 45a with the total thickness of ≥270 nm.例文帳に追加

活性領域１９が、光閉じ込め層４３ａ、４７ａ並びに量子井戸構造部４５ａに総厚２７０ｎｍ以上の１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度の領域を有する。 - 特許庁

To substantially control a dark current, blooming and color mixture when a PWL (p-type well region) structure is employed that deepens the PWL concentration profile, to improve the quantum efficiency of photoelectric conversion in a photo diode.例文帳に追加

ＰＷＬ（Ｐ型のウエル領域）の濃度プロファイルを深くしフォトダイオードでの光電変換の量子効率を向上させるＰＷＬ構造を有した場合、暗電流、ブルーミング及び混色などを大幅に抑制する。 - 特許庁

To provide satisfactory matching with a measured result, and to easily adopt this method to a simulator with a fluid model as a base, and to obtain consideration of a quantum phenomenon in which a physically correct result can be obtained for carrier concentration distribution.例文帳に追加

実測結果との整合性が良く、流体モデルを基本としたシミュレータに容易に採用することができ、かつキャリア濃度分布についても物理的に正しい結果を得ることができる量子的現象の考慮を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a p-type impurity concentration (cm^-3) is regulated in a range of 1.4×10^17-1.4×10^18, and a distance (nm) from the quantum well layer 6 to a p-type impurity doping layer is adjusted in a range of 100-350.例文帳に追加

また、ｐ型不純物濃度（ｃｍ^−３）を１．４×１０^１７以上１．４×１０^１８以下の範囲、量子井戸層６からｐ型不純物ドーピング層までの距離（ｎｍ）を１００以上３５０以下の範囲で適宜調整する。 - 特許庁

To realize a modulation-doped multiple quantum well structure having a sharp Zn profile of a few nm by satisfying two requirements, an increase in Zn concentration, and a reduction in the diffusion of Zn by the use of an organic metal vapor growth method using Zn.例文帳に追加

Ｚｎを用いた有機金属気相成長法を用いて、Ｚｎ濃度の増大とＺｎ拡散の低減を両立し、数ｎｍの急峻なＺｎプロファイルを有する変調ド−プ多重量子井戸構造を実現する。 - 特許庁

When a gate voltage is applied between the thin-film cathode 3 and the thin-film anode 4 so as to positively polarize the thin-film anode 4, an electric field is concentrated on a sharpened field concentration part 7, and electrons in the thin-film cathode 3 are emitted into a vacuum by a quantum mechanical tunnel effect.例文帳に追加

薄膜陰極３と薄膜陽極４との間に薄膜陽極４を正極性とするようなゲート電圧を印加すると、先鋭化された電界集中部７に電界が集中して、薄膜陰極３中の電子が量子力学的トンネル効果によって真空中に放射される。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

The efficiency of light emission is improved by improving the efficiency of radiative quantum efficiency by adding Bi, which acts as the light emitting center of a pair of donor acceptors, to an active layer of the light emitting device and improving the efficiency of electron injection by adding In of high concentration to an electron injection layer for injecting electrons into the active layer.例文帳に追加

発光デバイスの活性層にドナ・アクセプタペア発光中心として働くＢｉを添加し発光量子効率を高めるとともに、活性層に電子を注入するための電子注入層に高濃度のＩｎを添加して電子注入効率を高めることにより発光効率を高める。 - 特許庁

This method for increasing the production of secondary metabolite in plants comprises performing for plant bodies which have passed a seedling growing period, control of at least one kind of element selected from photosynthesis light quantum flux density, carbon dioxide concentration, light wave length, light period, temperature, humidity and nutrient quantity as elements influencing growth of Saint-John's-wort and Glycyrrhiza family plant.例文帳に追加

植物における二次代謝物の産生を増大せしめる方法であって、植物が、セイヨウオトギリソウ、Glycyrrhiza属である植物の生育に影響する要素である光合成光子量密度、二酸化炭素の濃度、光の波長、明期、温度、湿度および栄養分の量からの少なくとも１種の要素の制御を、成苗期を経過した植物体に対して行うことを含む、前記方法。 - 特許庁

The light-emitting region has a structure of alternately laminating a region with the materials with the high light-emitting quantum yield dispersed in the materials with the high carrier transport property and a region with high concentration of materials with the high carrier transport property.例文帳に追加

一対の電極の間に発光領域を有し、発光領域は、複数種の発光量子収率の高い物質と、一種または複数種のキャリア輸送性の高い物質とを含み、発光領域は、キャリア輸送性の高い物質に発光量子収率の高い物質が分散している領域と、キャリア輸送性の高い物質の濃度が高い領域とが交互に積層している構造を有する発光素子を提供する。 - 特許庁