S-VTの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7件
fontsel (class SmeBSB) Thisentry invokes the set-vt-font(s) action. 例文帳に追加
"fontsel (class SmeBSB)"このエントリは set-vt-font(s) アクションを起動する。 - XFree86
set-vt-font(d/1/2/3/4/5/6/e/s[,normalfont [, boldfont]]) 例文帳に追加
"set-vt-font(d/1/2/3/4/5/6/e/s [,normalfont [, boldfont]])"このアクションは VT102 ウィンドウで現在使われているフォントを設定する。 - XFree86
This method uses an equation t=((2^n+1+S-VT(A))mod 2^n)/VT(WS).例文帳に追加
この方法には、等式：ｔ＝（（２^ｎ＋１＋Ｓ−ＶＴ（Ａ））ｍｏｄ ２^ｎ）／ＶＴ（ＷＳ）が用いられる。 - 特許庁
Here, f represents a resistant coefficient based upon a wind velocity Vt m/s in the throttle part, and C_1, C_0 represent constants.例文帳に追加
（但し、ｆは絞り部における風速Ｖｔ（ｍ／ｓ）を基準とした抵抗係数、Ｃ_１，Ｃ_０は定数を表す。） - 特許庁
Leakage current of a circuit including low Vt MOSTs is reduced by various driving methods reversely biasing a gate (G) and a source (S) of the MOST.例文帳に追加
低ＶｔのＭＯＳＴを含む回路のリーク電流を、ＭＯＳＴのゲート（Ｇ）とソース（Ｓ）を逆バイアスする各種の駆動方式によって低減する。 - 特許庁
By applying various kinds of G-S reverse biases to the low Vt MOST, a high-speed low-voltage CMOS logic circuit or a memory circuit with less leakage current and at 1 V and under can be achieved.例文帳に追加
低ＶｔのＭＯＳＴに各種のＧ−Ｓ逆バイアスを加えることにより、リーク電流の少ない１Ｖ以下の高速低電圧ＣＭＯＳ論理回路、あるいはメモリ回路が実現される。 - 特許庁
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