「SGs」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In a representative SQL issuing function, an SGS performs all SQL issuing, the SGS side also acquires all of the execution results, and the acquired results are caused to pass through filtering again so as to make only needed results are returned to the Internet server.例文帳に追加

代理ＳＱＬ発行機能は、ＳＱＬ発行をすべてＳＧＳが行い、その実行結果もすべてＳＧＳ側で取得する、取得された結果は再びフィルタリングを通って必要なものだけインターネットサーバーに返される。 - 特許庁

The control circuit AR2 is configured to boost the voltages of the source line SL and the source side selection gate line SGS in the erase operation, while keeping the voltage of the source line SL larger than the voltage of the source side selection gate line SGS by a predetermined potential difference.例文帳に追加

制御回路ＡＲ２は、消去動作時に、ソース線ＳＬの電圧をソース側選択ゲート線ＳＧＳの電圧よりも所定電位差だけ大きく保ちつつソース線ＳＬの電圧及びソース側選択ゲート線ＳＧＳを昇圧させる。 - 特許庁

An SOG film is formed as a sacrifice layer so that an upper surface is positioned above an upper surface of a polycrystalline silicon layer 4 and below an upper surface of gate electrodes MG, SGS, SGD between gate electrodes MG-MG, MG-SGS, and MG-SGD.例文帳に追加

ゲート電極ＭＧ−ＭＧ間、ＭＧ−ＳＧＳ間、ＭＧ−ＳＧＤ間に多結晶シリコン層４の上面よりも上方で且つゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上面よりも下方に上面が位置するように犠牲層としてＳＯＧ膜を形成する。 - 特許庁

However, the arbitral tribunal determined that it would not accept the admissibility of the case, and should not exercise its jurisdiction over the subject dispute, indicating that SGS entered into a contract with the Philippines government, agreeing to submit disputes concerning the contract only to domestic courts.例文帳に追加

そのうえで仲裁廷は、SGS 社が、まさに申し立ての根拠である契約に関する紛争について、フィリピン政府と国内法廷のみを選択することに契約上合意していることを指摘し、受理可能性を認めるべきでなく、仲裁廷は管轄権を行使するべきでないと判断した。 - 経済産業省

In the select gate transistor SGS, a part of a gate electrode portion GE2 is buried in a trench 12 provided in the surface of a silicon substrate 11.例文帳に追加

選択ゲートトランジスタＳＧＳは、ゲート電極部ＧＥ２の一部が、シリコン基板１１の表面部に設けられた溝部１２内に埋め込まれている。 - 特許庁

Further, a drain side selection gate line SGD and a source side selection gate line SGS are charged to the second voltage Vs by the voltage generation circuit 10.例文帳に追加

さらに、電圧発生回路１０により、ドレイン側選択ゲート線ＳＧＤおよびソース側選択ゲート線ＳＧＳを、第２の電圧Ｖｓに充電する。 - 特許庁

The device is provided with a memory cell array 11, selection gate transistors SGD, SGS, a control gate driving circuit 12, a selection gate driving circuit 13, and a source line driving circuit 14.例文帳に追加

メモリセルアレイ１１、選択ゲートトランジスタＳＧＤ、ＳＧＳ、制御ゲート駆動回路１２、選択ゲート駆動回路１３、ソース線駆動回路１４を備える。 - 特許庁

When control signals SGS are outputted, as a result of the input side (B point) of a capacitor C2 becoming a ground level, the potential of the output side (A point) becomes -HV.例文帳に追加

制御信号ＳＧＳが出力されると、コンデンサＣ２の入力側（Ｂ点）がグランドレベルとなる結果、その出力側（Ａ点）の電位が−ＨＶとなる。 - 特許庁

The selection transistor SGS is connected between the other end of the memory cell group and a source line SL, and has a gate length shorter than that of the selection transistor SGD.例文帳に追加

選択トランジスタＳＧＳはメモリセル群の他端とソース線ＳＬ間に接続され、選択トランジスタＳＧＤのゲート長より短いゲート長を有する。 - 特許庁

Simultaneously, the select gate transistor SGS-Tr of a source side is turned ON by a potential Vsg from the row control circuit to precharge the potential of the channel.例文帳に追加

これと同時に、ロウ制御回路からのＶｓｇ電位により、ソース側のセレクトゲートトランジスタＳＧＳ−Ｔｒをオンさせて、チャネルの電位をディスチャージさせる。 - 特許庁

The control gate driving circuit 12 drives the control gate of the memory cell group, and the selection gate driving circuit 13 drives the gates of the selection transistors SGD and SGS.例文帳に追加

制御ゲート駆動回路１２はメモリセル群の制御ゲートを駆動し、選択ゲート駆動回路１３は選択トランジスタＳＧＤ、ＳＧＳのゲートを駆動する。 - 特許庁

A selection gate line SGS in the source side is arranged, against the cell word line WL0 neighboring thereto, keeping at least the distance of "C=n*A+(n-1)B, an integer of n≥2".例文帳に追加

ソース側の選択ゲートラインＳＧＳは、これに隣接するセルワードラインＷＬ０との間に、少なくとも“Ｃ＝ｎ＊Ａ＋（ｎ−１）Ｂ，ｎ≧２の整数”の距離を有して配置されている。 - 特許庁

U-shaped pillars 30 penetrating selection gate electrodes SGb, SGs and the control gate electrodes CG, each having one end connected to a source line SL and the other end connected to a bit line BL are arranged in the laminate.例文帳に追加

また、積層体内に、選択ゲート電極ＳＧｂ、ＳＧｓ、制御ゲート電極ＣＧを貫き、一端がソース線ＳＬに接続され、他端がビット線ＢＬに接続されたＵ字ピラー３０を設ける。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film 9 having etching selectivity with the SOG film is formed so that the silicon oxide film 9 is along an upper side face of the gate electrodes MG, SGS, SGD and an upper surface of the SOG film.例文帳に追加

次に、ゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上部側面およびＳＯＧ膜の上面に沿うようにＳＯＧ膜との間でエッチング選択性を有するシリコン酸化膜９を形成する。 - 特許庁

In the NAND-type flash memory 100, a drain side selecting gate line SGD, source side selection gate line SGS, and a (p) type semiconductor substrate Psub of a block made as non-selection by a row decoder are made to be a ground potential.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１００は、ロウデコーダ２により非選択とされたブロックのドレイン側選択ゲート線ＳＧＤ、ソース側選択ゲート線ＳＧＳおよびＰ型半導体基板Ｐｓｕｂを接地電位にする。 - 特許庁

In the stack, U shape pillars 30 are arranged, penetrating selection gate electrodes SGb, SGs and the control gate electrodes CG1-CG4 with one ends connected to a source line SL and the other ends connected to a bit line BL.例文帳に追加

また、積層体内に、選択ゲート電極ＳＧｂ、ＳＧｓ、制御ゲート電極ＣＧ１〜ＣＧ４を貫き、一端がソース線ＳＬに接続され、他端がビット線ＢＬに接続されたＵ字ピラー３０を設ける。 - 特許庁

A voice guide pack, which includes the voice guide data, is arranged in a still picture set(SPS) or the pack is arranged in lieu of the real time information pack in an audio title set (an ATS) or the voice guide pack is arranged in a speech guide set(SGS).例文帳に追加

音声ガイドデータを含む音声ガイドパックをスチルピクチャセット（ＳＰＳ）内に配置したり、オーディオタイトルセット（ＡＴＳ）内のリアルタイムインフォメーションパックの代わりに配置したり、スピーチガイドセット（ＳＧＳ）を設けてこの中に配置する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor, a method of manufacturing the same, and an organic electroluminescent display device including the thin-film transistor in which a polycrystalline silicon layer has a specific Raman spectrum peak value when an amorphous silicon layer is crystallized into the polycrystalline silicon layer by SGS crystallization method.例文帳に追加

ＳＧＳ結晶化法で非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化する場合、多結晶シリコン層が特定なラマンスペクトラムのピーク値を有する薄膜トランジスタ、その製造方法及びこれを備えた有機電界発光表示装置を提供する。 - 特許庁

In the navigation apparatus 100, an input section 240 properly generates a contact detection signal Sgs or a depression detection signal Sbt on the basis of an entry operation of an operation means of the input section 240 and outputs the signal to a control signal output means.例文帳に追加

ナビゲーション装置１００は、入力部２４０にて、この入力部２４０が有する操作手段の入力操作に基づいて、接触検出信号Ｓgsまたは押圧検出信号Ｓbtを適宜生成して処理部３４０の制御信号出力手段へ出力する。 - 特許庁

The signal line driving circuit is provided with a signal processing part SGP for outputting two video signals varying time sequentially, and a signal distribution part SGS for sequentially distributing the two video signals outputted from the signal processing part SGP to plural signal lines X1-X6 on a two-by-two lines basis.例文帳に追加

信号線駆動回路は時系列的に変化する２映像信号を出力する信号処理部ＳＧＰと、信号処理部ＳＧＰから出力される２映像信号を複数の信号線Ｘ1〜Ｘ6に２本ずつ順次配給する信号配給部ＳＧＳとを備える。 - 特許庁

Two selection gate lines SGD1, SGD2 of bit line side selection transistors, and two selection gate lines SGS1, SGS2 of source line side selection transistors are separately short-circuited every 64 lines of the bit lines to form bit line side selection gate lines SGD and source line side selection gate lines SGS.例文帳に追加

ビット線側選択トランジスタの２本の選択ゲート線ＳＧＤ１、ＳＧＤ２、ソース線側選択トランジスタの２本の選択ゲート線ＳＧＳ１、ＳＧＳ２は、それぞれビット線６４本おきに短絡され、ビット線側選択ゲート線ＳＧＤ、ソース線側選択ゲート線ＳＧＳとなっている。 - 特許庁

An interval between the source side selection gate transistors SGS is smaller than an interval between the drain side selection gate transistors SGD, and a distance from the top face of the semiconductor substrate 11 to a top face of the silicon nitride film 17 is greater than a distance from the top face of the semiconductor substrate 11 to a top face of the silicon nitride film 14.例文帳に追加

ソース側選択トランジスタＳＧＳ間の間隔は、ドレイン側選択トランジスタＳＧＤ間の間隔より狭く、半導体基板１１の上面からシリコン窒化膜１７の上面までの距離は、半導体基板１１の上面からシリコン窒化膜１４の上面までの距離より大きい。 - 特許庁

The intake device 1A prevents sticking of the fuel FU to the partition plate 4 by a part SGS of an intake air flow flowing via the communicating part, and can improve combustion efficiency and emission of the internal combustion engine since the sticking fuel can be scraped away.例文帳に追加

この吸気装置１Ａによると、連通部を介して流れる吸気流の一部ＳＧＳにより、仕切板４への燃料ＦＵの付着を予防し、また、付着した燃料を掻き落とすことができるので、内燃機関の燃焼効率の向上及びエミッションの改善を図ることができる。 - 特許庁

While the silicon oxide film 9 is allowed to reside as a spacer along an upper side face of the gate electrodes MG, SGS, SGD, an upper opening 11a leading to an upper surface of the SOG film is formed by anisotropic etching treatment, and the SOG film is removed through the upper opening 11a.例文帳に追加

シリコン酸化膜９をゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上部側面に沿ってスペーサとして残留させながらＳＯＧ膜の上面に通ずる上開口部１１ａを異方性エッチング処理によって形成し、当該上開口部１１ａを通じてＳＯＧ膜を除去する。 - 特許庁

When acquiring the contact detection signal Sgs, the control signal output means produces a notice control signal and outputs the signal to a voice control means and when acquiring the depression detection signal Sbt, the control signal output means produces a processing control signal and outputs the signal to a display control means, the voice control means and a guide leading arithmetic means properly.例文帳に追加

制御信号出力手段は、接触検出信号Ｓgsを取得すると報知制御信号を生成して音声制御手段へ出力し、押圧検出信号Ｓbtを取得すると処理制御信号を生成して表示制御手段、音声制御手段、案内誘導演算手段へ適宜出力する。 - 特許庁

In each memory cell unit, a memory cell array consisting of a series connection in the array direction of a predetermined number of memory cell transistors MC capable of electrical writing and erasure of data has one end connected with a bit line BL through a first select gate transistor and the other end connected with a source line SL through a second select gate transistor SGS.例文帳に追加

各メモリセルユニットは、電気的なデータの書き込みおよび消去が可能な所定個のメモリセルトランジスタＭＣを列方向に直列に接続したメモリセル列の、その一端が第１の選択ゲートトランジスタを介してビット線ＢＬに接続され、他端が第２の選択ゲートトランジスタＳＧＳを介してソース線ＳＬに接続されている。 - 特許庁

In this manufacturing method for a thin film transistor, by controlling the refractive index of the capping layer formed by a nitride film at crystallizing by an SGS crystallizing method, a semiconductor layer having a large diameter of a crystal grain can be obtained, so that a large electron mobility and superior characteristics can be obtained and the characteristics can be controlled.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタ制造方法によれば、ＳＧＳ結晶化法で結晶化時、窒化膜で形成されたキャッピング層の屈折率を制御することにより、結晶粒径が大きい半導体層を得ることができ、電子移動度が大きく、特性が優秀で、特性を制御することができる。 - 特許庁

The navigation apparatus 100 uses the voice control means to allow a voice output section 230 to output a voice for notifying processing contents corresponding to the operation means on the basis of the contact detection signal Sgs, and uses the display control means, the voice control means and the guide leading arithmetic means to execute a processing corresponding to the operation means on the basis of the depression detection signal Sbt.例文帳に追加

ナビゲーション装置１００は、音声制御手段にて、接触検出信号Ｓgsに基づいて操作手段に対応する処理内容を報知する音声を音声出力部２３０から出力させ、表示制御手段、音声制御手段、案内誘導演算手段にて、押圧検出信号Ｓbtに基づいて操作手段に対応する処理を実施させる。 - 特許庁

In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided.例文帳に追加

ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁

A bit interleave step comprises a bit demultiplexing DMXS for extracting bit sequence Bsj, a sequence interleave SRIS for reordering a bit of each sequence Bsj, a sequence interleave SRIS for reordering a bit of each sequence Bsj, a sequence strage and segmentation SQSS for dividing interleaved each sequence Isqj into continuous segment Psgj, and a segment shift SGS for carrying out cyclic shifts of the segment Psgj.例文帳に追加

ビットインターリーブステップは、ビット系列Ｂｓｊを抽出するためのビットデマルチプレクシングＤＭＸＳと、各系列Ｂｓｊのビットを並べ替えるための系列インターリーブＳＲＩＳと、インターリーブされた各系列Ｉｓｑｊを連続したセグメントＰｓｇｊに分割するための系列格納およびセグメント化ＳＱＳＳと、セグメントＰｓｇｊを循環シフトするためのセグメントシフトＳＧＳとを含む。 - 特許庁

The thin film transistor according to the manufacturing method comprises the insulating board, the gate electrode formed on the board, the gate insulating film formed on the gate electrode, the polycrystalline silicon layer which is formed on the gate insulating film through a crystallization process employing the SGS crystallization method, and the source/drain areas and the source/drain electrodes which are formed in given areas on the board.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタ及びその製造方法は絶縁基板と；基板上に形成されたゲート電極と；ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上に形成されて、ＳＧＳ結晶化法で結晶化された多結晶シリコーン層；及び基板上の所定領域に形成されたソース／ドレイン領域及びソース／ドレイン電極を含んで構成された薄膜トランジスタ及びその製造方法に技術的特徴がある。 - 特許庁