Solid-stateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 12279件
After the output levels a-h of each R pixel and G pixel in a RED row in the vertical transfer direction are detected, by irradiating solid-state image pickup elements in a Bayer arrangement with RED light, the difference (a-b), (c-d) (e-f) and (g-h) between the output levels of the R pixel and succeeding G pixel are calculated.例文帳に追加
ベイヤー配列の固体撮像素子にRED光を照射して、その垂直転送方向のRED列の各R画素及びG画素の出力レベルa〜hを検出した後、R画素とその直後のG画素との出力レベルの差(a−b)、(c−d)、(e−f)、(g−h)を算出する。 - 特許庁
The polyester composition comprises a thermoplastic polyester and a partial aromatic polyamide, wherein the content of fine contained in the polyester is 5,000 ppm or less, and the difference between the melting point of the fine and that of the chips of the polyester obtained by a solid-state polymerization is 15°C or less.例文帳に追加
主として、熱可塑性ポリエステルと部分芳香族ポリアミドとからなるポリエステル組成物であって、前記ポリエステルが含有するファインの含有量が5000ppm以下であり、かつ前記ファインの融点と前記固相重合ポリエステルのチップの融点の差が15℃以下であることを特徴とするポリエステル組成物。 - 特許庁
This method comprises reacting a 2-alkyl-2-adamantanol such as 2-methyl-2-adamantanol with a carboxylic acid such as acrylic acid in the presence of an acid catalyst such as concentrated sulfuric acid and an acidic or neutral inorganic compound such as magnesium sulfate solid in a dried state at normal temperature or a desiccant comprising a water-absorptive polymer.例文帳に追加
2−メチル−2−アダマンタノール等の2−アルキル−2−アダマンタノールとアクリル酸等のカルボン酸とを、濃硫酸等の酸触媒、および硫酸マグネシウム等の乾燥した状態で常温において固体である酸性或いは中性の無機化合物又は吸水性高分子からなる乾燥剤の存在下で反応させる。 - 特許庁
To obtain a phosphate group-containing polymer formable of cast films and having high proton conductivity even in anhydrous state, to obtain a polymer solid electrolyte using the polymer and to provide a method for producing a phosphate group-containing polymer maintaining solubility in a specified solvent and formable of cast films.例文帳に追加
キャスト製膜が可能であり、かつ、無水状態においても高いプロトン伝導性を発揮するリン酸基含有ポリマー及びそれを用いた高分子固体電解質を提供するとともに、特定の溶剤に対する溶解性を維持したキャスト製膜可能なリン酸基含有ポリマーを製造する方法を提供する。 - 特許庁
This polymeric phosphor has a visible fluorescence in the solid state, has a number average mol.wt. of 103-107 in terms of polystyrene, and contains at least one kind of repeating units represented by the formula: -Ar1-CR1=CR2-, the sum of these repeating units accounting for 0.5-100 mol% of the total repeating units.例文帳に追加
固体状態で可視の蛍光を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が10^3〜10^7である高分子蛍光体において、下記式(1)で示される繰り返し単位を1種類以上含み、かつそれらの繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の0.5モル%以上100モル%以下である高分子蛍光体。 - 特許庁
This manufacturing method is carried out through a manner where specially selected dissimilar metal thin pads arranged on a chip and a board are connected together through a solid-state diffusion bonding method instead of that solder bumps mounted on the pads of a chip and a board are made to reflow for making electrical and physical connections such as flip-chip bonding.例文帳に追加
フリップ−チップ結合にて行われるようなチップ及び基板のパッドに取付けられたはんだバンプをリフローさせることによる電気的及び物理的結合を形成させることに代わり、チップ及び基板上に配置された特別に選択された異種金属薄型パッドが固体拡散ボンディング方法により接続される。 - 特許庁
Photoelectric conversion of an image signal of each pixel imaged in the same frame is confirmed, and various parameters such as a color correction coefficient of a color correction circuit 10, a gradation conversion characteristic by a gradation conversion circuit 11, and an LPF coefficient and a coring count of a coring circuit 12 are switched on the basis of the dynamic range of the solid-state imaging device 2.例文帳に追加
同一フレームで撮像された各画素の画像信号の光電変換を確認し、色補正回路10の色補正係数や、階調変換回路11の階調変換特性や、コアリング回路12のLPF係数やコアリング計数などの各種パラメータを、固体撮像素子2のダイナミックレンジに基づいて切り換える。 - 特許庁
The fuel cell 1 is fabricated by fixing a cell 10, which is provided with an anode 20 on one side of a solid electrolyte plate 11 and a cathode 30 on the other side, in a state held by a pair of collector plates 41, 42 within a housing 50 through the interior of which a reactive gas mixture of a fuel gas and an oxidizer gas is passed.例文帳に追加
燃料電池1は、固体電解質板11の一方にアノード20が、他方にカソード30が配設されてなるセル10が、一対の集電板41,42に挟持された状態で、燃料ガスと酸化剤ガスとを混合した反応ガスが内部を流通するハウジング50内に固定されて構成されている。 - 特許庁
The black layer 46 is subjected to dry etching to integrally form a peripheral light-shielding film 45 covering the peripheral region S of a pixel forming region A of the solid-state imaging element 10, and an aperture pattern to leave a black matrix 41 as boundaries among red, green and blue pixels 40R, 40G and 40B, respectively, on the pixel forming region A.例文帳に追加
黒色層46をドライエッチングして、固体撮像素子10の画素形成領域Aの周縁領域Sを覆う周縁遮光膜45と、画素形成領域A上に赤色・緑色・青色画素40R,40G,40B間の境界となるブラックマトリックス41を残すように開口パターンとを一体形成する。 - 特許庁
An antibacterial filter 4 wherein an antibacterial material hardly soluble in a fluid 6 is bonded to a filter substrate permitting the fluid to pass in a solid state is airtightly fitted in the opening part 2a of a container main body 2 and, further, the pore size of the filter 4 is set so as not to permit the passage of microorganisms.例文帳に追加
開口部2aを有する容器本体2の該開口部2aに、流体6が通過可能なフィルタ基体に該流体に対して難溶解性の抗菌性材料を固体状態で付着させた抗菌性フィルタ4を、気密に装着し、さらに、フィルタ4の流孔径を微生物が通過できない大きさにした。 - 特許庁
In the color solid-state imaging apparatus wherein a plurality of pixels, each capable of detecting signals of various colors of at least red, green, and blue, are organized in the array structure; a pixel 101 having a relatively high sensitivity is located on one position of a checkered pattern while a pixel 102 having a relatively low sensitivity is located on the other position of the checkered pattern.例文帳に追加
1画素で少なくとも赤色,緑色,青色の各色信号を検出する複数の画素がアレイ状に配列されたカラー固体撮像装置において、市松状の一方の位置に相対的に感度の高い画素101を配置し、市松状の他方の位置に相対的に感度の低い画素102を配置する。 - 特許庁
To provide a display medium containing a dispersion medium which is solid at room temperature and is changed into a liquid state when heated and at least one kind of electrophoretic particle electrophoretic with an electric field in the dispersion medium, the display medium having high image holding property and having no unevenness on its surface, and a display element.例文帳に追加
常温では固体状態に、加熱時には液体状態に変化する分散媒と、電界により電気泳動する少なくとも1種類の電気泳動粒子を分散媒中に含む表示媒体であって、画像保持性が高く、かつ、表面に凹凸のできることのない表示媒体および表示素子を提供する。 - 特許庁
The recording layer 4 is composed mainly of a low molecular cholesteric liquid crystalline compound which shows a cholesteric phase at a higher temperature than a room temperature to reflect a light of a visible wavelength range in response to a temperature and becomes a solid in such a state that it reflects a light by quenching the compound from the temperature and a nematic liquid crystalline compound.例文帳に追加
記録層4は、室温より高い温度でコレステリック相を示して温度に応じた可視波長域の光を反射し、その温度から急冷することによって反射状態のまま固体化する低分子コレステリック液晶性化合物と、ネマティック液晶性化合物とを主成分としている。 - 特許庁
The imaging device divides a light-receiving surface of a solid state image sensor (image sensor)1 into at least two, images an optical image from an imaging lens part 101 onto each light-receiving surface, and switches drive so as to perform one light-receiving surface readout with a pixel mixed readout and the other readout with an all pixels readout, respectively.例文帳に追加
固体撮像素子(イメージセンサ)1の1つの受光面を少なくとも2つに分け、撮像レンズ部101からの光学像を各々の受光面に結像し、1つの受光面の読み出しを画素混合読み出しで、他方の読み出しを全画素読み出しでそれぞれ読み出すように駆動を切り替える。 - 特許庁
This target device 5 is provided with a solid-state target 10 formed of a substance generating neutrons by being irradiated with a proton beam L, and a cooling plate 15 contacting the target 10, and is structured such that spiral grooves 17 closed by the target 10 and used for making cooling water W pass therethrough are formed on the cooling plate 15.例文帳に追加
陽子線Lの照射を受けて中性子を発生する物質からなる固体状のターゲット10と、ターゲット10に接する冷却板15とを備え、冷却板15には、ターゲット10によって塞がれると共に、冷却水Wが通過する螺旋溝17が形成されているターゲット装置5とした。 - 特許庁
In an anode oxidization process of the solid state electrolytic capacitor, an oxidized film 2 and a carbon nanotube layer 4 are formed by anode-oxidizing an anode body in an electrolyte formed of a mixing carbon nanotube with a water solution such as a phosphorus acid, a nitric acid and an acetic acid, and by forming an oxidized film and a cathode layer in the same solution.例文帳に追加
固体電解コンデンサの陽極酸化処理工程において、リン酸、硝酸、酢酸などの水溶液にカーボンナノチューブを混入した電解液にて陽極酸化し、酸化皮膜形成と陰極層形成を同一液中にて行うことで、酸化皮膜2およびカーボンナノチューブ層4を形成する。 - 特許庁
Or this is a solid-state image pickup device where the unit cell consists of the effective region 13 for sensing light, the OB region 11 adjoining this effective region 13 and outputting dark voltage signals, and the dummy regions 12 and 60 adjoining this OB region 11 and absorbing the signals which leak from the opposite side from the OB region 11.例文帳に追加
または、単位セルが、光を感知する有効領域と、この有効領域に隣接し、暗電圧信号を出力するOB領域と、このOB領域に隣接し、前記OB領域とは反対側から漏れてくる信号を吸収するダミー領域とからなることを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁
In the solid-state imaging element provided with a semiconductor board 1 arranging a light receiving part 2, a light receiving part flattening layer 4, a color filter 5, a color filter flattening layer 7, and a condensing micro lens 12, a fluorine-based silane compound layer or a fluoride polymer layer 11 is provided on the light receiving part flattening layer between the micro lenses.例文帳に追加
受光部2が配列された半導体基板1と、受光部平坦化層4と、カラーフィルタ5と、カラーフィルタ平坦化層7と、集光用のマイクロレンズ12とを備える固体撮像素子において、該マイクロレンズ間の受光部平坦化層上にフッ素系シラン化合物層又はフッ化物重合体層11を備えること。 - 特許庁
The solid state imaging device 1 has the structure in which an independent first conductive type region 9 separated from a photodiode 5 and a transistor, is provided in at least a part of two or more pixels 1a, and the independent first conductive type region 9 is so provided that this region 9 continues between adjacent pixels and arranged unevenly in each pixel.例文帳に追加
固体撮像装置1を、複数の画素1aのうち、少なくとも一部において、フォトダイオード5及びトランジスタと分離された独立第1導電型領域9が設けられ、独立第1導電型領域9が、隣り合う画素間で連続して、かつ、各画素内では不均一に設けられた構成とする。 - 特許庁
The solid-state imaging device comprises an MOS transistor T2 having a source connected with the drain of a MOS transistor T1 having a transfer gate connected with a buried photodiode PD, a MOS transistor T5 having a gate connected with the drain of the MOS transistor T1, and a capacitor C connected with the source of the MOS transistor T5.例文帳に追加
埋込型フォトダイオードPDに接続された転送ゲートを備えたMOSトランジスタT1のドレインにソースが接続されたMOSトランジスタT2と、MOSトランジスタT1のドレインにゲートが接続されたMOSトランジスタT5と、MOSトランジスタT5のソースに接続されたコンデンサCと、を備える。 - 特許庁
This rigid video-endoscope system is composed of at least an objective optical system 1, a relay optical system 2, an imaging optical system 3 and a solid-state imaging element 4, in order from the object side, and in the middle of the relay optical system 2, a tip inserting part side 21 and a camera head side 22 are made removable.例文帳に追加
物体側から順に、少なくとも、対物光学系1、リレー光学系2、撮像光学系3及び固体撮像素子4から構成される硬性ビデオ内視鏡システムであって、リレー光学系2の途中で先端挿入部側21とカメラヘッド側22とが取り外し可能になっている硬性ビデオ内視鏡システム。 - 特許庁
The method for producing feed includes holding the hydrolytic tannin-containing organic substance and water content in a coexisting state for 5-180 min, under such condition as to have a temperature of 170-260 °C, the pressure of 0.4-30 MPa and the liquid/solid ratio of (1:1) to (100:1) so as to hydrolyze tannin.例文帳に追加
加水分解性タンニンを含有する有機物と水分とを共存させた状態で、温度170℃〜260℃、圧力0.4MPa〜30MPa、液固比1:1〜100:1の条件で、5分間〜180分間保持することによりタンニンを加水分解することを特徴とする飼料の製造方法によって解決される。 - 特許庁
A solid-state imaging apparatus includes: the plurality of pixels arranged in a first pixel region 1 which is not light-shielded and a second pixel region 2 which is light-shielded, and including a photoelectric converting means for converting an optical signal into an electric signal; and a scanning means for selectively scanning the plurality of pixels by a pixel selecting signal 5 synchronized with a clock signal.例文帳に追加
遮光されていない第1の画素領域1と、遮光されている第2の画素領域2とに配置され、光信号を電気信号へ変換する光電変換手段を有する複数の画素と、クロック信号に同期した画素選択信号5により複数の画素を選択して走査する走査手段と有する。 - 特許庁
The solid state image pickup further comprises a light shield mask 150 formed on the low-pass filter, microlenses 160, a seal resin 170, a window 180 in the light shield mask, a transparent conductive film 190, an antireflection film 195, a device hole 210, a lead 220 for dropping the transparent conductive film to GND, and a conductive paste 230 for connecting the lead.例文帳に追加
150はローパスフィルターに形成された遮光マスク、160はマイクロレンズ、170はシール樹脂、180は遮光マスクの窓部、190は透明導電膜、195は反射防止膜、210はデバイスホール、220は透明導電膜をGNDに落とすリード、230はリードを接続する導電ペーストである。 - 特許庁
The plastic deformation corresponding to ≥220% of equivalent elongation is imparted to an alloy stock, an average grain size is refined to ≥10 μm, an average grain size of an intermetallic compound is refined to ≤1 μm, an obtained material is pressed in a forming die at a solid phase state to be plastic-fluidized, thus a formed part is produced.例文帳に追加
合金素材に220%以上の伸びに相当する塑性変形(歪)を与え、平均結晶粒径を10μm以下、金属間化合物の平均粒子径を1μm以下に微細化し、得られた材料を固相状態のまま成形型内に押圧し、塑性流動させることにより成形品を製造することである。 - 特許庁
This capsule type medical device is provided with the optical units 4 and 7 for respectively image-forming the image of the inside of the object on the light receiving surfaces of solid-state imaging elements 5 and 8, and the illumination substrates 19a and 19f where the openings for inserting the respective lens frames 4d and 7d of the optical units 4 and 7 are respectively formed.例文帳に追加
本発明にかかるカプセル型医療装置は、被検体内部の画像を固体撮像素子5,8の受光面にそれぞれ結像する光学ユニット4,7と、光学ユニット4,7の各レンズ枠4d,7dを挿入する開口部がそれぞれ形成された照明基板19a,19fと、を備える。 - 特許庁
e) Solid-state microwave amplifiers or assemblies or modules containing microwave amplifiers that fall under any of the following (excluding microwave monolithic integrated circuit power amplifiers or devices designed for satellite broadcast use at an operating frequency of 40.5 gigahertz or higher to 42.5 gigahertz or less 例文帳に追加
ホ マイクロ波用固体増幅器又はマイクロ波用増幅器を含む組立品若しくはモジュールであって、次のいずれかに該当するもの(マイクロ波用モノリシック集積回路電力増幅器又は四〇・五ギガヘルツ以上四二・五ギガヘルツ以下の動作周波数で使用するように設計した衛星放送用のものを除く。) - 日本法令外国語訳データベースシステム
The layer A is a coated layer of a surface treating agent selected from a reactive organopolysiloxane, an polyolefin, a hydrogenated lecithin, an N-acyl amino acid, a fatty acid and a dextrin fatty acid ester in a solid state at a normal temperature.例文帳に追加
が:A層;反応性オルガノポリシロキサン、ポリオレフィン、水添レシチン、N−アシルアミノ酸、脂肪酸及びデキストリン脂肪酸エステルの中から選択される、常温で固体状の表面処理剤被覆層;及びB層;片末端官能基変性オルガノポリシロキサン、片末端官能基変性アルキルシラン及び分岐脂肪酸の中から選択される。 - 特許庁
The present invention provides an antiseptic solution obtained by dissolving a compound containing at least one halogen atom selected from bromine atom, chlorine atom and iodine atom, in which at least one of halogen atoms is bromine atom in an aqueous medium in a state in which a solid content partially coexists.例文帳に追加
本発明は、臭素原子、塩素原子及びヨウ素原子から選択されるハロゲン原子を少なくとも1原子以上含み、且つハロゲン原子の少なくとも一つは臭素である化合物が、一部固形分が共存する状態で水媒体中に溶解していることを特徴とする消毒液を提供する。 - 特許庁
To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation as a chemical amplification type positive type resist, excellent in basic solid state properties as the resist, e.g. sensitivity, resolution and pattern shape, not causing development defects in microfabrication and capable of producing semiconductor devices in a high yield.例文帳に追加
化学増幅型ポジ型レジストとして、放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れるのみならず、微細加工時の現像欠陥を生じることがなく、半導体素子を高い歩留りで製造しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To obtain a solid state image sensor of multi-pixel sharing structure in which a sufficient area can be secured at a photoelectric converting section even if the various pixel area is micronized, and optical pixel centers can be arranged two-dimensionally while spaced apart evenly by arranging its photoelectric converting section at the optical center of each pixel.例文帳に追加
複数画素共有構造の固体撮像素子において、書画素面積が微小化しても光電変換部の領域面積を十分に確保でき、またその光電変換部を各画素における光学中心に配置して光学的な画素中心を二次元的に等間隔に配置することを可能にする。 - 特許庁
The solid-state image pickup device comprises a pixel portion 6 where multiple pixels 5 for converting a physical quantity into an electric signal are arranged two-dimensionally, a vertical signal line 10 for reading signals from the pixels 5, and a column circuit 11 arranged to correspond to the column of the pixel portion 6 and captures signals from the vertical signal line 10 in the pixel portion 6.例文帳に追加
物理量を電気信号に変換する複数の画素5が2次元状に配列された画素部6と、画素5からの信号が読み出される垂直信号線10と、画素部6の内部で垂直信号線10から信号を取り込み、画素部6の列に対応して配列されたカラム回路11とを有する。 - 特許庁
This rear surface irradiation type solid-state imaging element 54 is provided with a semiconductor substrate 1 having an oxide film 2 of 1-50 nm in thickness on it rear surface; a light-receiving section 44 and a charge transfer section 46 formed on the front surface of the semiconductor substrate 1; and a color filter 19 and microlenses 22 formed on the oxide film 44.例文帳に追加
本発明の裏面照射型固体撮像素子54は、裏面に膜厚1〜50nmの酸化膜2を備えた半導体基板1と、半導体基板1の表面側に形成された受光部44と電荷転送部46と、酸化膜44上に形成されたカラーフィルター19とマイクロレンズ22を備える。 - 特許庁
This solid-state image sensor 1 has a rear surface irradiated type structure, and comprises the lenses 7 in the rear surface of a silicon layer 2 in which the light-receiving sensor section PD is formed, and an insulating layer 13, used as an alignment mark which, is embedded and formed in the silicon layer 2 in the periphery of an imaging region 20.例文帳に追加
裏面照射型構造を有し、受光センサ部PDが形成されたシリコン層2の裏面側にレンズ7を有し、撮像領域20の周辺においてシリコン層2に位置合わせマークとして用いられる絶縁層13が埋め込まれて形成されている固体撮像素子1を構成する。 - 特許庁
To seal a pack opening section by press-fitting a sealing device 2 into a folded-up section after folding up the opening section 4 of a pack 8 (a bag having various quality of the material, size and shape) into which all kinds of materials in the state of liquid, gas and solid are put.例文帳に追加
液体、気体、固体状の各種物体が投入されたパック8(様々な材質・大きさ・形状を有する袋)の開口部4を折り畳んだ後に、この折り畳まれた部分に密閉装置2を圧入式に嵌め付けてパック開口部の密閉を達成するパック密閉方法及びその密閉装置を提供する。 - 特許庁
On the basis of the imaging operation of each pixel of the solid-state imaging element 2 confirmed by a comparator 66, a memory control section 62 selects and reads the FPN component of the pixel from either a memory 61a for linear conversion or a memory 61b for logarithmic conversion of an image memory 61, and outputs it to an FPN component removing section 65.例文帳に追加
比較器66で確認された固体撮像素子2における各画素の撮像動作に基づいて、メモリ制御部62が各画素のFPN成分を画像メモリ61における線形変換用メモリ61a及び対数変換用メモリ61bのいずれかから選択して読み出して、FPN成分除去部65に出力する。 - 特許庁
The solid-state imaging device 1 photoelectrically converts light from an object to be imaged incident into a rear surface S2 of the semiconductor substrate 10 in the semiconductor substrate 10 or in the semiconductor layer 20, and then receives signal charges generated by the photoelectric conversion by the light-receiving section 30 to image the object to be imaged.例文帳に追加
固体撮像装置1は、半導体基板10の裏面S2に入射した被撮像体からの光を半導体基板10の内部または半導体層20の内部で光電変換し、その光電変換により発生した信号電荷を受光部30で受けて上記被撮像体を撮像する。 - 特許庁
The solid-state imaging device 101 capable of reading all picture elements contains picture element arrays arranged in lines with multiple picture elements (photo diode 121(122)), each having two lines of vertical charge-coupled devices (vertical CCDs) 141, 142 (143, 144).例文帳に追加
全画素読み出し型の固体撮像素子101であって、複数の画素(フォトダイオード121(122))を配列した画素列が複数列に配列されていて、前記画素(フォトダイオード121(122))が1画素当たり2本の垂直電荷結合素子(垂直CCD)141、142(143、144)を有することを特徴とする。 - 特許庁
In this solid-state image pickup element, the intra-layer lens 21 is formed in the passivation film 20.例文帳に追加
半導体基板上に形成された光電変換部と前記光電変換部で生成された電荷を転送する電荷転送部とを備えた撮像部と、前記撮像部上に、平坦化膜を介して形成されたパッシベーション膜と、層内レンズとを具備した固体撮像素子であって、前記層内レンズ21が、前記パッシベーション膜20中に形成されたことを特徴とする。 - 特許庁
A second conductive type semiconductor region 21 is buried in a part of the inside of a sensor 11 composed of a first conductive type semiconductor region 4, and a joining capacity is formed by the second conductive type semiconductor region 21 and the first conductive type semiconductor region 4 to constitute the solid-state imaging device.例文帳に追加
第1導電型の半導体領域4から成るセンサ部11の内部の一部に、第2導電型の半導体領域21が埋め込まれて形成され、この第2導電型の半導体領域21と第1導電型の半導体領域4とにより接合容量が形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁
The conductive material, containing at least thermosetting binder resin and a conductive filler, gets solid state at room temperature by being heated beforehand at a temperature in which hardening reaction does advance to let a substantial volume of solvent evaporated, and is softened as the binder resin is heated up to a temperature lower than a hardening reaction starting temperature.例文帳に追加
少なくとも熱硬化性のバインダー樹脂と、導電性フィラーとを含み、予め硬化反応が進行しない温度で加熱されて溶剤が相当量揮発されることによって常温で固体状となり、上記バインダー樹脂が硬化反応開始温度より低い温度に加熱されることにより軟化する。 - 特許庁
The method for producing a thermotropic liquid crystalline polymer is characterized in that a pulverized matter of a thermotropic liquid crystalline polymer having a low polymerization degree which is obtained by discharging in a molten state from the reaction tank, cooling and solidifying, and pulverizing, is subjected to solid phase polymerization using a rotary kiln having an inner cylinder in a cross sectional shape of pentagon to dodecagon.例文帳に追加
反応槽から溶融状態で排出し、冷却固化し、粉砕して得られる、低重合度サーモトロピック液晶ポリマー粉砕物を、5角形〜12角形の横断面形状の内筒を有するロータリーキルンを用いて固相重合することを特徴とするサーモトロピック液晶ポリマーの製造方法。 - 特許庁
A cassette type radiation image solid-state detector includes: a flat housing which is irradiated with radiation; a detector unit which is incorporated in the housing and converts the radiation made incident through the housing into an electric signal; and a plurality of rechargeable batteries which are incorporated in the housing and for supplying power to the detector unit.例文帳に追加
このカセッテ型放射線画像固体検出器には、放射線が照射される扁平状のハウジングと、ハウジングに内蔵されて、当該ハウジングを介して入射した放射線を電気信号に変換する検出器ユニットと、ハウジングに内蔵されて、検出器ユニットに給電するための複数の充電池とが設けられている。 - 特許庁
The solid-state imaging device comprises a one-chip plate-like imaging device chip which has a first area and a second area on its surface and with which the imaging device is formed in the first area and a peripheral circuit is incorporated under the second area, and is characterized by packaging electronic components on a surface of the second area.例文帳に追加
表面に第1領域と第2領域を有し、第1領域に撮像素子が形成され、第2領域の下方に周辺回路が内蔵されて1チップ化された平板状の撮像素子チップを備え、第2領域の表面に、電子部品が搭載されたことを特徴とする固体撮像装置。 - 特許庁
The solid state imaging element contains a plurality of photoelectric conversion regions 111-157 which are arranged on a semiconductor substrate surface, in a row direction (direction shown by an arrow mark X) and a column direction (shown by an arrow mark Y) rectangular to the row direction, vertical transfer parts 201-208, a horizontal transfer 300 and an output 400.例文帳に追加
本発明の固体撮像素子は、半導体基板表面に行方向(矢印Xで示す方向)とこれに直交する列方向(矢印Yで示す方向)に配設された複数の光電変換領域111〜157、垂直転送部201〜208、水平転送部300、及び出力部400を含む。 - 特許庁
The solid-state image pickup element includes a structure in which a charge accumulating region 4 configuring a photodiode is formed in a semiconductor layer 3, and a reflection film 16 for reflecting light transmitting through the charge accumulating region 4 and allowing the light to propagate toward the center of the charge accumulating region 4 is formed in or below the charge accumulating region 4.例文帳に追加
半導体層3の内部にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域4が形成され、この電荷蓄積領域4の内部又は下に、電荷蓄積領域4を透過した光を反射させて電荷蓄積領域4の中央部に向かわせる反射膜16が設けられている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁
To suppress flickers appearing in video signals by the cyclic fluctuation of the light quantity of a fluorescent lamp in terms of a circuit and to enlarge an automatic light quantity control range at the time of automatically controlling the light quantity by using electronic shutter control and automatic gain control together in an image pickup device provided with a solid-state image pickup element.例文帳に追加
固体撮像素子を備えた撮像装置において、自動光量制御を電子シャッター制御と自動利得制御とを併用しながら行うときに、蛍光灯の光量の周期的変動により映像信号に現れるフリッカの抑圧を回路的に行い、かつ自動光量制御範囲を拡大する。 - 特許庁
Protrudes 6 and 6 constituted of thermosetting resin are formed in the periphery of each of a plurality of solid-state imaging devices 3 and 3 formed on a silicon wafer 10, and the silicon wafer 10 whose periphery is formed with the protrudes 6 and 6 is loaded with a cover 4 in size opposite to the plurality of devices 3 and 3, and inputted to a vacuum chamber.例文帳に追加
シリコンウェハ10上に形成された複数の固体撮像素子3,3のそれぞれの周囲に熱硬化性樹脂からなる凸部6,6を周設し、凸部6,6が周設されたシリコンウェハ10に複数の固体撮像素子3,3に対向する大きさの蓋部4を搭載して真空チャンバに投入する。 - 特許庁
In a solid-state laser where the lower surface 2a of an electronic cooling element 2 is secured onto the housing 1 and a part of a resonator comprising an Nd:YAG crystal 13 and a resonator mirror 14 is secured onto the upper surface 2b of the electronic cooling element 2, warp of the lower surface 2a is limited to 100 μm or less.例文帳に追加
筐体1の上に電子冷却素子2の下面2aが固定され、この電子冷却素子2の上面2bに例えばNd:YAG結晶13と共振器ミラー14とで構成される共振器の部分が固定されてなる固体レーザにおいて、電子冷却素子2として、その下面2aの反り量が100μm以下のものを用いる。 - 特許庁
In this method for producing crystallized glass, in the state where a potassium compound is brought into contact with the surface of the crystallized glass where β-quartz solid solution is deposited as a main crystal, heat treatment is performed at a lower temperature by 10-150°C than a glass transition point Tg of the crystallized glass for a time within 120 minutes.例文帳に追加
本発明の結晶化ガラスの製造方法は、主結晶としてβ−石英固溶体が析出した結晶化ガラスの表面に、カリウム化合物を接触させた状態で、該結晶化ガラスのガラス転移点Tgより10〜150℃低い温度、120分以下の時間で熱処理することを特徴とする。 - 特許庁
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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
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