「Solid-state」に関連した英語例文の一覧と使い方(239ページ目) - Weblio英語例文検索

Instead of a conventional method for thinning the SOI wafer accompanying an etching stop, a method including a step of measuring thickness of a semiconductor wafer layer from its mirror finished surface to the solid-state image sensor and a step of plasma-etching the semiconductor wafer layer from the mirror finished surface to a predetermined thickness while controlling the plasma-etching amount based on the residual thickness data, is adopted.例文帳に追加

エッチングストップを伴った従来法のＳＯＩウェーハの薄膜化に代えて、半導体ウェーハ層の鏡面化された面から固体撮像素子までの厚さを測定し、その残厚データに基づき、半導体ウェーハ層を、その鏡面化された面から所定厚さまで、プラズマエッチング量を制御してプラズマエッチングする方法を採用した。 - 特許庁

To provide a duty correction circuit, delay locked loop (DLL) circuit, column A/D converter, solid-state imaging device and camera system in which one element is enabled to deal with both the cases where a duty ratio is greater and smaller than 50%, and not only the number of elements but also the number of times of switching can be reduced, thereby reducing current consumption.例文帳に追加

デューティ比が５０％より大きい場合も小さい場合も両方を一つの素子で対応が可能であり、素子数を削減できるだけではなく、スイッチング回数を削減することが可能で、消費電流を削減することができるデューティ補正回路、ＤＬＬ回路、カラムＡ／Ｄ変換器、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁

The Nb solid solution of a high melting point metal with a body-centered cubic lattice structure and a B2 type intermetallic compound TiNi are mixed in an optional ratio, and the mixed compound is melted and cast to form a multiphase structure in which an Nb phase serving as a superconducting phase and a TiNi phase serving as a non-superconducting phase are alternately arranged in a layer state.例文帳に追加

体心立方格子構造を有する高融点金属のＮｂ固溶体とＢ２型金属間化合物ＴｉＮｉとを任意の割合で配合し、当該配合された配合物を溶解、鋳造し、超伝導相となるＮｂ相と常伝導相となるＴｉＮｉ相とが、層状で交互に配列する複相組織を形成する。 - 特許庁

A solid state image pickup device includes: a photoelectric conversion section (11) having a plurality of photodiodes; a CCD section (12) supplying a signal charge supplied from the photoelectric conversion section (11) to a charge detection section (14); and a charge storage section (13) provided between the photoelectric conversion section (11) and the CCD section (12) and storing the signal charge.例文帳に追加

複数のフォトダイオードを有する光電変換部（１１）と、光電変換部（１１）から供給される信号電荷を電荷検出部（１４）に供給するＣＣＤ部（１２）と、光電変換部（１１）とＣＣＤ部（１２）との間に設けられ、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部（１３）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

In the solid-state electrolytic capacitor 1, a path of current flowing from a bottom toward a top of a laminate 3 via a cathode 13 of the capacitor element 2 and a path of current flowing from a canopy 22 via a coupling part 21 to a cathode terminal 7 are set reverse to each other, whereby reduction of ESL can be achieved by mutual inductance effects in a simple structure.例文帳に追加

固体電解コンデンサ１では、コンデンサ素子２の陰極部１３を積層体３の底部から頂部に向かって流れる電流の経路と、庇部２２から連結部２１を通って陰極端子７に流れる電流の経路とが互いに逆方向になることにより、簡単な構造で相互インダクタンス効果による低ＥＳＬ化が図られる。 - 特許庁

The solid-state imaging device has: a first semiconductor region 23 of a first conductivity type; a photoelectric conversion unit PD having a second semiconductor region 25 of a second conductivity type that is formed in a region isolated by an element isolation region 28 in the first semiconductor region; and pixel transistors (Tr1 to Tr4) formed in the first semiconductor region.例文帳に追加

第１導電型の第１の半導体領域２３と、第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域２５を有する光電変換部ＰＤと、第１の半導体領域に形成された画素トランジスタ（Ｔｒ１〜）Ｔｒ４）を有する。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus includes a light receiving section 103 and a transfer channel 105 formed on a semiconductor substrate 101, a transfer electrode 121 formed on the transfer channel 105, an antireflection film 123 formed on the light receiving section 103, and a light shielding film 125 which covers the transfer electrode 121 and comes into contact with a side surface of the antireflection film 123.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板１０１に形成された受光部１０３及び転送チャネル１０５と、転送チャネル１０５の上に形成された転送電極１２１と、受光部１０３の上に形成された反射防止膜１２３と、転送電極１２１を覆い且つ反射防止膜１２３の側面と接する遮光膜１２５とを備えている。 - 特許庁

The process for producing the anisotropic conductive film includes an application step wherein a composition containing a film forming resin, a polymerizable acrylic compound, an organic peroxide, and a conductive particle are applied on a stripping base material, and a solidification step wherein the composition on the stripping base material is cooled to convert the organic peroxide into a solid state at ambient temperature.例文帳に追加

剥離基材上に、膜形成樹脂と、重合性アクリル系化合物と、有機過酸化物と、導電性粒子とを含有する組成物を塗布する塗布工程と、前記剥離基材上の組成物を冷却し、前記有機過酸化物を常温で固体の状態にする固体化工程とを有する異方性導電フィルムの製造方法。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus with a column A/D conversion circuit 106 which converts a pixel signal S103 output by a pixel 101 into a digital signal, the column A/D conversion circuit 106 is provided with a comparator 107 which outputs a result (comparison result signal S123) of voltage comparison between the pixel signal S103 and analog lamp voltage S122.例文帳に追加

画素１０１が出力した画素信号Ｓ１０３をデジタル信号に変換するカラムＡ／Ｄ変換回路１０６を備えた固体撮像装置において、カラムＡ／Ｄ変換回路１０６に、画素信号Ｓ１０３とアナログランプ電圧Ｓ１２２との電圧比較の結果（比較結果信号Ｓ１２３）を出力する比較器１０７を設ける。 - 特許庁

To provide a preparation method of a color curable composition excellent in dispersibility and dispersion stability; and to provide a color curable composition obtained by the method, a method for producing a color filter having high color purity and reduced color unevenness, a color filter obtained by the production method, and a solid-state imaging device having high resolution.例文帳に追加

分散性、分散安定性に優れた着色硬化性組成物の調製方法を提供し、それによって得られた着色硬化性組成物を提供し、また、色純度が高く、色ムラ発生が抑えられたカラーフィルタの製造方法を提供し、それによって得られたカラーフィルタを提供し、さらに高解像度の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a solid-state imaging device includes: a step for forming an imaging area and a peripheral circuit area on a substrate; a step for forming a plurality of wiring patterns so that the wiring pattern density of the peripheral circuit area may be higher than that of the imaging area; and a step for forming an insulation film to embed among the wiring patterns.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板上に撮像領域と周辺回路領域を形成する工程と、撮像領域よりも周辺回路領域の配線パターン密度が高くなるように複数の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの間を埋め込む絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁

To obtain a laser light source device using a semiconductor laser, where heat generated by a solid-state laser crystal is prevented from transmitting to a wavelength conversion element having a relatively inferior temperature characteristic while preventing an increase in cost and size of the device, thereby enabling supply of a stabilized semiconductor laser light at all times.例文帳に追加

半導体レーザを用いたレーザ光源装置において、装置のコストアップや大型化を防止しつつ、固体レーザ結晶の発熱が、相対的に温度特性の悪い波長変換素子へ熱伝達してしまうことを防止し、この結果、常に安定した半導体レーザを供給することができるレーザ光源装置を得ることを目的とする。 - 特許庁

The solid-state image pickup device includes a pixel region used to generate pixels, the black reference region provided outside the pixel region, and a dummy region provided between the black reference region and the pixel region, and including a light shield pattern 113A for blocking light 10 entering the black region from the pixel region.例文帳に追加

固体撮像装置は、画素の生成に使用される画素領域と、前記画素領域の外側に設けられた黒基準領域と、前記黒基準領域と前記画素領域との間に設けられ、前記画素領域から前記黒領域に侵入する光１０を遮光するための遮光パターン１１３Ａを含むダミー領域とを具備している。 - 特許庁

A solid state imaging device includes: a transfer gate 32 transferring signal charges accumulated in the photon-to-current conversion part to the charge-to-voltage conversion part 26; wiring 42 for outputting a signal voltage generated in the charge-to-voltage conversion part 26; and a relay electrode 38 relaying electric connection between the charge-to-voltage conversion part 26 and the wiring 42.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、光電変換部に蓄積された信号電荷を電荷電圧変換部２６に転送する転送ゲート３２と、電荷電圧変換部２６で生成された信号電圧を出力するための配線４２と、電荷電圧変換部２６と配線４２との電気的な接続を中継する中継電極３８とを備える。 - 特許庁

There is provided a method for recovering nitric acid from a waste liquid containing a nitrate comprising separating and recovering nitric acid from the waste liquid, which method comprises bringing the waste liquid to a sub-critical water state to hydrolyze the nitrate and separating and recovering nitric acid by a solid/liquid separation means from a mixture containing nitric acid and a metal oxide formed by the hydrolysis of the nitrate in the waste liquid.例文帳に追加

硝酸塩を含有する廃液から硝酸を分離して回収する廃液からの硝酸回収方法であって、前記廃液を亜臨界水状態にして加水分解し、前記廃液の加水分解により生成した硝酸と金属酸化物を含む混合液から固液分離手段により硝酸を分離して回収する。 - 特許庁

The method of manufacturing the contact region on a substrate 10, having a sintered porous layer 12 made from aluminum or aluminum containing material on a side of the contact region, includes a step of compressing and/or removing the porous layer 12, by having the porous layer 12 irradiated with a laser beam 24 from a solid-state laser 22, in order to form at least one partial contact region 20 on the substrate 10.例文帳に追加

基板１０はコンタクト側にアルミニウムまたはアルミニウム含有物からなる焼結された多孔性の層１２を備え、多孔性の層１２に固体レーザ２２からレーザビーム２４を照射し、多孔性の層１２を圧縮および／または除去することで、基板１０に、少なくとも１つの部分的なコンタクト領域２０を形成する。 - 特許庁

When a boot process is detected from other than an HDD (hard disk drive) 121 or an SSD (solid state drive) 123, device information is obtained from each of the HDD 121 and SSD 123, priority is determined by a SATA (serial advanced technology attachment) controller 126 in accordance with the obtained device information, and the operating system is installed in the highest-priority storage device.例文帳に追加

ＨＤＤ１２１及びＳＳＤ１２３以外からのブート処理を検出した場合、ＨＤＤ１２１及びＳＳＤ１２３のそれぞれからデバイス情報を取得し、取得したデバイス情報に従ってＳＡＴＡコントローラ１２６によって優先順位を決定し、優先順位の一番高い記憶装置にオペレーティングシステムをインストールする。 - 特許庁

To provide a high-storage stability dispersion composition having a high dispersibility of titanium black and not undergoing titanium black settlement even after a lapse of time; and to provide a photosensitive composition which, when used in pattern formation, prevents residues in an unexposed area and has a high adhesion sensitivity, a light-shielding color filter of a high light-shielding property, a solid state imaging device, and a liquid display device.例文帳に追加

チタンブラックの分散性が高く、経時後もチタンブラックが沈降しない保存安定性の高い分散組成物を提供し、パターン形成したときに未露光部における残渣が抑制され、さらに密着感度が高い感光性組成物、遮光性の高い遮光性カラーフィルタ、固体撮像素子、及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device including a photoelectric conversion part (1) having a photodiode, a charge storage part (3), a charge transfer part (5), a first control gate part (2) provided between the photoelectric conversion part (1) and the charge storage part (3), and a second control gate part (4) provided between the charge storage part (3) and the charge transfer part (5), is constituted.例文帳に追加

フォトダイオードを有する光電変換部（１）と、電荷蓄積部（３）と、電荷転送部（５）と、その光電変換部（１）とその電荷蓄積部（３）との間に設けられた第１制御ゲート部（２）と、その電荷蓄積部（３）とその電荷転送部（５）との間に設けられた第２制御ゲート部（４）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁

The substrate processing apparatus includes a processing chamber 1 having a substrate supporting part for supporting a member 18 to be etched and a substrate, a gas supply unit for supplying halogen gas so as to allow the member to be etched in the processing chamber to be exposed therewith, a plasma generation unit for making the supplied gas in a plasma state, and a power source for applying the DC current to a solid metal as the member to be etched.例文帳に追加

被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 - 特許庁

A solid-state image pickup device 2 comprises a plurality of photoelectric transducer elements 106 which are arranged in proximity to each other on a silicon semiconductor substrate 104, with each photoelectric transducer element 106 comprising a p-type region 115 and an n-type region 116 which are locally deposited in layers on the surface of the semiconductor substrate 104.例文帳に追加

固体撮像素子２は、シリコンから成る半導体基板１０４上に相互に近接して配列された複数の光電変換素子１０６を備え、各光電変換素子１０６は半導体基板１０４の表面部に局所的に積層されたｐ型領域１１５およびｎ型領域１１６を含んで構成されている。 - 特許庁

The solid muscovado is produced by gradually adding misty water to a muscovado formed into a powder shape by a proper means, filtering the powdery muscovado so as to be ground on a mesh, forming a muscovado powder in a stirred state, casting the muscovado powder into a mold, and pressurizing and heating the muscovado powder in the mold to dry the muscovado powder while leaving a prescribed water content.例文帳に追加

適宜手段によって粉末状に形成した黒砂糖に、霧状にした水分を徐々に加え、粉末状黒砂糖を、網目で磨り潰すようにしながら篩にかけ、撹拌状態の黒砂糖粉体を形成し、黒砂糖粉体を成形型に入れて、加圧すると共に所定含有水分量を残して加熱乾燥して固形黒砂糖を製造する。 - 特許庁

A solid state image pickup device is composed by forming a plurality of imaging pixels 100 with a semiconductor substrate 101 as a base, and each imaging pixel 100 includes a photoconductive film 126 for photoelectrically converting incident light and generating signal charges, and a storage diode 104 formed inside the semiconductor substrate 101 for storing the charges generated in the photoconductive film 126.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板１０１をベースに、複数の撮像画素１００が形成されてなり、各撮像画素１００は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する光導電膜１２６と、半導体基板１０１内に形成され、光導電膜１２６で生成された電荷を蓄積する蓄積ダイオード１０４と、を有する。 - 特許庁

By converting an output voltage obtained from the floating diffusion of a solid-state imaging device into current signals, shifting a DC level by using the current signals, lowering the power supply voltage and outputting it from a drive circuit, the power supply voltage of the output buffer circuit is lowered and power consumption is reduced without lowering the conversion efficiency and the frequency characteristics.例文帳に追加

固体撮像素子のフローティングディフュージョンから得られる出力電圧を電流信号に変換し、該電流信号を用いて直流レベルシフトして電源電圧を下げて駆動回路から出力することにより、変換効率や周波数特性を低下させることなく、出力バッファ回路の電源電圧を下げて消費電力を削減する。 - 特許庁

In a 2nd linear matrix compensation part 50 of the solid state imaging device 10, color shading compensation is made by subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to one side of red pixels from outputs of red pixels, and subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to blue pixels from outputs of blue pixels.例文帳に追加

固体撮像装置10は、第２のリニアマトリクス補正部50において、赤画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、赤画素の出力から減算し、青画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、青画素の出力から減算して色シェーディング補正する。 - 特許庁

An AD memory part 130 is constituted by arranging a unit memory 131 in two-dimensional arrangement corresponding to each pixel arrangement of the pixel array part 110, sequentially accumulates the analog pixel signals read through a perpendicular signal line and performs various kinds of processings (for example, solid-state pattern noise removal and gain adjustment, etc., by CDS) including the AD conversion.例文帳に追加

ＡＤメモリ部１３０は、画素アレイ部１１０の各画素配列に対応する２次元配列で単位メモリ１３１を配置して構成され、垂直信号線を通して読み出されたアナログ画素信号を順次蓄積し、ＡＤ変換を含む各種の処理（例えばＣＤＳによる固体パターンノイズ除去やゲイン調整等）を行う。 - 特許庁

To provide an inexpensive image pickup module where mounting accuracy of a lens member with respect to a solid-state image pickup element in an optical axis direction is enhanced, a focus adjustment mechanism is omitted, the structure is simplified, the number of components is reduced, the assembly is enhanced, the product is made small, and the reliability of the product is improved.例文帳に追加

本発明の目的は、固体撮像素子に対するレンズ部材の光軸方向の取付け精度を向上し、ピント調整機構が省略できると共に、構造の簡略化が図れ、部品点数の削減、組立て性の向上、製品の小形化と製品の信頼性の向上が図れ、しかも安価な撮像モジュールを提供する事にある。 - 特許庁

The curable composition for a color filter of a solid-state imaging sensor contains an alkali-soluble resin having a ratio of weight average molecular weight to number average molecular weight (weight average molecular weight/number average molecular weight: dispersion degree) of from 1.1 to 1.5, a photopolymerization initiator, a colorant, a compound having an ethylenically unsaturated double bond, and a solvent.例文帳に追加

重量平均分子量と数平均分子量との比（重量平均分子量／数平均分子量：分散度）が１．１〜１．５であるアルカリ可溶性樹脂と、光重合開始剤と、着色剤と、エチレン性不飽和二重結合を含有する化合物と、溶剤と、を含有する固体撮像素子のカラーフィルタ用硬化性組成物である。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

In the laser irradiation apparatus comprising a laser oscillator, a diffractive optical element, and a slit, the opening of the slit can be varied in length in the lengthwise direction, the incidence in the direction toward a substrate is oblique, and further, the laser is a continuously oscillated solid-state, gas or metal laser, or a pulsed oscillation one having a frequency of 10 MHz or higher.例文帳に追加

レーザ発振器と、回折光学素子と、スリットとを有するレーザ照射装置において、スリットはスリット開口部の長手方向の長さを可変可能であり、基板方向への入射は斜めからであり、更に、レーザは、連続発振の固体レーザまたは気体レーザまたは金属レーザ、もしくは１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polymerizable composition which has high light-shielding properties in an infrared region and high translucency in a visible light region, and with which a pattern having excellent resolution in alkali development can be formed, and which has excellent temporal stability, as well as photosensitive layer, a permanent pattern, a wafer level lens, a solid state imaging element and a pattering method using the composition.例文帳に追加

赤外領域における遮光性が高く、可視光領域における透光性が高く、かつ、アルカリ現像による解像性に優れたパターンを形成可能であり、更には、経時安定性に優れた重合性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly sensitive and highly reliable solid state imaging element by flattening a surface without generating the deterioration of an yield while securing the degree of freedom in a process as it is, and improving the working accuracy of a photodiode unit even upon microfabrication, pixel increasing and enlarging, in an electric charge transfer device employing an electric charge transfer electrode of a single layer structure.例文帳に追加

単層構造の電荷転送電極を用いた電荷転送装置において、微細化、多画素化、大型化に際しても、工程の自由度を確保したままで歩留まり低下を生じることなく、表面の平坦化をはかり、フォトダイオード部の加工精度の向上をはかることにより、高感度で信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The drive circuit of the solid-state imaging device has a multinomial operation part (17) for carrying out a multinomial operation of a first order or more, an operation control part (16) for generating a variable of the multinomial to control the multinomial operation part, and a pulse generation part (14) for generating a pulse based on a multinomial operation result in the multinomial operation part.例文帳に追加

１次以上の多項式の演算を行う多項式演算部（１７）と、前記多項式の変数を発生し前記多項式演算部の演算を制御する演算制御部（１６）と、前記多項式演算部の多項式の演算結果を基にパルスを生成するパルス生成部（１４）とを有することを特徴とする固体撮像素子の駆動回路が提供される。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises a plurality of light receiving portions 5 arranged on a substrate 10, a plurality of microlenses 50 arranged on the substrate 10 in correspondence with the light receiving portions 5, and a transparent film 60 formed on the microlense 50 and having a refractive index lower than that of the microlense 50 wherein the surface of the transparent film 60 has a curved surface shape.例文帳に追加

本実施形態に係る固体撮像装置は、基板１０に配置された複数の受光部５と、受光部５に対応して基板１０上に配置された複数のマイクロレンズ５０と、マイクロレンズ５０上に形成され、マイクロレンズ５０よりも低い屈折率をもつ透明膜６０とを有し、透明膜６０の表面が、曲面形状をもつ。 - 特許庁

The solid-state image pick-up device comprises a photoelectric conversion unit PD, and a plurality of disposed unit pixels 35 each having a transfer transistor 32 for reading out a signal charge accumulated in the photoelectric conversion unit PD, wherein a gate electrode 45 on the active region of the transfer transistor 32 is formed to have two kinds or more of gate lengths g1, g2.例文帳に追加

光電変換部ＰＤとこの光電変換部ＰＤに蓄積された信号電荷を読み出す転送トランジスタ３２を有する単位画素３５が複数配列されてなる固体撮像装置であって、転送トランジスタ３２の活性領域上のゲート電極４５が、２種類以上のゲート長ｇ１，ｇ２を有するように形成されている。 - 特許庁

A solid-state image sensor comprises a pixel group in which unit pixels each including a microlens and a plurality of photo-electric converters are arrayed two-dimensionally, and the pixel group includes image sensing pixels and focus detecting pixels, in which shielding units that partially shield each of the plurality of photo-electric converters are provided as the focus detecting pixels in a portion of the pixel group.例文帳に追加

マイクロレンズと複数の光電変換部とを有する単位画素が２次元に配列された画素群を備え、当該画素群が撮像用画素と焦点検出用画素を含む固体撮像素子であって、前記画素群の一部に前記焦点検出用画素として、前記複数の光電変換部のそれぞれを部分的に遮光する遮光部を設けた。 - 特許庁

Because material metal for a rust preventive coating to be formed on the surface of an alloy type and an intermetallic compound type magnetic material is supplied in a highly activated state by being heated in a hermetically sealed vessel, a sorption takes place uniformly in three dimensions with respect to the surface of the magnetic material of solid form and the metal is deposited all over the surface.例文帳に追加

合金および金属間化合物系磁性材料の表面上に形成させる防錆被膜の原料金属は、密封容器中で加熱することにより活性の高い状態で供給されるため、立体形状を有する磁性材料の表面に対して３次元的に、かつ均一に収着が起こり隈なく金属が析出する。 - 特許庁

To provide a flaming material composition which has a smoke emission amount equal to or less than heretofore, is reduced in sensitivity of the flaming material composition to heat, shock or friction and can safely be handled in manufacturing work and use in the solid flaming material composition blended with a liquid-state uncured resin for a combastible material and a binder.例文帳に追加

可燃剤兼バインダーの液状未硬化樹脂等を配合した固形状発炎剤組成物において、発煙量が従来と同等ないしそれ以下であり、発炎剤組成物の熱、衝撃、摩擦などによる感受性が低減され、製造作業および使用時において、より安全に取り扱う事が出来る発炎剤組成物を提供。 - 特許庁

In the method for fabricating a slidable member 100 having a slidable part 14, an iron-based metal bulk material 30 functioning as a main part 13 of the slidable member 100 is solid-state bonded to a Cu-alloy bulk material 31 functioning as the slidable part 14 by applying heat and pressure according to a spark plasma sintering method.例文帳に追加

摺動部１４を有する摺動部材１００の製造方法であって、摺動部材１００の本体部１３として機能する鉄系金属のバルク材３０と摺動部１４として機能するＣｕ合金のバルク材３１とを放電プラズマ焼結法による加熱加圧によって固相接合して摺動部材１００を製造する。 - 特許庁

The solid-state electrolytic capacitor is provided with a capacitor element 10 including: an anode body 1 composed of a sintered body of metallic particles having valve action; a dielectric layer 2 formed on the surface of the anode body 1; a conductive high molecular layer 3 formed on the dielectric layer 2; and a cathode layer 5 formed on the conductive high molecular layer 3.例文帳に追加

固体電解コンデンサは、弁作用を有する金属粒子の焼結体からなる陽極体１と、この陽極体１の表面に形成された誘電体層２と、誘電体層２の上に形成された導電性高分子層３と、この導電性高分子層３の上に形成された陰極層５と、を有するコンデンサ素子１０を備える。 - 特許庁

A solid-state imaging device includes: a pixel array unit having plural pixels arranged in a row direction and a column direction; a weighted addition unit performing weighted addition on pixel signals read out from the plural pixels as analog signals; an A/D converter performing A/D conversion of the pixel signals on which weighted addition is performed; and a computing unit computing the A/D converted pixel signals.例文帳に追加

個体撮像デバイスに、行方向および列方向に配列された複数の画素を有する画素アレイ部と、複数の画素から読み出された画素信号をアナログ信号として加重加算する加重加算部と、加重加算された画素信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部と、Ａ／Ｄ変換された画素信号を演算する演算部とを設ける。 - 特許庁

The thermal-type infrared solid-state imaging device 10 is equipped with a substrate 11 which has transistors, an insulating film 12 coating the substrate 11, a dead space 13 bored in the insulating film 12, and a heat detector 16 demarcated in a membrane section 14 above the dead space 13 in the insulating film 12 for infrared detection, along with the transistors.例文帳に追加

熱型赤外線固体撮像装置１０は、トランジスタが形成された基板１１と、基板１１上に形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２中に形成された空隙１３と、絶縁膜１２における空隙１３の上側のメンブレン部１４に形成され且つトランジスタと共に赤外線検出を行なうための熱検出部１６とを備える。 - 特許庁

In the case an eyepiece discrimination part decides that a photographer looks into a finder and a correction image photographing and deciding part decides that it is necessary to photograph an image for correction from set ISO sensitivity, a shutter speed, and the temperature of a solid-state imaging element detected by a temperature detection part, a digital camera automatically photographs the image for correction.例文帳に追加

撮影者がファインダーを覗いたことを、接眼判断部が判断し、さらに補正用画像撮影判断部が、設定されたＩＳＯ感度とシャッター速度と温度検出部で検出された固体撮像素子の温度とから補正用画像を撮影する必要があると判断した場合に、デジタルカメラは、自動的に補正用画像の撮影を行う。 - 特許庁

To provide a buffer circuit without requiring a bias generation circuit, with high gain of input/output characteristics, less noise, a wide voltage area, excellent linearity and less influence on the linearity of the input/output characteristics with respect to manufacturing variation and temperature environment variation and a solid-state imaging apparatus using the buffer circuit.例文帳に追加

本発明は、バイアス生成回路を必要とすることなく、入出力特性の利得が高く、ノイズが少なく、広い電圧領域で線形性が良く、製造ばらつきや温度環境変化に対して入出力特性の線形性が受ける影響が少ないバッファ回路及び該バッファ回路を用いた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging element has a filter layer between a photoelectric conversion part and a microlens, and the filter layer is configured to be provided with a convex shape having a center of curvature at the photoelectric conversion part side from the filter layer and have a lattice arranged at one-dimensional or two-dimensional period so as to be at a fixed angle from the center of curvature.例文帳に追加

光電変換部とマイクロレンズの間に、フィルタ層を備えた固体撮像素子であって、 前記フィルタ層は、該フィルタ層より前記光電変換部側に曲率の中心を有する凸型形状を備え、該曲率の中心からの角度が一定となるように１次元または２次元の周期で配列された格子を有する構成とする。 - 特許庁