「USG」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The interlayer insulating film 16 is composed of a laminated layer of USG (undoped silicate glass) layer 16U and a silicon nitride film 16S.例文帳に追加

層間絶縁膜１６は、ＵＳＧ層１６Ｕと窒化シリコン膜１６Ｓとの積層膜からなる。 - 特許庁

A undoped silicate glass(USG) film 26 is made to cover aluminum wiring 24 arranged on a field oxide film 22, and an organic SOG(spin-on- glass) layer 28 which is apt to be thick is made in the recess on the surface of the USG layer 26.例文帳に追加

フィールド酸化膜２２上に配置されたアルミ配線２４を覆うようにＵＳＧ層２６を形成し、ＵＳＧ層２６の表面の凹部に、厚肉を形成しやすい有機ＳＯＧ層２８を形成する。 - 特許庁

A GaN layer 2 is grown on a C-face sapphire substrate 1, and a T-shaped USG film 3 is fabricated on the GaN layer 2 so that the side surface of the USG film 3 is parallel to an A-face and an M-face of the GaN layer 2.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長させ、ＧａＮ層２上にＴ字型のＵＳＧ膜３を、ＵＳＧ膜３の側面がＧａＮ層２のＡ面とＭ面に平行となるように作製した。 - 特許庁

The laminate ML1 is provided with a lower selection gate LSG, and the laminate ML3 is provided with an upper selection gate USG.例文帳に追加

積層体ＭＬ１には下部選択ゲートＬＳＧを設け、積層体ＭＬ３には上部選択ゲートＵＳＧを設ける。 - 特許庁

Then, the USG film 7 and LTO film 8 are polished through a CMP method until the surface of the silicon nitride film 3 is exposed.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜３表面が露出するまで、ＵＳＧ膜７及びＬＴＯ膜８をＣＭＰ法を用いて研磨する。 - 特許庁

The GOJ was represented by State Secretary forForeign Affairs Mr.Chiaki Takahashi and senior officials from METI and theCabinet Office and the USG was represented by Deputy Administrator forProtection and National Preparedness for FEMA Mr.Timothy Manning, as well asofficials from the Department of State and the United States Agency forInternational Development.例文帳に追加

本会合は、東日本大震災後、被災地で開催された初の政府系国際会議である。 - 経済産業省

To provide a low temperature wet etching method for a highly insulated thin layer which is advantageous for manufacturing a highly insulated gate insulating layer of a CMOS, an insulating film of a highly insulated capacitor of a DRAM, and the like and solves a problem of forming ruggedness over silicon in an active area or over USG in an isolate block.例文帳に追加

CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, with the USG layer 26 and the USG layer 30 of good film quality, the organic SOG layer 28 can be surrounded, so that even if the material quality of the organic SOG layer 28 is not so good, an interwiring insulating film 32 superior in insulation property can be obtained.例文帳に追加

さらに、良好な膜質のＵＳＧ層２６とＵＳＧ層３０とにより、有機ＳＯＧ層２８を囲い込むことができるので、有機ＳＯＧ層２８の材質があまり良くなくても、絶縁性に優れた配線間絶縁膜３２を得ることができる。 - 特許庁

Then, after the photoresist pattern 4 is removed, a USG film 7 and an LTO film 8 are successively deposited so as to fill up the groove 5.例文帳に追加

次に、フォトレジストパターン４を除去した後、溝５を埋設するように、ＵＳＧ膜７及びＬＴＯ膜８を順次堆積する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a semiconductor device for forming the USG film 5 on a semiconductor substrate 1 on which an n+-type active region 2 and a p+-type active region 3 are formed, an oxide film 4 is formed on the surface of the substrate 1 and the USG film 5 is formed on the oxide film 4.例文帳に追加

Ｎ＋型活性領域２およびＰ＋型活性領域３が形成された半導体基板１上にＵＳＧ膜５を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板１の表面に酸化膜４を形成し、酸化膜４の上にＵＳＧ膜５を形成する。 - 特許庁

Gate insulating films GD are formed between the lower selection gate LSG and the silicon pillar SP, and between the upper selection gate USG and the silicon pillar SP.例文帳に追加

下部選択ゲートＬＳＧとシリコンピラーＳＰとの間、及び上部選択ゲートＵＳＧとシリコンピラーＳＰとの間には、ゲート絶縁膜ＧＤを設ける。 - 特許庁

An electronic circuit component is formed on a semiconductor substrate 11, and a thin film resistor 14 is formed on a USG film 13 on the surface of the component.例文帳に追加

半導体基板１１に電子回路を構成する素子を形成し、その表面上のＵＳＧ膜１３上に薄膜抵抗体１４を形成する。 - 特許庁

In a main bit line MBL2 side selected as a selection side, a transistor STr4 for selecting a sub-bit line is controlled to ON by a control line USG 3.例文帳に追加

選択側として選択される主ビット線ＭＢＬ２側では、制御線ＵＳＧ３により副ビット線選択用トランジスタＳＴｒ４をオンに制御する。 - 特許庁

Since the presence of the oxide film 4 can eliminate the effect of the difference in the characteristics of the substrate on the formation of the USG film 5, the USG film 5 with a constant film thickness can be formed on any of the semiconductor substrate 1, the p+-type active region 3 and the n+-type active region 2.例文帳に追加

下地の特性の相違がＵＳＧ膜５の形成にもたらす影響を酸化膜４の存在によってなくすことができるので、半導体基板１上、Ｐ＋型活性領域３上、Ｎ＋型活性領域２上にかかわらず一定の膜厚を有するＵＳＧ膜５を形成することができる。 - 特許庁

A BPSG film (interlayer insulating film) 15 for flattening is formed on the thin film resistor 14 and the USG film 13, and contact holes 16, 18 are formed in the BPSG film and in the USG film for exposing the connecting portion of the thin film resistor 14 and a portion for connecting the thin film resistor.例文帳に追加

そして、薄膜抵抗体１４およびＵＳＧ膜１３上に平坦化用のＢＰＳＧ膜（層間絶縁膜）１５を形成し、薄膜抵抗体１４の接続部およびその薄膜抵抗体と接続する部分を露出させるためのコンタクト孔１６、１８をＢＰＳＧ膜およびＵＳＧ膜に形成する。 - 特許庁

And next, the surface of an interlayer insulation film 50 is washed with a cleaning solution which has an etching rate for the FSG film 5 almost equal to an etching rate for the USG film 3.例文帳に追加

次に、ＦＳＧ膜３に対するエッチングレートと、ＵＳＧ膜５に対するエッチングレートとがほぼ等しい洗浄液を用いて、層間絶縁膜５０の表面を洗浄する。 - 特許庁

To provide a bump pad structure which protects an interface between a USG layer and a low dielectric layer with an improved mechanical strength of the bump pad structure, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

バンプパッド構造の機械強度を高め、ＵＳＧ層と低誘電体層との間の界面を保護するバンプパッド構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, the two silicon pillars SP penetrating the common upper selection gate electrode USL and adjacent to each other have different positions in the width direction of the upper selection gate electrode USG.例文帳に追加

これにより、共通の上部選択ゲート電極ＵＳＧを貫き隣り合う２本のシリコンピラーＳＰは、上部選択ゲート電極ＵＳＧの幅方向における位置が異なる。 - 特許庁

To avoid forming voids in the side face of an AlCu film for suppressing wiring resistance increase and reduction in reliability, in forming an undoped silicate glass(USG) film on a Ti/TiN film.例文帳に追加

Ｔｉ／ＴｉＮ膜上にＵＳＧ膜を形成する際、ＡｌＣｕ膜上部の側面にボイドが発生することを防止し、配線の抵抗上昇及び信頼性の低下を抑制する。 - 特許庁

The plurality of silicon pillars SP penetrating a common upper selection gate electrode USL penetrate alternately, generally along the X-direction, one sides and the other sides in the width direction of the upper selection gate electrodes USG, and the plurality of silicon pillars SP arranged along the Y-direction penetrate the sides identical to one another in the width direction of the upper selection gate electrodes USG.例文帳に追加

そして、共通の上部選択ゲート電極ＵＳＬを貫く複数本のシリコンピラーＳＰが、略Ｘ方向に沿って交互に、上部選択ゲート電極ＵＳＧの幅方向における一方の側と他方の側とを貫き、Ｙ方向に沿って配列された複数本のシリコンピラーＳＰが、上部選択ゲート電極ＵＳＧの幅方向における相互に同じ側を貫くようにする。 - 特許庁

Wet etching is performed upon the highly insulated thin layer at a room temperature in a mixed liquid of hydrofluoric acid, perchloric acid, other perhalogenated element acid, and the like such that an etching rate of the layer becomes ≥10 Å/min, at the same time, an etching rate of silicon oxide, USG or polysilicon becomes ≤10 Å/min all and a selection ratio becomes appropriate for needs of respective processes.例文帳に追加

弗化水素酸と過塩素酸やその他の過ハロゲン族元素酸の混合液により、室温下で高絶縁性薄層に対してウェットエッチングを行い、該層のエッチング率が10Å／min以上になるようにし、同時に酸化シリコンやUSG，或いはポリシリコン等のエッチング率が皆10Å／min以下であり且つ選択比は各工程の必要に適した比率となるようにする。 - 特許庁

In addition to this, the flat interwiring insulating film 32, whose top is flat can be obtained by forming a USG layer 30, using vapor growth method utilizing high-density plasma superior in embedding property.例文帳に追加

この上に、埋め込み性の良い高密度プラズマを利用した気相成長法を用いてＵＳＧ層３０を形成することで、上面の平坦な配線間絶縁膜３２を得ることができる。 - 特許庁

Then, the silicon nitride film 3 is removed, the USG film 7 and LTO film 8 are removed by etching by the use of the same etchant, by which a less rugged element isolation region of shallow trench structure can be formed.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜３を除去した後、同一のエッチング剤を用いて、ＵＳＧ膜７及びＬＴＯ膜８をエッチング除去することにより、段差の少ないシャロウトレンチ構造の素子分離領域を形成する。 - 特許庁

Also, by thermally treating the solid-state imaging device at or higher than 400°C, hydrogen atoms in the USG film and having the passivation film discharged and bonded with dangling bonds on the surface of the Si semiconductor substrate surface, the dark current is reduced.例文帳に追加

また、この固体撮像装置を４００℃以上で熱処理することにより、ＵＳＧ膜およびパッシベーション膜中の水素原子を放出させ、Ｓｉ半導体基板表面の未不結合手と結合することにより、暗時電流を低減する。 - 特許庁