「W ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Almost of the film deposition particles produced by making Ar ion in the plasma incident to the sputtering target 52 are ionized by the plasma in the space over the sputtering target 52 to be made incident to the surface of a work W and then a highly oriented film free from damage is deposited on the work W by controlling the potential of the surface of the work W.例文帳に追加

このようなプラズマ中のＡｒイオンがスパッタ・ターゲット５２に入射することによって生じた成膜粒子は、スパッタ・ターゲット５２上空のプラズマによってそのほとんどがイオン化されてワークＷ表面に入射するので、ワークＷ表面の電位を調節することにより、ワークＷ上にダメージない高配向膜を形成することができる。 - 特許庁

When ion irradiation is carried out onto the beam limit (GUN) aperture 2-3, Ga of the irradiation region 7-1 is melt to disperse Ga on the surface of the beam irradiation region of the W aperture.例文帳に追加

ビーム制限(ＧＵＮ)アパーチャ２−３にイオン照射すると、照射領域７−１のＧａが溶融してＷアパーチャのビーム照射領域の表面にＧａが拡散する。 - 特許庁

The powder 12 of W-type hexagonal ferrite is expressed by a composition formula Co_xMe_2-xBaFe_16O_27, and Me is one kind or more kinds selected from Mg, Mn, Fe, Ni, Cu, and Zn which may be in a bivalent metal ion state.例文帳に追加

Ｗ型六方晶フェライトの粉体１２は組成式が Co_xMe_2-xBaFe_16O_27 で示され、Meは２価の金属イオン状態となり得る金属、Mg, Mn, Fe, Ni, CuおよびZnから選ばれた１種または２種以上である。 - 特許庁

The liquid W transported to the tip part of the transportation part2 is formed into a tailer cone T shape having a sharpened tip and the the liquid W formed into the tailer cone T shape is atomized to produce ion mist by impressing high voltage between the transportation part 2 and the counter electrode 3.例文帳に追加

搬送部２と対向電極３との間に高電圧を印加することにより搬送部２の先端部に搬送された液体Ｗが先端が尖ったテイラーコーンＴとなると共に該テイラーコーンＴとなった液体Ｗが霧化してナノメータサイズのイオンミストを発生させる。 - 特許庁

A space 99 formed of the substrate W and an anode 98 disposed close to and substantially parallel to the substrate W is filled with plating solution containing metal ion and additives, and the concentration of the additive in the plating solution in the plating space 99 is changed during the plating operation.例文帳に追加

基板Ｗと該基板Ｗに対して略平行に近接配置されたアノード９８で構成されるめっき空間９９に金属イオンおよび添加剤を含有するめっき液を満たし、めっき処理中の該めっき空間９９内のめっき液添加剤濃度を変化させる。 - 特許庁

Further, an ultrasonic oscillator 6 is provided to this generator to apply not only ultrasonic vibration to the coral ceramic 1a and the water W in the detachable water vessel 2 but also ultrasonic vibration force to alkali ion water made by the reaction of the coral ceramic 1a with the water W.例文帳に追加

さらに、超音波発振器６があり、上記の脱着水溶器２内で上記の珊瑚セラミック１ａを水Ｗとに超音波振動を与えると同時に、上記の珊瑚セラミック１ａが水Ｗに反応させ作られたアルカリイオン水にその振動力を与える。 - 特許庁

In an ion plating apparatus 10, the center O2 of a substrate W is determined at a position deviated from the position immediately above the center O1 of a hearth 3a which has a vapor deposition material 6 filled in a through hole TH by a distance D which is one half of the length of one side of the substrate W.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１０は、蒸着材料６を貫通孔ＴＨに装填したハース３ａの中心点Ｏ１の直上の位置から基板Ｗの１辺の半分の長さ分の距離Ｄだけずれた位置に基板Ｗの中心点Ｏ２が定められる。 - 特許庁

The masses of ion kinds on the surface of the wafer W, such as CH3Si+, C3H9Si+, C3H9Si-, etc., are analyzed by using an analytical section such as TOF-SIMS, etc., thereby of the analytical equipment A2 measuring the quantity of HMDS(hexamethyl disilazane) on the surface of the wafer W.例文帳に追加

分析装置Ａ２では例えばＴＯＦ−ＳＩＭＳなどの分析部においてウエハＷ表面の例えばＣＨ3Ｓｉ+，Ｃ3Ｈ9Ｓｉ+，Ｃ3Ｈ9ＯＳｉ-等のイオン種の量を質量分析し、これによりウエハＷ表面のＨＭＤＳ量（ヘキサメチルジシラザン）の測定を行う。 - 特許庁

In a ferroelectric Pb(Zr, Ti)O_3 where the A site ion of a ferroelectric perovskite material contains at least 4 coordination Si^4+ or Ge^4+ by 1% or more, reliability is enhanced significantly by adding at least one kind of Nb, V and W to B site by total 5-40 mol%.例文帳に追加

強誘電体ペロブスカイト材料のAサイトイオンに少なくとも4配位のSi^4+又はGe^4+を1%以上含んだ強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3において、BサイトにNb、V、Wのうち、少なくとも1種類以上を合計で5モル%以上40モル%以下含むことにより信頼性を著しく向上させる。 - 特許庁

In the manufacturing method, the iron core members 2 are punched sequentially from the plate W being processed such that the arc angle of at least one of the plurality of ion core members 2 constituting the same annular iron core member 3 is differentiated from the arc angle of other ion core member 2 constituting the same annular iron core member 3.例文帳に追加

当該製造方法は、同一の環状鉄心片３を構成する複数の鉄心片２の少なくとも１つの円弧角が、同一の環状鉄心片３を構成する他の鉄心片２の円弧角と異なるように前記被加工板Ｗから前記鉄心片２を順次打ち抜く。 - 特許庁

The method of generating high speed ion comprises a process of converging a laser by 10^15 W/cm^2 or higher on a low-density conductive first target having an effective thickness of 0.3 mm or thinner, and emitting the high speed ion from a back side of the laser irradiation part of the first target.例文帳に追加

有効な厚みが０．３ｍｍ以下である低密度導電性第一ターゲットにレーザーを１０^１５Ｗ／ｃｍ^２以上に集光し、該第一ターゲットのレーザー照射部の裏側から高速イオンを放出させる工程を含む、高速イオンの発生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning an ion implanter, capable of cleaning using a raw material gas without additionally providing a complicated parameter setup or mechanism and a cleaning gas introduction system, for removing a W deposit between slits of extraction electrodes comprising tungsten W after performing ion implantation using BF_3 as a raw material gas, and to provide a cleaning device having a mechanism for the method.例文帳に追加

ＢＦ_３を原料ガスとするイオン注入を実施した後に、タングステンＷで構成される引き出し電極のスリット間のＷ堆積物を除去するため、複雑なパラメータ設定あるいは機構、クリーニング用ガスの導入系を別途設けることなく、原料ガスを用いたクリーニングを可能とするイオン注入装置のクリーニング方法及びそのための機構を有するクリーニング装置を提供する。 - 特許庁

As a result, a metal ion, and a silicon oxide, which is an etching residue, do not combine together even when a etching processing of a silicon oxide film is conducted by soaking the substrate W into the hydrofluoric acid; the forming of particles can be prevented; and the particle transfer when lifting the substrate W from the deionized water can be restrained.例文帳に追加

その結果、基板Ｗをフッ酸中に浸漬してシリコン酸化膜のエッチング処理を行ったときにも、金属イオンとエッチング残渣であるシリコン酸化物とが結合することはなく、パーティクルの生成を防止することができ、純水から基板Ｗを引き揚げるときのパーティクル転写を抑制することができる。 - 特許庁

In the general formula (1), the Au denotes a monovalent or tervalent gold ion; the W denotes a compound selected from ones represented by specified general formulae; the dotted line denotes the fact that the W is coordinately bonded to the Au; the X denotes a monovalent anion; and the (m) denotes an integer of 1 to 3.例文帳に追加

一般式（１） Ｗ…ＡｕＸ_m（一般式（１）において、Ａｕは１価もしくは３価の金イオンを表し、Ｗはある特定の一般式より選ばれる化合物である。点線は、ＷがＡｕに配位結合していることを表す。Ｘは１価のアニオンを表し、ｍは１から３の整数を表す。） - 特許庁

An electron source 20A is provided so as to face the whole of the ion irradiation object part of a workpiece W, and filaments 2a, 2a', 2a" in the electron source 20A are distributed in parallel with each other in discontinuity in a plurality of steps over the whole electron source 20A.例文帳に追加

電子源20A を物品Ｗのイオン照射対象部分の全体に臨むように設け、電子源20A におけるフィラメント2a、2a’、2a”は、電子源20A の全体にわたり不連続に複数段に分散並列配置する。 - 特許庁

The formed ion beam is converged by an electrostatic lens 21, is accelerated by an after-accelerator 22, is shaped by a quadrupole lens 23, and irradiates a semiconductor wafer W arranged in a process chamber 31.例文帳に追加

生成されたイオンビームは、静電レンズ２１によって収束され、後段加速器２２によって加速され、四重極レンズ２３によって整形されて、処理室３１内に配置された半導体ウエハＷ上に照射される。 - 特許庁

As examples of the metal oxide, Ni oxide, Ti oxide, Hf oxide, Zr oxide, Zn oxide, W oxide, Co oxide, or Nb oxide can be cited, and the metal ion dopant may be transition-metal ions.例文帳に追加

金属酸化物の例としては、Ｎｉ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｈｆ酸化物、Ｚｒ酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｗ酸化物、Ｃｏ酸化物またはＮｂ酸化物などがあり、金属イオンドーパントは、遷移金属イオンでありうる。 - 特許庁

The rock salt G dissolves into the hot water W, minus ion, far-infrared ray, and mineral components generate from the tourmaline ore K1, radium ore K2, and germanium ore K3, and the hot water becomes artificial hot spring in almost one minute.例文帳に追加

岩塩Ｇは湯水Ｗで溶解するとともにトルマリン鉱石Ｋ１，ラジウム鉱石Ｋ２，ゲルマニウム鉱石Ｋ３からマイナスイオンや遠赤外線，ミネラル成分が発生し、およそ１分で人工的な温泉となる。 - 特許庁

Since silver ion water containing ions containing silver is added to the circulating water W, by the electrodeposition effect of the silver ions, electric chrges are compensated, and the sticking force of the borax 15 to the inside face of the piping can be increased.例文帳に追加

循環水Ｗに銀を含有するイオンを含んだ銀イオン水を添加するため、銀イオンの電着効果により電荷を補償してホウ砂１５の配管内面への付着力を大きくすることができる。 - 特許庁

A charge-up potential of the mask member 21 is detected by a mask potential sensor 30 at the time of ion implantation, and a sufficient amount of electrons for canceling the potential is generated at an electron source 28 to restrict the charge-up of a wafer W.例文帳に追加

イオン注入時、マスク電位センサ３０によってマスク部材２１のチャージアップ電位を検出し、この電位を打ち消すのに十分な量の電子を電子発生源２８から発生させて、ウェーハＷのチャージアップを抑制する。 - 特許庁

In the ion bombardment apparatus 1, a heating-type thermionic emission electrode 3 composed of a filament is arranged on one inside surface of a vacuum chamber 2, an anode 4 is arranged on the other inside surface, and the base material W is arranged between the heating-type thermionic emission electrode 3 and the anode 4.例文帳に追加

イオンボンバードメント装置１は、真空チャンバ２の一の内側面に、フィラメントで構成した加熱式の熱電子放出電極３と、他の内側面のアノード４と両者の間に基材Ｗが配置されている。 - 特許庁

A substrate W to be treated is placed on a susceptor 16 of a lower electrode, and wave of a first high frequency for plasma generation is applied from a high-frequency power source 30, and wave of a second high frequency for ion extraction is applied from a high-frequency power source 70.例文帳に追加

下部電極のサセプタ１６には被処理基板Ｗが載置され、高周波電源３０よりプラズマ生成用の第１高周波が印加され、高周波電源７０よりイオン引き込み用の第２高周波が印加される。 - 特許庁

A silicon substrate W is placed on a susceptor 12 arranged inside a chamber 10 that can be evacuated an etching gas is electrically discharged inside the chamber 10 to generate a plasma; and a primary radio-frequency wave RF_L for pulling in ion to the susceptor 12 is impressed.例文帳に追加

真空可能なチャンバ１０内に配置されたサセプタ１２上にシリコン基板Ｗを載置し、チャンバ１０内でエッチングガスを放電させてプラズマを生成し、サセプタ１２にイオンを引き込むための第１の高周波ＲＦ_Ｌを印加する。 - 特許庁

When the calcium ion is generated, an ultrasonic vibrator 4 housed at the bottom of the pot is actuated by the current outputted from the ultrasonic vibrator actuating means and the generated ultrasonic wave is transmitted to the water W in a water tank 5.例文帳に追加

カルシウムイオンを発生する手段としては、まず、超音波振動子４がポットの内部底部に収納され超音波振動子稼働手段からの出力電流により稼働され、超音波をポットの水槽５内の水Ｗに伝える。 - 特許庁

After forming the barrier films, the substrates W are transferred to an ion plating unit 13, a Cu film material is vaporized by utilizing a plasma beam and, at the same time, a thin Cu seed film is formed on the barrier films by ionizing the Cu vapor.例文帳に追加

次に、イオンプレーティングユニット１３に基板Ｗを移送し、プラズマビームを利用して膜材料Ｃｕを蒸発させるとともにこのＣｕ蒸気をイオン化させて基板Ｗ上であってバリア膜上にＣｕのシード膜を薄く形成する。 - 特許庁

Since the gettering layer 12 formed of the carbon diffusion layer is formed on a surface of a silicon wafer W, formation of the gettering layer 12 in contact with the epitaxial film 11 which is difficult by a conventional carbon ion implantation method is facilitated.例文帳に追加

シリコンウェーハＷの表面には、炭素拡散層からなるゲッタリング層１２が形成されているので、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜１１に接してのゲッタリング層１２の形成が容易となる。 - 特許庁

As a result, secondary electrons e^-, emitted from an electrode plate 62 by γ discharge are accelerated, in a direction which is opposite to that of the ions in the electric field of an upper ion sheath SH_U and passes through the plasma PR, and further traverses a lower ion sheath SH_L, and is injected into a resist pattern 100 on the surface of a semiconductor wafer W on a susceptor 12.例文帳に追加

そうすると、γ放電によって電極板６２より放出された２次電子ｅ^-は、上部イオンシースＳＨ_Uの電界でイオンとは逆方向に加速されてプラズマＰＲを通り抜け、さらに下部イオンシースＳＨ_Lを横断して、サセプタ１２上の半導体ウエハＷ表面のレジストパターン１００に所定の高エネルギーで打ち込まれる。 - 特許庁

The alkaline zinc alloy electroplating solution contains (A) Zn ions in a content of 1-600g/L, (B) iron group element ions in a content of 1-600 g/L, (C) a tungstic acid-based compound in a content of 0.1-600 g/l as W ion and (D) a basic compound.例文帳に追加

（Ａ）Ｚｎイオンを１〜６００ｇ／Ｌ、（Ｂ）鉄族元素イオンを１〜６００ｇ／Ｌ、（Ｃ）タングステン酸系化合物をＷイオンとして０．１〜６００ｇ／Ｌ、及び（Ｄ）塩基性化合物を含有するアルカリ性電気亜鉛合金めっき液。 - 特許庁

The ion generator is composed of an arc chamber 11, two thermion sources 3, 5 for supplying thermion in the arc chamber, a filament power source 7, and wiring w serially connecting two thermion sources 3, 5 with the filament power source 7, and the direction of the current flowing from the filament power source 7 to the wiring w can be switched with a prescribed timing.例文帳に追加

アークチャンバー１１と、このアークチャンバー１１内へ熱電子を放出するための２つの熱電子発生源３，５と、フィラメント電源７と、２つの熱電子発生源３，５を互いに直列状態でフィラメント電源７に接続する配線ｗとを備え、フィラメント電源７から配線ｗに流される電流の向きは所定のタイミングで切り替えられる構成となっている。 - 特許庁

The W/O/W type double emulsion composition comprises an inner aqueous phase, an oil phase, and an outer aqueous phase, and is characterized in that the inner aqueous phase contains an ionic physiologically active substance and a physiologically acceptable compound having a molecular weight of 1,000 or less which produces a divalent or higher polyvalent counter ion to the ionic physiologically active substance.例文帳に追加

内水相、油相及び外水相からなるＷ／Ｏ／Ｗ型複合エマルジョン組成物であって、内水相に、イオン性生理活性物質と、該イオン性生理活性物質に対する２価以上の多価カウンターイオンを生じる分子量１０００以下の生理的に許容できる化合物が含まれることを特徴とする、Ｗ／Ｏ／Ｗ型複合エマルジョン組成物。 - 特許庁

An electrolytic unit for the alkali water electrolytic device is composed of an electrolytic bath 1 in which an alkali solution W flows, the electrode 2 for the water electrolytic device and bipolar plates 3, 4, wherein the electrode 2 for the water electrolytic device is formed by interposing both side of an ion permeable diaphragm 5 between electrode bodies E.例文帳に追加

アルカリ水電解装置の電解ユニットは、アルカリ溶液Ｗが流通する電解槽１と、水電解装置用電極２と、バイポーラプレート３，４とからなり、水電解装置用電極２は、イオン透過性隔膜５の両側を電極体Ｅで挟んでなる。 - 特許庁

A static and dust elimination device 10A include: a windless type static eliminator 12 that generates ion 42; and a blowing device 14 that includes a plurality of blowing parts 46 (air tubes 52) the number of which is greater than the number of windless type static eliminators 12 and sends clean air 53 to a work W.例文帳に追加

除電除塵装置１０Ａは、イオン４２を発生する無風型除電器１２と、無風型除電器１２の個数よりも多い複数の送風部４６（エア管５２）を有し、ワークＷに向けて清浄空気５３を送風する送風装置１４とを備える。 - 特許庁

The substrate W delivered to the second carrying device 4 is carried to the delivery position in a delivery space S1 above, for example, a first ion plating apparatus 31, and placed on and fixed to a supporting member 53 provided on a first substrate handling device 51.例文帳に追加

第２搬送装置４に渡された基板Ｗは、例えば第１イオンプレーティング装置３１の上方位置である受渡空間Ｓ1中の受渡位置に搬送され、ここで第１基板取扱装置５１に設けた支持部材５３上に載置されて固定される。 - 特許庁

Further, the ion supplying unit 21 supplies the hydride ions taken out into a treatment chamber 51 using an inert gas as a carrier gas to reduce an oxide film formed on the surface of a metal film on a semiconductor wafer W disposed in the treatment chamber 51.例文帳に追加

また、イオン供給ユニット２１は、取り出した水素化物イオンを、キャリアガスである不活性ガスによって処理室５１内に供給し、処理室５１内に配置された半導体ウエハＷ上の金属膜表面に形成された酸化膜を還元する。 - 特許庁

The high-frequency power of 13.56 MHz is applied to a substrate S including the insulating film I in the range of 50-300 W while exposing the substrate S to the plasma, whereby the insulating film I is etched in a condition where an etching reaction by an ion component in the plasma becomes dominant.例文帳に追加

上記絶縁膜Ｉを有する基板Ｓをこのプラズマに曝しつつ、該基板Ｓに対し５０Ｗ〜３００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可することにより、プラズマ中のイオン成分によるエッチング反応が支配的となる条件で絶縁膜Ｉをエッチングする。 - 特許庁

During ion implantation, secondary electrons generated from an electron gun 12 for preventing charge-up are efficiently supplied to a semiconductor wafer W and prevent charge-up, because the electrons are hardly absorbed into the insulating film ZM formed on the internal wall surface of the cup 10.例文帳に追加

イオン注入中において、チャージアップ防止用電子銃１２が生成した二次電子はファラデーカップ１０に形成された絶縁膜ＺＭにより吸収されにくくなり、生成された二次電子が半導体ウエハＷに効率よく供給され、チャージアップを防止する。 - 特許庁

In an ion implanter 10 in which ions are extracted from a plasma P formed in a vacuum chamber 1 via a grid electrode 6 and in which the ions are implanted into a substrate W, a voltage applying means to alternately supply positive ions and electrons in the plasma to the substrate via the grid electrode 6 is installed.例文帳に追加

真空チャンバ１内で形成したプラズマＰからグリッド電極６を介してイオンを引き出し、基板Ｗへ当該イオンを注入するイオン注入装置１０において、グリッド電極６を介してプラズマ中の正イオンと電子を基板へ交互に供給する電圧印加手段を設ける。 - 特許庁

The dry etching method of the device sheet includes a stage for sticking the device sheet 4 via wax W onto the flat surface of a ceramic substrate (substrate) 20 consisting of AlTiC or the like and a stage for performing dry etching e.g. ion beam etching(IBE) to the stuck device sheet 4.例文帳に追加

ＡｌＴｉＣなどからなるセラミック基板(基板)２０の平坦な表面上に、ワックスＷを介してデバイスシート４を貼り付ける工程と、この貼り付けられたデバイスシート４に対してイオンビームエッチング(ＩＢＥ)などのドイラエッチングを施す工程と、を含む、デバイスシートのドライエッチング加工方法。 - 特許庁

In the laser beam machining process, the laser beam machining is performed while ions generated with an ion generating device 47 provided on a laser machining device 100 (printed wiring board manufacturing device) are supplied together with an auxiliary wind to the work substrate W and the swarf generated from the substrate during the machining is deelectrified.例文帳に追加

該レーザ加工工程においては、レーザ加工装置１００（プリント配線基板製造装置）の備えるイオン発生装置４７にて発生させたイオンを補助風とともに、ワーク基板Ｗに向けて供給し、加工の最中に生じた基板加工屑を徐電しつつレーザ加工を行う。 - 特許庁

This mica composite is obtained by ion exchange of 10-95 eq.% of exchangeable cations among the interlayer ions of a swellable synthetic mica with at least one kind of ions selected from the group consisting of K, Ba, Cu, Ag, Te, Bi, Pb, Ce, Fe, Mo, Nb, W, Sb, Sn, V, Mn, Ni, Co, Zn, Zr and Ti ions.例文帳に追加

膨潤性合成雲母の層間イオンのうち、交換性陽イオンの１０〜９５当量％を、Ｋ，Ｂａ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｔｅ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｃｅ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｗ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，ＺｒおよびＴｉからなる群から選ばれる１種または２種以上のイオンとイオン交換させて得られる合成雲母複合体により課題を解決できる。 - 特許庁

The stencil printing emulsion ink of the water-in-oil type(W/O) comprises, in the aqueous phase, a sulfite ion or a thiosulfate or dithionous acid, pyrosulfurous acid or a salt thereof which is a substance to reduce the amount of a dissolved oxygen by reacting with the dissolved oxygen in the aqueous phase.例文帳に追加

油中水（Ｗ／Ｏ）型孔版印刷用エマルションインキの水相中に、該水相中の溶存酸素と反応して該溶存酸素量を減少させる物質である亜硫酸イオンまたはチオ硫酸塩、あるいは亜二チオン酸、ピロ亜硫酸またはこれらの塩を含有させる。 - 特許庁

To prevent in the method of manufacturing a semiconductor device that ions are deeply implanted due to channeling by employing a very simplified means on the occasion of forming, with the ion implantation, a source region and a drain region of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) where a gate electrode is formed of a columnar crystal metal such as Mo, Al, and W.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、Ｍｏ、Ａｌ、Ｗなど柱状結晶のメタルをゲート電極とするＭＯＳＦＥＴのソース領域及びドレイン領域をイオン注入で形成する際、極めて簡単な手段を採ることでイオンがチャネリングに依って深く打ち込まれることを防止できるようにする。 - 特許庁

The cylindrical lithium ion battery 20 is provided with a wound-up group W which has a positive electrode with a positive electrode active material layer W2 formed on a positive electrode collector W1 and a negative electrode with a negative electrode active material layer W4 formed on a negative electrode collector W3 wound up spirally in cross section through a separator W5.例文帳に追加

円筒形リチウムイオン電池２０は、正極集電体Ｗ１に正極活物質層Ｗ２が形成された正極と、負極集電体Ｗ３に負極活物質層Ｗ４が形成された負極とがセパレータＷ５を介して断面渦巻状に捲回された捲回群Ｗを備えている。 - 特許庁

A catalyst for oxidative decomposition of ammonia or amines and a catalyst for selective reduction of nitrogen oxides containing a manganate doped with at least one kind of metal or metal ion selected from a group consisting of Pt, Pd, Rh, Ir, Au, Ag, Ti, Zr, Al, V, Mo, W, Cr, Co, Ni, Zn, In and La are used for removing nitrogen oxide.例文帳に追加

Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｉｎ及びＬａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属または金属イオンがドープされたマンガン酸塩を含むアンモニアないしアミンの酸化分解触媒、窒素酸化物の選択還元触媒。 - 特許庁

The leachate W of a final disposal site is divided using an amphoteric ion-exchange resin 4, into a first solution having low Ca^2+ concentration and high Na^+ and SO_4^2- concentrations and a second solution having concentrations opposite thereof, and the first and second solutions are separately treated.例文帳に追加

最終処分場の浸出水Ｗを、両性イオン交換樹脂４を用い、Ｃａ²⁺濃度が低く、Ｎａ⁺濃度及びＳＯ₄^2-濃度が高い第１の溶液と、Ｃａ²⁺濃度が高く、Ｎａ⁺濃度及びＳＯ₄^2-濃度が低い第２の溶液とに分離し、該第１及び第２の溶液を別々に処理する。 - 特許庁