「WL」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A bit contact electrode BC is provided between two word lines WL among the plurality of word lines WL that are adjacent to each other.例文帳に追加

隣接する２本のワード線ＷＬの間に、ビットコンタクト電極ＢＣが設けられている。 - 特許庁

The gate electrode of the nMOS transistor 11b is connected to the word line WL with its drain and source connected to ground.例文帳に追加

nMOSトランジスタ11bのゲート電極はワード線/WLに接続され、ドレイン及びソースはグランドに接続されている。 - 特許庁

At the time t01, a word line WL is made to be Vpp level.例文帳に追加

時刻ｔ01に、ワード線ＷＬをＶppレベルにする。 - 特許庁

A word line WL is arranged on the memory gate MG.例文帳に追加

メモリゲートＭＧ上にワード線ＷＬが配される。 - 特許庁

A word line(WL) is driven to one selection state.例文帳に追加

ワード線（ＷＬ）を、１つ選択状態へ駆動する。 - 特許庁

But WL-16RIII has refined sensors in its feet to keep its balance, and can walk on uneven surfaces outside. 例文帳に追加

しかし，WL-16RⅢは足にある能率化されたセンサーでバランスを保ち，屋外の平らでない面を歩くことができる。 - 浜島書店 Catch a Wave

The gate electrode of the nMOS transistor 11a in the memory cell MC is connected to a word line WL with its drain connected to a bit line BL.例文帳に追加

メモリセルMC内のnMOSトランジスタ11aのゲート電極はワード線WLに接続され、ドレインはビット線BLに接続されている。 - 特許庁

A plurality of word lines (WL) intersect each of the LBLs.例文帳に追加

複数のワードライン（ＷＬ）が、ＬＢＬの各々と交差する。 - 特許庁

In addition, the white light is obtained from the organic EL element WL.例文帳に追加

さらに、有機ＥＬ素子ＷＬから白色光を得る。 - 特許庁

Timing of voltage supplied to word lines WL 0, 2 positioned at both sides of the word line WL 1 are made different.例文帳に追加

ワード線ＷＬ１の両隣に位置するワード線ＷＬ０，２に供給される電圧のタイミングを異ならせている。 - 特許庁

The device for reducing the frictional resistance on the ship 3 has a bypass water pipe 12 with a shaft line above the waterline WL, that is disposed on a water pipe 1 connecting a seawater intake 111 disposed on the bow 31 below the waterline WL and a seawater and microbubble vent 131 disposed on the ship bottom 33 below the waterline WL and farther back than the intake 111; and an ejector 21 that is disposed in the bypass water pipe 12.例文帳に追加

喫水線WL以下の船首31に設けた海水の取水口111と、前記取水口111より後方かつ喫水線WL以下の船底33に設けた海水及び微小気泡の噴出口131とを結ぶ送水管１に、軸線が喫水線WLより上になる迂回送水管12を設けて、エジェクター21を前記迂回送水管12に設けた船舶３における摩擦抵抗低減装置である。 - 特許庁

WL-CSP STRUCTURE EQUIPPED WITH METAL COVER, AND PROCESS例文帳に追加

金属カバーを備えたＷＬ−ＣＳＰ構造体および工程 - 特許庁

This robot, WL-16RIII, has been developed jointly by Professor Takanishi Atsuo's team at Waseda University and tmsuk Company. 例文帳に追加

このロボット｢WL-16RⅢ｣は早稲田大学の高(たか)西(にし)淳(あつ)夫(お)教授のチームと株式会社テムザックによって共同開発された。 - 浜島書店 Catch a Wave

That is, the WL makes a transition from VPP to the level of VSS.例文帳に追加

つまりＷＬはＶＰＰからＶＳＳのレベルに遷移する。 - 特許庁

To produce a WL-CSP/IC by a chip for wire bonding.例文帳に追加

ワイヤボンディング用チップでＷＬ−ＣＳＰ・ＩＣを製造する。 - 特許庁

The ratio (Wc/Wl) of the width Wc of the core body belt layer 7a to the width Wl of the covering belt layer 7b is set to 0.5-0.95.例文帳に追加

芯体ベルト層７ａの幅Ｗｃと被覆ベルト層７ｂの幅Ｗｌとの比（Ｗｃ／Ｗｌ）を０．５〜０．９５とする。 - 特許庁

Since an NTR 9 is turned on, the WL is at the level of VBB.例文帳に追加

ＮＴＲ９がオンするので、ＷＬはＶＢＢのレベルになる。 - 特許庁

When the water level WL reaches the lower limit water level Lw, the cooling water pump 20 is normally rotated to rise the water level WL.例文帳に追加

そして水位ＷＬが下限水位Ｌｗに達した場合、冷却水ポンプ２０を正転させて水位ＷＬを上昇させる。 - 特許庁

When the water level WL reaches the upper limit water level Hw, the cooling water pump 20 is reversed to lower the water level WL.例文帳に追加

そして水位ＷＬが上限水位Ｈｗに達した場合、冷却水ポンプ２０を逆転させて水位ＷＬを低下させる。 - 特許庁

Boys will /wl/ be boys. 例文帳に追加

《諺》 男の子はやっぱり男の子だ, 男の子のいたずらは仕方がない. - 研究社 新英和中辞典

Each cell array 1 has a plurality of bit lines BL arranged in the column direction, a plurality of word lines WL arranged in the row direction, two dummy word lines DWL0, DWL1, the FBC 5 arranged near intersections between the bit lines BL and the word lines WL and a dummy cell 6 arranged near the intersections between the bit lines and the word lines.例文帳に追加

各セルアレイ１は、カラム方向に配置される複数のビット線BLと、ロウ方向に配置される複数のワード線WLと、２本のダミーワード線DWL0,DWL1と、ビット線BLおよびワードWL線の交点付近に配置されるFBC５と、ビット線およびワード線の交点付近に配置されるダミーセル６とを有する。 - 特許庁

After completing to connect the coated wires WL and WB, the coated wire WL is stocked in a stock unit 300 before cutting.例文帳に追加

両被覆電線ＷＬ、ＷＢの接続工程が完了した後、ストックユニット３００に裁断前に一の被覆電線ＷＬをストックする。 - 特許庁

Third lines (WL) are formed successively over both ends of the memory cell array along the second axis and are connected with second ends of the memory cells.例文帳に追加

第３配線（WL）は、第２軸に沿ってメモリセルアレイの両端に亘って連続的に形成され、複数のメモリセルの第２端と接続されている。 - 特許庁

Word lines of each row have two subordinate word lines WL.例文帳に追加

各行のワード線は、２本のサブワード線ＷＬをそれぞれ有している。 - 特許庁

The word line driver is connected through a word line WL to a DRAM.例文帳に追加

ワード線ドライバは、ワード線ＷＬを介してＤＲＡＭに接続される。 - 特許庁

A WL waiting WTa of the verify read is made shorter than it (WL waiting time WT) of write verify read of the final data.例文帳に追加

その際のＷＬ待ち時間ＷＴａを、最終データの書き込みベリファイ読み出し時のそれ（ＷＬ待ち時間ＷＴ）よりも短くする。 - 特許庁

The word lines WL are divided into a plurality of local word lines 4.例文帳に追加

また、ワード線ＷＬは、複数のローカルワード線４に分割されている。 - 特許庁

MAGNETIC RESONANCE IMAGING SYSTEM, AND METHOD FOR BATCH SETUP OF WW/WL例文帳に追加

ＭＲＩ装置及び画像のＷＷ／ＷＬ一括設定方法 - 特許庁

At the time t06, the word line WL is made to be low level, then the operation is finished.例文帳に追加

時刻ｔ06に、ワード線ＷＬをローレベルとして動作を終了する。 - 特許庁

Also, the word line WL is divided to a plurality of local word lines 4L.例文帳に追加

また、ワード線ＷＬは、複数のローカルワード線４に分割されている。 - 特許庁

An area S_1 is a long part in a longitudinal direction of a width w/2 of a total area wL on the upper surface of the wiring 1, and its area is wL/2.例文帳に追加

面積Ｓ_１は、配線１の上面の全面積ｗＬの内、幅ｗ／２の長手方向に長い部分であり、その面積はｗＬ／２である。 - 特許庁

Upon forming the word line WL on top thereof, a polycrystalline silicon film serving as a second conductive film configuring the word line WL is embedded in the recesses 2b.例文帳に追加

この上部にワード線ＷＬを形成すると、凹部２ｂ内にワード線ＷＬを構成する第２導電膜である多結晶シリコン膜が埋め込まれる。 - 特許庁

When users U1, U2 and the like access one of authentication request sources RS1, RS2, WL, VPN and APS, the authentication request source acquires attribute information being the object of authentication from the user.例文帳に追加

ユーザU1,U2...が、認証要求元RS1,RS2,WL,VPN,APSのいずれかにアクセスすると、認証要求元は、ユーザから認証対象の属性情報を取得する。 - 特許庁

Column selecting lines CL0-CL7 are disposed in parallel to a word selecting line WL at positions where respective column gates 13 are formed, and connected to the respective corresponding column gates 13.例文帳に追加

コラム選択線CL0 〜CL7 はワード選択線WLと平行に各コラムゲート１３が形成されている位置に配線され、それぞれ対応するコラムゲート１３と接続される。 - 特許庁

The control gate electrode WL is formed on the side wall of the floating gate 204a.例文帳に追加

制御ゲート電極ＷＬは浮遊ゲート２０４ａの側壁に形成される。 - 特許庁

Submerged bodies 11 and 12 are arranged at the bow and under a water level WL, and are connected to each other with a main ship body 13 penetrating the water level WL.例文帳に追加

船首及び船尾の水面ＷＬ下に没水体１１，１２を配置し、この没水体１１，１２の間を水面ＷＬを貫通する主船体１３で結合する。 - 特許庁

A first electrode of the access transistor 301 is connected to the first bit line BL0, a second electrode is connected to one end of the ferroelectric capacitor 302, and a gate is connected to a word line WL.例文帳に追加

アクセストランジスタ301の第１電極は第１ビットラインBL0に連結され、第２電極は強誘電体キャパシタ302の一端に連結され、ゲートはワードラインWLに連結される。 - 特許庁

When water is supplied to a tank 12 via a water supplying line WL as a solvent for a base material LB, the hardness of the water is measured by a hardness meter 19 in the water supplying line WL.例文帳に追加

給水ラインＷＬを介してベース材ＬＢの溶媒である水をタンク１２に供給する途中、該水における硬度を硬度計１９によって測定しておく。 - 特許庁

When water is supplied to a tank 12 via a water supplying line WL as a solvent for a base material LB, the hardness of the water is measured by a hardness meter 19 in the water supplying line WL.例文帳に追加

給水ラインＷＬを介してベース材ＬＢの溶媒である水をタンク１２に供給する途中、該水の硬度を硬度計１９によって測定しておく。 - 特許庁

The jetting is started from one end P1 of the substrate at a jetting speed WL, and the speed is gradually increased to reach the speed of WL at the other end P2 of the substrate.例文帳に追加

基板の一端Ｐ１から吐出速度ＷＬで吐出を開始し、吐出速度を次第に速くして基板の他端Ｐ２での吐出速度をＷＬにする。 - 特許庁

According to this constitution, two WL-CSP are adhered to each other on a wafer, and a stack CSP of a chip size equivalent to the WL-CSP can be constituted.例文帳に追加

本構成によれば、ウェハ上において二つのＷＬ−ＣＳＰが相互に接着され、ＷＬ−ＣＳＰと同等のチップサイズのスタックＣＳＰの構成が可能となる。 - 特許庁

The underground water level WL is lower than the floor face position GL of a first floor part.例文帳に追加

地下水位ＷＬは、一階部分の床面位置ＧＬより低くなっている。 - 特許庁

The word line WL is connected to gates of a plurality of nonvolatile memory cell transistors 30.例文帳に追加

ワード線ＷＬは、複数の不揮発性メモリセルトランジスタ３０のゲートに接続されている。 - 特許庁

After that, voltage of the non-selection word line US-WL is switched to approximately 4.5 V.例文帳に追加

その後、非選択ワード線ＵＳ−ＷＬを約４．５Ｖ程度の電圧に切り換える。 - 特許庁

Therefore, the Web log data WL can be disclosed with the current location data PP.例文帳に追加

このため、ウェブログデータＷＬを現在位置データＰＰとともに公開することができる。 - 特許庁