「Waf」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereby, an exposure processing is performed to a resist applied to the semiconductor substrate Waf.例文帳に追加

これにより、半導体基板Ｗａｆ上に塗布されたレジストに対し、露光処理がなされる。 - 特許庁

This ion implantation device has an ion implantation chamber 103 provided with a support base 11 of the semiconductor wafer Waf.例文帳に追加

イオン注入室１０３に関し、半導体ウェハＷａｆの支持台１１が設けられている。 - 特許庁

A heater 13 for conducting heat to the back face side of the wafer Waf is embedded in the support base 11.例文帳に追加

支持台１１内にはウェハＷａｆの裏面側へ熱伝導させるヒーター１３が埋め込まれている。 - 特許庁

The boat BT1 has quartz-made boat members Q11-Q14 and substantially supports the wafers Waf.例文帳に追加

上記ボートＢＴ１は、石英製ボート部材Ｑ１１〜Ｑ１４を有し、実質的に半導体ウェハＷａｆを支持する。 - 特許庁

A processing chamber 10 holds wafers Waf inside and is connected to a discharge gas feed system 11 and an exhaust system 12.例文帳に追加

処理チャンバ１０は、内部にウェハＷａｆを収容し、少なくとも放電ガスの供給系１１及び排気系１２が繋がる。 - 特許庁

The method, in details, comprises quantitatively measuring the expression of at least one gene involved in the regulation of the β-catenin signalling pathway, such as μ-protocadherin, E-cadherin, β-catenin, Axin1, ICAT, p21^waf-1 and the expression of cancer-suppressor genes, such as KLF4 and CEBPα.例文帳に追加

より詳細には、本方法は、μ−プロトカドヘリン、E-カドヘリン、β−カテニン、Ａｘｉｎ１、ＩＣＡＴ、ｐ２１^waf-1のようなβ−カテニンシグナル経路の調節に関与する少なくとも一つの遺伝子の発現の定量、及びＫＬＦ４及びＣＥＢＰαのような癌抑制遺伝子の発現の定量を含む。 - 特許庁

With a TTL method that uses the projection optical system 14, a mark MK for alignment that is directly provided on the semiconductor substrate Waf is detected.例文帳に追加

かつ、投影光学系１４を介するＴＴＬ方式で、直接半導体基板Ｗａｆ上に設けられた位置合わせ用のマークＭＫを検出する。 - 特許庁

Normally, plasma is generated from a fed reaction gas which keeps a glow discharge region, and etching to a semiconductor wafer Waf is carried out.例文帳に追加

通常、グロー放電領域を保ちつつ供給される反応ガスによるプラズマが発生され、半導体ウェハＷａｆへのエッチング処理がなされる。 - 特許庁

Each of the members Q11-Q14 has an arrangement of wafer housing grooves G into which the wafers Waf are guided and is changed in cross-sectional area from one end to the other end.例文帳に追加

Ｑ１１〜Ｑ１４それぞれは、半導体ウェハＷａｆを導き入れるウェハ収容溝Ｇの配列を伴い、一端から他端に亘って断面積を異ならせてある。 - 特許庁

Consequently, the grooves G of the boat members Q11 and Q12 are made to function only for guiding and their bottom parts are not brought into contact with an end surface of the wafer Waf.例文帳に追加

このような構成によって、ボート部材Ｑ１１，Ｑ１２の溝Ｇは、ガイド用としてのみ機能させ、その底部をウェハＷａｆ端面に接触させない構成とする。 - 特許庁

A cooling gas or cooling liquid supply route 15 is provided to a wafer placing electrode 14 so as to cool down a semiconductor wafer Waf.例文帳に追加

ウェハの載置電極１４は半導体ウェハＷａｆの冷却が可能なように少なくとも冷却ガスまたは冷却液の供給経路１５が配備されている。 - 特許庁

A prescribed number of semiconductor wafers Waf is loaded in a supporting boat BT1 and carried in a process tube CHB1 by spending an adequate period of time by controlling the movement of a fork FK1.例文帳に追加

所定枚数の半導体ウェハＷａｆは、支持ボートＢＴ１に装填され、フォークＦＫ１の移動制御によりプロセスチューブＣＨＢ１に相当時間かけて搬入される。 - 特許庁

Further, the under bars (columnar rod) Q21 and Q22 are arranged between the boat members Q11 and Q12 and have their end surface parts mounted to substantially support the wafer Waf.例文帳に追加

さらに、アンダーバー（円柱棒）Ｑ２１，Ｑ２２は、ボート部材Ｑ１１，Ｑ１２の間に配され、ウェハＷａｆが端面部分を載せることによって実質的にウェハＷａｆを支える。 - 特許庁

The boat BT has quartz-made boat members Q11 and Q12 and quartz-made under bars (columnar rod) Q21 and Q22 as main parts of a support member substantially supporting the semiconductor wafer Waf.例文帳に追加

ボートＢＴは、石英製ボート部材Ｑ１１，Ｑ１２と半導体ウェハＷａｆを実質的に支持する支持部材の要部である石英製アンダーバー（円柱棒）Ｑ２１，Ｑ２２を有する。 - 特許庁

In a processing chamber, there is arranged inside a susceptor 11 on the anode side for holding a substrate Waf such as a semiconductor wafer and a glass substrate, with at least a feeding system 12 and an exhaust system 13 of a discharge gas connected to it.例文帳に追加

処理チャンバ１０は、内部に半導体ウェハ、ガラス基板など基板Ｗａｆを保持するアノード側のサセプタ１１を配し、少なくとも放電ガスの供給系１２及び排気系１３が繋がる。 - 特許庁

In a peripheral exposure device 10, a wafer Waf to be treated where a resist film RST is formed on its upper surface is sucked and held by a chuck 12 rotatable with its center as an axis.例文帳に追加

周辺露光装置１０において、上面にレジスト膜ＲＳＴが形成された被処理基板Ｗａｆは、その中心を軸として回転可能なチャック１２により吸着保持されている。 - 特許庁

In a probe card 11, each probe P1 is connected to each bump electrode BMP of an IC chip area CHIP in a semiconductor wafer Waf for probing signal transfer.例文帳に追加

プローブカード１１は、各探針Ｐ１が、半導体ウェハＷａｆにおける所定のＩＣチップ領域ＣＨＩＰの各バンプ電極ＢＭＰに接触することにより、プロービングに関する信号の授受を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises steps of supplying ammonia and dilute gas for several seconds previously as formed on a wafer Waf, and generating a plasma in the gas to an ammonia gas plasma atmosphere (Fig. (a)).例文帳に追加

ウェハＷａｆ上へ所定の窒化膜を成膜処理する際において、予めプレ成膜工程として数秒間、アンモニアと希釈ガスを供給してプラズマ化し、アンモニアガスプラズマ雰囲気にする（図１（ａ））。 - 特許庁

In this probe card 10, the each probe 12 is extended from a substrate 11 therefor, and a test signal is transmitted and received to/from each contact area (pad and bump) in a chip area of a semi-conductor wafer Waf that is a measured object.例文帳に追加

プローブカード１０は、その基板１１から各探針１２が伸長され、被測定対象となる半導体ウェハＷａｆのチップ領域における各接触領域（パッドやバンプ等）にテスト信号の授受が行われるものである。 - 特許庁

In a thermostatic chamber 10, there are provided a mask stage 12, a projecting optical system 13, an alignment system 14, a wafer stage 15 for holding thereon a semiconductor substrate Waf, and an automatically focusing mechanism 16, and together with them, an illuminating system 11 is provided.例文帳に追加

恒温チャンバー１０内において、照明系１１が併設され、マスクステージ１２、投影光学系１３、アライメント系１４、半導体基板Ｗａｆを保持するウェハステージ１５、オートフォーカス機構１６が配備されている。 - 特許庁

The spectroscopic detection mechanism 18 includes a spectroscopic detector 182, and detects the emission spectrum of a plasma area when ions at least in plasma collide with the target 13 to generate vapor deposition particles on a substrate Waf.例文帳に追加

分光検出機構１８は、分光検出器１８２を含み、少なくともプラズマ中のイオンがターゲット１３に衝突して基板Ｗａｆへの蒸着粒子が生成される際のプラズマ領域の発光スペクトルを検出する。 - 特許庁

A plate-like susceptor 16 having the coefficient of thermal expansion approximate to that of silicon on which a wafer Waf is mounted and having excellent heat conduction is disposed on a quartz susceptor 15 forming the basis of the wafer disposition, which can be exchanged according to the status of degradation.例文帳に追加

ウェハ配置の基礎となる石英製のサセプタ１５上には、ウェハＷａｆが搭載されるシリコンの熱膨張係数に近似しかつ熱伝導に優れたプレート状サセプタ１６が配設され、劣化状況に応じて交換が可能である。 - 特許庁

In a constant temperature chamber 10, a lighting system 11 is provided as well, and a reticle stage 13 which holds a reticle 12 that is a photo mask for alignment, a projection optical system 14, an alignment system 15 and a shutter 16 that is interlocked with it, a wafer stage 17 for holding a semiconductor substrate Waf, and a stage position measuring system 18 are provided.例文帳に追加

恒温チャンバー１０内において、照明系１１が併設され、フォトマスクであるレチクル１２を保持して位置決めするレチクルステージ１３、投影光学系１４、アライメント系１５及びこれに連動するシャッター１６、半導体基板Ｗａｆを保持するウェハステージ１７、ステージ位置計測系１８が配備されている。 - 特許庁