「XO」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The covering member 3 is supported by the support members 4a and 4b to surround the X-ray light path XO.例文帳に追加

被覆部材３は、支持部材４ａ、４ｂに支持されてＸ線光路Ｘ0を囲む。 - 特許庁

In the formula, XO is a 2-4C oxyalkylene group; and n is an integer of 13-77.例文帳に追加

式中、ＸＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基、ｎは１３〜７７の整数である。 - 特許庁

A visual line detection unit 22 detects a movement vector ▵V(▵x, ▵y) as the amount of the visual line movement of the user based on a reference displacement amount Vo(xo, yo) generated in the past and the displacement amount V(x, y) generated at this time.例文帳に追加

視線検出部２２は、過去に生成された基準ズレ量Vo(xo,yo)と、今回生成されたズレ量V(x,y)とに基づいて、ユーザの視線の移動量として移動ベクトル△V（△x,△y）を検出する。 - 特許庁

The amount of allowance funds Xo is divided by the total number of points Pt obtained by summing up actual allowance points Pr of all employees (Xo/Pt) to calculate an amount of allowance X per point (S6).例文帳に追加

前記給与原資Ｘｏを、全社員の実給与ポイントＰｒを加算して得られたポイント総数Ｐｔで割る（Ｘｏ／Ｐｔ）ことにより、１ポイントあたりの給与額Ｘを算出する（Ｓ６）。 - 特許庁

Other variations may include salt, sobatsuyu (Soba soup broth), mentsuyu, miso, mayonnaise, chemical seasoning, Worcester sauce, oyster sauce, sesame oil, XO sauce, tobanchan, wasabi, curry sauce, shichimi togarashi (a mixture of red cayenne pepper and other aromatic spices), chili oil, and sukiyaki sauce. 例文帳に追加

その他のバリエーションとして塩、蕎麦つゆ、麺つゆ、味噌、マヨネーズ、うま味調味料、ウスターソース、オイスターソース、胡麻油、XO醤、豆板醤、山葵、カレー、七味唐辛子、ラー油、すき焼きのタレなどが挙げられる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the method for treating a zinc oxide based substrate having a composition expressed by general formula [Zn_xMg_1-xO(wherein, x is a number satisfying 0<x≤1)].例文帳に追加

一般式「Ｚｎ_ｘＭｇ_１−ｘＯ（式中、ｘは、０＜ｘ≦１を満たす数である。 - 特許庁

A geomagnetic vector is detected on three-dimensional coordinates of XO-YO-ZO axes at the time of an initial attitude.例文帳に追加

初期姿勢のときのＸ０−Ｙ０−Ｚ０軸の三次元座標上で地磁気ベクトルを検知する。 - 特許庁

In this condition, the tread rigidity Xo of the area on the high-flange part 11 side from the virtual line L and the tread rigidity Xi of the area on the low-flange part 12 side from the virtual line L satisfies the inequality Xo>Xi.例文帳に追加

このとき、仮想線Ｌよりもハイフランジ部１１側の領域のトレッド剛性Ｘｏと、仮想線Ｌよりもローフランジ部１２側の領域のトレッド剛性ＸｉとがＸｏ＞Ｘｉの関係を有する。 - 特許庁

The element layer consisting of Mg_xZn_1-xO (here: 0≤x≤1) is grown on the buffer layer 11 through epitaxial growth.例文帳に追加

該バッファ層１１上にＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）からなる素子層をエピタキシャル成長する。 - 特許庁

While the p-type Mg_xZn_1-xO layer is growing and/or after its growing has completed, the Mg_xZn_1-xO layer which is under growing state and/or is completed in growing is heat-treated in an atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

そして、該ｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層の成長途中及び／又は成長完了後に、当該成長途中及び／又は成長完了後のＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を酸素含有雰囲気中にて熱処理する。 - 特許庁

A p-type Mg_xZn_1-xO-based thin film 1 is formed on a substrate 2 formed of a ZnO-based semiconductor.例文帳に追加

ｐ型Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ系薄膜１は、ＺｎＯ系半導体からなる基板２上に形成されている。 - 特許庁

The glass is preferably Li2O-(Si,Ti)O2-MO (wherein MO is at least one of Al2O3 and ZrO2) or SiO2-TiO2-XO (wherein XO is at least one of BaO, CaO, SrO, MgO, ZnO and MnO).例文帳に追加

また、このガラスは、Ｌｉ_2Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ_2−ＭＯ（ＭＯはＡｌ_2Ｏ_3およびＺｒＯ_2のうちの少なくとも１種）系、または、ＳｉＯ_2−ＴｉＯ_2−ＸＯ（ＸＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯのうちの少なくとも１種）系が好ましい。 - 特許庁

At the same time, a first current mirror circuit 10 amplifies the current flowing to the N-type transistor 1 predetermined times, enhances current driving capability for an inverted output node XO and quickly changes the inverted output node XO into an L level.例文帳に追加

これに伴い、第１のカレントミラー回路１０は、前記Ｎ型トランジスタ１に流れる電流を所定倍して増幅し、反転出力ノードＸＯに対する電流駆動能力を高め、反転出力ノードＸＯを素早くＬレベルに変化させる。 - 特許庁

Simultaneously, a distance z between the shielding matter and the line sensor is determined by using the hyperbolic second function sech(x) on the basis of the light receiving intensity of the light receiving cell in determining the edge position xo, and the difference Δx between a position of the light receiving cell and the edge position xo.例文帳に追加

同時にこのエッジ位置ｘｏを求めた際の受光セルの受光強度およびその位置と上記エッジ位置ｘｏとの差Δｘから前記ハイパボリックセカンド関数ｓｅｃｈ（ｘ）を用いて前記遮蔽物と前記ラインセンサとの間の距離ｚを求める。 - 特許庁

The light emitting element 100 has an emission layer part 9 comprising an active layer 5 composed of an Mg_xZn_1-xO type oxide semiconductor, a p-type clad layer 6 similarly composed of an Mg_xZn_1-xO type oxide semiconductor, and an n-type clad layer 3.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部９が、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ型酸化物半導体にて構成される活性層５、及び、同じくＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ型酸化物半導体にて構成されるｐ型クラッド層６、ｎ型クラッド層３にてなる。 - 特許庁

When the stopper 38 is opened, the members 47a, etc. are disposed in conjunction therewith on the path XO.例文帳に追加

ダイレクトビームストッパ３８が開いたときは、それに連動してＸ線吸収部材４７ａ等をＸ線光路Ｘ０上に配置する。 - 特許庁

The support members 4a and 4b are arranged at the different positions on the X-ray light path XO reaching a X-ray detector from an X-ray source.例文帳に追加

支持部材４ａ、４ｂは、Ｘ線源からＸ線検出器に至るＸ線光路Ｘ0上の異なる位置に配置される。 - 特許庁

An allowance payment side preliminarily calculates an amount of allowance funds Xo by anticipated profits based on a sales forecast, required expenses, etc. (S4).例文帳に追加

給与支給サイドでは、売上予想，必要経費などに基づく予想利益にて、あらかじめ給与原資額Ｘｏを算出する（Ｓ４）。 - 特許庁

XO(AO)_nH (1) (X is acryloyl radical or methacryloyl radical, AO is oxyalkylene radical with 2 to 4 carbon atoms, and n=1 to 100).例文帳に追加

ＸＯ（ＡＯ）_nＨ （１） （Ｘはアクリロイル基またはメタクリロイル基であり、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基、ｎ＝１〜１００である。） - 特許庁

A wavelength conversion material according to the present invention includes first particles composed of zinc oxide semiconductor particles and Mg_xZn_1-xO, and second particles of an inorganic compound with a different composition from the above-mentioned zinc oxide semiconductor particles and above-mentioned Mg_xZn_1-xO.例文帳に追加

本発明の波長変換部材は、酸化亜鉛半導体粒子とＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯとが複合してなる第１粒子と、前記酸化亜鉛半導体粒子および前記Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯと組成の異なる無機化合物の第２粒子とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the unloading work, when the camera approaches a mark put on the cargo handling work object by a distanced smaller than a designated distance Xo, the camera is disposed in the storing position (S140).例文帳に追加

また荷置作業時にカメラが荷役対象に付されたマークに対し所定距離Ｘo 以下の距離に接近するとカメラは格納位置に配置される(S140,S150) 。 - 特許庁

Supposing that an initial value of the predictor X hat of the state variable is Xo hat, the predictor of the state variable of already operating another air conditioner 200 is adopted.例文帳に追加

状態変数の予測値Ｘハットの初期値Ｘｏハットとして、既に稼働していた他の空気調和機２００の状態変数の予測値を採用する。 - 特許庁

Odd numbered sustaining electrodes are connected to form a sustaining electrode group XO and even numbered sustaining electrodes are connected to form a sustaining electrode group XE.例文帳に追加

奇数番号の維持電極を接続して維持電極群ＸＯとし、偶数番号の維持電極を接続して維持電極群ＸＥとする。 - 特許庁

In this case, a p-electrode 8 is formed on the ZnO-based semiconductor layer 5 and an n-electrode 9 is formed on the lower side of the MgxZn1-xO substrate 1.例文帳に追加

そして、ＺｎＯ系半導体層５上にはｐ電極８が、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。 - 特許庁

Further, a p-electrode 10 is formed on the ZnO-based semiconductor layer 6, and n-electrode 9 is formed on the lower side of the Mg_xZn_1-xO substrate 1.例文帳に追加

そして、ＺｎＯ系半導体層６上にはｐ電極１０が、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ基板１の下側にはｎ電極９が形成されている。 - 特許庁

Then, the generation amount Xd found in the process C is converted into weight and subtracted from the weight change Xo measured in the process A.例文帳に追加

そして、工程ハで求めた各ガス成分の発生量Ｘ_ｄを重量に換算し、工程イで測定した重量変化Ｘ_０から当該重量Ｘ_ｄを差し引く。 - 特許庁

A sub ECU 31 converts an oxygen sensor signal XO so as to give a delay time at timing of switching between lean/rich and outputs to a main ECU 30 when injecting LPG.例文帳に追加

サブＥＣＵ３１は、ＬＰＧ噴射時に、リーン／リッチの切り替わりタイミングにディレイ時間を与えるように酸素センサ信号ＸＯを変換してメインＥＣＵ３０に出力する。 - 特許庁

As the final processing of the surface of the side of the Mg_XZn_1-XO substrate on which the crystal growth is conducted, an oxidation processing is conducted.例文帳に追加

このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、酸化処理が行われる。 - 特許庁

The ZnO-based substrate is formed so that the OH group on the surface where the crystal of Mg_xZn_1-xO substrate (0≤x<1) is to be grown is substantially nil.例文帳に追加

Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板（０≦Ｘ＜１）の結晶成長を行う側の表面におけるＯＨ基の存在が略０となっているように形成する。 - 特許庁

A first display cell includes first and second display electrodes (Xo, Yi) and a second display cell includes the second display electrodes and third display electrodes (Yi, Xe).例文帳に追加

第１の表示セルは第１及び第２の表示電極（Ｘｏ，Ｙｉ）を含み、第２の表示セルは第２の表示電極及び第３の表示電極（Ｙｉ，Ｘｅ）を含む。 - 特許庁

An enable signal Enable input to the NAND circuit L1 is switched to a level H (active state), and thereby the oscillation of the piezoelectric vibrator XO is started.例文帳に追加

ＮＡＮＤ回路Ｌ１に入力されたイネーブル信号ＥｎａｂｌｅがＨレベル（活性状態）に切替わることによって圧電振動子ＸＯの発振が開始する。 - 特許庁

The transmission ECU 60 sets the target offset amount Xo to 0, when a tilt angle sensor 201 is abnormal and a vehicle speed V is less than a prescribed vehicle speed V1.例文帳に追加

トランスミッションＥＣＵ６０は、傾転角センサ２０１が異常であり、かつ車速Ｖが所定車速Ｖ１未満である場合に、目標オフセット量Ｘｏを０に設定する。 - 特許庁

X as the proportion of Mg to Zn within the p-type Mg_xZn_1-xO-based thin film 1 is designed to be 0≤X<1, preferably 0≤X≤0.5.例文帳に追加

ｐ型Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ系薄膜１内のＺｎに対するＭｇの比率であるＸは、０≦Ｘ＜１、好ましくは、０≦Ｘ≦０．５となるように構成されている。 - 特許庁

In such a state, a center position of the alignment mark 10 for calibration is measured by the camera 8 and a probe 1, and distance offset (Xo, Yo) of two of the camera 8 and the probe 1 is determined with high accuracy.例文帳に追加

この状態で、校正用アライメントマーク１０の中心位置を、カメラ８とプローブ１にて測定し、この２つのカメラ８とプローブ９の距離オフセット（Ｘｏ，Ｙｏ）を高精度に求める。 - 特許庁

The light receiving intensity by each light receiving cell of a line sensor is analyzed by using the hyperbolic second function to determine a position xo in the light receiving cell arrangement direction of the edge of the shielding matter.例文帳に追加

そしてこのハイパボリックセカンド関数を用いてラインセンサの各受光セルによる受光強度を解析し、遮蔽物のエッジの前記受光セルの配列方向における位置ｘｏを求める。 - 特許庁

Preheating is performed in such a manner that a cycle where, after the flowing of conducting current I(kA) for X s, it is stopped for XO s is repeated within the prescribed preheating period YKL.例文帳に追加

予熱は通電電流Ｉ（ｋＡ）をＸ秒間流した後にＸ０秒間停止するというサイクルを所定の予熱期間ＹＫＬ内で繰り返されることにより行われる。 - 特許庁

In a normal mode, a selector 26 is switched to a side of a terminal A, input data XI of an input terminal 21 is outputted as output data XO as it is from an output terminal 27.例文帳に追加

通常モード時、セレクタ２６が端子Ａ側に切り替えられ、入力端子２１の入力データＸＩが、そのまま出力端子２７から出力データＸＯとして出力される。 - 特許庁

The semiconductor element has a semiconductor layer 2 mainly composed of Mg_xZn_1-xO (0≤x<1), wherein the content of manganese (Mn) contained as an impurity in the semiconductor layer 2 is 1×10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

Ｍｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）を主成分とする半導体層２を備え、半導体層２に含まれる不純物としてのマンガン（Ｍｎ）の濃度が１×１０^16ｃｍ^-3以下である。 - 特許庁

The acceptor-doped Mg_YZnO (0≤Y<1) layer 6 includes at least one acceptor element, and the undoped Mg_XZn_1-XO (0<X<1) layer 5 is formed in contact with the layer.例文帳に追加

アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ（０≦Ｙ＜１）層６は、アクセプタ元素を少なくとも１種類含んでおり、この層に接してアンドープＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ（０＜Ｘ＜１）層５が形成されている。 - 特許庁

A weight change Xo of a sample in heating is measured by means of a thermal balance (process A), while gas constituents generated in heating the sample are qualitatively analyzed by means of a mass spectrometer (process B).例文帳に追加

熱天秤により加熱した際の試料の重量変化Ｘ_０を測定するとともに（工程イ）、試料を加熱した際に発生するガス成分を質量分析装置により定性分析する（工程ロ）。 - 特許庁

In the substrate-processing method for the above purpose, the final process in the surface on which the crystal of the Mg_xZn_1-xO substrate is to be grown is performed by the acidic wet-etching at pH3 or below.例文帳に追加

このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、ｐＨ３以下の酸性ウェットエッチングで行われる。 - 特許庁

The main ECU 30 performs an air-fuel ratio feedback correction on the basis of the converted oxygen sensor signal XO, calculates a gasoline injection quantity TR[gas] and outputs a control signal for a gasoline injector.例文帳に追加

メインＥＣＵ３０は、その変換された酸素センサ信号ＸＯに基づいた空燃比フィードバック補正を行って、ガソリン噴射量ＴＲ［ｇａｓ］を算出し、ガソリンインジェクタ用の制御信号を出力する。 - 特許庁

When that layer is formed by MOVPE method, missing of oxygen can be suppressed effectively during film deposition and a p-type MgxZn1-xO layer having good characteristics can be obtained.例文帳に追加

そして、その層形成をＭＯＶＰＥ法にて行なうことにより、成膜中の酸素欠損発生を効果的に抑制でき、良好な特性のｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を得ることが可能となる。 - 特許庁

All the signals of XI terminal 2 and XO terminal 1 for connecting a crystal oscillator and the signal of a reset signal input terminal 3 of a microcomputer are inputted to a logic gate 25 for EPROM mode setting.例文帳に追加

水晶発振子を接続するＸＩ端子２およびＸＯ端子１との信号、およびマイコンのリセット信号入力端子３の信号をすべてＥＰＲＯＭモード設定用の論理ゲート２５に入力させる。 - 特許庁

The active layer 8 is made from composition equation Ba_xZn_1-xO(0<x<0.55), and comprises a mixed crystal compound where ZnO is solidified in Ba component so that the band gap energy Ge is smaller than ZnO.例文帳に追加

活性層８は組成式Ｂａ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０＜ｘ＜０．５５）からなり、バンドギャップエネルギーＥｇがＺｎＯよりも小さくなるようにＢａ成分にＺｎＯを固溶させた混晶化合物で形成されている。 - 特許庁