「Atomic diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The diffusion consolidates the metallic layer 16 through atomic transport to fill microvoids in the metallic layer 16.例文帳に追加

この拡散で、金属層１６の微細空孔を満たすように原子が移動することによって、金属層１６が強固になる。 - 特許庁

Further, even if a flooding state occurs due to the product water, the atomic hydrogen can well be moved by the solid-phase diffusion.例文帳に追加

また、生成水によりフラッディング状態が発生しても、固相拡散によって原子状の水素を良好に移動できる。 - 特許庁

After the preliminary diffusion of Cu and Zn at 125 to 350°C, when solution treatment is performed, the metallic elements comprised in the metal powder are diffused into the work by atomic diffusion.例文帳に追加

１２５〜３５０℃でＣｕ及びＺｎの予備拡散を行った後、溶体化処理を行えば、金属粉末に含まれる金属元素が原子拡散によってワークの内部に拡散する。 - 特許庁

To enhance an extraction computation speed of a diffusion coefficient extraction which determines the diffusion coefficient related to a diffusion phenomenon in a diffusion phenomenon in which regions such as a grain boundary, an interface, a surface, and the like are spatially biased from a mean square-root displacement, by tracing atoms by use of a molecular dynamic method, and eliminate an offset of atomic vibrations.例文帳に追加

分子動力学法を用いて原子をトレースして平均二乗変位から粒界、界面、表面などの領域が空間的に偏った拡散現象に関する拡散係数を求める拡散係数抽出の抽出計算速度を向上するとともに、原子振動のオフセットを取り除くことを可能にする。 - 特許庁

The atomic radius of Sb and In are approximate to each other, so that the diffusion of In segregated in the upper interface is reduced in the barrier layer and the quality of the interface can be improved.例文帳に追加

SbはInと原子半径が近いため、上側界面に偏析したInが障壁層中に拡散するのを低減し、界面の品質を改善することができる。 - 特許庁

Thus, the element of a larger atomic radius compared to Si of In can be set to impurity forming the impurity diffusion region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｉｎ等のＳｉに比較して原子半径の大きい元素を半導体基板中の不純物拡散領域を形成する不純物とすることができる。 - 特許庁

To provide an NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film which can suppress deterioration in the electrical characteristics caused by electrolytic corrosion and atomic diffusion of a Cu electrode, and can achieve patterning with high precision by wet etching.例文帳に追加

Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材を提供すること。 - 特許庁

To provide a phase change memory which maintains stable rewriting conditions by preventing atomic diffusion from a layer adjacent to a recording material layer to a recording material, due to the heat generated during rewrite operation, when both the recording material and a selector element are formed of a thin film.例文帳に追加

記録材料と選択素子の両方を薄膜で形成する場合、書換え動作等の熱により、記録材料層と隣接する層からの記録材料への原子拡散を防止し、安定な書換え条件を保つ相変化メモリを提供する。 - 特許庁

A stress relaxing layer 12 is formed between the substrate 11 and the multilayer film 15 of the multilayer film mirror, the stress relaxing layer 12 comprising a material into which another element that can be diffused by substitutional diffusion and that has a different atomic radius is included.例文帳に追加

そして、このような多層膜ミラーの基板１１と多層膜１５との間に、元素の一部に置換型拡散可能で且つ原子半径が異なる他元素を含有させた材料で構成された応力緩和層１２が設けられた構成とする。 - 特許庁

To provide an oxide laminated film comprising an upper/lower perovskite-type oxide films containing different alkaline-earth metal elements, in which an atomic diffusion between the layers is prevented and the growth of the upper perovskite-type oxide film is not hindered.例文帳に追加

異なるアルカリ土類金属元素を含む上層／下層ペロブスカイト型酸化膜の積層において、層間における原子拡散を防止し、かつ上層ペロブスカイト型酸化膜の成長を阻害しないような酸化物積層膜を提供することを課題とする。 - 特許庁

The two substrates are next superposed under atmospheric pressure such that the thin films formed on the two substrates are in contact and, when necessary, the substrates are heated to cause atomic diffusion at a bonded interface and grain boundary of the microcrystalline thin films, which bonds the two substrates.例文帳に追加

その後，大気圧下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせると共に，必要に応じて基体を加熱することで前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 - 特許庁

To suppress the diffusion of launched Cesium (Cs) atoms in the horizontal direction to improve an S/N ratio of a spectrum in a collimation apparatus for Cs atomic fountain for trapping and cooling the atoms by a plurality of laser beams and detecting the passing of the launched Cs atoms through a micro wave resonator.例文帳に追加

本発明は複数のレーザ光でトラップと冷却か行われると共に上方に打ち上げられたセシウム原子がマイクロ波共振器を通過することを検出するセシウム原子泉コリメーション装置に関し，打ち上げた原子の水平方向への拡散を抑制し，スペクトルのＳ／Ｎ比を向上することを目的とする。 - 特許庁

Thereafter, the two substrates are superimposed in such a manner that the thin films formed on the two substrates are contacted in a high purity inert gas atmosphere under the atmospheric pressure, thus atomic diffusion is generated on the joining interfaces and crystal grain boundaries of the fine crystal thin films to join the two substrates.例文帳に追加

その後，大気圧の高純度不活性ガス雰囲気下で前記２つの基体に形成された前記薄膜同士が接触するように前記２つの基体を重ね合わせることにより前記微結晶薄膜の接合界面及び結晶粒界に原子拡散を生じさせて前記２つの基体を接合する。 - 特許庁

If the deposition time is insufficient as the time for diffusing Si into the electrode film and as the progressing time of silicification reaction during deposition of the electrode film, multistage film deposition may be performed such that film deposition is interrupted after depositing several atomic layers until silicification reaction progresses through diffusion of Si and the electrode film is deposited again upon elapsing an appropriate time.例文帳に追加

また、電極膜を成膜中にＳｉが電極膜中に拡散するための時間およびシリサイド化反応が進む時間が、成膜時間だけでは足らない場合は、数原子層成膜した後、Ｓｉが拡散してシリサイド化反応が進むまで成膜を止めて、適切な時間が経過した後、再び電極膜を成膜する、多段階成膜法をおこなっても良い。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁