「B ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for using the ion exchange resin comprises combinedly using (A) an acidic ion exchange resin having a protonic acid type residue with (B) an ion exchange resin having a protonic acid alkali metal salt type residue in the chemical reaction using the acidic ion exchange resin as the catalyst.例文帳に追加

触媒として酸性イオン交換樹脂を用いる化学反応において、プロトン酸型の残基を有する酸性イオン交換樹脂（Ａ）と、プロトン酸のアルカリ金属塩型の残基を有するイオン交換樹脂（Ｂ）とを組み合わせて用いることを特徴とするイオン交換樹脂の使用方法。 - 特許庁

In the case of using a collation method B, the unique data part for retrieval is defined as 'non-ALL', and information that the method B is used and a separated digit are set ion the collator.例文帳に追加

照合方式Ｂとする場合には、検索用ユニークデータ部を「非ＡＬＬ」とし、照合方式Ｂである旨の情報および分離桁を照合装置にセットする。 - 特許庁

The method also includes steps of: removing the substrate protective film 2; activating the B^+ion implantation layer 6, the As^+ion implantation layer 7, and the BF_2^+ ion implantation layer 9 by a heat treatment; and forming a p-type region 10, a cathode layer 11, and an anode contact layer 12.例文帳に追加

次に、基板保護膜２を除去した後、熱処理により、Ｂ^+イオン注入層６，Ａｓ^+イオン注入層７，ＢＦ_２^+イオン注入層９を活性化させ、ｐ領域１０，カソード層１１，アノードコンタクト層１２を形成する。 - 特許庁

When no voltage is applied to the gate electrode 3, the ion outgoing from an ion source 1 is detected by a primary ion detector 5 via the straight line orbit B, resulting in the short-term and high time resolution analysis being achieved.例文帳に追加

ゲート電極３に電圧が印加されないときにはイオン源１から出射されたイオンは直線軌道Ｂを経て第１イオン検出器５で検出されるから、分析時間が短く高い時間分解能を達成できる。 - 特許庁

N-type dopants are ion-implanted into a portion of an n-type silicon substrate 1 where the charge transferring portion 5 is to be formed (b).例文帳に追加

ｎ型シリコン基板１の電荷転送部５の形成予定部位に、ｎ型の不純物をイオン注入する（ｂ）。 - 特許庁

Thereafter, a pn junction 104 is formed at a third depth C shallower than the second depth B by ion implantation.例文帳に追加

この後、イオン注入により第２の深さＢよりも浅い第３の深さＣにｐｎ接合１０４を形成する。 - 特許庁

As components, (a) a moisture curing resin, (b) a rust preventive pigment, (c) a corrosive ion inactivating agent, and (d) a coupling agent are blended.例文帳に追加

成分として、（ａ）湿気硬化型樹脂、（ｂ）防錆顔料、（ｃ）腐食性イオン固定化剤、（ｄ）カップリング剤を配合する。 - 特許庁

Most of particles (b), sputtered from the nonmagnetic material 2b by this ion collision are deposited on an inner surface I of an anode 7.例文帳に追加

このイオン衝突によりスパッタされた非磁性体２ｂの粒子ｂの殆どは、アノード７の内面Ｉ上に堆積する。 - 特許庁

A middle dosed ion implanting device implants B+ 24 in the interface of the semiconductor layer 18 and the gate oxidized film 22.例文帳に追加

半導体層１８とゲート酸化膜２２との界面に，中ドーズイオン注入装置によりＢ^＋２４を注入する。 - 特許庁

The negative resist composition for ion beam writing comprises (A) a resin which has a polymer unit of formula (1), a polymer unit prepared by ring opening polymerization and hydrogenation of a cyclic olefin, or a vinyl ether polymer unit, and is made slightly soluble or insoluble in a developer upon ion beam irradiation, and (B) at least one organic solvent which dissolves the resin (A).例文帳に追加

次の成分（Ａ）および（Ｂ）を含有するイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物並びに上記のネガ型レジスト組成物を利用するパターン形成方法。 - 特許庁

This heat developable image forming material contains (a) a reducible silver salt, (b) a reducing agent, (c) a binder and (d) a compd. represented by the formula, wherein R is a sec. alkyl or cycloalkyl and M1 and M2 are each H, a metallic ion or an ammonium ion.例文帳に追加

（ａ）還元可能な銀塩、（ｂ）還元剤、（ｃ）バインダーおよび（ｄ）下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする熱現像画像形成材料。 - 特許庁

After ion implantation, the padding oxide film 21 is used as the capping oxide film for preventing out-diffusion, and then impurities subsequent to the ion implantation is thermally diffused to form the well 2 (a process shown in (b)).例文帳に追加

イオン注入後、パッド酸化膜２１をアウトディフュージョン抑止用のキャップ酸化膜として用いて、イオン注入後の不純物を熱拡散させ、ウエル２を形成する（図２（ｂ）に示す工程）。 - 特許庁

The glycoside compound has an aglycon forming an objective arbitrary B ion and/or C ion in a CID-MS^n measurement.例文帳に追加

ＣＩＤ−ＭＳ^ｎ測定において、目的とする任意のＢイオンおよび／またはＣイオンを生成するアグリコンを有するグリコシド化合物を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

Finally, the mask material 4 is removed, and then heat treatment causes the B^+ ion implantation layer 5 and the As^+ ion implantation layer 9 to be activated, thus forming an anode layer 7 and a cathode layer 10 respectively.例文帳に追加

最後に、マスク材料４の除去後、熱処理により、Ｂ^+イオン注入層５及びＡｓ^+イオン注入層９を活性化させ、それぞれアノード層７及びカソード層１０を形成する。 - 特許庁

In that case, a manganese ion concentration A is adjusted so as to be 100 to 200 ppm, and the abundance ratio A/B of the manganese ion concentration to the electrode area of the negative electrode plate is 135 to 270 before initial charging.例文帳に追加

このとき、マンガンイオン濃度Ａが１００〜２００ｐｐｍとなるようにし、初充電前の負極電極面積に対するマンガンイオンの存在量Ａ／Ｂを１３５〜２７０とした。 - 特許庁

(a) An insulating layer 12 is formed on a single crystal Si substrate 11, and (b) an ion implanted layer 13 is formed by implanting the substrate 11 with ion through the insulating layer 12.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１１の上に絶縁層１２を形成し（ａ）、絶縁層１２を通して基板１１中にイオンを注入してイオン注入層１３を形成する（ｂ）。 - 特許庁

(1) (M^2+ is a divalent metal ion; M^3+ is a trivalent metal ion; A^n- is an n-valent anion; x and m satisfy conditions of 0<x<0.6 and 0≤m<2).例文帳に追加

(M^2+)_1-x(M^3+)_x(OH)_2(SO_4)_0.5x・mH_2O …(1)（但しこれら式中、M^2+は2価の金属イオン、M^3+は3価の金属イオンを示し、A^n-はｎ価のアニオンを示す。また式中、x、a、bおよびmは下記条件を満足する。0＜x＜0.6，0≦m＜2） - 特許庁

The ethylene/α-olefin copolymer is obtained by copolymerizing the constituent units by an olefin polymerization catalyst composed of (A) a transition metal compound and at least one compound selected from the group consisting of (B-1) an organometallic compound, (B-2) an organoaluminumoxy compound and (B-3) a compound to form an ion pair by a reaction with the transition metal compound (A).例文帳に追加

該エチレン／α-オレフィン共重合体は、（Ａ）遷移金属化合物と、(B-1):有機金属化合物、(B-2):有機アルミニウムオキシ化合物および(B-3):遷移金属化合物(A)と反応してイオン対を形成する化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とからなるオレフィン重合用触媒により共重合させて得られる。 - 特許庁

The curable composition comprises (A) 100 pts.mass of radically polymerizable monomer, (B) 0.1-10 pts.mass of water, (C) 0.001-5 pts.mass of an anionic surfactant in which the Li ion is a counter ion, and (D) an effective amount of a radical polymerization initiator.例文帳に追加

（A）ラジカル重合性単量体１００質量部、（B）水０．１〜１０質量部、（C）対イオンがＬｉイオンであるアニオン性界面活性剤０．００１〜５質量部、および通常は、(D)有効量のラジカル重合開始剤を含んでなる硬化性組成物。 - 特許庁

This olefin metathesis catalyst comprises a ruthenium catalyst (A) having olefin metathesis activity and a salt (B) formed from a cation (a) selected from the group consisting of scandium, yttrium and lanthanoids and an anion (b) selected from the group consisting of nitrate ion, sulfate ion, organic sulfonate ions, organic fluorosulfonate ions and perchlorate ion.例文帳に追加

オレフィンメタセシス活性を有するルテニウム触媒（Ａ）ならびにスカンジウム、イットリウムおよびランタノイドからなる群より選ばれる陽イオン（ａ）と硝酸イオン、硫酸イオン、有機スルホン酸イオン、フルオロ有機スルホン酸イオンおよび過塩素酸イオンからなる群より選ばれる陰イオン（ｂ）とから形成される塩（Ｂ）からなるオレフィンメタセシス触媒。 - 特許庁

The thermoplastic resin composition contains a specific amount of a thermoplastic resin composition (A) having a glass transition temperature of ≥167°C or a melting point of ≥270°C, and a modified product (B) of specific phyllosilicate obtained by ion-exchanging a metal ion contained in a swelling phyllosilicate (B-1) with an aminium ion containing a benzil group.例文帳に追加

ガラス転移温度が１６７℃以上または融点が２７０℃以上である熱可塑性樹脂（Ａ）および、膨潤性層状珪酸塩（Ｂ−１）が含む金属イオンをベンジル基を含むアミニウムイオンでイオン交換して得られる特定の層状珪酸塩の変性物（Ｂ）を特定量含む熱可塑性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The oxidation hair dye or the bleaching agent composition contains (A) ammonia or an ammonium ion, (B) a carbonate ion or a bicarbonate ion, (C) an amino-modified silicone or methylpolysiloxanes, (D) a cationic polymer, (E) a dye (not contained in the bleaching agent) and (F) an oxidizing agent.例文帳に追加

（Ａ）アンモニア又はアンモニウムイオン、（Ｂ）炭酸イオン又は炭酸水素イオン、（Ｃ）アミノ変性シリコーン又はメチルポリシロキサン類、（Ｄ）カチオン性ポリマー、（Ｅ）染料（脱色剤には含有しない）及び（Ｆ）酸化剤を含有する酸化染毛剤又は脱色剤組成物。 - 特許庁

A gate electrode 3 is provided over a straight line orbit B where the ion outgoing is flying from an ion source 1, and the ion is introduced over a circumvolant orbit A when a voltage is applied to the gate electrode 3 from the MS mode changeover controller 7.例文帳に追加

イオン源１から出射したイオンが飛行する直線軌道Ｂ上にゲート電極３を設け、ＭＳモード切替制御部７からゲート電極３に電圧が印加されたときにはイオンが周回軌道Ａに導入されるようにする。 - 特許庁

A draft air duct B arranged with the ion-generating unit 33 is formed separately from a circulation duct A passing through the heat exchanger 25.例文帳に追加

イオン発生装置ユニット３３が配された送風通路Ｂを熱交換器２５を通る循環通路Ａとは別に形成する。 - 特許庁

Here, the energy range of the ion beam B, generated by the accelerated voltage, is to be set at 1 keV or higher and lower than 20 keV.例文帳に追加

この際、加速電圧によって生じるイオンビームＢのエネルギー範囲を１ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ未満に設定する。 - 特許庁

(b) Resists with sensitivity to electron beams or ion beams that deliver an electric charge of 0.01 microcoloumbs per square millimeter or less 例文帳に追加

ロ　〇・〇一マイクロクーロン毎平方ミリメートル以下の電気量を照射する電子ビーム又はイオンビームに対する感度を有するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The ground electrode 21b is installed on the upper stream side of the ion beam B than that of the ground electrode 21a, and its material is carbon.例文帳に追加

接地電極２１ｂは、接地電極２１ａよりもイオンビームＢの上流側に設けられており、材質はカーボンである。 - 特許庁

This proton-exchanging membrane is characterized by containing a perfluorocarbon polymer compound A having an ion-exchanging group and sulfur B.例文帳に追加

イオン交換基を有するパーフルオロカーボン高分子化合物Ａと、硫黄Ｂを含有することを特徴とするプロトン交換膜。 - 特許庁

Preferably, the intermediate layer 8 includes a high melt viscosity resin (A), a low melt viscosity ionomer resin (B), and a metal ion source (C).例文帳に追加

好ましくは、中間層８は、高溶融粘度樹脂（Ａ）と、低溶融粘度アイオノマー樹脂（Ｂ）と、金属イオン源（Ｃ）とを含む。 - 特許庁

The stabilizing method of perfumes comprises contacting the perfume (A) with the metal ion-carrying zeolite (B).例文帳に追加

本発明はまた、上記香料（Ａ）を、金属イオン担持ゼオライト（Ｂ）に接触させることを含む香料の安定化方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the cost can be reduced by employing p^+ field ion implantation for forming the anti-inversion region B.例文帳に追加

また、この反転防止領域Ａを形成するイオン注入をｐ^＋ フィールドイオン注入で行うことで低コスト化することができる。 - 特許庁

The film or composite film is produced by an arc ion plating method or a magnetron sputtering method using a solid target material with a sintered structure containing B.例文帳に追加

Ｂを含む、焼結構造の固体ターゲット材を用いたアークイオンプレーティング法またはマグネトロンスパッタリング法で製造する。 - 特許庁

Next, ion implantation or heat diffusion treatment is performed to form a p^- diffusion layer 41 and an n^+ diffusion layer 31 (b).例文帳に追加

次に，イオン注入や熱拡散処理等を行うことにより，Ｐ^- 拡散層４１およびＮ^+ 拡散層３１を形成する（ｂ）。 - 特許庁

The substrate adjusting agent comprises as its ingredients (a) a moisture-curable resin, (b) a conductive material, (c) a corrosive ion fixing agent and (d) a coupling agent.例文帳に追加

成分として、（ａ）湿気硬化型樹脂、（ｂ）導電性材料、（ｃ）腐食性イオン固定化剤、（ｄ）カップリング剤を配合する。 - 特許庁

The probabile cycrotron ion filter for separating ions in many kinds of plasmas uses an electric field (E) crossing a magnetic field (B) according to mass.例文帳に追加

多種のプラズマ中のイオンを分離する確率的イオンフィルタは、質量に応じ、磁界（Ｂ）と交差した電界（Ｅ）を用いる。 - 特許庁

This is a proton conduction film which is a film composed of a polymer segment having an ion conduction component (A) and a polymer segment having no ion conduction component (B), and in which (i) A and B form mutually a continuous micro-phase separation structure in the film and (ii) the continuous phase made of B surrounds partially a domain made of A.例文帳に追加

イオン伝導性成分を有するポリマーセグメント（Ａ）とイオン伝導性成分を有さないポリマーセグメント（Ｂ）からなる膜であり、(i)該膜中でＡとＢとが共に連続的なミクロ相分離構造を形成し、(ii)Ｂからなる連続相がＡからなるドメインを部分的に囲い込んでなるるプロトン伝導膜。 - 特許庁

They are (A) an alkaline compound; (B) an organic acid salt or an inorganic salt, having no alkaline metal atom in the molecule; (C) an oxycarboxylic acid-based chelating agent or an aminocarboxylic acid-based chelating agent, having at least one ion selected from a group consisting of sodium ion, potassium ion and ammonium ion bonded by either an ionic bond or a coordinate bond; and (D) water.例文帳に追加

（Ａ）アルカリ性化合物（Ｂ）分子内にアルカリ金属原子を有しない、有機酸塩又は無機塩（Ｃ）ナトリウムイオン、カリウムイオン及びアンモニウムイオンからなる群から選ばれる少なくとも１つのイオンが、イオン結合又は配位結合のいずれかにより結合された、オキシカルボン酸系キレート化剤又はアミノカルボン酸系キレート化剤 - 特許庁

The plating solution is used for depositing the Ni-B alloy film by electroless plating at least on a part of the wiring of electronic device equipment having buried wiring structure and contains a nickel ion, a complexing agent for the nickel ion, alkylamine borane or borohydride compound as a reducing agent for the nickel ion, and an ammonia ion (NH4+).例文帳に追加

埋め込み配線構造を有する電子デバイス装置の配線の少なくとも一部にＮｉ−Ｂ合金膜を無電解めっきで形成するめっき液であって、ニッケルイオン、ニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキルアミンボランまたは硼素化水素化合物及びアンモニアイオン（ＮＨ_４^＋）を含有する。 - 特許庁

This oral composition is a plurality of composition systems containing at least (A) a composition containing a calcium ion-supplying compound and (B) a composition containing a fluorine ion-supplying compound, and further contains (C) a compound for supplying a polyolphosphoric acid ion and (D) a compound for supplying a monofluorophosphoric acid ion.例文帳に追加

カルシウムイオン供給化合物を含有する組成物（Ａ）と、フッ素イオン供給化合物を含有する組成物（Ｂ）とを少なくとも含む多組成物系であって、前記多組成物系には、さらに（Ｃ）ポリオールリン酸イオン供給化合物及び（Ｄ）モノフルオロリン酸イオン供給化合物を含有する口腔用組成物である。 - 特許庁

In formula (1), M is a cerium ion; L is a ligand represented by formula (2); X is a counter ion; L' is a monodentate or bidentate ligand; (a) is 1 or 2; b is an integer of 0-5; c is an integer of 0-5.例文帳に追加

［式中、Ｍはセリウムイオン；Ｌは下式２：で表される配位子を表し、Ｘは対イオン；Ｌ’は単座又は２座の配位子；ａは１又は２；ｂは０〜５の整数；ｃは０〜５の整数である。 - 特許庁

This gel-like ion conductive electrolyte contains (A) resin, (B) an electrolyte and (C) a basic compound for neutralizing acid in a system, and the electrochemical device uses the gel ion conductive electrolyte.例文帳に追加

（Ａ）樹脂、（Ｂ）電解液及び（Ｃ）系中の酸を中和する塩基性化合物を含有してなるゲル状イオン伝導性電解質並びにこのゲル状イオン伝導性電解質を用いた電気化学的デバイス。 - 特許庁

In the extraction method of the used ion-exchange resin catalyst, the ion-exchange resin catalyst used for preparing bisphenol A is subjected to the following processes (A), (B), and (C), then the catalyst is extracted.例文帳に追加

ビスフェノールＡの製造に使用したイオン交換樹脂触媒を、下記（Ａ）工程及び（Ｂ）工程及び／又は（Ｃ）工程を順次施した後、触媒を抜き出す、使用済みイオン交換樹脂触媒の抜出方法。 - 特許庁

The oxidation hair dye or the bleaching agent composition contains (A) monoethanolamine or a hydroxyethylammonium ion, (B) a carbonate ion or a bicarbonate ion, (C) an amino-modified silicone or methylpolysiloxanes, (D) a cationic polymer, (E) a dye (not contained in the bleaching agent) and (F) an oxidizing agent.例文帳に追加

（Ａ）モノエタノールアミン又はヒドロキシエチルアンモニウムイオン、（Ｂ）炭酸イオン又は炭酸水素イオン、（Ｃ）アミノ変性シリコーン又はメチルポリシロキサン類、（Ｄ）カチオン性ポリマー、（Ｅ）染料（脱色剤には含有しない）及び（Ｆ）酸化剤を含有する酸化染毛剤又は脱色剤組成物。 - 特許庁

P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁

The composition for an organic transistor insulating film, [1] contains ion liquid (A) and a polymer (B) having an hydrophilic unit and a crosslinking group.例文帳に追加

〔１〕イオン液体（Ａ）および親水性ユニットと架橋性基とを有するポリマー（Ｂ）を含有する有機トランジスタ絶縁膜用組成物。 - 特許庁