「CDV」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To obtain a CDV control system to constantly monitor a CDV(Cell Delay variation) value to be generated in an ATM(Asynchronous Transfermode) network and to control the quantity of cells to be stored inside a buffer for absorbing CDV by dynamically fluctuating it by the CDV value to be generated.例文帳に追加

ＡＴＭ（Ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｍｏｄｅ：非同期転送モード）ネットワークで発生するＣＤＶ（Ｃｅｌｌ Ｄｅｌａｙ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ：セル遅延揺らぎ）値を常時モニタし、ＣＤＶ吸収用バッファ内部に蓄積するセルの量を、発生するＣＤＶ値によりダイナミックに変動させて制御するＣＤＶ制御方式を提供する。 - 特許庁

14. The Class I Designated Chemical Substance listed in (cdv) of Appended Table 1: boron 例文帳に追加

（１４）　別表第一第四百五号に掲げる第一種指定化学物質　ほう素 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Following the conversion line #CDV, a converted point #PEL which is obtained by moving the conversion source point PEL by a movement amount based on a distance w from the conversion source point PEL to the reference line CDV is calculated.例文帳に追加

変換線＃ＣＤＶに従って、変換元点ＰＥＬを変換元点ＰＥＬから基準線ＣＤＶまでの距離ｗに基づいた移動量だけ移動させて得られる変換後点＃ＰＥＬが算出される。 - 特許庁

Subsequently, pixels included in the processing area of the color image are sequentially extracted, and a conversion line #CDV including a conversion source point PEL corresponding to colors of the pixels and extending along the reference line CDV is defined.例文帳に追加

続いて、カラー画像の処理領域内に含まれる画素が順次抽出され、当該画素の色に対応する変換元点ＰＥＬを含み、かつ基準線ＣＤＶに沿う変換線＃ＣＤＶが規定される。 - 特許庁

To reduce a quantity of cells accumulated a fluctuation absorbing buffer and transmission delay time when a CDV value of an ATM network is small, increase the quantity of the cells accumulated in the fluctuation absorbing buffer when the CDV value of the ATM network is large, prevent cell rejection caused by cell fluctuation and enhance transmission quality in a communication of a CBR cell flow including CDV in the ATM network.例文帳に追加

ＡＴＭネットワークにおけるＣＤＶを含んだＣＢＲセル流の通信において、ＡＴＭネットワークのＣＤＶ値が小さい時には揺らぎ吸収バッファ内に蓄積させるセルの量を少なくして伝送遅延時間を小さくし、ＡＴＭネットワークのＣＤＶ値が大きい時には揺らぎ吸収バッファ内に蓄積させるセルの量を大きくしてセル揺らぎが原因によるセル廃棄を防止し伝送品質を高める。 - 特許庁

Raw gas is blown on both surfaces of a metal base plate 21 in a decompressed atmosphere, and a surface layer is grown by a CDV method.例文帳に追加

減圧雰囲気中で金属基板２１の両面に原料ガスを吹き付け、ＣＶＤ法によって表面層を成長させる。 - 特許庁

This washer is manufactured by molding the synthetic resin into the shape of the washer, and then coating its surface with diamond-like carbon by a plasma CDV method to form the hard carbon thin film.例文帳に追加

合成樹脂をワッシャ形状に成形後、表面にプラズマＣＤＶ法によりダイヤモンドライクカーボンを被覆して硬質炭素薄膜を設けてワッシャとする。 - 特許庁

In an ATM_-CLAD apparatus on a receiving side of the CBR cell flow, the CDV value of the network is always calculated by monitoring PM cells transmitted as OAM cells in the ATM network, and the quantity of the cells accumulated in a FIFO buffer for controlling CDVT is dynamically controlled based on the calculated CDV value.例文帳に追加

ＣＢＲセル流受信側ＡＴＭ＿ＣＬＡＤ装置にて、ＡＴＭネットワーク内でＯＡＭセルとして伝送されるＰＭセルの監視によりネットワークのＣＤＶ値を常時計算して、計算で得られたＣＤＶ値に基づいてＣＤＶＴ制御用ＦＩＦＯバッファ内部に蓄積するセルの量をダイナミックに制御する。 - 特許庁

One end of a sub-bit line SBL is connected to a common power source CDV through a drain selector DS, and the other end is connected to a main bit line MBL through a source selector SS.例文帳に追加

副ビット線ＳＢＬの一端をドレインセレクタＤＳを介して共通電源ＣＤＶに接続し、他端をソースセレクタＳＳを介して主ビット線ＭＢＬに接続する。 - 特許庁

Accordingly, this detection method enables decision within consultation hours, requires no special appliance, enables visual decision and is extremely useful for performing an early diagnosis of CDV and preventing the spread of infection.例文帳に追加

従って、この検出法は診察時間内に判定可能で、特別な器具が不要で、判定も目視可能で、ＣＤＶの早期診断と感染拡大の予防にきわめて有用である。 - 特許庁

A CDV-Cu film is deposited onto monovalent copper amidinate as a film deposition raw material at a low temperature and also at a practical film deposition rate, using carboxylic acid having high reduction capacity to monovalent copper amidinate as a reducing agent.例文帳に追加

成膜原料である１価のアミジネート銅に対し、還元剤として１価のアミジネート銅に対する還元能力が高いカルボン酸を用い、低温でかつ実用的な成膜レートでＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜する。 - 特許庁

The analog front-end circuit includes a correlated doubling sampling circuit 20, a correction circuit 70 for correcting its output value DV, and an A/D-conversion circuit 100 for converting its output value CDV into digital data.例文帳に追加

アナログフロントエンド回路は、相関二重サンプリング回路２０と、その出力値ＤＶに対して補正処理を行う補正回路７０と、その出力値ＣＤＶをデジタルデータに変換するＡ／Ｄ変換回路１００を含む。 - 特許庁

To provide an optical subscriber line terminal station equipment controlling Cell Delay Variation(CDV) generated by applying Dynamic Bandwidth Allocation(DBA), an ATM based Passive Optical Network(APON) system and a cell delay fluctuation control method in the Optical Line Terminal(OLT) of the APON system.例文帳に追加

ＡＰＯＮシステムのＯＬＴにおいて、ＤＢＡを適用することにより発生するＣＤＶを抑制する光加入者線端局装置及びＡＰＯＮシステム及びセル遅延ゆらぎ抑制方法を提供する。 - 特許庁

To provide a shaping algorithm self-monitoring system that can overcome a problem of disabling accurate shaping, on the occurrence of a fault in an arithmetic result due to the fault of a hardware logic circuit realizing a CDV(cell delay variation) reduction type algorithm.例文帳に追加

ＣＤＶ削減形アルゴリズムを実現するハードウェア論理回路の異常によって演算結果に異常が生じると、正確なシェーピングが不可能になるという課題を克服するシェーピングアルゴリズム自己監視方式を提供する。 - 特許庁

To detect a CDV antigen in a specimen simply and rapidly by applying an antibody corresponding to a dog distemper virus to a carrier or a reaction film to form a solid phase and using an anti-distemper virus antibody labelled with a color particle or enzyme.例文帳に追加

イヌジステンパーウイルスに対応する抗体を担体または反応膜に固相化せしめ、有色粒子や酵素で標識した抗ジステンパーウイルス抗体を用いて、検体中のＣＤＶ抗原を簡便かつ迅速に検出する。 - 特許庁

A wafer W is stored into a chamber 1, a cuprous carbonate complex, e.g., CH_3COOCu and a reducing agent reducing the same are introduced into the chamber 1 in a vapor phase state, and a Cu film is deposited on the wafer W by a CDV process.例文帳に追加

チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

At the time of forming a lower electrode 25A composed of two layers of amorphous silicon films which are different in phosphorus concentration by CDV method using mixed gas of SiH4 gas and PH3 gas as source gas, SiH4 gas concentration is kept constant and PH3 gas concentration is reduced from the middle of deposition.例文帳に追加

リン濃度の異る２層のアモルファスシリコン膜で形成される下部電極２５ＡをＳｉＨ_4ガスおよびＰＨ_3ガスの混合ガスをソースガスに用いたＣＤＶ法により形成する際、ＳｉＨ_4ガスの濃度は一定とし、ＰＨ_3ガスの濃度は成膜途中から低くする。 - 特許庁

Consequently, if an electric discharge is generated in the vacuum tank 3 by high frequency voltage with the frequency of 27. 12 MHz or higher at the time of carrying out a plasma CDV method, the high frequency voltage is not transmitted to the valve body 10 and therefore no discharge is generated in the transportation chamber 2.例文帳に追加

このため、プラズマＣＶＤ法を実施するために、２７．１２ＭＨｚ以上の周波数の高周波電圧による放電が真空槽３内で生じても、その高周波電圧は弁体１０には伝わらず、搬送室２内では放電が生じなくなる。 - 特許庁

The thin film resistor 5 is formed on a thermal oxidation film 3 formed on a semiconductor substrate 1 and a BPSG/NSG multiplayer film 7, a plasma CVD film 9, an organic SOG film 11, a plasma CDV film 13 and a resist pattern 19 are formed on the entire surface of the semiconductor substrate (A).例文帳に追加

半導体基板１上に形成した熱酸化膜３上に薄膜抵抗体５を形成し、半導体基板１上全面にＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７、プラズマＣＶＤ膜９、有機ＳＯＧ膜１１、プラズマＣＶＤ膜１３、レジストパターン１９を形成する（Ａ）。 - 特許庁

A porous insulation layer having a thickness of not thinner than 0.3 μm and not thicker than 3 μm is deposited on an activator layer of either a positive electrode plate having a positive electrode activator layer or a negative electrode plate having a negative electrode activator layer containing negative electrode activator particles, by a sputtering method, an ion plating method, or a CDV method (chemical vapor deposition method).例文帳に追加

正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に厚みが０．３μｍ以上３μｍ以下の多孔質絶縁層をスパッタリング法、イオンプレーティグ法、ＣＶＤ法で堆積させる。 - 特許庁

For the nonaqueous secondary cell composed of an electrolyte dissolving the electrolyte in a cathode, an anode, and a nonaqueous solvent, a fine-powdered carbonaceous material with a carbonaceous film formed on a surface by CDV treatment applied to the fluidized fine powder of carbonaceous material with the temperature of 700-1300°C, is used as an anode material.例文帳に追加

正極、負極および非水溶媒中に電解質を溶解させた電解液からなる非水系二次電池において、微粉状の炭素質材料を流動状態下に、７００〜１３００℃の温度でＣＶＤ処理して表面に炭素質皮膜を形成させた、微粉状炭素質材料を負極材料として用いることを特徴とする非水系二次電池。 - 特許庁

The manufacturing method for the magnetic recording medium is constituted to form the protective film 4 from a reaction gas incorporating hydrocarbon on a ferromagnetic metallic thin film 2 deposited on a nonmagnetic base material 1 by the plasma CDV process, in which positive DC voltage V1 and negative DC voltage V2 are alternately applied to the raction gas.例文帳に追加

非磁性基材（１）上に積層した強磁性金属薄膜（２）上に、炭化水素を含有する反応ガスからプラズマＣＤＶ法により保護膜（４）を形成する磁気記録媒体（２０）の製造方法であって、前記プラズマＣＤＶ法において反応ガスに正の直流電圧（Ｖ１）と負の直流電圧（Ｖ２）とを交互に印加することを特徴とする、磁気記録媒体（２０）の製造方法。 - 特許庁

To measure a trace amount of impurity metal in a CDV film, a high purity ceramic or the like, in particular, in a silicon carbide material or a silicon nitride material, in a desired depth, so as to find precisely and quickly an impurity concentration distribution along a depth direction.例文帳に追加

ＣＶＤ膜、高純度セラミックス等のうち、特に、炭化ケイ素材または窒化ケイ素材に存在する極微量の不純物金属を、所望の深さにおいて正確に定量することができ、これにより、深さ方向における不純物濃度分布を高精度かつ迅速に求めることができる炭化ケイ素材または窒化ケイ素材の不純物濃度分布測定方法ならびにセラミックスの不純物濃度分布測定方法を提供する。 - 特許庁