「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(208ページ目) - Weblio英語例文検索

A gas diffusion electrode 1 is produced by providing a sheet, in which a reaction layer 2 and a gas feeding layer 3 are laminated, with dents or cuts 6, filling silver particles therein and executing hot pressing.例文帳に追加

反応層とガス供給層が積層したシートに凹み又は切れ込みを設け、その中に銀粒子を充填し、ホットプレスすることで作製されるガス拡散電極。 - 特許庁

The oxide film 46 becomes a nitride oxide film, which suppresses the deterioration of transistor characteristics caused by the diffusion of impurities, such as boron, etc., from a gate electrode 48 into the silicon region 42.例文帳に追加

この酸化膜４６は窒化酸化膜となり、ボロンなどの不純物がゲート電極４８からシリコン領域４２に拡散してトランジスタ特性を劣化させることを抑制する。 - 特許庁

A rice bran diffusion barrier wall plate 70 for restricting a rice bran mixing range is provided between the rice bran falling port 62a of the cyclone 60 and the unpolished rice falling port 17a.例文帳に追加

サイクロン６０の糠落下口６２ａと玄米落とし口１７ａとの間には糠のまぶし範囲を限定するための糠拡散障壁板７０が設けられている。 - 特許庁

To provide a light diffusion plate having sufficient strength and heat resistance and small in the linear expansion coefficient and anisotropy to prevent the deformation even under a sever heating condition.例文帳に追加

十分な強度と耐熱性を備え、厳しい熱条件下においても線膨張率及びその異方性が小さくて熱変形を防止できる光拡散板を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte fuel cell with an excellent power generating property, a membrane-electrode assembly (MEA) suitable for obtaining the cell, and a gas diffusion electrode base material.例文帳に追加

発電特性に優れる固体高分子型燃料電池、この電池を得るに好適な膜−電極接合体（ＭＥＡ）およびガス拡散電極基材を提供する。 - 特許庁

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。 - 特許庁

To provide an automatic gain control circuit for a direct sequence diffusion spectrum receiver optimized for use of a signal capturing period and a signal tracking period.例文帳に追加

信号捕捉期間及び信号追跡期間の使用に最適化された、直接シーケンス拡散スペクトラム受信器用の自動利得制御回路及び方法の提供。 - 特許庁

Then, after a p^+-type diffusion layer is formed on the collector region, an SiGe or SiGeC layer 10 is grown only on the one-side wall of the collector region.例文帳に追加

次に、コレクタ領域上部にＰ^+型拡散層を形成した後、コレクタ領域の片側側壁部分にのみＳｉＧｅあるいはＳｉＧｅＣ層１０を成長させる。 - 特許庁

The surface of a diffusion layer of at least a source region is formed of a metal silicide layer in a metal oxide field effect transistor actuating the heating element.例文帳に追加

本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタの少なくともソース領域の拡散層表面を金属シリサイド層により形成する。 - 特許庁

The sample formed with an insulation film 105 on a surface where upper faces of the diffusion area 103, a well area 102 and a silicon substrate 101 are exposed is prepared by working a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を加工して拡散領域103 およびウエル領域102 およびシリコン基板101 の上面を露呈させた表面に絶縁膜105 を形成した試料を作成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device for preventing degradation of a cell current by elevation of resistance because of decrease of impurity concentration of a diffusion layer or a semiconductor layer.例文帳に追加

拡散層、または半導体層の不純物濃度の低下による抵抗の上昇によるセル電流の低下を防止することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers S and D involve an epitaxial layer 21, for example, and are formed thick on the side part of the lower gate electrode member 14, while being insulated by an oxide film 20.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層Ｓ，Ｄは例えばエピタキシャル層２１を伴い酸化膜２０で絶縁されつつ下部ゲート電極部材１４側部に厚く形成されている。 - 特許庁

The p-type well layer 4 and the n-type buffer layer 7 have overlapped diffusion regions and the end part of the n-type buffer layer 7 reaches a position under a gate electrode 10.例文帳に追加

ｐ型ウエル層４及びｎ型バッファ層７は互いの拡散領域が重なり、且つｎ型バッファ層７の端部はゲート電極１０の下方の位置に到達する。 - 特許庁

A first impurity diffusion region 33 is formed to the notch 19A of the narrow region 32 in a part of a layer other than the contact layer 19 of a semiconductor multilayer structure 10A.例文帳に追加

半導体積層構造１０Ａのコンタクト層１９以外の層の一部には、狭領域３２の切込み１９Ａに、第１不純物拡散領域３３を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of forming an impurity low-density diffusion region close to a gate electrode in a second region, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

第２領域において不純物低密度拡散領域をゲート電極に近接して形成することができる半導体装置、及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a gas diffusion layer for a fuel cell controlling the amount of penetrating a covering layer into a conductive porous substrate and having a smooth covering layer.例文帳に追加

導電性多孔質基材への被覆層のしみ込み量を制御するとともに、平滑な被覆層を有する燃料電池用ガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of predicting a diffusion state etc., of chemical species in concrete with high precision for a long period without measuring concentration of the chemical species in the concrete.例文帳に追加

コンクリート中の化学種の濃度を測定することなく、コンクリート中の化学種の長期に亘る拡散状態等を、高い精度で予測できる方法を提供する。 - 特許庁

The back bottom surface of the button head 610 is applied with lens cutting, and the stop button and an optical diffusion film are integrally formed, so that the cost is reduced.例文帳に追加

また、ボタンヘッド６１０の裏底面には、レンズカットが施されており、ストップボタンと光拡散フィルムを一体成形して構成するので、コストダウンを図ることができる。 - 特許庁

As a result, the luminance unevenness of the transmissive illumination light can be reduced by the diffusion plate 24 while the degradation in the luminance of the transmissive illumination light is suppressed by the first condensing lens 23.例文帳に追加

これにより、第１集光レンズ２３により透過照明光の輝度の低下を抑えつつ、拡散板２３により透過照明光の輝度ムラを低減できる。 - 特許庁

A transistor T consisting of a source/drain diffusion layer 12, a gate electrode 13, a gate insulating film 14 and a sidewall insulating film 15 is formed on a silicon board 10.例文帳に追加

シリコン基板１０上にはソース／ドレイン拡散層１２、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４及び側壁絶縁膜１５からなるトランジスタＴが形成されている。 - 特許庁

The coordinate extraction part 106 extracts the coordinate of a base station, corresponding to the inputted diffusion code from a memory part 107 to be outputted to a terminal position calculating part 108.例文帳に追加

座標抽出部１０６は、入力された拡散符号に対応する基地局座標を、記憶部１０７から抽出して端末位置算出部１０８へ出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing diffusion of Cu and suppressing the increase of an interlayer dielectric constant, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｕの拡散を防止することができ、かつ、層間の誘電率が高くなることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide contacts of P well and N well and, suitably, a low cost SRAM (static random access memory) cell having a P+ a diffusion intersection section to ground.例文帳に追加

ＰウェルおよびＮウェルのコンタクトおよび好ましくはグランドへのＰ＋拡散交差部を有する低コストＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）セルを提供すること - 特許庁

Preferably, the electronic device also has a mutual diffusion preventive layer between the ohmic layer and the oxidation preventive layer, and the oxidation preventive layer contains a layer made of gold and a layer made of tungsten in this order.例文帳に追加

好ましくは、オーミック層と酸化防止層との間に相互拡散防止層を有し、酸化防止層はＡｕからなる層とＷからなる層をこの順で含む。 - 特許庁

A high purity Ti sputtering target material after plastic working which has not been subjected to structural control heat treatment is diffusion- joined with a backing plate material (Al or the alloy thereof).例文帳に追加

組織制御熱処理されていない、塑性加工後の高純度Ｔｉスパッタリングターゲット材が、バッキングプレート材（Ａｌ又はその合金）と拡散接合されている。 - 特許庁

The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.例文帳に追加

この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁

Further, the optical fiber is doubly covered with resin and is set so that the secondary cover on the outer side has a lower diffusion coefficient than the primary cover on the inner side.例文帳に追加

また、光ファイバを樹脂で二重に被覆し、内側の一次被覆よりも外側の二次被覆の方が、重水素の拡散係数が低くなるように設定することもできる。 - 特許庁

To provide an optical waveguide manufacturing method that can obtain an optical waveguide capable of satisfactorily transmitting light without causing a diffusion layer interfering transmission of light to a core layer.例文帳に追加

コア層に光の伝搬を阻害する拡散層が生じず、良好に光の伝搬が行える光導波路を得ることのできる光導波路の製法を提供する。 - 特許庁

To provide a nozzle apparatus which prevents diffusion to the surroundings of the mist produced when a substrate is treated with a treating liquid pressurized by pressurized air.例文帳に追加

この発明は基板を加圧気体で加圧された処理液によって処理する際に発生するミストが周囲に拡散するのを防止するノズル装置を提供することにある。 - 特許庁

A drain diffusion layer 11b comprises a lightly doped region 5a and a heavily doped region 5b, and the region 5a is located at a channel region side.例文帳に追加

ドレイン拡散層１１ｂを、低濃度不純物領域５ａと高濃度不純物領域５ｂとで構成し、低濃度不純物領域５ａをチャンネル領域側に配置する。 - 特許庁

To prevent the epitaxial growth of an n-type polycrystalline silicon film connecting the storage node electrode of a trench capacitor to the n-type source/drain diffusion layer of an MOS (metal oxide semiconductor) transistor.例文帳に追加

トレンチキャパシタのストレージノード電極とＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層とを接続するｎ型多結晶シリコン膜のエピタキシャル成長を防止すること。 - 特許庁

A diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 so as to overlap with the floating gate 40 in a channel width direction and in a channel length direction of a channel region.例文帳に追加

拡散層７０は、半導体基板２０内に設けられ、チャネル領域のチャネル幅方向およびチャネル長さ方向においてフローティングゲート４０とオーバーラップしている。 - 特許庁

Thus, since recording is carried out simultaneously with or immediately after heating by the near field light, the effect of heat diffusion is ignored, and laser beam utilization efficiency is increased.例文帳に追加

そのため、近接場光によって加熱されると同時又は直後に記録されるため、熱拡散の影響は無視でき、レーザ光の利用効率を高めることができる。 - 特許庁

In the backlight section B, the xenon lamp 26 arranged on the rear side of a diffusion plate 35 is stored, together with a power supplying lead line 29, in a metal backlight case 27.例文帳に追加

バックライト部Ｂには、拡散板３５の背面側に配置されるキセノンランプ２６が、給電用のリード線２９と共に金属製のバックライトケース２７内に収容されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which suppresses diffusion of copper elements in a semiconductor substrate direction and a leakage current between adjacent wiring layers, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

銅元素の半導体基板方向への拡散及び隣接した配線層間のリーク電流を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

With infrared detection by an electrical resistance change, an object can be detected instantly and sensitively by the rapid diffusion of heat, and tracking performance is excellent.例文帳に追加

電気的抵抗変化による赤外線検出は、速い熱の拡散により、瞬時的に且つ高感度に物体を検出することができ、追尾性能が優れている。 - 特許庁

Each of a plurality of masking members 14B to 14E has a size equal to a first length, and the first length is less than 2 times the diffusion length of a dopant.例文帳に追加

複数のマスキング部材１４Ｂ〜１４Ｅの各々が、第１の距離に等しい寸法を有しており、前記第１の距離は、ドーパントの拡散距離の２倍に満たない。 - 特許庁

To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current can be reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.例文帳に追加

配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供することである。 - 特許庁

A rubber tube is attached to an infrared LED so as to reduce a diffusion angle of light from the infrared LED, and a pendulum shaft can be swung excellently by using a kite string and a cord.例文帳に追加

赤外線ＬＥＤの光の拡散角度を小さくするためにゴムチューブを赤外線ＬＥＤにつけ、振り子の軸をたこ糸とコードにしてよく揺れるようにした。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor device which is less likely to generate cracks on an interlayer insulating film, under a hydrogen diffusion preventing film, even if annealing is conducted thereto.例文帳に追加

水素拡散防止膜を形成した後にアニールを行っても、その下の層間絶縁膜にクラックが生じにくい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A cathode gas diffusion layer 13 of a unit cell 1 is constituted of water repellent part 20a and hydrophilic part 20b, and the hydrophilic part 20b is arranged and installed between neighboring water repellent parts 20a.例文帳に追加

単位セル１のカソードガス拡散層１３を撥水部２０ａと親水部２０ｂとによって構成し、隣り合う撥水部２０ａの間に親水部２０ｂを配設する。 - 特許庁

The probing circuit (PB) has no connection with the predetermined logic functions, and the diffusion layer of the probing circuit is used by an LVP (Laser Voltage Probing) method.例文帳に追加

前記プロービング回路は、前記所定の論理機能とは関係が無く、前記プロービング回路の拡散層は、ＬＶＰ（Ｌａｓｅｒ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｐｒｏｂｉｎｇ）法で使用される。 - 特許庁

Since intervals 360G, H where nothing is displayed are produced in the display regions 360E, F as a result, diffusion code length can be read from the breadth of the intervals.例文帳に追加

よって、表示領域３６０Ｅ、Ｆには何も表示されない間隔３６０Ｇ、Ｈが生じるため、この間隔の幅から拡散符号長を読み取ることができる。 - 特許庁

In the backlight unit sheet of the laminating structure equipped with the reflecting function and a diffusion reflecting function, a metal base material layer 3 for heat dissipation is integrally added as an intermediate layer.例文帳に追加

反射機能及び拡散反射機能を備えた積層構造のバックライトユニット用シートに於て、中間層として一体に放熱用金属基材層３を、付加する。 - 特許庁

The diffusion sheet 31 is provided with a first flat surface facing the plane light source, and a lens surface which is on the side opposite to the first flat surface and forms a plurality of projections.例文帳に追加

拡散シート３１は、面光源と対向する第１の平面と、第１の平面と反対側であって複数の凸部が形成されたレンズ面とを有する。 - 特許庁