「Diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(327ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type diffusion layer 21 is formed in an epitaxial wafer 10 arranged with first and second clad layers 13 and 15 of n-type semiconductor having an energy band gap higher than that of an active layer 14 of n-type semiconductor sandwiched between, and p and n electrodes 31 and 32 are provided on the surface side.例文帳に追加

ｎ型半導体の活性層１４を挟むように、これよりエネルギーバンドギャップの高いｎ型半導体の第１と第２のクラッド層１３，１５を配置したエピウエハ１０にｐ型拡散層２１を形成し、表面側にｐ、ｎの両電極３１，３２を設ける。 - 特許庁

On an n-type epitaxial layer 4, a resistive element 5 consisting of a p-type diffusion zone is formed, a silicon oxide film 40 is formed on the n-type epitaxial layer 4, and aluminum wiring 8 and 9 which has come out from the end of resistive element 5 are extended on the silicon oxide film 40.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層４上にＰ型拡散層よりなる抵抗素子５が形成してあり、Ｎ型エピタキシャル層４上にシリコン酸化膜４０が形成してあり、抵抗素子５の端から出ているアルミニウム配線８，９がシリコン酸化膜４０上を延在している。 - 特許庁

In this semiconductor optical element 1A, the diffusion prevention layer 42 containing the Si impurities is interposed between the active layer 30 and p-type clad layer 40a of the semiconductor mesa portion 2M, and traps Zn diffused from the p-type clad layer 40a to the active layer 30.例文帳に追加

この半導体光素子１Ａにおいては、半導体メサ部２Ｍの活性層３０とｐ型クラッド層４０ａとの間に、Ｓｉ不純物を含む拡散防止層４２が介在しており、この拡散防止層４２が、ｐ型クラッド層４０ａから活性層３０へ向かうＺｎをトラップする。 - 特許庁

Error diffusion based on multiplication coefficients having the same arrangement is performed for each of left-eye and right-eye images of the same frame, the arrangement of the multiplication coefficients is changed according to update of the frame, and the series of changes is repeated with a predetermined number of frames being one period.例文帳に追加

同一フレームの左目用及び右目用の各画像に対して同一の配列の乗算係数に基づく誤差拡散を行い、前記乗算係数の配列は前記フレームの更新に応じて変更し、且つこの一連の変更を所定数のフレームを一周期として繰り返す。 - 特許庁

Specifically, when the diffusion layer of the fuel electrode is formed by applying a compound of carbon black and polytetrafluoroethylene to the surface of a base material comprising a carbon paper, the weight ratio of the polytetrafluoroethylene in the compound and/or the applying amount of the compound are changed in accordance with the flow of the fuel.例文帳に追加

具体的には、カーボンペーパ等からなる基材の表面に、カーボンブラック＋ポリテトラフルオロエチレン混合物を塗布して燃料極拡散層とする場合において、混合物中に含まれるポリテトラフルオロエチレンの重量比、及び／又は、混合物の塗布量を燃料の流れに沿って変化させる。 - 特許庁

To provide the forming method of semiconductor element, which is capable of preventing the change of threshold voltage of a gate due to TED by effecting the forming process of the semiconductor element while utilizing the optimal temperature and an oxidized film substance which are capable of preventing the diffusion of channel ion.例文帳に追加

チャンネルイオンの拡散を防止することができる最適の温度及び酸化膜物質を利用して半導体素子の形成工程を行うことにより、ＴＥＤによるゲートのしきい値電圧の変化を防止することができる半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel cell in which the shape of the gas diffusion layer and dimensions of the gas passage are optimized and a reaction gas is supplied uniformly to the catalyst of the catalyst layer, and the surplus water generated can be promptly discharged and which has a high discharge performance and reliability.例文帳に追加

ガス拡散層の性状およびガス流路の寸法を最適化して、触媒層中の触媒に均一に反応ガスを供給し、かつ生成された余剰水を速やかに排出することができ、高い放電性能と信頼性を持つ燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a workpiece plate for a metal separator for a fuel cell in which superior contact resistance is realized between a gas diffusion electrode after having premised that gilding is not applied on the surface of stainless steel, a superior mechanical characteristic is secured wherein cracks do not occur in press molding.例文帳に追加

ステンレス鋼の表面に金めっき等を施さないことを前提とした上で、ガス拡散電極との間で優れた接触抵抗性が実現されるとともに、プレス成形時に割れを生じない優れた機械的特性を確保した燃料電池用金属製セパレータ用素材板を提供する。 - 特許庁

In this way, since the copper in the copper layer 160 becomes the nickel alloy and both plates are brazed while preventing the diffusion of iron in a stainless steel into the copper layer 160 side as the brazing filler metal, both plates 111, 112 can surely be joined with brazing while displaying the excellent corrosion resistance.例文帳に追加

これにより、ステンレス中の鉄がろう材である銅層１６０側に拡散することを防止しつつ、銅層１６０の銅がニッケル合金となって両プレートがろう付けされるので、優れた耐食性を発揮しながら、両プレート１１１、１３０を確実にろう付け接合することができる。 - 特許庁

A 3rd laminate having a 2nd cathode catalyst layer formed on a cathode diffusion layer is produced, and the 1st and the 3rd laminates are joined each other so that the 1st cathode catalyst layer of the 1st laminate comes into contact with a 3rd cathode catalyst layer of the 3rd laminate.例文帳に追加

カソード拡散層の表面に第２のカソード触媒層を形成した第３の積層体を作製し、第１の積層体の第１のカソード触媒層と第３の積層体の第３のカソード触媒層とが接するように第１、第３の積層体どうしを互いに接合する。 - 特許庁

By raising the gate bias voltage of the transmission transistor and the initial voltage of the floating diffusion node to be more than a supply voltage using the voltage coupling phenomenon of the coupled gate, the capacitance of the photodiode can be increased and the image lag phenomenon can be decreased.例文帳に追加

カップルドゲートの電圧カプッリング現象を用いて伝送トランジスタのゲートバイアス電圧及びフローティング拡散ノードの初期電圧を電源電圧以上に上昇させることでフォトダイオードの容量を増加させることができ、イメージラグ現象を減少させることができる。 - 特許庁

The diffusion sheet 25 is expanded by heating at a temperature exceeding an assembling temperature higher than an operation temperature, while it is a resin which shrinks by cooling it until it reaches a shrinkage limit temperature less than the assembling temperature after expansion, and it includes two apertures HL, HL in its plane.例文帳に追加

拡散シート２５は、使用温度より高温な組み立て温度を超える温度での加熱によって膨張する一方、膨張後、組み立て温度未満の収縮限界温度に至るまでの冷却によって収縮する樹脂であって、面内に少なくとも２個の開孔ＨＬ・ＨＬを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane electrode assembly which can suppress short circuit and cross leak between the anode and the cathode by a damage added to an electrolyte membrane without using another member except the electrolyte membrane, the catalyst layer, or the gas diffusion layer in manufacturing the membrane electrode assembly with a comparatively simple configuration.例文帳に追加

電解質膜、触媒層、ガス拡散層以外の別部材を用いずに、比較的簡易な構成で、膜電極接合体の製造時に電解質膜に加わるダメージによるアノードとカソードと間の短絡や、クロスリークを抑制することが可能な膜電極接合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A MOS type transistor for power supply connected to first aluminum (Vcc) 13 which is power supply wiring and first aluminum (Vss) 14 which is ground wiring is formed between polysilicon 11 and a diffusion region 12 and capacitance is formed between the power supply wiring and the ground wiring.例文帳に追加

ポリシリコン１１と拡散領域１２の間に、電源配線である第一アルミ（Ｖｃｃ）１３とグランド配線である第一アルミ（Ｖｓｓ）１４とに接続されているＭＯＳ型の電源容量用トランジスタ２２を形成して、電源配線とグランド配線間に容量を形成する。 - 特許庁

The gas shower device is constituted so as to form a lower side diffusion part and upper side guide part separately, which are matched with each other in the up and down direction to be combined.例文帳に追加

ガスシャワー装置を、オリフィスを有する拡散部と、反応ガスを基板表面に誘導するガイド部とを個別の部品で構成することにより、高い精度が要求される拡散部には反応生成物が堆積しないことから薬液による洗浄の必要がなくその耐用期間は半永久的となる。 - 特許庁

The apexes of projections formed on both of first and second articles to be welded are butted and pressurized, and the projections are bonded by diffusion by supplying a pulse-formed electric current through the projections of the first and second objects to be bonded while being pressurized.例文帳に追加

第１と第２の被溶接物品の双方に形成されたプロジェクションの頂部同士を突き合わせると共に加圧し、その加圧した状態で、パルス状の電流を前記第１、第２の被溶接物品の前記プロジェクション間に流して前記プロジェクション同士を拡散接合する。 - 特許庁

The protein can be produced by expressing the secretor human α(1-6)fucosyltransferase in insect cells, culturing the cells, recovering the enzyme secreted into a culturing medium, purifying to make a purified enzyme specimen and then crystallizing the purified enzyme specimen by a hanging drop technique of a vapor diffusion method.例文帳に追加

また、分泌型ヒトα(１-６)フコシルトランスフェラーゼを昆虫細胞で発現させて培養し、その培養培地中に分泌された前記酵素を回収・精製して精製酵素試料とし、前記精製酵素試料を蒸気拡散法のハンギングドロップ法で結晶化することで製造できる。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate using a silver complex salt diffusion transfer process which has satisfactory printing performance and in which the deposition of silver in the development of the planographic printing plate is made uniform.例文帳に追加

本発明の目的は、銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版材料に於て、平版印刷版としての十分な印刷性能を有し、該平版印刷版の現像処理に於ける銀の析出が均質化された銀錯塩拡散転写法を用いた平版印刷版を提供することである。 - 特許庁

This backlight device 2 is equipped with multiple straight-tube type fluorescent lamps 3 as light sources, a diffusion plate 4 which is arranged on the liquid-crystal panel 1 side of those fluorescent lamps 3, a polarization converting film 5 and a prism sheet 6, and a reflecting plate 7 which is arranged behind the fluorescent lamps 3.例文帳に追加

このバックライト装置２は、光源としての複数本の直管型蛍光ランプ３と、これら各蛍光ランプ３の液晶パネル１側に配置される拡散板４、偏光変換フィルム５及びプリズムシート６と、各蛍光ランプ３の後方に配置される反射板７とを備える。 - 特許庁

To obtain better diffusion of gas necessary for reaction as well as maintaining the mechanical strength of the electrode, that, in particular, enables formation of catalyst layers of smooth surface with uniform and excellent water repellency, regardless of unevenness of the electrode base material, and that also ensures stable battery performance.例文帳に追加

電極の機械的な強度を確保しながら、反応に必要な気体の拡散を良好に行うことを可能にし、特に、電極基材の凹凸に関わらず平滑な表面を持つ、均一で撥水性に優れた触媒層を形成し、安定な電池性能を確保する。 - 特許庁

This gas diffusion member is formed by two metal plates in which a plurality of through holes 14 are formed, which are brought into surface contact with each other along the passing direction of the through holes 14, and which are multilayer laminated lath metals 10 having capillary tubes 12 between metal-metal interfaces formed by surface contact.例文帳に追加

ガス拡散部材は、２枚の金属板に複数の貫通孔１４が形成され、さらに貫通孔１４の貫通方向に沿ってそれぞれ互いに面接触し、この面接触してなる金属−金属界面間の毛管１２を有する多層積層ラスメタル１０からなる。 - 特許庁

To continue linear amplification by keeping isolation between transmitting signals and preventing diffusion of adaptive predistortion processing even when one of high output amplifiers comprising a multi-port amplifier is failed in an adaptive predistortion type multi-port amplifier and a transmitting apparatus equipped with the same.例文帳に追加

適応プリディストーション型マルチポート増幅器及びそれを備えた送信装置に関し、マルチポート増幅器を構成する各高出力増幅器の中の１つが故障した場合でも、各送信信号の間のアイソレーションを保ち、適応プリディストーション処理の発散を防ぎ、線形増幅を継続可能にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, by which a silicide film having low resistance and a stable electrical characteristic can be formed in self-alighing way, without deteriorating the characteristic of a semiconductor device even on a fine gate electrode containing an impurity at a high concentration and a diffusion layer.例文帳に追加

低抵抗かつ安定した電気特性を有するシリサイド膜を、微細で不純物濃度が高いゲート電極及び拡散層上においても、デバイス特性に劣化を生じることなく、自己整合的に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge lamp for enhancing luminance in a part opposed to a contraction positive column when a disordered diffusion positive column or the contraction positive column is generated in an internal electrode side area by increasing tube power to obtain high luminance to provide a lighting system using the discharge lamp.例文帳に追加

高い輝度を得るために管電力を増加することで内部電極側の領域に乱れた拡散陽光柱ないし収縮陽光柱が発生する場合に、収縮陽光柱に対向する部分の輝度を高めるようにした放電ランプおよびこれを用いた照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin semiconductor device on which a back electrode is disposed via an impurity diffusion region for contact for preventing the strength failure of a wafer-shaped substrate, and obtaining the contact of the back electrode at a lower temperature.例文帳に追加

薄型で、かつ、コンタクト用不純物拡散領域を介して裏面電極を配した半導体装置において、ウエハ状の基板における強度的な不具合を回避できるとともに、より低温で裏面電極のコンタクトをとることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process.例文帳に追加

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a thin film transistor in which a shallow junction diffusion layer can be formed on the surface layer of a semiconductor thin film and thereby the leak current can be suppressed uniformly by relaxing the electric field at the drain end without providing an LDD region.例文帳に追加

半導体薄膜の表面層に浅い接合の拡散層を形成することが可能で、これによりＬＤＤ領域を設けることなくドレイン端においての電界を緩和してリーク電流を均一に抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The pixel sensor cell including a column circuit, a design structure for fabricating the pixel sensor cell including the column circuit and a method for operating the pixel sensor cell including the column circuit are predicated upon the measurement of multiple reference data point and signal data point pairs from a floating diffusion at a variable capacitance.例文帳に追加

列（カラム）回路を含む画素センサ・セル、列回路を含む画素センサ・セルを製造するための設計構造体、及び列回路を含む画素センサ・セルを動作させるための方法は、可変キャパシタンスでの浮遊拡散部からの複数の参照データ・ポイントと信号データ・ポイントとのペアの測定に基づく。 - 特許庁

The impurity atoms introduced for forming the light-absorbing region can be those of any elements, except Cu and Cr, and the region must be formed separately from a region immediately underlying the ridge, by taking the movement of the introduced atoms caused by heat diffusion into consideration.例文帳に追加

光吸収領域形成のために導入される不純物原子は、ＣｕやＣｒを除けばどのような原子でもよく、また導入した原子の熱拡散による移動を考慮して光吸収領域はリッジの直下領域から離れて形成されている必要がある。 - 特許庁

The mixer 2 guides a refrigerant mixed with an oil from the gas cooler 12 into a sealed space 6 to make the refrigerant collide with a main body 2a in the sealed space 6, uniformly mixes the refrigerant in which the oil is mixed by diffusion effect, and discharges the same to the expansion valve 13.例文帳に追加

混合器２は、ガスクーラ１２からのオイルが混入した冷媒を密閉空間６内に誘導して密閉空間６内の本体２ａの内壁２ｄに衝突させ、オイルが混入した冷媒を拡散効果により一様に混合して膨張弁１３に排出する。 - 特許庁

This self-luminous type sign structure comprises the light guide panel, a plurality of LEDs arrayed at least one side of the light guide panel, and a diffusion plate arranged on the light guide panel and including a glass fiber oriented orthogonally to an aligned direction of the LEDs.例文帳に追加

本件発明では、導光板と、導光板の少なくとも１辺に並んで配列される複数のＬＥＤと、導光板面上に配置され、ＬＥＤの並び方向に対して直交配向されたグラスファイバーを含む拡散板と、からなる自光式標識構体を提供する。 - 特許庁

Injection synchronous type discharging excitation laser equipment is composed of the narrow-band oscillating stage laser (MO) 10 and the amplifying stage laser (PO) 20 at which a resonator is arranged, wherein a unidirectional beam diffusion device 5 is prepared between the narrow-band oscillating stage laser (MO) 10 and the amplifying stage laser (PO) 20.例文帳に追加

狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と共振器を配置した増幅段レーザ（ＰＯ）２０とからなる注入同期式放電励起レーザ装置において、狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と増幅段レーザ（ＰＯ）２０の間に一方向ビーム発散装置５を設ける。 - 特許庁

Further, the discharge port 22a is arranged in an area located within the diffusion chamber 35 opposing the middle of the lower surface 35b and in an area space apart by an interval H2 corresponding to the discharge port from the lower surface 35b so as to be upwardly shifted to the upper surface side 35a.例文帳に追加

また、その拡散室３５内にあって下面３５ｂ中央と相対する位置に排出口２２ａを配設し、しかもその排出口２２ａを下面３５ｂから排出口離間量Ｈ２だけ離間する位置に配設し、上面３５ａ側に偏倚させるようにした。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device capable of suppressing a diffusion of Au, without making the flatness of the interface between a semiconductor layer and an electrode and capable of acting a low electric power consumption with a high oscillation efficiency, by reducing an internal light scattering and an absorption loss, and to provide a method of manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体層と電極との界面の平坦性を悪化させることなくＡuの拡散を抑制でき、内部光散乱や吸収損失を低減して高い発振効率で低消費電力動作ができる半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The backlight module has a case having at least one opening, at least one main light source arranged in the case, at least one color-temperature adjusting light source arranged in the case, and a light diffusion plate arranged at the vicinity of the opening of the case.例文帳に追加

バックライトモジュールは、少なくとも一つの開口を有する筐体と、前記筐体内に配置されている少なくとも一つの主光源と、前記筐体内に配置されている少なくとも一つの色温調整光源と、前記筐体の開口の近傍に配置されている光拡散板とを備えている。 - 特許庁

After an SiO_2 film 2, a diffusion preventing film 3, an interlayer insulating film 4, and a cap film 5 are formed in this order on a silicon substrate 1, an opening 8, extending to the SiO_2 film 2, is formed by performing dry etching with a resist film 7 as a mask using etching gas which contains fluorine.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ＳｉＯ_２膜２、拡散防止膜３、層間絶縁膜４およびキャップ膜５を順に形成した後、レジスト膜７をマスクとし、フッ素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングすることによって、ＳｉＯ_２膜２に至る開口部８を形成する。 - 特許庁

The sealing part has an under layer 31 formed by a metal thin film deposited on at least either one of the first and second members, a diffusion layer 35 formed by diffusing a part of the metal components of the metal thin film to one member, and a sealing material layer 32 provided on the under layer.例文帳に追加

封着部は、第１および第２部材の少なくとも一方に堆積された金属薄膜により形成された下地層３１と、金属薄膜の金属成分の一部が一方の部材に拡散して形成された拡散層３５と、下地層上に設けられた封着材層３２とを有している。 - 特許庁

To provide an optical path control diffusion sheet capable of coping with a peak characteristic of an outgoing ray of a light guide plate and with a peak characteristic of an incident ray suitable for a prism sheet, and capable of directing right upward the peak direction of a ray emitted from the prism sheet, and a back light unit.例文帳に追加

導光板の出射光線のピーク特性やプリズムシートに好適な入射光線のピーク特性に対応でき、プリズムシートから出射される光線のピーク方向を真上に向けることができる光路制御拡散シート及びバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 15 is not formed just under the n^+-type source 17E unlike an n^+-type source region 17 in a region A and a sheet resistor R1 in the n^+-type source region 17E is larger than a sheet resistor R2 in the n^+-type source 17 (R1>R2).例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域１７Ｅの直下には、領域Ａのｎ＋型ソース領域１７と異なり、ｐ＋型拡散層１５は形成されておらず、ｎ＋型ソース領域１７Ｅのシート抵抗Ｒ１は、ｎ＋型ソース領域１７のシート抵抗Ｒ２よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。 - 特許庁

To provide a speaker apparatus capable of adjusting the diffusion mode of a sound wave from a first speaker by making a portion of a diffuser for diffusing the sound wave from the first speaker detachable in the speaker system in which the first speaker and a second speaker which have different sound ranges are arranged coaxially.例文帳に追加

音域の異なる第１のスピーカ及び第２のスピーカを同軸上に配置したスピーカ装置において、前記第１スピーカからの音波を拡散させるディフューザの一部を着脱可能にし、第１のスピーカからの音波の拡散態様を調整することが出来るスピーカ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a matched filter capable of reducing the number of multipliers for inverse diffusion processing and the number of adders for integration processing to reduce a circuit size sharply by solving the problem wherein the circuit size increases since the number of taps becomes large in a conventional matched filter.例文帳に追加

従来のマッチドフィルタではタップ数が多くなって回路規模が増大してしまうという問題点があり、逆拡散処理用の乗算器及び積算処理用の加算器の数を低減して回路規模を大幅に縮小することができるマッチドフィルタを提供する。 - 特許庁

As for the electrodes 3, 4 for the solid polymer fuel cell, after the gas diffusion layers 3a, 4a and the catalyst layers 3b, 4b are jointed, plasma treatments are applied thereto, and proton deviation groups 22 are introduced to catalysts 21 on surfaces of the catalyst layers 3b, 4b and around surfaces of the catalyst layers 3b, 4b.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池用電極３，４では、ガス拡散層３ａ，４ａと触媒層３ｂ，４ｂとを接合した後にプラズマ処理が施されて、触媒層３ｂ，４ｂ表面および触媒層３ｂ，４ｂ表面付近の触媒２１にプロトン乖離基２２が導入されている。 - 特許庁

To provide a finishing solution capable of preventing ink staining and blanket staining of non-image areas without lowering the ink receptivity of silver image areas in a planographic printing plate having an aluminum sheet as a support and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process and to provide a plate making method using the finishing solution.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、銀画像部のインキ受理性を低下させずに、非画像部のインキ汚れ、ブランケット汚れを防止することができる仕上げ液及びその仕上げ液を用いた製版方法を提供すること。 - 特許庁

When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.例文帳に追加

入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing wiring that suppresses an increase in resistance of a Cu wiring pattern due to diffusion of Mn when a Cu-Mn alloy is combined with a bimetal film to make a self-repair of a defect and improve adhesiveness during formation of a Cu wiring structure by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン法によるＣｕ配線構造の形成において、Ｃｕ−Ｍｎ合金をバリアメタル膜に組み合わせて欠陥の自己修復および密着性の向上を図る際に、Ｍｎの拡散によるＣｕ配線パターンの抵抗増加を抑制する配線の製造方法を提供する。 - 特許庁