「ETCHER」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SILICON RING FOR PLASMA ETCHER例文帳に追加

プラズマエッチング装置用シリコン製リング - 特許庁

RING FOR ETCHER WITH EXCELLENT ETCHING RESISTANCE例文帳に追加

耐エッチング性に優れたエッチャー用リング - 特許庁

DRY ETCHER HAVING BOTH ETCHING PORTION AND CLEANING PORTION例文帳に追加

エッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ - 特許庁

Kokan is also the first Japanese etcher. 例文帳に追加

日本最初の版画凹版画（エッチング）師でもある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

FOCUS RING, PLASMA ETCHER AND PLASMA ETCHING METHOD例文帳に追加

フォーカスリング、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法。 - 特許庁

To provide an ion beam etcher capable of more uniformly etching.例文帳に追加

より均一なエッチングを行うことができるイオンビームエッチング装置の提供。 - 特許庁

To accurately repeat etchings of laminate films in a reaction chamber of an etcher, without dropping operation availability of the etcher.例文帳に追加

エッチング装置の稼働率を低下させずに、その反応室内において積層膜のエッチングを精度良く繰り返すことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The French etcher Félix Bracquemond chanced upon "Hokusai Manga" (Hokusai's Sketches) at a printer's workshop around 1856. 例文帳に追加

1856年頃、フランスのエッチング画家フェリックス・ブラックモンが、摺師の仕事場で『北斎漫画』を目にした。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a dry etcher which is equipped with an etching portion where a cleaning process is added to the dry etcher to expand the applicability of the dry etching to a metal film etching process and a cleaning portion.例文帳に追加

ドライエッチャに洗浄工程を付加してドライエッチャの適用範囲をメタル膜エッチング工程まで拡大させるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャを提供する。 - 特許庁

To provide a silicon ring for use of a plasma etcher such as a support ring, a focus ring, and a shield ring with minimized generation of particles at the time of plasma-etching a wafer in the plasma etcher.例文帳に追加

プラズマエツチング装置内でウエハをプラズマエッチングする際に生じるパーティクルを出来るだけ、その発生を抑えた支持リング、フォーカスリング、シールドリングなどのプラズマエッチング装置用シリコンリングを提供する。 - 特許庁

A resist 74 on a film 73 formed on the front surface of the substrate 71 is patterned and etched by means of an etcher.例文帳に追加

基板７１の表面に形成した膜７３上のレジスト７４をパターニングし、エッチャーによってエッチングする。 - 特許庁

To provide a silicon ring for use of a plasma etcher such as a shield ring, a support ring or a focus ring with little particle generation.例文帳に追加

パーティクル発生の少ないシールドリング、支持リングまたはフォーカスリングなどのプラズマエッチング装置用シリコンスリングを提供する。 - 特許庁

This spin etcher etches a wafer 2A being rotated with an etchant which is mode to flow from the top side of the wafer 2A.例文帳に追加

ウェハを回転させながら、ウェハの上側からエッチング液を流してウェハの上面をエッチングするスピンエッチャーである。 - 特許庁

To provide a spin etcher adaptable for etching wafers of various diameters without using anything else, whereby the number of the spin etchers is reduced for etching the wafers of various diameter, and the etcher is usable in a narrow installation place at a low equipment cost and is easy to work.例文帳に追加

多種直径のウェハをエッチングするのに１台のスピンエッチャーで対応できるようにし、スピンエッチャーの台数を減ずるとともに、狭い設置場所で安価設備費で対応でき、作業が容易な多種直径ウェハ対応スピンエッチャーを提供する。 - 特許庁

To provide a Y_2O_3 sintered compact which is suitable for a plasma-resistant member such as an etcher for semiconductor production, excellent in plasma resistance and is dense, and has high lightness.例文帳に追加

半導体製造用エッチャーなどの耐プラズマ部材に適し、耐プラズマ性に優れ、緻密で高い明度を有するＹ_２Ｏ_３焼結体を提供する。 - 特許庁

In order to correct an error in a profile parameter, the above-mentioned procedure is supplied to a track/stepper and an etcher to control lithography and etching processes.例文帳に追加

プロフィール・パラメータのエラーを補正するために上述した手法をトラック／ステッパおよびエッチャに供給してリソグラフィおよびエッチングのプロセスを制御することができる。 - 特許庁

The second substrate product E2 moves to a chamber of a film formation furnace 8b of the processing apparatus 8 from a chamber of the etcher 8a of the processing apparatus 8 by opening a shutter 8d of a passage 8c.例文帳に追加

通路８ｃのシャッタ８ｄを開けて、処理装置８のエッチャ８ａのチャンバから処理装置８の成膜炉８ｂのチャンバに第２の基板生産物Ｅ２を移動する。 - 特許庁

The system includes a processor 33 having an element constituted so that the optimum motor bias route for a deep reactive ion etcher 22 is determined on a wafer, a stepper for imprinting a pattern of the gyro in the direction corresponding to the optimum motor bias route calculated to be the nearest to each gyro on the wafer, and a deep reactive ion etcher 37 for etching the gyro on the wafer.例文帳に追加

システムは、ウェハ上で深反応性イオンエッチャ２２用の最適モータバイアス経路を決定するように構成された要素を備えたプロセッサ３３、ウェハ上で各ジャイロに最も近いものと算出された最適モータバイアス経路に対応した向きに該ジャイロのパターンをインプリントするステッパ３５及びウェハにジャイロをエッチングする深反応性イオンエッチャ３７を含む。 - 特許庁

The silicon ring for use of the plasma etcher comprises the support ring 1, the focus ring, and the shield ring 12 made of polycrystalline silicon made of ultrafine crystal grains with an average particle diameter of 1 μm or less.例文帳に追加

プラズマエッチング装置用シリコンリングを平均結晶粒径：１μｍ以下の超微細結晶粒からなる多結晶シリコンで構成されている支持リング１、フォーカスリング、シールドリング１２とする。 - 特許庁

The boundary between the inner and outer regions is taken as a portion where the level of consumption changes when the focus ring is incorporated in a plasma etcher to etch a substrate with plasma.例文帳に追加

内側領域と外側領域との境界は、フォーカスリングをプラズマエッチング装置に組み込み、基板に対してプラズマによりエッチングを行ったときに消耗の程度が変わる部位とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a projecting and recessing member for a multistage diffraction optical element with high diffraction efficiency, which is feasible with high productivity without necessitating any expensive device such as a dry etcher.例文帳に追加

回折効率の高い多段階型回折光学素子用凹凸部材を、ドライエッチャなどの高価な装置を必要とせず、高い生産性をもって実現し得る製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon ring for use of the plasma etcher comprises a coat of chemically vapor-deposited silicon with an average particle diameter of 1 μm or less formed at least on the external surface of the ring exposed to plasma.例文帳に追加

プラズマエッチング装置用シリコンリングにおいて、前記リングの少なくともプラズマに曝される外表面に平均粒径：１μｍ以下のシリコン化学蒸着被膜を形成してなるプラズマエッチング装置用シリコンリング。 - 特許庁

Initiative towards forming rules on a global and regional scale In addition to conclusion of bilateral or regional economic partnership agreements, initiatives for formulation of rules on a global scale or at regional scale through the WTO, etcher essential for improvement of Japan’s investment environment.例文帳に追加

二国間あるいは地域での経済連携協定の締結に加え、WTO 等を通じた世界・地域規模でのルールの策定も、我が国の貿易環境の整備のために不可欠な取組である。 - 経済産業省

The harmful gas exhaust apparatus 1 is an apparatus for depolluting an etching generating gas exhausted from a dry etcher 2 and includes the cylinder for rendering harmless 4 in which an absorber 3 is filled, a dry pump 5, and a main duct 6.例文帳に追加

本発明の有害ガス排気装置１はドライエッチャ２から排出されるエッチング生成ガスを無害化処理する装置であり、吸着剤３が充填された除害筒４と、ドライポンプ５と、メイン配管６を備えている。 - 特許庁

In the supply control mechanism 19 of etching gas, the ratio of the mix gas of chlorine gas and oxygen gas, mix gas including chlorine gas, oxygen gas and helium gas here is adjusted by using a TCP etcher, and gas is supplied into a chamber 11 and is made into plasma.例文帳に追加

ＴＣＰエッチャーを用い、エッチングガスの供給制御機構１９では塩素ガス及び酸素ガスの系の混合ガス、ここでは塩素ガス、酸素ガス、ヘリウムガスを含む混合ガスの比率を調整してチャンバー１１内に供給し、プラズマ化する。 - 特許庁

The etching quantity distributions differ at the angles A-C but these etching steps are repeated to improve the uniformity of the etching quantity over the entire substrate, compared to an etcher for etching a fixed inclination substrate as in the prior art.例文帳に追加

各角度Ａ〜Ｃにおけるエッチング量の分布はそれぞれ異なるが、それらのエッチングを重ねて行うことにより、従来のように一定の基板傾きでエッチングを行う装置に比べて基板全体におけるエッチング量の均一性が向上する。 - 特許庁

A dry etcher for dry-etching the membrane comprises a mechanism for exhausting an etching gas flowing in between the membrane and an electrode 12 for etching with the etching gas fed to a stencil mask blank 13.例文帳に追加

メンブレンをドライエッチングする際に用いるドライエッチング装置は、電極１２上にステンシルマスク基板１３を載置し、このステンシルマスク基板にエッチングガスを供給してエッチングを行う際、メンブレンと電極との間に入り込んだエッチングガスを排気する機構を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer etcher and an etching method which effectively removes adsorbed and left H_2O, CH_3OH or CH_3COOH and byproducts on the surface of a semiconductor wafer after etching ends, thereby preventing the contamination of a CVD apparatus to enable a high- reproducibility stable process.例文帳に追加

エッチング終了後に半導体ウエハ表面に吸着残留したH_2O、CH_3OH、若しくはCH_3COOH及び副生成物を効果的に除去しCVD装置の汚染を防止することで、再現性の高い安定したプロセスを可能にするバッチ式エッチング装置及び方法を提供する。 - 特許庁

As shown in Fig. 3, the dry etcher is equipped with an etching portion 100 which injects an etching gas to etch a film on a substrate, a transferring portion 300 which transfers the substrate treated in the etching portion 100, and a cleaning portion 200 which cleans up the substrate transferred from the transferring portion 300.例文帳に追加

エッチングガスを注入して基板上の膜をエッチングするエッチング部と、エッチング部により処理された基板を移送させる移送部と、移送部により移送された基板を洗浄する洗浄部と、を備えるエッチング部と洗浄部とを兼備したドライエッチャ。 - 特許庁

The Y_2O_3 sintered compact suitable for a plasma-resistant member such as the etcher for semiconductor production, excellent in plasma resistance, is dense and having high lightness can be obtained by firing a formed body obtained by using a Y_2O_3 raw material at 1,710-1,850°C in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

本Ｙ_２Ｏ_３焼結体は、Ｙ_２Ｏ_３原料を用いた成形物を水素雰囲気、１７１０〜１８５０℃で焼成し、焼結体密度が４．８５ｇ／ｃｍ^３以上、ＭоＯ_２含有量が５ｐｐｍ以下でかつ明度がＮ８．０以上であるＹ_２Ｏ_３焼結体。 - 特許庁

The silicon ring having an inner step 14 for supporting a material under etching opposite to an upper electrode plate in a plasma etcher has an etch-durable film 24 formed on at least the supporting surface 21 of the inner step 14 of the ring.例文帳に追加

プラズマエッチング装置内で上部電極板と相対向する位置に設置される被エッチング物を支持するための内段１４を有するシリコン製リングにおいて、前記シリコン製リングの内段１４の少なくとも支持面２１に耐エッチング性被膜２４を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

An Si substrate is subjected to isotropic etching by the use of a dry etcher of down flow-type using an oxide film 2 as a mask, and an etching groove 3 is formed so as to round a point where the flat surface of the Si substrate intersects a trench opening that is formed in a following process or a part which becomes the edge of a trench opening.例文帳に追加

酸化膜２をマスクにして、ダウンフロー型のドライエッチャーによる等方性のＳｉエッチングを行い、シリコンの平坦な面とつぎの工程で形成されるトレンチの開口部とが交わる箇所、つまり、トレンチ開口部の縁となる箇所を予めエッチングして丸めるために、エッチング溝３を形成する。 - 特許庁

The dry etcher comprises an evacuatable chamber 5, a chemical species generating source 2 mounted in the chamber 5 for generating a chemical species 3 having etching actions, and a substrate holder 1 disposed in the chamber 5 for holding a plurality of substrates 4 under process to expose them to the chemical species 3, thereby etching the surface of each substrate.例文帳に追加

ドライエッチング装置は、真空排気可能なチャンバ５と、チャンバ５に搭載されエッチング作用を有する化学種３を発生する化学種発生源２と、チャンバ５内に配され処理対象となる基板４を複数個保持して化学種３に暴露するための基板保持部材１とを有し、各基板４表面のエッチング処理を行う。 - 特許庁

By selectively etching copper foil formed on a polyimide film 12 where a device hole 11 is opened, a dummy lead 17 is formed so that the tip side of the flying lead 16a projecting inside the device hole is surrounded, thus preventing an etcher from being supplied to the flying lead 16a concentrically at etching and preventing the flying lead 16a from being tapered.例文帳に追加

デバイスホール１１が開口するポリイミドフィルム１２の上に形成した銅箔を選択的エッチングして、デバイスホールの内部に突出するフライングリード１６ａの先端側を囲むようにダミーリード１７を形成することで、エッチングの際にフライングリード１６ａに集中的にエッチャーが供給されることを防止してフライングリード１６ａの先細りを防止する。 - 特許庁

A dry etcher having a lower electrode housed in a vacuum vessel for holding a wafer 10 to be processed by introducing an etching gas and applying high-frequency power to generate a discharge plasma, comprises an electrostatic chuck mechanism housed in the vacuum vessel for fixing the wafer and a cover ring 13 housed in a process chamber for covering the upper side of the periphery of the wafer or above it.例文帳に追加

真空容器内に被処理ウェハ10を保持する下部電極を収容し、エッチングガスが導入され、高周波電力が印加されることによって放電プラズマを発生するドライエッチング装置において、真空容器内に収容され、ウェハを固定するための静電チャック機構と、処理容器内に収容され、ウェハの周辺部の上面あるいは上方を覆うカバーリング13とを具備する。 - 特許庁