「FOR GaN」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING GAN SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaN FILM例文帳に追加

ＧａＮ系膜の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED FILM例文帳に追加

ＧａＮ系膜の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GAN CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ結晶の製造方法 - 特許庁

GROWTH METHOD FOR GaN CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ結晶の成長方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaN CRYSTAL, GaN CRYSTAL, GaN CRYSTAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS FOR PRODUCING GaN CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶、ＧａＮ結晶基板、半導体装置およびＧａＮ結晶製造装置 - 特許庁

SUBSTRATE FOR GaN CRYSTAL GROWTH例文帳に追加

ＧａＮ系結晶成長用基板 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ単結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED LED例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ結晶基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GaN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ半導体基板の製造方法およびＧａＮ半導体基板 - 特許庁

PROCESSING METHOD FOR GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の加工方法及びＧａＮ単結晶基板 - 特許庁

GaN SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板及びＧａＮ単結晶基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法及びＧａＮ単結晶基板 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaN CRYSTAL, GaN CRYSTAL SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ結晶の製造方法、ＧａＮ結晶基板および半導体デバイス - 特許庁

GaN BASED LED ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING GaN BASED LED ELEMENT, AND TEMPLATE FOR MANUFACTURING GaN BASED LED ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子、ＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法およびＧａＮ系ＬＥＤ素子製造用テンプレート - 特許庁

By epitaxially growing a GaN layer 32 in vertical and horizontal directions by utilizing the top parts T, which are exposed from the mask 4, of the GaN layer 31 for the nuclei, propagation of through dislocations from the GaN layer 31 is remarkably suppressed.例文帳に追加

マスク４から露出したGaN層３１の頂上部Ｔを核として、GaN層３２を縦及び横方向エピタキシャル成長させれば、GaN層３１からの貫通転位の伝播が著しく抑えられる。 - 特許庁

To provide a vertical AlGaN/GaN-HEMT for performing a sure normally-off operation, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

確実なノーマリオフ動作する縦型AlGaN/GaN-HEMTおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING Mn-DOPED GaN CRYSTAL例文帳に追加

ＭｎドープＧａＮ結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体基板の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR CLEANING GaN SINGLE CRYSTAL WAFER AND METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

ＧａＮ単結晶ウェハの洗浄方法及びＧａＮ単結晶ウェハの製造方法 - 特許庁

After a GaN layer 13a is formed about 3 μm by raising a temperature to about 1050°C, growth is stopped and tetraethylsilane is irradiated for a fixed time, a GaN layer 13b is formed.例文帳に追加

続いて、温度を1050℃にしてGaN層13aを3μm程度成長させ、成長を中断し、テトラエチルシランを一定時間照射した後、GaN層13bを成長する。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING GaN-BASED SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR BASIC MATERIAL例文帳に追加

ＧａＮ系半導体結晶の製造方法およびＧａＮ系半導体基材 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE GaN-BASED SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体の製造方法およびＧａＮ系半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING HIGH-RESISTANCE GaN CRYSTAL LAYER例文帳に追加

高抵抗ＧａＮ結晶層の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GAN BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体光装置の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GAN SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ＧａＮ系電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN SELF-STANDING SUBSTRATE, GaN SELF-STANDING SUBSTRATE, AND BLUE LED例文帳に追加

ＧａＮ自立基板の製造方法及びＧａＮ自立基板並びに青色ＬＥＤ - 特許庁

ELECTRODE FOR GaN-BASED LED DEVICE AND GaN-BASED LED DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ系ＬＥＤ素子用の電極、および、それを用いたＧａＮ系ＬＥＤ素子 - 特許庁

To provide a nitride-based III group compound semiconductor light element for emitting ultraviolet rays without using any GaN layers.例文帳に追加

GaN層を用いない紫外線発光のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 特許庁

GaN SUBSTRATE, SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING GaN SUBSTRATE例文帳に追加

ＧａＮ基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置、およびＧａＮ基板の製造方法 - 特許庁

SORTING METHOD FOR n-GaN WAFER FOR MANUFACTURE OF SCHOTTKY DIODE例文帳に追加

ショットキーダイオードを作製するｎ−ＧａＮウエハの選別法 - 特許庁

GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ＧａＮ単結晶体およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体層の形成方法、及び、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

In the direct bonding method of GaN/GaN for directly bonding GaN 2 and 6 deposited, respectively, on two substrates 1 and 5, bonding surface of the GaN 2 on at least one substrate 1 is previously coated with ammonia water 8, the bonding surfaces of GaN are superposed and then a compressive load is applied between both substrates 1 and 5.例文帳に追加

二つの基板１、５上にそれぞれ成膜したGaN２、６同士を直接接合するGaN/GaN直接接合方法において、予め少なくとも一方の基板１上のGaN２の接合面にアンモニア水８を塗布し、この後GaN接合面同士を重ね合わせ、両基板１、５間に圧縮荷重を印加する。 - 特許庁

In addition, the GaN layer 5 is formed, by laterally growing the portions of the GaN layer 3 exposed through the pinholes P as nucleus for growth, until the grown portions join to each other and the surfaces of the joints are planarized.例文帳に追加

また、GaN層５は、ピンホールＰから露出するGaN膜３を成長の核とする横方向の成長により合体し表面が平坦化されるまで成長させる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光ダイオードの製造方法 - 特許庁

REGROWN SCHOTTKY STRUCTURES FOR GaN HEMT DEVICES例文帳に追加

ＧａＮＨＥＭＴ装置用再成長ショットキー構造 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GaN COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体結晶の製造方法 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING LIGHT-EMITTING DEVICE, LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCTION OF GaN SUBSTRATE, AND GaN SUBSTRATE例文帳に追加

発光デバイスの製造方法、発光デバイス、ＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板 - 特許庁

The GaN layer 13 is removed for the depth of about 2 μm by dry etching and trapezoidal groove stripes are formed.例文帳に追加

GaN層13をドライエッチングにより深さ2μm程度除去し、台形状の溝ストライプを形成する。 - 特許庁