FIELD-EFFECT TRANSISTORの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3045件
FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND SPUTTERING TARGET例文帳に追加
電界効果型トランジスタ、その製造方法及びスパッタリングターゲット - 特許庁
NITRIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
窒化物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING WIRE CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ワイヤチャンネルを有する電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
電界効果トランジスタとその製造方法、及び半導体装置 - 特許庁
P-CHANNEL POWER MIS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING CIRCUIT例文帳に追加
PチャネルパワーMIS電界効果トランジスタおよびスイッチング回路 - 特許庁
SILICON CARBIDE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
炭化ケイ素MOS電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
MULTIPLE GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING SAME例文帳に追加
複数ゲート電界効果トランジスタ構造およびその製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND IMAGE DISPLAY DEVICE USING IT例文帳に追加
電界効果型トランジスタおよびそれを用いた画像表示装置 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND IMAGE DISPLAY例文帳に追加
電界効果トランジスタ及びそれを使用した画像晶表示装置 - 特許庁
Each of the plurality of shift resisters has a field effect transistor.例文帳に追加
複数のシフトレジスタのそれぞれは、電界効果トランジスタを有する。 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM例文帳に追加
電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム - 特許庁
TRENCH FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH TRENCHED HEAVY BODY例文帳に追加
トレンチとされた高重基体を備えるトレンチ型電界効果トランジスタ - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
電界効果トランジスタ、半導体装置およびそれらの製造方法 - 特許庁
VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
縦型電界効果トランジスタ及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR AND EPITAXIAL WAFER FOR THE SAME例文帳に追加
電界効果トランジスタ用エピタキシャルウエハおよび電界効果トランジスタ - 特許庁
ION-SENSITIVE MEMBRANE, ION-SELECTIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND ION SENSOR例文帳に追加
イオン感応膜、イオン選択性電界効果型トランジスタ、イオンセンサ - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR MULTILAYER FILM AND ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
有機半導体積層膜および有機電界効果型トランジスタ - 特許庁
NITRIDE SEMICONDUCTOR TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
窒化物半導体系電界効果トランジスタとその製造方法 - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR WAFER AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME例文帳に追加
化合物半導体ウェハ及びそれを用いた電界効果トランジスタ - 特許庁
COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR UTILIZING NANOTUBE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ナノチューブを利用した電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING OXIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
酸化物半導体を有する電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING GATE ELECTRODE PROTECTING DIODE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果トランジスタのゲート電極保護ダイオードの製造方法 - 特許庁
An FET(field effect transistor) switch circuit 8 is installed on a memory module 20a.例文帳に追加
メモリモジュール20a上にFETスイッチ回路8を設ける。 - 特許庁
STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF NOTCH GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
ノッチ型ゲート電界効果トランジスタの構造および製造方法 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR DRIVING JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a field effect transistor in which the field effect transistor having a short gate length can be manufactured at low cost.例文帳に追加
ゲート長が短い電界効果トランジスタを低コストで製造できる電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide an organic field effect transistor, a flat display device comprising the same, and a method for manufacturing the organic field effect transistor.例文帳に追加
有機電界効果トランジスタ、それを具備する平板ディスプレイ装置及び有機電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁
The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17.例文帳に追加
半導体装置1は、SJMOSFET(Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)17の寄生ダイオードと並列に、SBD(Schottky Barrier Diode)20を備えている。 - 特許庁
PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, PROCESS FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタ - 特許庁
EPITAXIAL WAFER FOR HETERO-STRUCTURED FIELD EFFECT TRANSISTOR, HETERO-STRUCTURED FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加
ヘテロ構造電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハ、ヘテロ構造電界効果トランジスタおよびヘテロ構造電界効果トランジスタ作製法 - 特許庁
A switch circuit comprises a field effect transistor T1 which functions as a switch device, a field effect transistor T2 and an inductor L and a serial connection circuit of the inductor L and the field effect transistor T2 is connected in parallel between a source and a drain of the field effect transistor T1.例文帳に追加
スイッチ素子として機能する電界効果トランジスタT1と、電界効果トランジスタT2と、インダクタLと、を備え、インダクタLと電界効果トランジスタT2との直列接続回路が電界効果トランジスタT1のソース・ドレイン間に並列に接続される。 - 特許庁
The drive capability of the P-channel field effect transistor P1 is set higher than the drive capability of the N-channel field effect transistor N2, and the drive capability of the N-channel field effect transistor N1 is set higher than the drive capability of the P-channel field effect transistor P2.例文帳に追加
Pチャネル電界効果トランジスタP1の駆動能力は、Nチャネル電界効果トランジスタN2の駆動能力より大きく、Nチャネル電界効果トランジスタN1の駆動能力はPチャネル電界効果トランジスタP2の駆動能力より大きく設定される。 - 特許庁
A first field effect transistor is formed on the first region B and a second field effect transistor, whose threshold voltage is different from that of the first field effect transistor, is formed on the second region A.例文帳に追加
第1領域B上に第1電界効果トランジスタが形成され、第2領域A上に第1電界効果トランジスタとしきい値電圧が異なる第2電界効果トランジスタが形成されている。 - 特許庁
ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, MATERIAL THEREFOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING DEVICE例文帳に追加
有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁
A transistor 23 is connected to a gate terminal 13G of a field effect transistor 13 that drives a load L.例文帳に追加
負荷Lを駆動する電界効果トランジスタ13のゲート端子13Gにトランジスタ23を接続する。 - 特許庁
SURFACE CHANNEL TYPE MOS TRANSISTOR, COMPLEMENTARY FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
表面チャネル型MOSトランジスタ、相補型電界効果トランジスタ及びそれらの製造方法 - 特許庁
To provide an organic field-effect transistor having high carrier mobility and superior transistor characteristics.例文帳に追加
キャリア移動度が高く、トランジスタ特性に優れる有機電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR USING AMORPHOUS OXIDE, AND DISPLAY DEVICE USING THE TRANSISTOR例文帳に追加
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 - 特許庁
To provide a field effect transistor that is suited to a display panel and has a good transistor characteristic.例文帳に追加
トランジスタ特性が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁
ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, ORGANIC TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING ELEMENT EMPLOYING IT例文帳に追加
有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁
ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR, MATERIAL THEREOF, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING DEVICE例文帳に追加
有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁
To shunt an electric current to a field effect transistor parasitic diode by providing a field effect transistor in parallel to current detection means.例文帳に追加
電流検出手段と並列に電界効果トランジスタを設けるとその電界効果トランジスタ寄生ダイオードに電流が分流する。 - 特許庁
FIELD EFFECT TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF THEM例文帳に追加
電界効果トランジスタ、集積回路素子、及びそれらの製造方法 - 特許庁
To accurately determine a hot carrier deterioration lifetime of a field effect transistor.例文帳に追加
電界効果トランジスタのホットキャリア劣化寿命を正確に求める。 - 特許庁
AMBIPOLAR FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
同時両極性電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
VERTICAL INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
縦型絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
The semiconductor device packages such a field effect transistor thereon.例文帳に追加
かかる電界効果型トランジスタを搭載した半導体装置とした。 - 特許庁
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