「Field-effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

To create a herbicide for paddy field highly safe to paddy rice, having high herbicidal effect on a wide range of weeds including annual weeds and perennial weeds and on acetolactate synthase(ALS) inhibitory-type herbicide- resistant weeds as well.例文帳に追加

水稲に対して高い安全性を有し、且つ、一年生及び多年生の広範囲の雑草に対して高い除草効果を有し、更に、アセトラクテート合成酵素（ＡＬＳ）阻害型除草剤抵抗性雑草に対しても高い除草効果を有する水田用除草剤の創製を目的とする。 - 特許庁

Therefore, switching to output the audio with the sound field effect corresponding to the format imparted and extremely shortening or eliminating the mute period of the audio at the switching time reduces uncomfortable feeling when listening.例文帳に追加

したがって、フォーマットに対応した音場効果が付与されたオーディオを適切なタイミングで出力するように切り替えることができるとともに、その切り替え時のオーディオのミュート時間を非常に短く、または無くすことができるから、聴取時の違和感を低減することができる。 - 特許庁

In recent economic growth theory (endogenous economic growth theory), a spill -over effect that is brought about by knowledge stock in the R&D sector is garnering attention, and in the field of spatial economics too, analysis focusing on the agglomeration of intellectual activities is being vigorously undertaken3.例文帳に追加

最近の経済成 長理論（内生的経済成長理論）においては、研究開発部門における知識ストックがもたらすスピル・オーバ ー効果に着目しているが、空間経済学の分野においても、こうした知的活動の集積に焦点を当てた分析が盛んになってきている３）。 - 経済産業省

The field effect type sensor is also equipped with a gate voltage application part 103 for applying a gate voltage which is common to each ISFET 101 to the back gate 11, and a detection part 104 for detecting a current between the source 112 and the drain 113 of each ISFET 101.例文帳に追加

また、本実施の形態における電界効果型センサは、ＩＳＦＥＴ１０１の各々に共通のゲート電圧をバックゲート１１に印加するゲート電圧印加部１０３、および，ＩＳＦＥＴ１０１の各々のソース１１２とドレイン１１３との間電流を検出する検出部１０４を備える。 - 特許庁

To provide an electrooptical apparatus and electronic device that allow incoming of light to a photoelectric conversion element, while preventing incidence of light to a field-effect transistor, and prevent thermal degradation of an ITO (indium tin oxide) film, even when ITO film is used.例文帳に追加

電界効果型トランジスタに対する光の入射を防止しながら光電変換素子への光の入射を可能とすることができ、かつ、ＩＴＯ膜を用いる場合でも、ＩＴＯ膜が熱劣化を起こすことのない電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To prevent the fall of the characteristics of a semiconductor device equipped with a field effect transistor element caused by the leakage of electric charges from the inside of the transistor element to the outside of the element.例文帳に追加

電界効果トランジスタ素子を具備する半導体装置において、電界効果トランジスタ素子内部の電荷が電界効果トランジスタ素子外部に漏出することにより、かかる電界効果トランジスタ素子を具備した半導体装置の特性低下が生じることを防止可能とした半導体装置を提供する。 - 特許庁

And the growth direction of crystal is made coincident with the moving direction of a carrier to obtain high field effect mobility.例文帳に追加

画素に配置される複数の薄膜トランジスタの活性層となる半導体層１０９、１１０の配置方向を同一方向に配置し、該チャネル長方向と同一方向に走査するレーザー光の照射を行い、結晶の成長方向とキャリアの移動方向とを揃えて高い電界効果移動度を得る。 - 特許庁

A cathode of a diode is connected to a drain of the metal oxide semiconductor field effect transistor for synchronous rectification, a current supply means 2 is connected to its anode, a resistor 3 is connected between the anode of the diode 1 and a source of the transistor 110, and a voltage across the resistor 3 is detected.例文帳に追加

同期整流用ＭＯＳＦＥＴ１１０のドレインにダイオード１のカソードを接続し、そのアノードに電流供給手段２を接続すると共に、ダイオード１のアノードとＭＯＳＦＥＴ１１０のソースとの間に抵抗３を接続してその両端電圧を検出する。 - 特許庁

To provide a new organic semiconductor satisfying both of the high electric field effect mobility required for organic semiconductor materials and the high on/off electric current ratio and excellent in a material system and capable of readily being synthesized and to provide a method for producing the compound and to provide an organic semiconductor device using the compound.例文帳に追加

有機半導体材料に求められている高い電界効果移動度と、高いオン／オフ電流比の双方を満足し、かつ材料系に優れ、合成が容易である新規な有機半導体化合物、その製造方法およびそれを用いた有機半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a low transmittance transparent conductive substrate which has an excellent body color (a film color, a transmission spectrum) and high film strength, to which a low reflectance property, a static dissipation property, an electric field shielding function and contrast improving effect are optionally added and its manufacturing cost is reduced, and to provide its manufacturing method and the like.例文帳に追加

良好なボディカラー（膜の色、透過スペクトル）と高い膜強度を有し、低反射率と帯電防止、電界シールド機能、コントラスト改善効果も付加することができ、しかも製造コストの低減が図れる低透過率透明導電性基材とその製造方法等を提供する。 - 特許庁

Linear slit parts are formed in the corner reflector respectively at two sides parallel to a principal plane of polarization to obtain wavelength shortening effect that make the line length of the corner reflector equivalently long in an electric field direction, and a larger front-to-back ratio can be obtained when a corner reflector of the same size is used.例文帳に追加

主偏波面に対して平行となるコーナ・リフレクタの２辺には、線状のスリット部がそれぞれ穿設されており、等価的にコーナ・リフレクタの電界方向の線路長を大きくする波長短縮効果があり、同サイズのコーナ・リフレクタを用いた場合、より大きな前後比を得ることができる。 - 特許庁

The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加

このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極ＧＥ２の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁

The junction field effect transistor has such a vertical structure that a gate diffusion layer 5 comes into face contact with a channel layer 3 wherein the gate diffusion layer 5 has a spot-like plan view arranged in matrix and the channel layer 3 is formed to surround each gate diffusion layer 5.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、チャネル層３にゲート拡散層５が面接触した縦型構造を有しており、ゲート拡散層５が平面視点状の形状を有し、マトリクス状に設けられ、その各ゲート拡散層５の周囲を取り囲むようにチャネル層３が形成されている。 - 特許庁

To manufacture a transistor having desired high field effect mobility by forming an oxide semiconductor layer with improved characteristics while using a larger substrate, and to achieve practical application of a large-sized display device, a semiconductor device with high performance, and the like.例文帳に追加

基板の大面積化を可能とするとともに、特性の改善された酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを課題の一つとする。 - 特許庁

The n type MOS field effect transistor 352 is provided with a drain electrode connected to the node ND, the gate electrode to which one of the binary logical signals is impressed from a drive circuit 100, and a gate threshold voltage VTN1 smaller than a gate threshold VTN2 of the transistor constituting the drive circuit 100.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳ電界効果トランジスタ３５２は、ノードＮＤに接続されたドレイン電極と、ドライブ回路１００から二値論理信号のひとつが印加されたゲート電極と、ドライブ回路１００を構成するトランジスタのゲート閾値ＶＴＮ２よりも小さいゲート閾値電圧ＶＴＮ１とを有する。 - 特許庁

In the evaluation device for applying a magnetic field 3 from the outside to a magnetic head 1 using a magnetoresistance effect element to evaluate electromagnetic transduction characteristics of the magnetic head 1, a temperature evaluation is carried out for the electromagnetic transduction characteristics by heating and cooling the magnetic head 1 in non-contact therewith.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド１に対して外部から磁界３を印加して磁気ヘッドの電磁変換特性を評価する評価装置において、磁気ヘッド１に非接触状態で磁気ヘッドを加熱及び／又は冷却して、電磁変換特性の温度評価を行うこと。 - 特許庁

A control circuit 38 decides a power supply voltage on the basis of level information denoting a signal input level to an amplifier employing a field effect transistor FET for an amplifier element and controls a switch section 42 depending on the result to change-over a drain-source voltage Vds that is the power supply voltage.例文帳に追加

ＦＥＴ Ｔｒを増幅素子として用いる増幅器への信号入力レベルを示すレベル情報に基づき、制御回路３８が電源電圧の値を決め、その結果に応じスイッチ部４２を制御して電源電圧たるドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓを切り換える。 - 特許庁

In a semiconductor layer 10x used as an element substrate or the like of the electro-optical device such as a liquid crystal device, the ground insulating layer 12 is formed on the support substrate 10d, and a field effect transistor 10y is formed on the surface of the ground insulating layer 12.例文帳に追加

液晶装置などといった電気光学装置の素子基板などとして用いられる半導体層１０ｘでは、支持基板１０ｄの上に下地絶縁層１２が形成されているとともに、下地絶縁層１２の表面に電界効果型トランジスタ１０ｙが形成されている。 - 特許庁

In an RX through transistor group TH(RX), MISFETs (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistors) Q1 to Q5 connected in series each have a body region connected to a source region or drain region of an adjacent MISFET via a diode (rectifying element).例文帳に追加

ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。 - 特許庁

After channel layers are formed simultaneously, a buried layer is formed beneath each channel layer, a layer for stopping diffusion of a gate diffusion layer is formed by implanting ions into a specified position on the side of an enhancement field effect transistor, and then the gate diffusion layer is formed.例文帳に追加

チャネル層を同時形成した後、各チャネル層の下方に埋め込み層をそれぞれ形成し、次いで、エンハンスメント形の電界効果トランジスタ側の所定位置にイオン注入してゲート拡散層の拡散を阻止する拡散ストップ層を形成し、その後、ゲート拡散層を形成するようにした。 - 特許庁

To control the total thickness of the epitaxially grown layers of a GaN-based field effect transistor to ≤1 μm that is required to suppress the warpage of the epitaxially grown layers to ≤20 μm, and at the same time, to obtain sufficient device characteristics by using a low-temperature-deposited InGaN layer.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ低温堆積層を用いることにより、ＧａＮ系電界効果トランジスタのエピタキシャル層の総膜厚について、反り量を２０μｍ以下に抑えるのに必要な１μｍ以下にすることを実現可能とすると共に、充分なデバイス特性を得ること。 - 特許庁

In the method in which the strength of the bond between the biopolymer and a ligand is estimated, and in the parameter which is used for the method, van der Waals interaction energy is calculated by using a distance- dependent atomic-pair potential function to which the contribution of a hydrophobic effect is added in a force-field energy calculation method.例文帳に追加

力場エネルギー計算法において、疎水効果の寄与を加えた距離依存型原子対ポテンシャル関数のパラメータを用いてファンデルワールス相互作用エネルギーを計算することにより、生体高分子−リガンド間の結合の強さを予測する方法及び上記パラメータ。 - 特許庁

The coil 5 produces magnetization energy E_1 of an easily magnetizing axial direction inside the magnetic layer 2 by an external magnetic field and the piezoelectric element 4 produces strain in the magnetic layer 2, and produces magnetic anisotropic energy K_2 in a direction which is different from that of an easily magnetizing axis by inverse magnetostrictive effect caused by magnetostrictive by generating strain in the magnetic layer 2.例文帳に追加

コイル５は外部磁場により磁化容易軸の方向の磁化エネルギーＥ_１を磁性層２内に発生し、圧電素子４は磁性層２に歪みを発生させて磁歪に起因する逆磁歪効果により磁化容易軸と異なる方向の磁気異方性エネルギーＫ_２を発生する。 - 特許庁

The amplifying elements Q1 and Q2 are composed of gallium arsenide field effect transistors or gallium arsenide high-electron- mobility transistors, the video signal amplifier which has excellent high-frequency characteristics and low power consumption thereby can be obtained because of high-electron-mobility characteristics that those elements have.例文帳に追加

増幅素子Ｑ１及びＱ２を、ガリウム砒素電界効果トランジスタ或いはガリウム砒素高電子移動度トランジスタで構成したことにより、これら素子のもつ高電子移動度特性により、高周波特性が良好でかつ低消費電力のビデオ信号増幅装置が得られる。 - 特許庁

In the method of recording information on the optical recording medium which includes a multi-photon absorption material and fine particles which have an sensitizing effect of enhancing a multi-photon absorption process of the multi-photon absorption material by a plasmon-enhanced field having anisotropy, the method is provided with a deactivating process, deactivating the sensitizing effect of a part of the fine particles by deforming the part of the fine particles.例文帳に追加

多光子吸収材料と、異方性を持つプラズモン増強場により、前記多光子吸収材料の多光子吸収過程を増強する増感効果を有する微粒子とを含む光記録媒体に情報を記録する光記録媒体の記録方法であって、前記微粒子のうちの一部を変形させて当該微粒子の増感効果を失活させる失活工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The field effect transistor employs the vertically oriented carbon nanotube as a transistor body, the carbon nanotube being formed by deposition within a vertical aperture, with an optional combination of several parallel nanotubes to produce quantized current drive, and an optional change in a chemical composition of a carbon material at the top or at the bottom to suppress short channel effect.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、垂直に配向されたカーボン・ナノチューブをトランジスタ本体として使用し、このカーボン・ナノチューブは、垂直の開口内部に析出させることにより形成され、量子化された電流駆動を生成するために平行な数個のナノチューブが任意的に組み合わされ、短チャネル効果を抑制するために頂部又は底部においてカーボン材料の化学組成が任意的に変更される。 - 特許庁

To make it possible to realize a required element characteristic by adopting a simple means even when the area size of a field effect transistor (FET) is such a small that the required element characteristic can not be realized as to an FET, using strain group heterojunction crystals formed as thickness exceeding critical film thickness by utilizing an area size effect.例文帳に追加

歪み系ヘテロ接合結晶を用いる電界効果トランジスタの製造方法に関し、面積サイズ効果を利用して臨界膜厚を越えた厚さに形成した歪み系ヘテロ接合結晶を用いた電界効果トランジスタに於いて、その面積サイズでは、必要とされる素子特性を実現できないほど小さい場合であっても、簡単な手段を採ることに依って、要求されている素子特性を実現できるようにする。 - 特許庁

The above mentioned collagenase inhibitor, elastase inhibitor and Maillard reaction inhibitor are natural products contained in various kinds of extracts from respective plants and so safe, stable to heat, having little side effect and being capable of developing applications in wide and several technological fields including not only cosmetic field on the above mentioned cosmetics but also pharmaceuticals, foods and the like, thus demonstrating remarkable effect to achieve the purpose of the invention.例文帳に追加

しかも、前記コラゲナーゼ阻害剤、エラスターゼ阻害剤およびメイラード反応阻害剤は、各植物の各種抽出物に含まれる天然物であるため、安全、熱などに安定であり、副作用も少なく、前記化粧料の化粧品分野はもとより医薬品および食品等々の各種技術分野にも広く途を拓くなど、発明の目的を達成する顕著な効果を奏することができる。 - 特許庁

To provide the subject piece of clothing aiming at preventing electromagnetic wave effect on the human body due to a high-frequency electromagnetic field radiated from antennas of e.g. portable telephones, radio equipment placed near the human body, and capable of not only preventing electromagnetic wave effect on the human body but also effectively preventing the malfunction of a medical equipment implanted in the human body such as a pacemaker.例文帳に追加

本発明は、携帯電話機や無線機器などの人体の近傍に置かれたアンテナから輻射される高周波電磁界による、人体に対する電磁波の影響を防止することを目的とする電磁波シールド衣服に関するものであり、更に本発明は、人体に対する電磁波の影響を防護できるばかりでなく、体内に植え込まれた医療機器、例えばペースメーカ等に対する誤作動防止にも有効に作用するものである。 - 特許庁

The configuration is comprised of a combination of a signal current input buffer circuit 3, one simulation resistor circuit 2 and one amplification circuit 4, the signal current input buffer circuit 3 comprising two field-effect trasnsistors J1, J2 and a resistor Rj, to have functions to enhance the high current input efficiency and to widen a circuit bandwidth.例文帳に追加

シグナル電流入力緩衝回路３と一模擬抵抗回路２及び一増幅回路４の組合せから構成され、かつ前記シグナル電流入力緩衝回路３は二つの電界効果トランジスタＪ_１，Ｊ_２と抵抗Ｒ_Ｊより構成されて、高電流入力効率と回路バンド幅を引き上げる機能を有する。 - 特許庁

To provide an electronic device including a direction indication function and a non-contact communication processing function that prevents a terrestrial magnetism sensor for sensing a direction from sensing erroneous terrestrial magnetism due to the effect of a strong magnetic field by a reader/writer for the non-contact communication processing, resulting in indicating erroneous direction information.例文帳に追加

方位報知機能と非接触通信処理機能を有する電子機器において、方位検出のための地磁気センサが非接触通信処理のためのリーダ／ライタ装置による強い磁場の影響による誤った地磁気を検出し、その結果、誤った方位に関する情報を報知することを防止する。 - 特許庁

A field effect transistor includes: a thin oxide semiconductor with a thickness of 1 nm or more and 30 nm or less formed approximately perpendicular to an insulation surface; a gate insulation film formed covering the oxide semiconductor; and stripe-shaped gates each with a width of 10 nm or more and 100 nm or less formed covering the gate insulation film.例文帳に追加

絶縁表面に略垂直に形成された厚さが１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の薄片状の酸化物半導体と、前記酸化物半導体を覆って形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を覆って形成されたストライプ状の幅１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のゲートを有する電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a microwave amplifier by which a variation in the threshold voltage of a field-effect element can be suppressed by changing the structure of a spiral inductor element and can be also suppressed by changing the structure of a capacitor element using a wiring layer as a lower electrode and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

スパイラルインダクタ素子の構造を変更することで、電界効果素子のしきい値電圧の変動を抑え、また、配線層を下部電極として用いるキャパシタ素子の構造を変更して、同様に、電界効果素子のしきい値電圧の変動を抑えることを可能とする、マイクロ波増幅装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the stress control film on the field effect transistor, and changing an intrinsic stress of the stress control film by providing a heat treatment, or a plasma processing with ammonia or hydrogen to change the whole or a part of the material of the stress control film.例文帳に追加

電界効果トランジスタの上に応力制御膜を形成し、熱処理又はアンモニア又は水素によるプラズマ処理を施して、応力制御膜の全体又はその一部の材質を変化させることにより応力制御膜の真性応力を変更する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To each pixel 100a of a solid-state imaging device 100, a shield line 7 held at a constant potential is formed at a side with a source line 6a of a pixel adjacent to the pixel in X direction to a first electrode 81a, a drain electrode 6c, and a drain of a field effect transistor 30.例文帳に追加

固体撮像装置１００の各画素１００ａには、第１電極８１ａ、ドレイン電極６ｃ、および電界効果型トランジスタ３０のドレインに対して、当該画素に対してＸ方向で隣接する画素のソース線６ａが位置する側に、定電位に保持されたシールド線７が形成されている。 - 特許庁

In the electrostatic apparatus for applying an electrostatic field on the copying substrate by a receptor facing a current generation unit 100, the dynamic current density guided from the current generation unit 100 to the copying substrate is controlled within a prescribed extent, and the end leakage current effect for a system wherein the width of the copying substrate is variable is integrated.例文帳に追加

電流発生ユニット１００に対向するレセプタによって複写基板に静電界を加える静電装置において、電流発生ユニット１００から複写基板に導かれる動電流密度を所与の範囲内に制御し、複写基板の幅が可変なシステムにおける端部漏れ電流効果を組み込む。 - 特許庁

This field-effect transistor 1 has a groove formed in a high- resistance layer 12, and upper- and lower-side cells 51 and 52 arranged on the surface of the high-resistance layer 12 and the bottom surface of the groove, respectively.例文帳に追加

本発明の電界効果トランジスタ１は、高抵抗層１２に形成された溝と、高抵抗層１２の表面及び溝の底面にそれぞれ配置された上側セル５１、下側セル５２とを有しており、上側セル５１の周囲は溝で取り囲まれ、そのチャネル領域は溝の側面に形成されるように構成されている。 - 特許庁

This field-effect transistor includes a source 43 formed in the sidewall of a trench, a drain 42 formed in the semiconductor main body and provided with a surface in common with the upper face of the semiconductor main body, a channel region including both vertical and horizontal parts, and a polycrystalline silicon gate at the upper part of the trench.例文帳に追加

この電界効果トランジスタは、トレンチの側壁内に形成されたソース４３、半導体本体内に形成された、そして半導体本体の上面と共通の表面を有するドレイン４２、及び垂直と水平の両方の部分を含むチャネル領域、及びトレンチの上部の多結晶シリコンゲートとを含んでいる。 - 特許庁

The phase change memory device includes a phase change layer, an electrode whose one end contacts the phase change layer, a contact plug connected to the other end of the electrode, and a field-effect transistor in which a source or drain is electrically connected to the contact plug, wherein the electrode is formed of zirconium boron nitride.例文帳に追加

相変化層と、この相変化層に一端が接触する電極と、この電極の他端に接続するコンタクトプラグと、このコンタクトプラグにソースまたはドレインが電気的に接続された電界効果型トランジスタとを備えた相変化メモリ装置であって、前記電極がジルコニウムボロンナイトライドにより形成されている。 - 特許庁

A method of manufacturing the field-effect transistor comprises a step of forming an oxide film 14 on a silicon substrate 12, a step of forming a polysilicon electrode film 16 on the oxide film 14, and a step of supplying deuterium ions to the interface between the oxide film 14 and silicon substrate 12 through the polysilicon electrode film 16 by means of an ion implanter.例文帳に追加

本発明は、シリコン基盤１２上に酸化膜１４を形成するステップと、酸化膜１４の上にポリシリコン電極膜１６を形成するステップと、ポリシリコン電極膜１６を介して、酸化膜１４とシリコン基盤１２との界面に、イオン注入機により重水素イオンを供給するステップとにより構成される。 - 特許庁

To provide an inexpensive transparent conductive base material having high visible light transmittance and no deterioration of resolution due to moire, and concurrently provided with superior conductivity as a material provided with a visible light transmitting property and a leakage electric field shielding effect to be used in a display device such as a CRT or a PDP, and its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＲＴやＰＤＰ等の表示装置に用いる可視光透過性と漏洩電界遮蔽効果を兼ね備えた材料として、高い可視光透過率を有し、モアレによる解像度の悪化がなく、同時に優れた導電性を備えた安価な透明導電性基材、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Patterning is applied on the first conductive layer in the logical operation circuit area based on the resist layer processed by patterning while the gate electrode of an insulation gate electric field effect transistor is formed in the logical operation circuit area and a dummy layer is formed above the element separating area in the logical operation circuit area based on the stopper layer processed by patterning.例文帳に追加

パターニングされたレジスト層に基づいてロジック回路領域内の第１導電層をパターニングし、ロジック回路領域内に絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極を形成し、パターニングされたストッパ層に基づいてロジック回路領域内の素子分離領域の上方にダミーゲート層を形成する。 - 特許庁

To obtain an organic compound which has higher mobility of electric field effect in the case of use as a constituent material for an active layer and an electron and/or hole transport layer of an organic thin film device such as an organic TFT, an organic EL element, etc., and to provide an organic thin film device and a display using the organic thin film device.例文帳に追加

有機ＴＦＴや有機ＥＬ素子等の有機薄膜デバイスの活性層や電子／正孔輸送層の構成材料として用いた場合に、より大きな電界効果移動度を得ることのできる有機化合物、およびその有機薄膜デバイス、ならびにこれらを用いたディスプレイを提供する。 - 特許庁

By matching the impressing direction of the read gradient magnetic field pulses GR with the flowing direction of the blood stream and impressing the dephase pulses P_dephase, a difference of a flow void effect is generated corresponding to a flow velocity of the blood and the arteriovenous separation images are generated on the basis of the relative difference of signal values due to the difference.例文帳に追加

読出し傾斜磁場パルスＧ_Ｒの印加方向を血流の流れ方向に合わせたこと及びディフェーズパルスＰ_ｄｅｐｈａｓｅの印加により、血液の流速に応じてフローボイド効果の差異を生じさせ、この差異に因る信号値の相対的な差に基づき動静脈分離画像を生成することができる。 - 特許庁

To enable an insulated gate field effect transistor (MOSFET), whose gate length is of the order of sub-micron or sub-0.1 μm to be enhanced in characteristics and improved in characteristics uniformity by a method, where the planarity of a resist underlying layer serving as a gate electrode is ensured, and a gate electrode is formed accurately by actuate patterning.例文帳に追加

絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、ゲート電極となるレジスト下地層の平坦性を確保し、ゲート電極の精度良いパターニングを実現することによりゲート長がサブミクロン領域、或いはサブ0.1μｍ領域のＭＯＳＦＥＴにおいて、トランジスタ特性の向上、ばらつきの低減を図る。 - 特許庁