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HgI2を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
A half-insulating compound semiconductor film 4 such as CdTe, CdZnTe, GaAs or HgI2 is formed on the surface of a hard conductive plate 1 of Si or the like having an electrode 3 on both sides or only backside using a gas phase deposition method such as CVD or evaporation.例文帳に追加
表裏両面もしくは裏面のみに電極３を形成したＳｉ等の硬質導電性平板１の表面上に、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＨｇＩ２ 等の半絶縁性化合物半導体膜４を、ＣＶＤ、もしくは、蒸着等の気相成膜法を用いて形成する。 - 特許庁
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