「ISFET」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD AND SYSTEM FOR MEASURING ATP-ASE ACTIVITY USING ISFET例文帳に追加

ＩＳＦＥＴを用いるＡＴＰアーゼ活性の計測方法並びに計測システム - 特許庁

The ISFET 101 includes a back gate 111, a source 112 and a drain 113.例文帳に追加

ＩＳＦＥＴ１０１は、バックゲート１１１，ソース１１２，およびドレイン１１３を備える。 - 特許庁

This field effect type sensor includes a plurality of ion sensitive field effect transistors (ISFET) 101, and a material fixing part 102 provided in common on each ISFET 101, to which a material adheres, which is a detection object capacity-connected to each channel of the ISFET 101.例文帳に追加

複数のイオン感応型電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０１および各ＩＳＦＥＴ１０１に共通に設けられてＩＳＦＥＴ１０１の各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部１０２を備える。 - 特許庁

A constant voltage MOSFET 20 having threshold voltage almost the same as the shreshold voltage of the ISFET is inserted in the region between a reference electrode 30 and the source electrode 8 of the ISFET.例文帳に追加

参照電極３０とＩＳＦＥＴのソース電極８との間に、ＩＳＦＥＴのしきい値電圧と略同じしきい値電圧を有する定電圧用ＭＯＳＦＥＴ２０を挿入してある。 - 特許庁

To provide an ion sensor wherein a plasticized polyvinyl chloride often used for a sensitive film matrix part which is the central part of an ion- sensitive field effect transistor (ISFET), which is an ion sensor, has higher durability than film material.例文帳に追加

イオンセンサーであるイオン感応性電界効果型トランジスタ(ISFET)の心臓部である感応膜マトリックス部分に多く使われる可塑化ポリ塩化ビニルが膜材料よりも耐久性を有するイオンセンサーを提供する。 - 特許庁

The pH sensor is composed of ISFET, wherein the surface of a diamond semiconductor of high quality is terminated by hydrogen, and a reference electrode.例文帳に追加

高品質ダイヤモンド半導体表面を水素終端させたＩＳＦＥＴと参照電極からなるｐＨセンサー。 - 特許庁

The field effect type sensor is also equipped with a gate voltage application part 103 for applying a gate voltage which is common to each ISFET 101 to the back gate 11, and a detection part 104 for detecting a current between the source 112 and the drain 113 of each ISFET 101.例文帳に追加

また、本実施の形態における電界効果型センサは、ＩＳＦＥＴ１０１の各々に共通のゲート電圧をバックゲート１１に印加するゲート電圧印加部１０３、および，ＩＳＦＥＴ１０１の各々のソース１１２とドレイン１１３との間電流を検出する検出部１０４を備える。 - 特許庁

To detect more accurately an aiming material by an ISFET type field effect type sensor, even in a noise existing environment.例文帳に追加

ノイズが存在する環境においても、ＩＳＦＥＴ型の電界効果型センサにより目的とする物質をより正確に検出できるようにする。 - 特許庁

In the constant voltage MOSFET 20, a drain and a gate are connected to the reference electrode 30 and a source is connected to the source electrode 8 of the ISFET.例文帳に追加

定電圧用ＭＯＳＦＥＴ２０は、ドレインおよびゲートが参照電極３０に接続されソースがＩＳＦＥＴのソース電極８に接続されている。 - 特許庁

In a current mirror type biosensor 100 which utilizes at least one transistor of two transistors forming a current mirror circuit as an ISFET, at least the transistor which is utilized as the ISFET consists of: a transparent substrate; a transparent semiconductor film to be formed on the transparent substrate; and a transparent electrode to be electrically connected with the transparent semiconductor film.例文帳に追加

本発明のカレントミラー型バイオセンサ１００は、カレントミラー回路をなす２つのトランジスタのうち少なくとも１つのトランジスタをＩＳＦＥＴとして利用するカレントミラー型バイオセンサにおいて、少なくともＩＳＦＥＴとして利用されるトランジスタは、透明基板と、前記透明基板上に形成される透明半導体膜と、前記透明半導体膜と電気接続する透明電極とからなることを特徴とする。 - 特許庁

A signal processing circuit contains one or more ion-sensitive field-effect transistors, namely, ISFET, and a bias circuit for biasing them or each ion-sensitive field-effect transistor so as to operate in a weak inversion region.例文帳に追加

１つ以上のイオン感応電界効果トランジスタ、すなわちＩＳＦＥＴと、弱反転領域で動作するよう前記または各々のイオン感応電界効果トランジスタにバイアスをかけるためのバイアス回路とを含む信号処理回路である。 - 特許庁

In ISFET(ion sensitive field-effect transistor), a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of a P-type silicon substrate 1 in a spaced-apart state and an ion responsive film 6 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5.例文帳に追加

ＩＳＦＥＴは、ｐ形シリコン基板１の主表面側にドレイン領域２とソース領域３とが離間して形成され、両領域２，３間のチャネル部４上にゲート絶縁膜５を介してイオン感応膜６が形成されている。 - 特許庁

To provide a compact ion concentration measuring apparatus that uses an ISFET, enables an ion-sensitive section to reliably adhere to irregular portions and a fine plane, and can reliably measure ion concentration at the portions.例文帳に追加

ＩＳＦＥＴを用いた小型かつコンパクトであり、しかも、イオン感応部を凹凸部分や微小な平面に確実に密着させることができ、それらの部分におけるイオン濃度をも確実に測定することのできるイオン濃度測定装置を提供すること。 - 特許庁

An ultrasonic drive part for driving a solution, an electrical sample drive part having a split electrode for driving ions, an ultraviolet light emitting diode for ionizing a substance to be detected and an ion detection part of ISFET are provided to one microcapillary part formed on the same substrate.例文帳に追加

同一の基板上に形成した１個のマイクロキャピラリ部に、溶液を駆動する超音波駆動部とイオンを駆動する分割電極を持つ電気的試料駆動部、被検出物質をイオン化する紫外線発光ダイオード、ＩＳＦＥＴをイオン検出部を設ける。 - 特許庁

The ion sensor is comprises an ion responsive field effect transistor (ISFET) 10, having a gate electrode for taking out the back gate photocurrent Ibp generated in between a back gate B and a source S and between the back gate B and the drain D, and photocurrents Isp and Idp generated in the source S or the drain D are corrected by using the back gate photocurrent Ibp.例文帳に追加

バックゲートＢとソースＳとの間、およびバックゲートＢとドレインＤとの間に発生するバックゲート光電流Ｉｂｐを取り出すためのゲート電極Ｇを持つイオン感応性電界効果トタンジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０よりなるイオンセンサであって、バックゲート光電流Ｉｂｐを用いて、ソースＳやドレインＤにおいて発生する光電流Ｉｓｐ，Ｉｄｐを補正することを特徴とする。 - 特許庁