「InP」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Consequently, the generation of a reactive-current path can be prevented from the n-type InP clad layer 12 to a p-type InP clad layer 2 via the n-type InP current blocking layer 10.例文帳に追加

これにより、ｎ型InPクラッド層１２からｎ型InP電流ブロック層１０を経由して、ｐ型InPクラッド層２に至る無効電流経路の発生を防ぐことができる。 - 特許庁

To enable to form an InP-based semiconductor element which is inherently lattice matched to an InP substrate on a GaAs substrate.例文帳に追加

本来InP基板に格子整合性を有するInP系半導体素子をGaAs基板に形成することができるようにする。 - 特許庁

A crystalline body of InP having an atomic composition ratio In/InP of In and P of ≥0.490 to <0.500 is used as raw material.例文帳に追加

InとPの原子組成比In／InPが０．４９０以上、０．５００未満であるInPの結晶体を原料として用いるようにした。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING InP SINGLE CRYSTAL AND InP SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶の製造方法及びＩｎＰ単結晶 - 特許庁

By this structure, the n-type InP current blocking layer 10 can be prevented from contacting with n-type InP clad layers 7, 12.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｎ型InP電流ブロック層１０がｎ型InPクラッド層７、ｎ型InPクラッド層１２と接触することを防ぐことができる。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

The p-InP cover layer 108 is etched with the SiO2 film 109 as a mask (Fig.3 (b)).例文帳に追加

SiO_2膜109をマスクとして、p-InPカバー層108をエッチングする（図３（b））。 - 特許庁

When A and B are defined as an integer and INP is defined as an impulse noise protection value, the number of times of repeating the DMT symbols is calculated as N=A*INP+B.例文帳に追加

AとBを整数とし、INPをインパルス雑音保護値とした場合、DMT記号が繰り返される回数がN=A*INP+Bとして計算する。 - 特許庁

There are provided along each mesa side surface 8a of a ridge A a current blocking structure B wherein a p-type InP buried layer 9, an n-type InP current blocking layer 10, a p-type InP current blocking layer 11 are laminated.例文帳に追加

リッジ部Ａのメサ側面８ａに沿って、ｐ型InP埋め込み層９、ｎ型InP電流ブロック層１０、ｐ型InP電流ブロック層１１を積層した電流ブロック構造Ｂが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing an InP thin film at low temperature.例文帳に追加

InP薄膜を低温度で結晶成長させる方を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING InP POLYCRYSTAL例文帳に追加

ＩｎＰ多結晶の製造方法 - 特許庁

The first InP layer 13 is provided on an InP substrate 21.例文帳に追加

第１のＩｎＰ層１３は、ＩｎＰ基板２１上に設けられている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF InP SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶の製造方法 - 特許庁

To provide a GaAsSb/InP hetero-junction bipolar transistor (HBT) that increases breakdown voltage.例文帳に追加

降伏電圧を増大させるGaAsSb/InP ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（HBT）を提供する。 - 特許庁

A non-doped InP layer 24 is formed between an n-InP hole block layer 23 and a p-InP upper clad layer 25.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰホールブロック層２３と、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２５との間に、ノンドープＩｎＰ層２４を形成する。 - 特許庁

InP SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＩｎＰ基板及びその製造方法 - 特許庁

A p-type InP clad layer 4 with Mg doped, an InGaAsP light confinement layer 5, an InGaAsP MQW active layer 6, an n-type InGaAsP light confinement layer 7, and an n-type InP clad layer 8, are sequentially stacked thereon.例文帳に追加

その上に、Mgをドープしたｐ型InPクラッド層４、InGaAsP光閉込層５、InGaAsP MQW活性層６、ｎ型InGaAsP光閉込層７、ｎ型InPクラッド層８を順次積層した構造とする。 - 特許庁

METHOD FOR RECOVERING In FROM InP SCRAP例文帳に追加

ＩｎＰスクラップからのＩｎ回収方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCTION OF InP PARTICULATE, AND InP PARTICULATE-DISPERSION LIQUID OBTAINED BY THE METHOD例文帳に追加

ＩｎＰ微粒子の製造方法およびその方法で得られたＩｎＰ微粒子分散液 - 特許庁

OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING InP SUBSTRATE例文帳に追加

ＩｎＰ基板を有する光半導体装置 - 特許庁

The photosensitive element 11 is provided with a first InP layer 13, a second InP layer 15, a third InP layer 17, and a photosensitive layer 19.例文帳に追加

受光素子１１は、第１のＩｎＰ層１３と、第２のＩｎＰ層１５と、第３のＩｎＰ層１７と、受光層１９とを備える。 - 特許庁

The second InP layer 15 shows a first conductivity type and is provided between the InP substrate 21 and the first InP layer 13.例文帳に追加

第２のＩｎＰ層１５は、第１導電型を示しており、ＩｎＰ基板２１と第１のＩｎＰ層１３との間に設けられている。 - 特許庁

To provide a process for producing an InP single crystal of a high yield by suppressing the generation defects, such as polycrystals and twins, when growing the InP single crystal, thereby enhancing a single crystallization rate.例文帳に追加

InP単結晶を成長させる際に、多結晶や双晶などの欠陥が発生するのを抑制し、単結晶化率を高め、歩留まりが高いInP単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

A clad layer 102, an active layer 103, and a clad layer 104 are formed by selective growth, and further a p-InP burial layer 106, a p+- InGaAs contact layer 107, and a p-Inp cover layer 108 that is an oxygen passivation prevention film are selectively grown.例文帳に追加

選択成長によりクラッド層102、活性層103、クラッド層104を形成し、更にp-InP埋め込み層106、p^+-InGaAsコンタクト層107、水素パッシベーション防止膜であるp-InPカバー層108を選択成長させる。 - 特許庁

The InP semiconductor region 13 can comprise an InP support base of first conductive type and an InP buffer layer of first conductive type provided on the InP support base.例文帳に追加

また、ＩｎＰ半導体領域１３は、第１導電型のＩｎＰ支持基体と、ＩｎＰ支持基体上に設けられた第１導電型のＩｎＰバッファ層と含むことができる。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser of a rib type or a PBH type of InGaAsP/InP group, a p-InGaAsP layer sandwiched between p-InP layers is formed so as to function as a current constriction layer by adjusting a forbidden band width.例文帳に追加

InGaAsP/InP系のリブ型またはPBH型の半導体レーザにおいて、p-InP層に挟まれたp-InGaAsP層を、禁制帯幅の調整により電流狭窄層として機能するように形成する。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing an InP thin film of a compound semiconductor thin film multilayer wafer.例文帳に追加

化合物半導体薄膜積層ウエハのInP薄膜のエピタキシャル結晶成長させる方法。 - 特許庁

Making a scribe line SL as a starting point, the InP layer 24 and the InP substrate 10a are cleaved.例文帳に追加

スクライブラインＳＬを起点として、ＩｎＰ層２４、及びＩｎＰ基板１０ａを劈開する。 - 特許庁

The stripe structure 18 is buried by a p-type InP buried layer 19, an n-type InP buried layer 20, and a p-type InP buried layer 21.例文帳に追加

ストライプ構造１８をｐ型ＩｎＰ埋込層１９、ｎ型ＩｎＰ埋込層２０およびｐ型ＩｎＰ埋込層２１で埋め込む。 - 特許庁

A p-InP blocking layer 8 and an n-InP blocking layer 9 are formed contiguously thereto.例文帳に追加

これに隣接してｐ−ＩｎＰブロッキング層８、ｎ−ＩｎＰブロッキング層９が積層されている。 - 特許庁

An etching stop layer 9 consisting of a GaInAlAs-group crystal layer is formed on an InP substrate (semiconductor substrate).例文帳に追加

InP 基板（半導体基板）１上に、GaInAlAs系結晶層からなるエッチングストップ層９を形成する。 - 特許庁

To suppress deterioration in device characteristics due to impurities diffusion in semiconductor laser using an InP substrate.例文帳に追加

InP基板を用いた半導体レーザにおいて、不純物拡散によるデバイス特性劣化を抑制する。 - 特許庁

A tunnel junction part includes a first, a second, and a third layer made of materials selected from InP system materials.例文帳に追加

トンネル接合部は、InP系材料のうちの材料からなる第1、第2及び第3の層を含む。 - 特許庁

A p-type InP upper clad layer 21 and a p-type InP cap layer 22 are laminated on the mesa and the n-type InP contact layer 20.例文帳に追加

メサ及びｎ−ＩｎＰコンタクト層２０上にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２１、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２が積層されている。 - 特許庁

The InP layer 102a is uniformly doped and the InGaAlAs-MQW layer has the structure of being doped at least partially.例文帳に追加

InP層102aは一様にドーピングされ、InGaAlAs-MQW層は少なくとも一部がドーピングされた構造を有する。 - 特許庁

PRODUCTION OF SEMIINSULATING InP SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 - 特許庁

InP SINGLE CRYSTAL AND METHOD OF PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶およびその製造方法 - 特許庁

The circumference of the mesa is embedded by forming an n-type InP current block layer 18, a p-type InP embedding layer 19 and an n-type InP embedding layer 20 on the p-type InP embedding layer 17.例文帳に追加

そして、ｐ型ＩｎＰ埋込層１７上に、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層１８、ｐ型ＩｎＰ埋込層１９及びｎ型ＩｎＰ埋込層２０を形成してメサの周囲を埋め込む。 - 特許庁

Both the sides of the mesa structure 28 are buried with a p type InP burial layer 32, an n type InP current block layer 34, a p type InP current block layer 36 and an n type InP burial layer (burial layer) 38.例文帳に追加

メサ構造２８の両側をｐ型ＩｎＰ埋込層３２、ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層３４、ｐ型ＩｎＰ電流ブロック層３６及びｎ型ＩｎＰ埋込層３８（埋込層）で埋め込む。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3 and a p-InP spacer layer 4 are laminated on the surface of an n-InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４が積層される。 - 特許庁

On a p-type InP substrate, a p-type InP clad layer, an InGaAsP strained quantum well active layer, and an n-type InP clad layer are laminated in order.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層が順次積層されている。 - 特許庁

The photosensitive layer 19 is provided between the first InP layer 13 and the third InP layer 17.例文帳に追加

受光層１９は、第１のＩｎＰ層１３と第３のＩｎＰ層１７との間に設けられている。 - 特許庁

The n-type InP distortion relaxing layer 14 is formed of the same material as that of the n-type InP substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ歪緩和層１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１０と同じ材料で構成されている。 - 特許庁

A mask material layer 142 is formed on an InP cladding layer 141 on an InP substrate 140.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１４０上のＩｎＰクラッド層１４１の表面にマスク材料１４２を形成する。 - 特許庁

The layer has a higher etching selectivity to the InP clad layer, so that it remains on the BJ connection after mesa etching.例文帳に追加

本層は、InPクラッド層に対してエッチング選択性が高いので、メサエッチング後もBJ接続上に残存する。 - 特許庁