「Impact ionization」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a constitution of a solid photographing apparatus improved in impact-ionization withstanding property.例文帳に追加

インパクトイオン化の耐性を高めるに都合の良い固体撮像装置の構成を提供する。 - 特許庁

A CCD device of the type for providing charge gain by impact ionization has a multiplication register.例文帳に追加

衝撃イオン化により電荷利得を与えるタイプのＣＣＤデバイスは、増倍レジスタを有する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which is hard to be affected by an emitted light caused by impact-ionization.例文帳に追加

インパクトイオン化を原因とする発光光の影響を受けにくい固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device whose reliability with reference to the impact ionization of a MOS transistor is high.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのインパクトイオン化に対する信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In the process, a parasitic bipolar transistor turns on, and impact ionization is produced on the drain side, thus increasing the injection charged amount.例文帳に追加

また、このとき寄生バイポーラトランジスタがオンし、これによりドレイン側でインパクトイオン化が生じ注入電荷量が増える。 - 特許庁

Ions are implanted, for example, by ionizing gas or vapor of dimer or decaborane, by direct electron impact ionization adjacent the outlet aperture (46, 176) of the ionization chamber (80, 175).例文帳に追加

イオン化チャンバー（８０，１７５）の出口開口部(４６，１７６)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。 - 特許庁

The impact ion control layer 24 is laminated within a lamination range (thickness Tst of the lamination range) of the ground compound semiconductor layer 23 to control the occurrence position of the impact ionization phenomenon.例文帳に追加

インパクトイオン制御層２４は、下地化合物半導体層２３の積層範囲（積層範囲の厚さＴｓｔ）内に積層されてインパクトイオン化現象の発生位置を制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has its breakdown voltage characteristics improved to suppress an impact ionization phenomenon, and a method of fabricating the same.例文帳に追加

ブレークダウン電圧特性が向上されて、インパクトイオン化現象の発生を抑えた半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improved in the breakdown voltage characteristics and suppressed in the generation of the impact ionization phenomenon, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ブレークダウン電圧の特性が向上されて、インパクトイオン化現象の発生を抑えた半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can fully suppress the floating effect of a substrate that accompanies an impact ionization in a SOI device.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスにおけるインパクトイオン化に伴う基板浮遊効果を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ionizer with a compact configuration capable of performing both EI (electron impact ionization) and PI (photo ionization), which improves detection efficiency and sensitivity by irradiating light uniformly on sample molecules in a wide area when performing the PI.例文帳に追加

ＥＩ及びＰＩの双方が可能であって、小型に構成でき、ＰＩの際に広い範囲にわたって試料分子に対し一様に光を照射することにより検出効率及び感度の向上が可能なイオン化装置を提供する。 - 特許庁

To improve the durability and reliability of a CCD solid-state imaging device, when carrying out signal charge multiplication by utilizing the phenomenon impact ionization.例文帳に追加

信号電荷の増倍をインパクトイオン化現象を利用して行うときのＣＣＤ型固体撮像素子の耐性を高め素子の信頼性向上を図る。 - 特許庁

Further, a wall surface of the treating chamber is easily effected by an influence of an ion impact from the plasma due to an increase in ionization by lowering a treating pressure.例文帳に追加

さらに、処理圧力を低圧化してイオン性を増すこと等からアース電位にある処理室壁面はプラズマからのイオン衝撃を受けやすくなる。 - 特許庁

The protective diffusion region prevents impact ionization and resultant carrier generation in the vicinity of a corner of a gate trench and prevents damage of a gate oxide layer.例文帳に追加

保護拡散部は衝撃イオン化及びその結果生じるゲートトレンチの角部付近におけるキャリアの発生を防ぎ、ゲート酸化物層の損傷を防ぐ。 - 特許庁

A sample is intermittently heated by a laser or micro-heating probe to be gasified and discharged little by little and the discharged sample is ionized by electron impact ionization.例文帳に追加

レーザ又は微小加熱プローブで試料を断続的に加熱し、少量づつ気化放出させ、電子衝撃イオン化で放出された試料をイオン化する。 - 特許庁

The ON-state voltage and OFF-state voltage serve as factors which enable the analysis of the effect of hot carriers caused by stress (impact ionization) and trapped by a gate oxide film etc. to be performed.例文帳に追加

また、オン電圧／オフ電圧はストレス（インパクトイオン化）によるホットキャリアのゲート酸化膜などへのトラップによる影響を分析できる因子となっている。 - 特許庁

As a result this, the density of thermoelectrons is selectively enhanced in the region E, in comparison with that outside the region, and chances of ionization through impact with the sample molecules are increased in the region E.例文帳に追加

そのため、該領域Ｅではその領域外に比べて熱電子の密度が選択的に高くなり、ここで試料分子に衝突してイオン化を行う機会が増加する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, capable of reducing the occurrence of a bipolar phenomenon due to voltage dropping within a body, when pulling out holes produced due to impact ionization.例文帳に追加

インパクト・イオン化により発生するホールを引き抜く際のボディ内で電圧降下による寄生バイポーラ現象の発生を低減する半導体集積回路の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, which never impairs the performance of a transistor while fully suppressing the floating effect of a substrate that accompanies an impact ionization in a SOI device.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスにおけるインパクトイオン化に伴う基板浮遊効果を十分に抑制しつつ、トランジスタ性能を阻害することのない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that efficiently absorbs holes of electrons generated through an impact ionization phenomenon and has normal operation characteristics and high reliability.例文帳に追加

インパクトイオン化現象によって発生した電子・正孔を効率よく吸収することが可能で正常な動作特性と高い信頼性を実現する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A solid-state image sensor 54, which caused an impact ionization phenomenon so as to enable the amplification of a charge generated by photoelectric conversion, is provided in a videoscope 50 which is detachably connected to a processor 10.例文帳に追加

プロセッサ１０に着脱自在に接続されるビデオスコープ５０に、インパクトイオン化現象を起こすことによって光電変換により生じた電荷を増幅可能な固体撮像素子５４を設ける。 - 特許庁

Consequently, since electric field will not concentrate on the drain end of a channel region 130n that faces the edge parts of the gate electrode 2n across a gate insulating layer 2, impact ionization is less likely to occur.例文帳に追加

このため、ゲート電極３ｎのエッジ部分に対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１３０ｎのドレイン端では、電界が集中しないので、インパクトイオン化が発生しにくい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its fabricating method in which floating effect of a substrate incident to impact ionization can be suppressed sufficiently in an SOI device while suppressing increase in the occupation area of the SOI device.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスの占有面積の増加を抑えつつ、ＳＯＩデバイスにおけるインパクトイオン化に伴う基板浮遊効果を十分に抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A gap between the first region and the second region is set so that an impact ionization phenomenon is caused by a difference between the first voltage and the second voltage when the first gate electrode and the second gate electrode are turned on, and so that the impact ionization phenomenon does not occur when at least one of the first gate electrode and the second gate electrode is turned off.例文帳に追加

前記第１領域と前記第２領域との間の間隔は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極がオン状態である場合に、前記第１電圧と前記第２電圧との差によってインパクトイオン化現象が発生し、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の少なくとも一方がオフ状態である場合に、インパクトイオン化現象が発生しないように設定される。 - 特許庁

This reduces the current generated by impact ionization, when a drain bias is applied and improves the hot carrier resistance, by suppressing the characteristic deterioration due to hot carriers, to be made to correspond to a plurality of kinds of power supply voltages.例文帳に追加

これにより、ドレインバイアスを印加した時のインパクトイオン化によって生じる電流を低減し、ホットキャリアに起因する特性劣化を抑えてホットキャリア耐性を向上させ、複数種の電源電圧に対応させる。 - 特許庁

A videoscope, which is equipped with a charge amplification type solid-state imaging device 54 capable of causing an impact ionization phenomenon so as to amplify an output signal charge, is connected to a processor 10 to which a monitor 39 is connected.例文帳に追加

モニタ３９が接続されるプロセッサ１０に、インパクトイオン化現象を生じさせて出力信号電荷を増幅させることが可能な電荷増幅型固体撮像素子５４を備えたビデオスコープを接続する。 - 特許庁

Consequently, a current generated by impact ionization, when drain bias is applied is reduced to improve hot carrier resistance by suppressing characteristic deterioration due to the hot carriers, and to enable one semiconductor device to correspond to a plurality of kinds of power supply voltages.例文帳に追加

これにより、ドレインバイアスを印加した時のインパクトイオン化によって生じる電流を低減し、ホットキャリアに起因する特性劣化を抑えてホットキャリア耐性を向上させ、複数種の電源電圧に対応させる。 - 特許庁

To provide a method and a device for mass spectrometry by an internal ionization ion trap analyzable with high sensitivity by eliminating ion formed in a mass quantity, from a space between ion trap electrodes, and preferentially capturing negative ion formed only in a trace quantity in ionizing a sample or reagent gas in the ion trap by electron impact ionization(EI) or the like.例文帳に追加

イオントラップ内で、試料あるいは試薬ガスを電子衝撃イオン化（ＥＩ）等によりイオン化する際に、大量に生成されるイオンをイオントラップ電極間空間から排除し、極微量にしか生成されない負イオンを優先的に捕捉し、高感度に分析可能な、内部イオン化型のイオントラップによる質量分析法ならびにその装置を提供する。 - 特許庁

To enhance pressure resistance by increasing the threshold energy of impact ionization in a semiconductor device which has at least one p-n junction which is composed on a GaAs semiconductor substrate, for example, a heterojunction bipolar transistor (HBT).例文帳に追加

ＧａＡｓ半導体基板上に構成された少なくとも１つのｐ−ｎ接合を有する半導体装置、たとえばヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）において、インパクトイオン化のしきい値エネルギーを高くし、それによって、耐圧を高くする。 - 特許庁

In an ionizing period of ionizing a sample or reagent gas in the ion trap by electron impact ionization(EI) or the like, the electrostatic field is impressed by superimposition between ion trap electrodes in addition to the high frequency electric field to unstabilize and eliminate positive ion from a space between the ion trap electrodes simultaneously with ionization, and negative ion formed only in a trace quantity is preferentially captured to carry out mass spectrometry.例文帳に追加

イオントラップ内で、試料あるいは試薬ガスを電子衝撃イオン化（ＥＩ）等によりイオン化するイオン化期間に、イオントラップ電極間に、高周波電界の他に、静電界を重畳印加して、イオン化と同時にイオントラップ電極間空間から正イオンを不安定化して排除し、極微量にしか生成されない負イオンを優先的に捕捉して、質量分析する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of conducting an AND logic element operation with two inputs for a fine element, reducing element variation, and reducing a power consumption about an impact ionization MISFET (metal insulator semiconductor field-effect transistor).例文帳に追加

インパクトイオン化ＭＩＳＦＥＴに関して、微細素子において二つの入力によりＡＮＤ型論理素子動作することを可能とし、素子バラツキを低減することを可能とし、消費電力を低減することを可能とする半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the circuit simulator, the impact ionization current Iii of a field effect transistor is calculated based on a drain transverse electric field E_d calculation formula in which a saturated source-drain voltage V_dsat is given by a function of a source-gate voltage V_gs and a source-drain voltage V_ds.例文帳に追加

飽和ソース−ドレイン電圧Ｖ_ｄｓａｔがソース−ゲート電圧Ｖ_ｇｓおよびソース−ドレイン電圧Ｖ_ｄｓの関数にて与えられたドレイン横方向電界Ｅ_ｄの計算式に基づいて電界効果トランジスタのインパクトイオン化電流Ｉｉｉを計算する。 - 特許庁

To provide a photodiode that increases efficiency of detection with a high S/N ratio even at a low luminous intensity by applying a high field to a chalcopyrite semiconductor to generate charge multiplied by impact ionization, and improving dark current characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

カルコパイライト型半導体に高電界を印加することで、衝突電離による電荷の増倍を発生させ、かつ暗電流特性を改善することにより、低照度でも検出効率を高め、Ｓ／Ｎ比が高いフォトダイオードおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Although it is difficult to balance prevention of the fragmentation of the cluster with a practical beam current by ionization by a conventional electron impact method, the practical beam current can be provided while preventing the fragmentation of the cluster by this application.例文帳に追加

従来の電子衝撃法によるイオン化ではクラスターのフラグメント化防止と実用的なビーム電流を両立することは困難であるが、本発明を用いることによって、クラスターのフラグメント化を防止しながら、実用的なビーム電流を得ることができる。 - 特許庁

Thus, almost all electrons can be collected in the electron collection electrode L3, and X-ray photo-electronic current and electron impact desorption ion current, which are main noise current in a conventional ionization vacuum gauge, can be prevented from occurring.例文帳に追加

これにより、ほとんど全部の電子を電子収集電極Ｌ３に収集することが可能となり、従来の電離真空計において主要な雑音電流であったＸ線光電子電流や電子衝撃脱離イオン電流などの発生を避けることができる。 - 特許庁

The amplification part 11a while transferring the information electric charges transferred from the storage part 11i to a vertical direction in response to an amplification transfer clock ϕa synchronized with the vertical transfer clock ϕv, uses an impact ionization phenomenon to amplify the amount of the information electric charges sequentially with a predetermined amplification factor.例文帳に追加

増幅部１１ａは、垂直転送クロックφｖに同期した増幅転送クロックφａに応答して、蓄積部１１ｉから転送された情報電荷を垂直方向に転送しながら、インパクトイオン化現象を利用して、所定の増幅率で順次情報電荷の電荷量を増幅していく。 - 特許庁

The MIS transistor dynamically stores a first data status wherein impact-ionization takes place near a drain junction to set the silicon layer 12 to a first electric potential, and a second data status wherein a forward current is allowed to flow the drain junction to set the silicon layer 12 to a second electric potential.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタは、ドレイン接合近傍でインパクトイオン化を起こしてシリコン層１２を第１の電位に設定した第１データ状態と、ドレイン接合に順方向電流を流してシリコン層１２を第２の電位に設定した第２データ状態とをダイナミックに記憶する。 - 特許庁

The MIS transistor dynamically memorizes a first data state in which the silicon layer 12 is set to a first potential by causing impact ionization in the vicinity of the drain junction; and a second data state in which the silicon layer 12 is set to a second potential by passing forward current to the drain junction.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタは、ドレイン接合近傍でインパクトイオン化を起こしてシリコン層１２を第１の電位に設定した第１データ状態と、ドレイン接合に順方向電流を流してシリコン層１２を第２の電位に設定した第２データ状態とをダイナミックに記憶する。 - 特許庁

The semiconductor device is capable of conducting a switching operation by impact ionization, when an inversion layer is formed by two inputs to first and second gate electrodes, formed independently on the surface of a first conductivity-type or an intrinsic semiconductor region.例文帳に追加

第１導電型または真性である半導体領域の表面上に形成された二つの独立した第一および第二のゲート電極への両者への入力により反転層が形成された場合に、インパクトイオン化によるスイッチング動作が可能となることを特徴とする、半導体装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces the MOS transistor's characteristic variations caused by the impact ionization phenomenon found in the high-accuracy power management semiconductor device or analog semiconductor device with integrated MOS transistors such as CMOS semiconductor integrated circuits, and assures stable electrical characteristics.例文帳に追加

CMOS半導体集積回路などのMOSトランジスタを含み、高精度を有するパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置におけるインパクトイオン化現象によるMOSトランジスタの特性変動を低減し、安定した電気的特性を得ることを特徴とする半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a thin-film transistor capable of preventing concentration of electric field at the drain end that can cause impact ionization, by improving the shape of the gate electrode, to provide a manufacturing method of the semiconductor device, and to provide an electrooptical device that uses the semiconductor device as an element substrate.例文帳に追加

ゲート電極の形状を改良して、インパクトイオン化の原因となるドレイン端での電界集中を防止可能な薄膜トランジスタを備えた半導体装置、この半導体装置の製造方法、および当該半導体装置を素子基板として用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

An N-type connection region 107, which is a part for forming a second conduction-type region by impact ionization when the transistor is in an operational state, is provided on a route including the N-type collector region 118 and the first/second embedded regions 106, 108 in the semiconductor device 100.例文帳に追加

半導体装置１００において、Ｎ型コレクタ領域１１８と第一のＮ型埋込領域１０６および第二のＮ型埋込領域１０８とを含む経路上に、トランジスタが動作状態となったときに、インパクトイオン化により第二導電型領域を形成する部位であるＮ型接続領域１０７が設けられる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device characterized by including a MOS transistor such as a CMOS semiconductor integrated circuit, reducing variation in characteristics of the MOS transistor due to impact ionization in a highly precise power management semiconductor device or analog semiconductor device, and obtaining stable electric characteristics.例文帳に追加

CMOS半導体集積回路などのMOSトランジスタを含み、高精度を有するパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置におけるインパクトイオン化現象によるMOSトランジスタの特性変動を低減し、安定した電気的特性を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor device which is improved in high-frequency and noise characteristics by a method, wherein holes caused by impact ionization are easily absorbed by a source electrode without increasing the field-effect semiconductor device in source resistance, and a kink effect is not caused by recombination of holes and a surface level.例文帳に追加

電界効果半導体装置に関し、電界効果半導体装置のソースに於ける抵抗の上昇を招来することなく、衝突イオン化に起因する正孔が容易にソース電極に吸収されるようにし、正孔と表面準位との再結合に依るキンク効果の発生を抑制して高周波特性や雑音特性を改善しようとする。 - 特許庁

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。 - 特許庁