「MOC」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The body-side connection connector 40 and the additional-side connection connector 41 are connected, and each of the motor control circuits 55, 56 of the add-on controller A2 is electrically connected to the motor controller MOC.例文帳に追加

そして、本体側接続コネクタ４０と追加側接続コネクタ４１が接続されて、追加コントローラＡ２の各モータ制御回路５５，５６がモータ制御装置ＭＯＣと電気的に接続されている。 - 特許庁

A body controller A1 is provided with: a main controller MC; a motor controller MOC; first to fourth motor control circuits 51 to 54; a servo amplifier 10; an encoder receiving circuit 60; and a body-side connection connector 40.例文帳に追加

本体コントローラＡ１は、主制御装置ＭＣと、モータ制御装置ＭＯＣと、第１〜第４モータ制御回路５１〜５４と、サーボアンプ１０と、エンコーダ受信回路６０と、本体側接続コネクタ４０とを備えている。 - 特許庁

This steel has the above components and carbon content in a carbide composed of one or more kinds from among MoC, TiC, NbC and VC, newly precipitated by holding at 650 - 700°C for 10 - 30 min.例文帳に追加

上記成分組成を有し、６５０〜７００℃に１０〜３０分保持することにより新たに析出するＭｏＣ、及びＴｉＣ，ＮｂＣ、ＶＣの１種以上からなる炭化物中の炭素量が特定量となる鋼。 - 特許庁

On the other hand, in the peripheral circuit region (recess part), an MOC transistor is element-separated by a locus 6, and lead-out wiring 41, 42 are installed on the inter-layer insulating layer 21 for a gate electrode 17, a source and a drain 18.例文帳に追加

一方、周辺回路領域（凹部）においては、ＭＯＳトランジスタがロコス６で素子分離され、ゲート電極１７及びソース及びドレイン１８に対して、層間絶縁層２１上に引き出し配線４１，４０が設けられている。 - 特許庁

This will repel the negative toner at the entrance to the fuser nip 13 and prevent the toner 17 from transferring to the fuser roll 2 at the entrance of the fuser nip 13 and preclude the formation of NVO and consequently prevent MOC.例文帳に追加

これにより、溶着器間隙１３への入口で負のトナーを駆逐し、溶着器間隙１３の入口でトナー１７が溶着器ロール２に転写されることを防ぎ、ＮＶＯの形成を妨げて、結果としてＭＯＣを防ぐ。 - 特許庁

A mask having a zigzaged shape window or a striped window is formed on a GaAs(111) substrate, a GaN buffer layer is formed at a low temperature by HVPE method or MOC method, a GaN epitaxial layer is formed thick at a high temperature by the HVPE method, and the GaAs substrate is removed.例文帳に追加

ＧａＡｓ（１１１）基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、ＨＶＰＥ法またはＭＯＣ法により低温でＧａＮバッファ層を形成し、ＨＶＰＥ法により高温でＧａＮエピタキシャル層を厚く形成し、ＧａＡｓ基板を除去する。 - 特許庁

A free-standing film is obtained by purifying a raw material gas to fully eliminate water or oxygen, adding water or oxygen in a desired amount to HCL, NH_3 or hydrogen gas as the raw material gas, and epitaxially growing GaN on a GaAs substrate by HVPE (Halide Vapor Phase Epitaxy) or MOC (Metallorganic Chloride Vapor Phase Epitaxy) method.例文帳に追加

原料ガスを精製し水や酸素を充分に除去してから所望の量の水あるいは酸素を、原料ガスの、ＨＣｌ、ＮＨ_３あるいは水素ガスに含ませて、ＨＶＰＥ法あるいはＭＯＣ法でＧａＡｓ基板の上にＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＡｓ基板を除去し自立膜を得る。 - 特許庁