「on ion」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The wafer thus stuck is then heated and a part thereof is stripped bordering on the ion implantation layer thus producing an SOI wafer.例文帳に追加

この貼り合わせウェーハを加熱することにより、イオン注入層を境界にその一部を剥離し、ＳＯＩウェーハを作製する。 - 特許庁

To provide an ionic compound having high carrier ion transport number, an electrolyte, and an electrochemical device which is excellent on electric characteristics.例文帳に追加

キャリアイオン輸率の高いイオン性化合物及び電解質、並びに、電気的特性に優れた電気化学デバイスを提供する。 - 特許庁

On a top surface of an epitaxial layer 2, N type impurities are ion-implanted to form N^+ semiconductor layers 5 and 6 as a photodetection portion.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面上にＮ型不純物をイオン注入して、受光部となるＮ^＋半導体層５，６を形成する。 - 特許庁

Also disclosed are an adaptive FCVA device to deposit metal on a substrate and controller to control ion beams collided with the substrate.例文帳に追加

基板に金属を堆積する適応ＦＣＶＡ装置および基板に衝突するイオンビームを制御する制御装置も、開示される。 - 特許庁

In the carbon layer formation step, a carbon layer is formed on a surface of the substrate into which the ions are injected in the ion injection step.例文帳に追加

カーボン層形成工程では、イオン注入工程でイオンが注入された基板の表面にカーボン層を形成する。 - 特許庁

To suppress formation of a silicide on sidewalls which occurs, when ion implantation is performed for making silicon into amorphous form for suppressing thin wire effect.例文帳に追加

細線効果抑制用のアモルファス化のためにイオン注入した際に生じるサイドウォール上のシリサイド形成を抑制する。 - 特許庁

An ion exchanger (11) for removing ions contained in city water is arranged on the upstream side of the electrolyser (10).例文帳に追加

また、電気分解器(10)の上流側に水道水に含有されたイオンを除去するためのイオン交換器(11)を設けることにした。 - 特許庁

A nitric layer 2 is formed on a piston ring 1 to have the nitric layer 2 of outside circumferential face coated with the hard coating 3 by ark ion plating.例文帳に追加

ピストンリング１に窒化層２を形成し、外周面の窒化層２上に、硬質皮膜３をアークイオンプレーティングによって被覆する。 - 特許庁

To increase the mechanical strength of the insulating columns of an electrode row structural body provided on an ion accelerator and improve dielectric strength.例文帳に追加

イオン加速装置に設ける電極列構造体の絶縁コラムの機械的強度を高め、絶縁耐力を向上させること。 - 特許庁

A voltage higher than a normal voltage is impressed on the discharge face 210A of an ion generating element 210 for removing the dust accumulated thereon.例文帳に追加

イオン発生素子２１０の放電面２１０Ａにたまった埃を飛ばすために、通常よりも高い電圧を印加する。 - 特許庁

To prevent the contamination by ion attack of plasma to a diaphragm by which an antenna is arranged on the atmosphere side, in a plasma processing apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、大気側にアンテナが配置された隔板に対するプラズマのイオンアタックによる汚染を防止する。 - 特許庁

An ion exchange polymer is deposited on a region of a surface of the base plate, preferably by a dip coating or a spray method.例文帳に追加

基板の表面の領域上には、イオン交換ポリマーが、好ましくは、ディップコーティング又はスプレーの方法により堆積される。 - 特許庁

To provide a substrate holding device suited for reducing dispersion of ion implantation requirements at each point on a substrate surface.例文帳に追加

基板面上の各点におけるイオン注入条件のばらつきを低減させるのに適した基板保持装置を提供する - 特許庁

This enables to irradiate an ion beam downwards so as to provide micro-fabrication on a fabrication part of the object being fabricated from above.例文帳に追加

イオンビームを下方に出射することができるので、加工対象の加工箇所を上方から微細加工することができる。 - 特許庁

The ions are guided to an entrance of an ion recovery means through a hole 3e formed on the light collecting mirror 3, and recovered.例文帳に追加

そして、集光ミラー３に形成された孔３ｅを介して、イオン回収手段の入り口に導かれ、イオンが回収される。 - 特許庁

A positive voltage is applied to the split acceleration grid on the side for turning off an ion beam, and a negative voltage is applied to a deceleration grid 117.例文帳に追加

イオンビームをオフする側の分割加速グリッドに正電圧を印加し、更に減速グリッド１１７に負電圧を印加する。 - 特許庁

To efficiently charge a lithium ion battery incorporated on the battery built-in apparatus side by reducing heat generation in the vicinity of full charge thereof.例文帳に追加

電池内蔵機器側に内蔵されるリチウムイオン電池の満充電付近での発熱を少なくして、効率よく充電する。 - 特許庁

The AC high voltage generating circuit 12a is operated by on of the switch 16, by which the air is ionized in the ion generating block 14.例文帳に追加

スイッチ１６のオンにより交流高電圧発生回路１２ａを作動させ、イオン発生ブロック１４でエアをイオン化する。 - 特許庁

Besides, when recording is instructed, the CPU 11 records a voice inputted from a microphone on an empty track or ion a designated track.例文帳に追加

また、録音が指示されると、ＣＰＵ１１は、マイクから入力された音声を、空きトラック或いは指定されたトラックに記録する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the solid-state imaging apparatus including a process of embedding and forming a photodiode layer in a semiconductor substrate by ion implantation and a process of embedding and forming a shield layer on the photodiode layer by the ion implantation, at least in the ion implantation process of forming the shield layer, at least one ion implantation process suspension period is provided in the ion implantation process period.例文帳に追加

半導体基板にフォトダイオード層をイオン注入により埋め込み形成する工程と、このフォトダイオード層上にシールド層をイオン注入により埋め込み形成する工程を含む固体撮像装置の製造方法のうち、少なくともシールド層を形成するイオン注入工程において、このイオン注入工程期間に少なくとも１回以上のイオン注入工程休止期間を設けることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 特許庁

This ion source device is equipped with a slit adjusting plate 6 mounted on an arc chamber 2 for varying the opening area of a slit 5, a motor 8 for driving the slit adjusting plate 6, and a controller 13 for controlling the motor 8 based on the result of comparison of a measured ion-beam current Ia with a previously set-up target ion-beam current Ib.例文帳に追加

開示されているイオン源装置は、アークチャンバ２に取り付けられてスリット５の開口面積を可変させるスリット調整板６と、このスリット調整板６を駆動するモータ８と、測定イオンビーム電流Ｉａと予め設定された目標イオンビーム電流Ｉｂとの比較結果に基づいてモータ８を制御するコントローラ１３とを備えている。 - 特許庁

In addition to a solid electrolyte LISICON 3, a positive ion exchange membrane 5 is positioned on an air electrode side 7, OH ion generated by electric discharge on a positive electrode side is prevented from reaching the solid electrolyte LISICON by the positive ion exchange membrane in order to maintain the surface of the solid electrolyte LISICON in weak alkaline so that the endurance of the solid electrolyte LISICON can be improved.例文帳に追加

固体電解質LISICON３に加えて、陽イオン交換膜５を空気極側７に配し、当該陽イオン交換膜によって、放電により正極側で生成したOHイオンが固体電解質LISICONに到達することを阻止することにより、固体電解質LISICONの表面を弱アルカリ性に維持することで、固体電解質LISICONの耐久性を向上させる。 - 特許庁

The manufacturing method includes an oxide film forming process for forming an oxide film 12 which is a protective film over the entire surface of a semiconductor substrate 11, a metal thin film forming process for forming a metal thin film 13 on the oxide film 12, and an ion preventing layer forming process for forming an ion preventing layer 14 of the metal having an ion preventing function on the metal thin film 13.例文帳に追加

半導体基板１１上の全面に保護膜である酸化膜１２を形成する酸化膜形成工程と、酸化膜１２上に金属薄膜１３を形成する金属薄膜形成工程と、金属薄膜１３上にイオン阻止能を有する金属からなるイオン阻止層１４を形成するイオン阻止層形成工程と、を有する。 - 特許庁

A method for manufacturing the separator 1 for the fuel cell is that a coating layer 14 (a carbon layer as a corrosion resistant layer) is formed on a metallic substrate 12 by combining a filterless arc ion plating method with a vapor deposition method different from the filterless arc ion plating method, and a conductive part is formed on the carbon layer by the filterless arc ion plating method.例文帳に追加

燃料電池用セパレータ１の製造方法は、フィルターレスアークイオンプレーティング法及び前記フィルターレスアークイオンプレーティング法と異なる蒸着法を併用して、金属基板１２上に被覆層１４（耐食層としてのカーボン層）を形成すると共に、前記フィルターレスアークイオンプレーティング法により、前記カーボン層に導電部を形成する。 - 特許庁

When the shutter 24 is set at an open position, the ion beams 22a enter the sub stream channel 13c, and are accelerated or decelerated by an accelerator-decelerator 17 to be irradiated on a wafer 29 of an end station 19 to have ion implantation carried out.例文帳に追加

シャッタ２４を開位置にすると、イオンビーム２２ａが支流通路１３ｃに入り、加速・減速器１７で加速又は減速されてエンドステーション１９のウエハ２９に照射され、イオン注入が行なわれる。 - 特許庁

To provide a method of secondary ion mass analysis allowing accurate analysis to be performed by eliminating the effect of impurities deposited on the periphery of a device even in secondary ion mass analysis in which various specimens are dealt with.例文帳に追加

多様な試料を扱う二次イオン質量分析においても、装置周囲に付着した不純物の影響を排除し、精度のよい分析を行うことができる二次イオン質量分析方法を提供する。 - 特許庁

Then, the secondary ion of the element C in the standard specimen is measured under the set measuring conditions to obtain the standard secondary ion intensity of the element C for each of the composition areas on the surface of the standard specimen.例文帳に追加

次に、設定された測定条件で標準試料における元素Ｃの二次イオンを測定して標準試料の表面における各組成領域の各々について元素Ｃの標準二次イオン強度を得る。 - 特許庁

The operating sound of the ion generating device generating from the ion generating surface is reflected on an inner wall of the duct 9 toward downstream side of the air conditioned wind to enable to reduce leakage of the operating sound from the blow-off port.例文帳に追加

これによりイオン発生面から発生するイオン発生装置２０の作動音はダクト９の内壁に反射しながら空調風の上流側に向かい、吹出口からの作動音の漏れを低減することができる。 - 特許庁

As a result, the thermal distortion due to the thermal expansion and shrinkage of the oxygen ion-conduction substrate 2 and the supporting member 3 is relaxed to prevent the occurrence of the breaking or the crack on the oxygen ion-conductive substrate 2.例文帳に追加

これによって、酸素イオン導電性基板２と支持部材３との熱膨張収縮による熱歪は緩和することができ、酸素イオン導電性基板２に割れやクラックが発生しないようにすることができる。 - 特許庁

A periphery insulating film 13 is formed with a film thickness through which a P-type impurity ion which is injected into an N-type region 5 in an ion implantation step of a post step on a periphery of a semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

To provide a beam source and a beam treatment device capable of uniformly irradiating various beams like positive ion, negative ion, neutral particles or the like in a large diameter on a treated object and realizing charge-free and damage-free properties.例文帳に追加

正イオン、負イオン、中性粒子等の各種のビームを大口径で均一に被処理物に照射することができるビーム源及びこれらのビーム源を用いて被処理物を処理するビーム処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a mass spectrometer equipped with a MALDI (Matrix Assisted Laser Desorption/Ionization) ion source capable of performing easily individual management of a sample plate and mass calibration based on distortion information of the sample plate, and the sample plate for the MALDI ion source.例文帳に追加

サンプルプレートの個別管理や、サンプルプレートのゆがみ情報に基づく質量較正を容易に行なうことのできるMALDIイオン源を備えた質量分析装置およびMALDIイオン源用サンプルプレートを提供する。 - 特許庁

A sensor chip 2 disposed on a substrate 1 is sealed by a sealing resin 5, and a section of the sealing resin 5, which seals an ion sensitive section 2a of the sensor chip 2, is removed using excimer laser so as to expose the ion sensitive section 2a.例文帳に追加

基体１に配設されたセンサチップ２を封止樹脂５で封止し、封止樹脂５におけるセンサチップ２のイオン感応部２ａを封止する部位を、エキシマレーザーにより除去してイオン感応部２ａを露出させる。 - 特許庁

Since the hydrogen ion concentration test paper 21 discolors according to the acidity of matter adhering on the surface of the coil 11, the ion concentration (pH value) of the adhered matter is measured by contrasting the color with a discoloration table to evaluate the degree of discharge deterioration.例文帳に追加

コイル１１の表面付着物の酸性度に応じて、水素イオン濃度試験紙２１が変色するので、変色表と対比して、この付着物のイオン濃度（ｐＨ値）を測定し、放電劣化度を評価する。 - 特許庁

In the surface roughening method for a semiconductor substrate to roughen the surface of the semiconductor by the reactive ion etching method, after forming an oxide film on the surface of the semiconductor substrate, perform surface roughening by the reactive ion etching method.例文帳に追加

半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にする。 - 特許庁

To provide a beam source and a beam treatment device capable of irradiating various beams like positive ion, negative ion, neutral particles or the like in a large diameter uniformly on a treated object and realizing charge-free and damage-free properties.例文帳に追加

正イオン、負イオン、中性粒子等の各種のビームを大口径で均一に被処理物に照射することができると共に、チャージフリー且つダメージフリーを実現するビーム源及びビーム処理装置を提供する。 - 特許庁

Thus, operation noise of the ion generator 20 generated from the ion generation face leads to the upstream side of air-conditioning air while reflecting on the inner wall of the duct 9, and leakage of the operation noise from the blowing-off port can be reduced.例文帳に追加

これによりイオン発生面から発生するイオン発生装置２０の作動音はダクト９の内壁に反射しながら空調風の上流側に向かい、吹出口からの作動音の漏れを低減することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an excellent ion conductive membrane material which is made by forming an ion-conducting membrane on a porous substrate and has further improved ionic conductivity.例文帳に追加

多孔質基材上にイオン伝導膜を形成してなるイオン伝導性膜材を製造する方法であってイオン伝導性がより一層向上し得る優れたイオン伝導性膜材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A positive electrode plate 20 is arranged side by side at the lower part of a mist nozzle 9 so as to be positioned on the same straight line along the vertical direction with an ion nozzle 14 (ion discharge port 14a) and a mist nozzle 9 (mist discharge port 9b).例文帳に追加

プラス電極板２０が、イオンノズル１４（イオン吐出口１４ａ）及びミストノズル９（ミスト吐出口９ｂ）と上下方向に沿って同一直線上に位置するようにミストノズル９の下部に並設されている。 - 特許庁

This storage solution for nitrifying bacteria immobilized on sodium alginate, a cellulose membrane or the like comprises a substrate such as ammonium ion or nitrite ion, essential nutrients, and oxalacetic acid.例文帳に追加

アルギン酸ナトリウム、セルロース膜などを用いて固定化された硝化細菌に対して、アンモニウムイオン、亜硝酸イオンなどの基質、および、必須栄養素、並びにオキサル酢酸を含有したホウ酸緩衝液から成る保存液。 - 特許庁

An intermediate laminate 25 is formed by laminating catalyst electrode layers 14, 18 having as a main component a conductive microbody having catalysis and an electrolyte polymer having ion conductivity on a membrane 20 having ion conductivity.例文帳に追加

触媒を有する導電性微小体とイオン伝導性をもつ電解質ポリマーとを主要成分とする触媒電極層１４，１８を、イオン伝導性を有する膜２０に積層して中間積層体２５を形成する。 - 特許庁

When the tourmaline powder being retained on the member 1 is pressured by mutual collision between the members 1 due to an air flow developed by the fan 2, an ambient air of tourmaline turns out minus ion, thus mixing the minus ion in the air flow.例文帳に追加

ファン２から発生する気流によって基材１同士が衝突して基材１に担持されているトルマリン粉末が加圧され、トルマリンの周囲の空気がマイナスイオン化して、マイナスイオンを気流中に混入する。 - 特許庁

A p-well region 12, a source region 13, and a p^+ contact region 15 are formed as the ion implanting layer by conducting the ion implantation after growth of an epitaxial growth layer 11 on a 4H-SiC substrate 10.例文帳に追加

４Ｈ−ＳｉＣ基板１０の上にエピタキシャル成長層１１を成長させた後、イオン注入を行なって、イオン注入層であるｐウェル領域１２，ソース領域１３，ｐ^＋コンタクト領域１５を形成する。 - 特許庁

This method comprises bringing solution containing iodine and iodine ion in contact with starch for loading the iodine and iodine ion on the starch to produce the iodine-based non-water soluble solid bacteria protection/sterilization agent.例文帳に追加

ヨウ素及びヨウ素イオンを含有する溶液をデンプンに接触せしめ、該ヨウ素及びヨウ素イオンを前記デンプンに担持させてヨウ素系非水溶性固体防殺菌剤を製造するヨウ素系防殺菌剤の製造方法。 - 特許庁

After forming an insulating film 2 on a substrate 1, a non-single-crystal film 4 is formed by introducing an impurity element 3 by providing a concentration gradient in a crystallization region by an ion implantation or an ion doping.例文帳に追加

基板１上に絶縁膜２を形成した後、不純物物元素３をイオン注入またはイオンドーピングによって結晶化領域において濃度勾配を設けて導入し、その上に非単結晶膜４を形成する。 - 特許庁